电容器的主要的特性

电容器的主要的特性
电容器的主要的特性

很多电子产品中,电容器都是必不可少的电子元器件,它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等。由于电容器的类型和结构种类比较多,因此,使用者不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性,而且还必须了解在给定用途下各种元件的优缺点、机械或环境的限制条件等。

一、电容器的主要性能

电容器的电气性能一般有四个主要参数,它们是:

1 标称电容量及偏差

某一个电容器上标有220nT,表示这个电容器的标称电容量为220nF,实际电容量应220nF±5%之内,此处T表示容量误差为±5%。若T改为K,表示误差为±10%;改为M 表示误差为±20%。

云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下);纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中(大约在0 005μF~1 0μF);通常电解电容器的容量较大。

2 额定电压

电容器上还标有额定电压值,即在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下,可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。电容器在工作时,其上承受的直流电压应小于额定电压。选择电容器额定电压的原则如下:

1)低压时,实际工作电压与额定电压的比率可以高一些。

2)高压时,实际工作电压与额定电压的比率要低一些。

3)工作于交流状态或直流上的脉动交流成份比较大时,比率要选低一些,频率越高,比率越低。

4)要求可靠性高时,比率要选低一些。

电容器应用在高压场合时,必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的,它除了可以产生损坏设备的寄生信号外,还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下,电晕特别容易发生。对于所有的电容器,在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的超过直流电压额定值。

3 绝缘电阻

理想的电容器,在其上加有直流电压时,应没有电流流过电容器,而实际上存在有微小的漏电流。直流电压除以漏电流的值,即为电容器的绝缘电阻。现在CL11、CBB22等塑料薄膜电容器的绝缘电阻值可达到5000MΩ以上。电容器的绝缘电阻是一个不稳定的电气参数,它会随着温度、湿度、时间的变化而变化。

4 损耗角正切值

损耗角正切值,简称损耗或写成tgδ。当交流电流通过电容器时,其上有一个交流电压降,对于理想的电容器,其两端的交流电压乘上流过的电流所得的值称为无功功率,此时,电容器不会发热。实际的电容器会产生微小的热量,其发热的功率称为有功功率。有功功率与无功功率之比称为损耗角正切值。例如CBB22型电容器的损耗约在万分之五左右,也就是说发热功率占无功功率的万分之五。在电压值为基准的矢量图上,不发热的电流超前它90°,发热的电流与它同相,正好是直角三角型的两个直角边,发热的电流(阻性电流)与不发热的电流(容性电流)之比即为损耗,也就是正切值。电容器的损耗受工作频率的影响较大,一般而言,均随频率的增高而增大,但也有例外。例如:某电容器在1kHz时比在100Hz时的损耗还要小。

5 温度系数。实际电容器的电容量是随着温度变化而变化的,当温度升高时,有的电容量会变大,称为正温度系数的电容器;有的则变小,称为负温度系数的电容器。温度系数通常是以20℃基准温度,当温度变化一度时,电容量的变化比率来表示,单位为PPM/℃。PPM 表示百万分之一。例如:CBB22的温度系数约为-300PPM/℃,则表示每升高一度,电容量减小万分之三即0 03%。如果温度上升40℃,则0 03%×40=1 2%,容量要下降1 2%

二、电容器的分类:

为了便于记忆,我们把主要的电容器分成三类,并称为主流产品。

1 电解电容器

电解电容器属老产品,近年来的改进主要是体积越做越小。铝电解电容器的电性能较差,损耗tgδ在100Hz时约为5%~10%左右,容量的稳定性和温度系数也差。这种电容器主要应用在电源滤波和要求不严的低频电路中。使用者要记住的是:同样的容量,大体积的要比小体积的损耗小;同样的容量,高压的比低压的损耗要小;不同的容量,小容量比大容量的损耗要小。钽电解电容器(CA型)电性能包括损耗、容量的稳定性和温度系数,要比铝电解好得多。但价格也要高些。

2 塑料薄膜电容器

塑料薄膜电容器是近一、二十年发展起来的电容器,现已成为主流产品(淘汰了以往的纸介电容器)。薄膜电容器的容量上限可以很大,如电动机启动用CBB60、CBB61型电容器,容量可达几十微法。薄膜电容器主要有两种材料,聚酯(涤纶)CL型和聚丙烯CBB型。每种材料主要有两种结构;箔式CL11、CBB11和金属化CL21、CBB21、CBB22等。这样我们就能很容易从型号上看出它们的材料和结构。例如:CL21则表示这个电容器的材料是涤纶,结构是金属化。CL11型是数量最大的一种低价产品。箔式结构是指电容器用塑料薄膜和铝箔叠在一起卷绕而成,导电电极为铝箔。金属化结构是预先用真空蒸发的方法在薄膜上蒸发了一层极薄的金属膜,然后用这个薄膜卷绕成的电容器,导电电极为蒸发的金属膜(大多仍为铝膜)。在同样规格情况下,金属化电容器的体积要比箔式的小。金属化薄膜电容器有自愈特性,即电容器中塑料薄膜某一点若存在缺陷,加电压时会击穿,则此处的金属膜会蒸发掉,而不会产生短路现象,从而使电容器仍能正常工作。金属化电容器还有一个优点就是引出线是从喷了金属的端面引出,从而使电流通路很短,所以也称为无感电容器。

