模电第五版童诗白答案
第四章 集成运算放大电路
自 测 题
一、选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 A ．可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C ．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 。 A ．高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号
（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。 A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C ．参数一致性好
（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。 A ．减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻
（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。 A ．共射放大电路 B . 共集放大电路 C ．共基放大电路
解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A
二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。( ) （2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。( ) （3）运放的共模抑制比c
d
CMR A A K
( ) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。( )
（5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。( ) 解：（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）×
三、电路如图T4.3所示，已知β1=β2=β3=100。各管的U B E 均为0.7V ，试求I C 2的值。
图T4.3
解：分析估算如下： 100BE1
BE2CC
=
--=
R
U U V I R μA
β
C
C B1C0B2C0E1
E2C
C1C0I I I I I I I I I I I I R +
=+=+====
1001C =≈?+=R R I I I β
βμA
四、电路如图T4.4所示。
图T4.4
（1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放……）；
（2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍
数、输入电阻……）。
解：（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。
（2）第一级采用共集-共基形式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载（T5、T6）增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。
第二级为共射放大电路，以T7、T8构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载，增大放大倍数。
第三级为互补输出级，加了偏置电路，利用D1、D2的导通压降使T9和T10在静态时处于临界导通状态，从而消除交越失真。
五、根据下列要求，将应优先考虑使用的集成运放填入空内。已知现有集成运致的类型是：①通用型②高阻型③高速型④低功耗型⑤高压型⑥大功率型⑦高精度型
（1）作低频放大器，应选用。
（2）作宽频带放大器，应选用。
（3）作幅值为1μV以下微弱信号的量测放大器，应选用。
（4）作内阻为100kΩ信号源的放大器，应选用。
（5）负载需5A电流驱动的放大器，应选用。
（6）要求输出电压幅值为±80的放大器，应选用。
（7）宇航仪器中所用的放大器，应选用。
解：（1）①（2）③（3）⑦（4）②（5）⑥
（6）⑤（7）④
习题
4.1 通用型集成运放一般由几部分电路组成，每一部分常采用哪种基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么？
解：通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分
组成。
通常，输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。
对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数尽可能大。
对中间级的要求：放大倍数大，一切措施几乎都是为了增大放大倍数。
对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压尽可能大。 对偏置电路的要求：提供的静态电流稳定。
4.2 已知一个集成运放的开环差模增益A o d 为100dB ，最大输出电压峰-峰值U o p p ＝±14V ，分别计算差模输入电压u I （即u P －u N ）为10μV 、100μV 、1mV 、1V 和－10μV 、－100μV 、－1mV 、－1V 时的输出电压u O 。
解：根据集成运放的开环差模增益，可求出开环差模放大倍数
5
od od 10
dB 100lg 20==A A
当集成运放工作在线性区时，输出电压u O ＝A o d u I ；当A o d u I 超过±14V 时，u O 不是＋14V ，就是－14V 。故u I （即u P －u N ）为10μV 、100μV 、1mV 、1V 和－10μV 、－100μV 、－1mV 、－1V 时，u O 分别为1V 、10V 、14V 、14V 、－1V 、－10V 、－14V 、－14V 。
4.3 已知几个集成运放的参数如表P4.3所示，试分别说明它们各属于哪种类型的运放。
表P4.3
特性指标 A od r id U IO I IO
I IB
－3dB f H K CMR SR 单位增益带宽
单位
dB M Ω mv nA nA Hz dB V/μV MHz A 1 100 2 5 200 600 7 86 0.5 A 2 130 2 0.01 2 40 7 120 0.5 A 3 100 1000 5 0.02 0.03 86 0.5 5 A 4