损耗:CL型和CBB型电容器在外形上差别不大,但在损耗这一电性能上差别较大。涤纶电容器的损耗较大,在1kHz时典型值约为50×10-4,与纸介电容器相当。聚丙烯电容器的损耗(1kHz),指标大约是10×10-4,实际上一般小于5×10-4,约为涤纶电容器的十分之一。

绝缘:CL型和CBB型绝缘性能都特别好,优于其它电容器。例如,一只CBB22型100nF 电容器,其绝缘电阻可超过五万兆欧。

温度系数:CL型与CBB型电容器的温度系数大体上都为300PPM/℃左右,但是CL型为正温度系数,CBB型为负温度系数。前面介绍过CBB型电容器在温度升高40℃时,容量要下降1 2%左右。所以这两种电容器都不能制成精密电容器,最高精度只有±5%(J)。有时候,电容器上的标记不清,若要辨别真假CBB电容器,可以利用CL型和CBB型温度系数方向不同的原理来辨别,可以用手掌型数字电容表和电吹风来进行试验。先把电容器接到电容表上读出冷态时的电容值,然后用电吹风加热电容器,注意温度要调低一点,如果电容器的容量变大,说明是CL型电容器,反之则是CBB型电容器。顺便提一下,所有的非极性薄膜电容器均为负温度系数,例如聚苯乙烯电容器。

3 陶瓷电容器

陶瓷电容器分为三个品种:1类瓷CC型,2类瓷CT型,3类瓷CS型。1类瓷、瓷介电容器电性能最好,一般工作在高频领域。绝缘和损耗也都非常好,温度系数也很小。陶瓷电容器与其它电容器不同,介质是属复合材料,所以改变材料的配方可调节温度系数。所以1类瓷、陶瓷电容器除了标明容量外,还要标明其温度系数以及温度系数的误差。例如:标有CH、C表明其温度系数基数为0,H表示温度系数的误差为±60PPM/℃,如标有PJ,P 表示温度系数基数为-150PPM/℃,J表示其误差为±120PPM/℃,有时也用电容器顶上的颜色来表示温度系数。黑色的温度系数最小,红色、橙色……依次次之。温度系数越小的电容器,其体积要大一些,所以一般情况下,1 类单片高频瓷介电容器的最大电容量不会超过1000pF。

2类瓷和3类瓷陶瓷电容器又称为铁电陶瓷。它们的特点是材料的介电系数特别高,所以制成的电容器容量特别大,而体积又小。例如:铁电陶瓷电容器的损耗和绝缘这两个参数,比CL11型要差5倍左右,容量的温度系数也较大。例如:E型温度特性的电容量变化率为+20%~-55%,F型为+30%~-80%,只有B型较好为±10%。容量的温度特性具有居里点,温度在30℃左右时容量最大,温度降低和温度增高时,容量都急骤下降。所以这种电容器只能用在要求不高的地方。对于陶瓷电容器,同样的电容量和工作电压,体积越大的电性能越好。

4 非主流电容器

(1)云母电容器(CY型)

以前在高频领域主要应用云母电容器,后来逐步由高频陶瓷电容器取代。云母电容器应用的减少不是因为电性能不好,而是因为云母矿源稀少,制造云母电容器生产工艺复杂造成的。云母电容器的电性能非常好,所以云母电容器可以制成标准电容器。

(2)聚苯乙烯电容器(CB型)

聚苯乙烯电容器是最早的塑料薄膜电容器。由于聚苯乙烯本身耐潮湿,电容器外表一般不进行环氧树脂包封和染色,呈本色透明状。国产品种主要是箔式,圆形结构。聚苯乙烯属非极性材料,具有优良的电性能,工艺良好的聚苯乙烯电容器,绝缘性能是最好的。此外,聚苯乙烯电容器的温度系数也比其它塑料薄膜电容器好,可以做到优于-150PPM/℃的水平,但由于不耐热,体积大,工艺性能不好等原因,未能普及使用。

电容器参数大全

电容器 电容器通常简称其为电容,用字母C表示。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面。定义2:电容器,任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体(包括导线)间都构成一个电容器。 相关公式 电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2 多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn 多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn 三电容器串联 C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3) 标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等,换算关系是:1法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。 容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法:1m=1000 μF 1P2= 1n=1000PF 数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇,第三位数宇表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。如:102表示标称容量为1000pF。 221表示标称容量为220pF。 224表示标称容量为22x10(4)pF。 在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用"9"表示时,是用有效数宇乘上10的-1次方来表示容量大小。如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=。 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如:一瓷片电容为104J表示容量为μF、误差为±5%。 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:D——005级——±%;F——01级——±1%;G——02级——±2%;J——I 级——±5%;K——II级——±10%;M——III级——±20%。 精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%) 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。 注:用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量,n为正或负整数。 主要参数的意义:标称容量以及允许偏差:目前我国采用的固定式标称容量系列是:E24,E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。 额定电压:在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。常见的电容额定电压与耐压测试仪测量值的关系( 600V的耐压测试仪测量电压为760V以上550V的耐压测试仪测量电压为715V以上; 500V的耐压测试仪测量电压为650V以上; 450V的耐压测试仪测量电压为585V以上; 400V的耐压测试仪测量电压为520V以上; 250V的耐压测试仪测量电压为325V以上; 200V的耐压测试仪测量电压为260V以上;