100
2
2
20 150 96 65 12.5 解：A 1为通用型运放，A 2为高精度型运放，A 3为高阻型运放，A 4为高速型运放。
4.4 多路电流源电路如图P4.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，U B E 均为0.7V 。试求I C 1、I C 2各为多少。
图P 4.4
解：因为T 1、T 2、T 3的特性均相同，且U B E 均相同，所以它们的基极、集电极电流均相等，设集电极电流为I C 。先求出R 中电流，再求解I C 1、I C 2。 1000
BE BE4
CC =--=
R
U U V I R μA
R
R I I I I I I I I I ?+++=
++=++
=+=3
)
1( 3132
2
C C C B
C0B3C0βββ
ββββ
当β（1＋β）＞＞3时
100C2C1=≈=R I I I μA
4.5 图4.5所示为多集电极晶体管构成的多路电流源。已知集电极C 0与C 1所接集电区的面积相同，C 2所接集电区的面积是C 0的两倍，I C O /I B = 4，e-b 间电压约为0.7V 。试求解I C 1、I C 2各为多少
图P 4.5
解：多集电极晶体管集电极电流正比于集电区的面积。
先求出R 中电流，再求解I C 1、I C 2。
A
μ3202A μ160 A μ160
1 V)7.0(μA 200C0C2C0C1C0C0C0B C EB EB
CC =====+=
+=+===-=
I I I I I I I
I I I I U R
U V I R
R R β
ββ
其中
4.6 电路如图P4.6所示，T 管的低频跨导为g m ，T 1和T 2管d-s 间的动态电阻分别为r d s 1和r d s 2。试求解电压放大倍数A u =△u O /△u I 的表达式。
图P 4.6
解：由于T 2和T 3所组成的镜像电流源是以T 1为放大管的共射放大电路的有源负载，T 1、T 2管d-s 间动态电阻分别为r d s 1、r d s 2，所以电压放大倍数A u 的表达式为 )()
(ds2ds1
m I
ds2ds1D I
O
r r g u r r i u u A u ∥∥-=??-=
??=
4.7 电路如图P4.7所示，T 1与T 2管特性相同，它们的低频跨导为g m ；T 3与T 4管特性对称；T 2与T 4管d-s 间动态电阻为r d s 2和r d s 4。试求出两电路的电压放大倍数A u =△u O /△(u I 1－u I 2)的表达式。
图P 4.7
解：在图（a ）（b ）所示电路中
)
(2)
(2I21I O
m I21I m 1D 1
D 1D 2D 4D 2D O 4
D 3D 2D 1D u u i g u u g i i i i i i i i i i i -??-
≈-??
=??-=?-?≈?-?=??=?≈?-=?
图（a ）所示电路的电压放大倍数
)
( )
()( )
(4d ds2m I2I1ds4ds2O I2I1s O
u r r g u u r r i u u u A ∥∥≈-??-=-??=
同理，图（b ）所示电路的电压放大倍数
)(4d ds2m s u r r g A ∥≈
4.8 电路如图P4.8所示，具有理想的对称性。设各管β均相同。 （1）说明电路中各晶体管的作用；
（2）若输入差模电压为（u I 1－u I 2），则由此产生的差模电流为△i D ，求解电路电流放大倍数A i 的近似表达式。 解：（1）图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。T 1和T 2、T 3和T 4分别组成的复合管为放大管，T 5和T 6组成的镜像电流源为有源负载。
（2）由于用T 5和T 6所构成的镜像电流源作为有源负载，将左半部分放大管的电流变化量转换到右边，故
输出电流变化量及电路电流放大倍数
图P 4.8
分别为
ββββ)1(2 )1(2I
O
I
O +≈??=
?+≈?i i A i i i 4.9 电路如图P4.9所示，具有理想的对称性。回答题4.8所提的问题。
图P 4.9
解：（1）图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。T 1和T 2、T 3和T 3分别组成的复合管为放大管，T 5和T 6组成的镜像电流源为有源负载。
（2）由于用T 5和T 6所构成的镜像电流源作为有源负载，将左半部分放大管的电流变化量转换到右边，故输出电流变化量及电路电流放大倍数分别为
ββββ)1(2 )1(2I
O
I
O +
≈??=
?+≈?i i A i i i
4.10 电路如图P4.10所示，T 1与T 2管的特性相同，所有晶体管的β均相同，R c 1远大于二极管的正向电阻。当u I 1＝u I 2＝0V 时，u O ＝0V 。
图P 4.10
（1）求解电压放大倍数的表达式；
（2）当有共模输入电压时，u O =？简述理由。 解：（1）在忽略二极管动态电阻的情况下
2
1be3
c2
2be1
3be c112
u u u u u A A A r R A r r R A ?=?
-=?
-≈ββ∥
（2）当有共模输入电压时，u O 近似为零。由于R c 1＞＞r d ，△u C 1≈△u C 2，因此△u B E 3≈0，故u O ≈0。
4.11 电路如图P4.11所示，T 1与T 2管为超β管，电路具有理想的对称性。选择合适的答案填入空内。
（1）该电路采用了 。
A．共集-共基接法
B. 共集-共射接法
C．共射-共基接法
（2）电路所采用的上述接法是为了。
A．增大输入电阻
B.增大电流放大系数
C．展宽频带
图P4.11（3）电路采用超β管能够。
A．增大输入级的耐压值
B.增大放大能力C．增大带负载能力
（4）T1与T2管的静态压降约为。
A．0.7V B. 1.4V C.不可知
解：（1）C （2）C （3）B （4）A
4.12电路如图P4.11所示，试问：为什么说D1与D2的作用是减少T1与T2管集电结反向电流I C B O对输入电流的影响？
解：因为U B E3＋U C E1＝2U D，U B E1≈U D，U C E1≈U D，所以U C B1≈0，反向电流为零，因此I C B O对输入电流影响很小。
4.13在图P4.13所示电路中，已知T1～T3管的特性完全相同，β＞＞2；反相输入端的输入电流为i I1，同相输入端的输入电流为i I2。试问：（1）i C2≈?
（2）i B2≈?
（3）A u i=△u O/(i I1－i I2)≈？
图P 4.13
解：（1）因为T 1和T 2为镜像关系，且β＞＞2，所以i C 2≈i C 1≈i I 2 。 （2）i B 3＝i I 1－i C 2≈i I 1－i I 2
（3）输出电压的变化量和放大倍数分别为
c
3B3O I2I1O c B33c C3O )(
R i u i i u A R i R i u ui ββ-=??≈-??=?-=?-=?
4.14 比较图P4.14所示两个电路，分别说明它的是如何消交越失真和如何实现过流保护的。
图P4.14
解：在图（a）所示电路中，D1、D2使T2、T3微导通，可消除交越失真。R为电流采样电阻，D3对T2起过流保护。当T2导通时，u D3＝u B E2＋i O R－u D1，未过流时i O R较小，因u D3小于开启电压使D3截止；过流时因u D3大于开启电压使D3导通，为T2基极分流。D4对T4起过流保护，原因与上述相同。
在图（b）所示电路中，T4、T5使T2、T3微导通，可消除交越失真。R2为电流采样电阻，T6对T2起过流保护。当T2导通时，u B E6＝i O R2，未过流时i O R2较小，因u B E6小于开启电压使T6截止；过流时因u B E6大于开启电压使T6导通，为T2基极分流。T7对T3起过流保护，原因与上述相同。
4.15图4.15所示电路是某集成运放电路的一部分，单电源供电，T1、T2、T3为放大管。试分析：
图P4.15
（1）100μA电流源的作用；
（2）T4的工作区域(截止、放大、饱和)；
（3）50μA电流源的作用；
（4）T5与R的作用
解：（1）为T1提供静态集电极电流、为T2提供基极电流，并作为T1的有源负载。
（2）T4截止。因为u B4＝u C1＝u O＋u R＋u B2＋u B3，u E4＝u O，u B4＞u E4。
（3）50μA电流源为T3提供射极电流，在交流等效电路中等效为阻值非常大的电阻。
（4）保护电路。u B E5＝i O R，未过流时T5电流很小；过流时使i E5＞50μA，T5更多地为T3的基极分流。
4.16电路如图P4.16所示，试说明各晶体管的作用。
图P4.16
解：T1为共射放大电路的放大管；T2和T3组成互补输出级；T4、T5、R2组成偏置电路，用于消除交越失失真。
4.17图4.17所示简化的高精度运放电路原理图，试分析：
（1）两个输入端中哪个是同相输入端，哪个是反相输入端；
（2）T3与T4的作用；
（3）电流源I3的作用；
（4）D2与D3的作用。
图P4.17
解：（1）u11为反相输入端，u12为同相输入端。
（2）为T1和T2管的有源负载，将T1管集电极电流变化量转换到输出，使单端输出差分放大电路的差模放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。
（3）为T6设置静态电流，且为T6的集电极有源负载，增大共射放大电路的放大能力。
（4）消除交越失真。
4.18通用型运放F747的内部电路如图P4.18所示，试分析：
（1）偏置电路由哪些元件组成？基准电流约为多少？
（2）哪些是放大管，组成几级放大电路，每级各是什么基本电路？
（3）T19、T20和R8组成的电路的作用是什么？
图P4.18
解：（1）由T10、T11、T9、T8、T12、T13、R5构成。
（2）图示电路为三级放大电路：
T1～T4构成共集-共基差分放大电路，T14～T16构成共集-共射-共集电路，T23、T24构成互补输出级。
（3）消除交越失真。互补输出级两只管子的基极之间电压
U B23－B24＝U B E20＋U B E19
使T23、T24处于微导通，从而消除交越失真。
模电-童诗白课后题全解
模拟电子技术（第四版）童诗白 课后习题答案 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈ U O2＝0 U O3≈－ U O4≈2V U O5≈ U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β
七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 （1）A C （2）A （3）C （4）A 不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端 电压为时管子会因电流过大而烧坏。 u i 和u o 的波形如图所示。 u i 和u o 的波形如图所示。 u o 的波形如图所示。 I D ＝（V －U D ）/R ＝，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 （1）两只稳压管串联时可得、、和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得和6V 等两种稳压值。 t t t t
模电-童诗白(第四版)课后题全解
模拟电子技术(第四版)童诗白 课后习题答案 第一章半导体基础知识 自测题 一、 (1)v (2)X (3)v (4 )X ( 5)v (6 )X 二、 (1) A (2) C (3) C (4) B ( 5) AC 三、 U oi ?1.3V U O 2= 0 U o3~— 1.3V U o4~ 2V U °5~ 2.3V U °6~— 2V 四、 U o1 = 6V U O 2= 5V 五、 根据 P CM = 200mW 可得：U CE F = 40V 时 I C = 5mA , U CE = 30V 时 l C ~ 6.67mA , U CE ^ 10V 时I C = 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、 1、 V BB - U BE R b l c 「I B 二 2.6mA U CE = V CC _ l C R C = 2V U O = U CE = 2 V 。 2、临界饱和时 U CES = U BE = 0.7V ，所以 上二28.6讥 七、T 1 :恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1 (1) A C (2) A ( 3) C (4) A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成 端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和U o 的波形如图所示。 R b V BB - U BE : 45.4k.' U CE = 20V 时 I C = 10mA , V CC - U CES 一 ——=2.86mA R c 也t 指数关系，当 ..'t
1.4 u i 和U o 的波形如图所示。 1.6 I D =( V — U D ) /R = 2.6mA , g~ U T /I D = 10 Q , l d = U i /r D ^ 1mA 。 1.7 (1 )两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得 0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM = P ZM / U Z = 25mA , R = U Z /I DZ = 0.24 ?1.2k Q 。 1.9 (1 )当U l = 10V 时，若U O = U Z = 6V ,则稳压管的电流为 4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压 管未击 穿。故 R U o L U l 3.33V R R L 当U I = 15V 时，由于上述同样的原因， U O = 5V 。 当 U I = 35V 时，U O = U Z = 5V 。 (2) l D Z = (U i -U Z ).；R=29mA > I ZM = 25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1) S 闭合。 (2) R min =(V -U D ). I Dm ax 233 门,R max =(V —U D ). I Dmin 二 700门 1.5 U o 的波形如图所示。
最新模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案解析
模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可
视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =，最小稳定电流 min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。 (1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值； (2)若35I U V =时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？ 解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。 ∴V U I 10=时，V U R R R U I L L O 3.3=+= ； V U I 15=时，5L O I L R U U V R R = =+； V U I 35=时，11.7L O I Z L R U U V U R R = ≈>+，∴V U U Z O 6==。 (2)当负载开路时，mA I mA R U U I Z Z I Z 2529max =>=-=，故稳压管将被烧毁。 1.7 在图Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压 U D =1.5V ，正向电流在5~15mA 时才能正常工作。
童诗白模电第三版课后习题答案详解 第一章
第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈1.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t
模电答案童诗白版第六章
第六章 放大电路中的反馈 自测题 一、（1）× （2）√ （3）× （4）√ 二、（1）B （2）C （3）A （4）D 三、（a ）电流串联负反馈。L 3 1321f 3213 1 R R R R R R A R R R R R F u ?++≈++= （b ）电压并联负反馈。1 2f R R A u -≈ （c ）电压串联负反馈。1f ≈u A （d ）正反馈。 四、（1）应引入电压串联负反馈。 （2）。，故因 190k 201f 1 f Ω==+≈R R R A u 五、因为f ＝105Hz 时，；，?-==180dB 40lg 20'A ?A 为使此时0lg 20＜F A ，则需 2 10dB 40lg 20-＜，即＜－F F 习题 6.1 （1）B B （2）D （3）C （4）C （5）A B B A B 6.2 （1）A （2）B （3）C （4）D （5）B （6）A 6.3 （1）× （2）× （3）√ （4）× 6.4 （a ）直流负反馈 （b ）交、直流正反馈 （c ）直流负反馈 （d ）、（e ）、（f ）、（g ）、（h ）均引入交、直流负反馈 6.5 （a ）交、直流负反馈 （b ）交、直流负反馈 （c ）R S 引入交、直流负反馈，C 2引入交流正反馈。 （d ）、（e ）、（f ）均引入交、直流负反馈。 （g ）R 3和R 7引入直流负反馈，R 4引入交、直流负反馈。 6.6 （d ）电流并联负反馈 1o f ==I I F （e ）电压串联负反馈 2 11 o f R R R U U F +== （f ）电压串联负反馈 1o f ==U U F
模电第五版童诗白答案
2010年全国硕士研究生入学统一考试 数学一试题 一、选择题(1~8小题,每小题4分,共32分.下列每题给出的四个选项中,只有一个选项符合题目要求的,请将所选项前的字母填在答题纸．．． 指定位置上.) (1) 极限2lim ()()x x x x a x b →∞??=??-+?? ( ) (A) 1. (B) e . (C) a b e -. (D) b a e -. (2) 设函数(,)z z x y =,由方程,0y z F x x ?? = ??? 确定,其中F 为可微函数,且20F '≠,则z z x y x y ??+=??( ) (A) x . (B) z . (C) x -. (D) z -. (3) 设,m n 是正整数,则反常积分 () 2ln 1m n x dx x -? 的收敛性 ( ) (A) 仅与m 的取值有关. (B)仅与n 的取值有关. (C) 与,m n 取值都有关. (D) 与,m n 取值都无关. (4) ()() 2211lim n n n i j n n i n j →∞===++∑∑ ( ) (A) ()() 120 1 11x dx dy x y ++?? . (B) ()()100111x dx dy x y ++??. (C) ()() 1 1 1 11dx dy x y ++? ? . (D) ()() 1 1 20 1 11dx dy x y ++?? . (5) 设A 为m n ?矩阵,B 为n m ?矩阵,E 为m 阶单位矩阵,若AB E =,则 ( ) (A) 秩()r A m =,秩()r B m =. (B) 秩()r A m =,秩()r B n =. (C) 秩()r A n =,秩()r B m =. (D) 秩()r A n =,秩()r B n =. (6) 设A 为4阶实对称矩阵,且2 A A O +=,若A 的秩为3,则A 相似于 ( ) (A) 111 0?? ? ? ? ? ?? . (B) 1110?? ? ? ?- ???.
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础 第四版 清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院
目录 第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126
第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ×) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证 R大的特点。( √) 其 GS U大于零，则其输入电阻会明显变小。( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路
模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点总结
模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点 总结 第1章常用半导体器件 1.1 复习笔记 本章首先介绍了半导体的基础知识，随后重点阐述了半导体二极管、晶体管（BJT）和场效应管（FET）的工作原理、特性曲线以及主要参数。半导体器件是组成电子电路的核心元件，因此本章内容是整本书学习的重要基础。通过本章的学习，应能熟练掌握常用半导体器件的工作原理、外特性和主要参数，并熟悉半导体相关基础知识，最后需要了解半导体器件的选用原则，为今后的模拟电路分析和设计打下基础。 一、半导体基础知识 半导体器件是构成电子电路的基本元件，所用的原料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料，所以在学习半导体器件之前，需要了解一些半导体的基本名词术语（见表1-1-1）。 表1-1-1 半导体基本名词术语
二、半导体二极管 1二极管的结构和分类（见表1-1-2） 表1-1-2 二极管的结构和分类 2二极管的伏安特性 与PN结一样，二极管具有单向导电性，但由于二极管结构上的不同，具体的伏安特性与PN结又有区别（见表1-1-3）。 表1-1-3 二极管的伏安特性
3二极管的主要参数 为描述二极管性能，常引用以下几个主要参数（见表1-1-4）。 表1-1-4 二极管主要参数 4二极管的等效电路 二极管的伏安特性具有非线性，这给二极管的应用和分析带来了一定的困难。为了便于分析，常在一定的条件下，用线性原件构成的电路来模拟二极管的特性，并取代电路中的二极管，称为二极管的等效电路，也叫等效模型（见表1-1-5）。
表1-1-5 二极管等效电路
5稳压二极管 稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定的功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性。关于稳压二极管见表1-1-6。 表1-1-6 稳压二极管
《模拟电子技术基础》(童诗白)课后习题答案
模拟电子技术基础 第 1 章常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知u i = 10sinωt (V)，试画出u i 与u o 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：u i 与u o 的波形如解图Pl.2 所示。 1.3电路如图P1.3 所示，已知u i =5sinωt(V)，二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u o 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 1.4电路如图P1.4 所示, 二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈ 26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？
解：二极管的直流电流 I D = (V ?U D ) / R = 2.6mA 其动态电阻: r D ≈U T / I D =10? 图 P1.4 故动态电流的有效值： I d = U i / r D ≈1mA 1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V ，正向导通电压为 0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得 4 种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 (2)并联相接可得 2 种：0.7V ；6V 。 1.6 已知图 Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压U Z = 6V ，最小稳定电流 I Z min = 5mA ，最大稳定电流 I Z max = 25mA 。 (1) 分别计算 U I 为 10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； (2)若U I = 35V 时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？ 解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为 6V 。 ∴U I = 10V 时，U O = R L U R + R L = 3.3V ； U I = 15V 时，U O R L U R + R L = 5V ； U = 35V 时，U = R L U ≈ 11.7V >U ，∴U = U = 6V 。 R + R L (2) 当负载开路时， I Z = U I ?U Z R = 29mA > I Z max = 25mA ，故稳压管将被烧毁。 1.7 在图 Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压 U D =1.5V ，正向电流在 5~15mA 时才能正常工作。试问：(1)开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光？ (2) R 的取值范围是多少？ I = I I O I Z O Z
模电答案童诗白版第四章
第四章 集成运算放大电路 自测题 一、（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）× 三、μA 100BE1BE2CC C2=--=≈R U U V I I R 四、（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。 （2）第一级：采用共集-共基形式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载（T 5、T 6）增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。 第二级共射放大电路以T 7、T 8构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载，增大放大倍数。 第三级加偏置电路，利用D 1、D 2消除交越失真。 五、（1）① （2）③ （3）⑦ （4）② （5）⑥ （6）⑤ （7）④ 习题 4.1 输入级、中间级、输出级和偏置电路。 输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数即可能大。 对中间级的要求：放大倍数大。 对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压即可能大。 4.2 。，5 od od 10dB 100lg 20==A A u O 1V 10V 14V 14V -1V -10V -14V -14V 4.3 A 1－通用型，A 2－高精度型，A 3－高阻型，A 4－高速型。 4.4 。 时，＞＞当A μ1003)1( 3)1( 313μA 100C2C122C C C B C0B4C00BE BE4CC =≈=+?+++=++=++=+==--= R R R R I I I I I I I I I I I I R U U V I βββββββββ
模电第五版童诗白答案
第四章 集成运算放大电路 自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 （1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 A ．可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C ．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 。 A ．高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号 （3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。 A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C ．参数一致性好 （4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。 A ．减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻 （5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。 A ．共射放大电路 B . 共集放大电路 C ．共基放大电路 解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 （1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。( ) （2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。( ) （3）运放的共模抑制比c d CMR A A K ( ) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。( ) （5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。( ) 解：（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）× 三、电路如图T4.3所示，已知β1=β2=β3=100。各管的U B E 均为0.7V ，试求I C 2的值。
图T4.3 解：分析估算如下： 100BE1 BE2CC = --= R U U V I R μA β C C B1C0B2C0E1 E2C C1C0I I I I I I I I I I I I R + =+=+==== 1001C =≈?+=R R I I I β βμA 四、电路如图T4.4所示。 图T4.4 （1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放……）； （2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍
模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案
第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。
A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。
模电答案童诗白版第五章
第五章 放大电路的频率响应 自测题 一、（1）A （2）B A （3）B A （4）C C 二、（1）静态及动态分析估算： ∥178)(A mA/V 2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV 26) 1(V 3mA 8.1)1(A μ6.22c be e b'i s i us T EQ b be i e b'bb'be EQ bb'e b'c CQ CC CEQ BQ EQ b BEQ CC BQ -≈-?+=≈=Ω ≈=Ω ≈+=Ω ≈++=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R U I g R r R r r r I r r R I V U I I R U V I m m ββ （2）估算‘πC ： pF 1602)1(pF 214π2) (π2μc m 'μT e b'0 μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ （3） Hz 14)π(21 kHz 175π21 567)()(i s L 'π H s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω ≈+≈+=C R R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥ （4）dB 45lg 20sm ≈u A ，频率特性曲线略。 三、（1）60 103 （2）10 10
（3）) 10j 1)(10j 1)(10j 1(j 100)10j 1)(10j 1)(j 10 1(1054543 f f f f f f f ++++++或 习题 5.1（1）1 )π(21 C r R R be b S ∥+ ① ① （2）''')](π[21 π C R R r r S b bb e b ∥∥+ ① ① ① ③ 5.2 ) 10j 1)(10j 1( 3.2j )10j 1)(j 10 1(32 55f f f A f f A u u ++-=++-= 或 5.3 ) 105.2j 1)(10j 1)(j 1(10)105.2j 1)(j 10 1)(j 1 1(10052 5?+++=?+++=f f f f A f f f A u u －或 5.4 （1）直接耦合； （2）三级； （3）当f ＝104Hz 时，φ’＝－135o ；当f ＝105Hz 时，φ’＝－270o 。 5.5 kHz 13131.1 )105.21(10' H H 3 53 ≈≈?+=f f f j A u 5.6 （1） Hz 10Hz 10100 ) 10j 1)(10j 1(10 j 1005H L m 5==-=++?-=f f A f f f A u u （2）图略。
模电考研童诗白《模拟电子技术基础》2021考研真题库
模电考研童诗白《模拟电子技术基础》考研2021考 研真题库 第一部分考研真题一、选择题 1以下说法正确的是（）。[中山大学2018研] A．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体B．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电 C．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的 D．若耗尽型N沟道MOS管的u GS大于零，则其输入电阻会明显变小 【答案】A查看答案 【解析】B项，N型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；C项，放大状态下集电结反偏，促进非平衡少子漂移运动，而非多子；D项，若耗尽型N沟道MOS管的u GS大于零，其输入电阻并不会有明显变化。 2当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将（）。[中山大学2018研] A．增大 B．不变 C．变小 【答案】A查看答案 【解析】低频跨导g m为ΔI D与Δu GS之比，当漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，显然g m增大。 3PN结加正向电压，空间电荷区将（）。[中山大学2017研] A．变窄
B．基本不变 C．变宽 【答案】A查看答案 【解析】PN结外加正向电压，P区中的多数载流子空穴和N区中的多数载流子电子都要向PN结移动，中和了其中部分负、正离子，结果使得PN结变窄。4二极管的电流方程为（）。[中山大学2017研] A．I s e U B． C． 【答案】C查看答案 【解析】二极管的I－V特性方程为 其中，n为发射系数，其值在1～2之间，通常取1，则 5U GS＝0时，能够工作在恒流区的场效应管有（）和（）。[中山大学2017研] A．结型管 B．增强型MOS管 C．耗尽型MOS管 【答案】A；C查看答案 【解析】N型结型管和耗尽型MOS管的开启条件为U GS＞U GSth，U GSth为负。而增强型MOS管的开启条件为U GS＞U GSth，U GSth为正。P型结型管和耗尽型
模拟电子技术基础童诗白第3版习题答案第八章
第八章 波形的发生和信号的转换 自测题 一、（1）√ （2）× （3）× （4）× 二、（a ）加集电极电阻R c 及放大电路输入端的耦合电容。 （b ）变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同铭端。 三、④、⑤与⑨相连，③与⑧相连，①与⑥相连，②与⑦相连。 四、（1）正弦波振荡电路 （2）同相输入过零比较器 （3）反相输入积分运算电路 （4）同相输入滞回比较器 五、图（b ＝±0.5 U 。 六、（1）A 1：滞回比较器；A 2：积分运算电路。 （2） （3）)()(2000)()(1 1O 12O11O 12O14O t u t t u t u t t u C R u +--=+-- = （4） （5）减小R 4、C 、R 1，增大R 2。 习题 8.1 （1）√ （2）× （3）× （4）× （5）× （6）√ 8.2 （1）× （2）√ （3）√ （4）× （5）√ （6）× 8.3 （1）A （2）B （3）C
8.4 （1）B A C （2）B C A （3）B 8.5 （a ）可能产生正弦波振荡。因为共射放大电路输出电压和输入电压反相（φA ＝－180o ），而三级移相电路为超前网络，最大相移为＋270o ，因此存在使相移为＋180o （φF ＝＋180o ）的频率，即存在满足正弦波振荡相位条件的频率f 0（此时φA ＋φF ＝0o ）；且在f ＝f 0时有可 能满足起振条件F A ＞1，故可能产生正弦波振荡。 （b ）可能产生正弦波振荡。因为共射放大电路输出电压和输入电压反相（φA ＝－180o ），而三级移相电路为滞后网络，最大相移为－270o ，因此存在使相移为－180o （φF ＝＋180o ）的频率，即存在满足正弦波振荡相位条件的频率f 0（此时φA ＋φF ＝－360o ）；且在f ＝f 0时 有可能满足起振条件F A ＞1，故可能产生正弦波振荡。 8.6 （1）不能，因为不存在满足相位条件的频率。 （2）可能，因为存在满足相位条件的频率，且有可能满足幅值条件。 8.7 （1）根据起振条件k Ω22' ' ＞，＞W W f R R R R +。 （2）求解振荡频率的范围。 Hz 145)π(21kHz 6.1π21 21max 01max 0≈+=≈=C R R f C R f 8.8 （1）V 36.62 5.1Z o ≈=U U （2）Hz 95.9π21 0≈= RC f 8.9 （1）上“－”下“＋” （2）输出严重失真，几乎为方波。 （3）输出为零。 输出为零。 （5）输出严重失真，几乎为方波。 8.10（1）在特定频率下，由A 2组成的积分运算电路的输出电压O2U 超前输入电压O1U 90o ，而由A 1组成的电路的输出电压O1U 滞后输入电压O2U 90o ，因而O1U 和O2 U 互为依存条件，即存在f 0满足相位条件。在参数选择合适时也满足幅值条件，故电路在两个集成运放的输出 同时产生正弦和余弦信号。 （2）解方程组： ????? ??? ???-=?-=-+-?+==251O O21 1P 31O 1P 41O 1P 1 O 2111N 1P C C R j U U j U R U U R U U U R R R U U ωω
模拟电子技术基础 童诗白 答案
模拟电子技术基础童诗白答案第一章半导体基础知识 自测题 一、(1)? (2)× (3)? (4)× (5)? (6)× 2)C (3)C (4)B (5)A C 二、(1)A ( 三、U?1.3V U,0 U?,1.3V U?2V U?2.3V U?,2V O1O2O3O4O5O6 四、U,6V U,5V O1O2 五、根据P,200mW可得:U,40V时I,5mA，U,30V时I?6.67mA，UCMCECCECCE ,20V时I,10mA，U,10V时I,20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图CCEC 略。 六、1、 V,UBBBEI,,26μABRb I,, I,2.6mA CB U,V,IR,2VCECCCC U,U,2V。 OCE 2、临界饱和时U,U,0.7V，所以 CESBE V,UCCCES,,2.86mAICRc IC ,,28.6μAIB, V,UBBBE,,45.4k,RbIB 七、T:恒流区;T:夹断区;T:可变电阻区。 123 u习题 /Vi 10
1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A tO1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而 uo/V烧坏。 10 1.3 u和u的波形如图所示。 iotO 1 1.4 u和u的波形如图所示。 io u/Vi 53 tO-3 u/VO 3.7 tO -3.7 1.5 u的波形如图所示。 o /VuI1 3 0.3tO /VuI2 3 0.3tO u/VO 3.7 1tO
1.6 I,(V,U)/R, 2.6mA，r?U/I,10Ω，I,U/r?1mA。 DDDTDdiD 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 1.8 I,P/U,25mA，R,U/I,0.24,1.2kΩ。 ZMZMZZDZ 1.9 (1)当U,10V时，若U,U,6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定IOZ 电流，所以稳压管未击穿。故 RLU,,U,3.33V OIR，RL 当U,15V时，由于上述同样的原因，U,5V。 IO 当U,35V时，U,U,5V。 IOZ I,(U,U)R, (2)29mA,I,25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。 ZMDIZZ 1.10 (1)S闭合。 (2) R,(V,U)I,233,，R,(V,U)I,700,。minDDmaxmaxDDmin 2 1.11 波形如图所示。 /VuI 6 3 t0/VuO13t0 /VuO23t0 1.12 60?时I?32μA。 CBO 1.13 选用β,100、I,10μA的管子，其温度稳定性好。 CBO 1.14 1.01mA 5mA
模拟电子技术基础知识点总结.
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 主要知识总结 目录 模电复习笔记 0 1.PN结 0 a)伏安特性曲线 0 b)温度特性曲线 0 2.二极管 0 a)特性 0 b)等效电路： 0 c)作用： (1) 3.稳压二极管 (1) a)稳压管的工作原理 (1) b)稳压管的几个注意参数 (1) c)稳压管的工作条件 (1) 4.三极管 (1) i.基极（b） (1) ii.集电极（c） (2) iii.发射极（e） (2) 5.发光二极管 (2) a)导通电压 (2) b)工作电流 (2) 6.光电二极管 (2) a)伏安特性曲线 (2) 7.光电耦合器 (2) a)原理 (2) b)作用 (3) 8.光电三极管 (3) a)工作原理 (3) b)作用 (3) 9.场效应管 (3) a)场效应管的分类 (3) b)特性曲线 (3) c)三种状态的判断 (3) 1.直流通路、交流通路的画法 (3) a)直流通路 (4) b)交流通路 (4) 2.rbe的计算公式 (4) 3.微变等效电路的画法 (4) a)共射放大电路 (4) b)共集放大电路 (4) c)共基放大电路 (5) 4.静态工作点的计算 (5) a)两个电流IBQ=βICQ (5) b)一个电压UCES (5) 5.动态参数的计算 (5) 6.复合管 (5) a)复合管的作用 (5) b)复合管的导通条件 (6) 7.推挽输出： (6) i.用二极管电路 (6) ii.UBE倍增电路 (6) 1.多级放大电路的耦合方式 (6) a)直接耦合 (6) b)阻容耦合 (6) c)变压耦合 (6) d)光电耦合 (6) e)前两种方式的异同之处 (7) 2.电流源电路 (7) a)镜像电流源 (7) b)比例电流源 (7) c)微电流源 (7) d)电流源的作用 (7) 3.差分输入作为运放的输入方式 (7) a)差分输入的优点 (7) b)差分输入的4种组态 (8) 1.下限截止频率fL= (9) 2.上限截止频率fH= (9) 3.通频带fbw=fH-fL (9) 4.初相位 (9) a)高通电路： (9) b)低通电路： (9) 5.波特图 (10) a)公式 (10) b)图形 (10) 1.反馈的判断 (10) a)交、直流反馈的判断 (10) b)正负反馈的判断 (10) c)电压还是电流反馈 (10) d)串联还是并联反馈 (10) 2.四种交流负反馈的分析 (11) a)电压串联负反馈 (11) b)电压并联负反馈 (11) c)电流串联负反馈 (11) d)电流并联负反馈 (11) f）反馈系数的总结： (11) 1.基本运算电路 (12) 2.有源滤波电路 (12) 1.正弦波振荡电路 (12) a)RC：频率较低，1MHz以下 (12)童诗白——模电复习笔记