电容器主要技术参数的标注方法

电容器主要技术参数的标注方法: 1.直标法 指在电容器的表面直接用数字和单位符号或字母标注出标称容量和耐压等。 例某电容器上标CD—1、2200μF、35V,表示这是一个铝电解电容器,标称容量 为2200μF,耐压为35V。 某电容器上标CA1—1、2.2±5%、DC63V,表示这是一个钽电解电容器,标称容量 为2.2μF,允许误差为±5%,直流耐压为63V。 2.数字加字母标注法 指用数字和字母有规律的组合来表示容量,字母既表示小数点,又表示后缀单位。 例 p10表示0.1pF 1p0表示1pF 6P 8表示6.8pF 2μ2表示2.2μF 7p5表示7.5 pF 2n2表示2.2nF 8n2表示8200pF M1表示0.1μF 3m3表示3300μ F G1表示100μF 3.数码标注法 数码标注法多用于非电解电容器的标注,它采用三位数标注和四位数标注: 1)三位数标注法采用三位数标注的电容器,前两位数字表示标称值的有效数 字,第三位表示有效数字后缀零的个数,它们的单位是pF。这种标注法中有一个特殊的, 就是当第三位数字是9时,它表示有效数字乘以10-1。 例102表示标称容量是1000pF,即1nF; 473表示标称容量是47000pF,即47nF。479表示标称容量是 4.7pF。 2) 四位数标注法采用四位数标注的电容器不标注单位。这种标注方法是用1 ~4位数字表示电容量,其容量单位是pF;若用0.0X或0.X时,其单位为μF。

例 47表示标称容量是47 pF ;0.56表示标称容量是0.56μF 。 采用数码标注的,有些后面带的还有字母,它表示允许误差。识别方法: D——±0.5% F——±1% G——±2% J——±5% K——±10% M——±20% 例 223J表示标称容量是22000 pF,误差为±5% 。 4.电容器容量允许误差的标注方法 电容器容量允许误差的标注方法主要有三种: 1)用字母表误差 识别方法: B——±0.1% C——±0.25% D——±0. 5% F——±1% G——±2% J——±5% K——±10% M——±20% N——±30% 例 223J表示标称容量是22000 pF,误差为±5% 。 2)直接标出误差的值 例33 pF±0.2 pF则表示电容器的标称容量是33 pF,允许误差是±0.2 pF。 3)直接用数字表示百分比的误差 例 0.33/5 则表示电容器的标称容量是0.33μF,允许误差是±5%

不同材质电容特点

一、按照功能 1.名称:聚酯(涤纶)电容 符号:(CL) 电容量:40p--4μ 额定电压:63--630V 主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差 应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路 2.名称:聚苯乙烯电容 符号:(CB) 电容量:10p--1μ 额定电压:100V--30KV 主要特点:稳定,低损耗,体积较大 应用:对稳定性和损耗要求较高的电路 3.名称:聚丙烯电容 符号:(CBB) 电容量:1000p--10μ 额定电压:63--2000V 主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差 应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路 4.名称:云母电容 符号:(CY)

电容量:10p--0.1μ 额定电压:100V--7kV 主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路 5.名称:高频瓷介电容 符号:(CC) 电容量:1--6800p 额定电压:63--500V 主要特点:高频损耗小,稳定性好 应用:高频电路 6.名称:低频瓷介电容 符号:(CT) 电容量:10p--4.7μ 额定电压:50V--100V 主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差应用:要求不高的低频电路 7.名称:玻璃釉电容

符号:(CI) 电容量:10p--0.1μ 额定电压:63--400V 主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度)应用:脉冲、耦合、旁路等电路 8.名称:铝电解电容 符号:(CD) 电容量:0.47--10000μ 额定电压:6.3--450V 主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大 应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等 9.名称:钽电解电容 符号:(CA) 电容量:0.1--1000μ 额定电压:6.3--125V 主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容 应用:在要求高的电路中代替铝电解电容 10.名称:空气介质可变电容器

电容参数X5R,X7R,Y5V,COG详解(精)

电容参数:X5R,X7R,Y5V,COG 详解 在我们选择无极性电容式,不知道大家是否有注意到电容的X5R,X7R,Y5V,COG等等看上去很奇怪的参数,有些摸不着头脑,本人特意为此查阅了相关的文献,现在翻译出来奉献给大家。 这类参数描述了电容采用的电介质材料类别,温度特性以及误差等参数,不同的值也对应着一定的电容容量的范围。具体来说,就是: X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容,这类电容适用于滤波,耦合等场合,电介质常数比较大,当温度从0°C 变化为70°C时,电容容量的变化为±15%; Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容,温度范围比较宽,随着温度变化,电容容量变化范围为±10%或者 +22%/-82%。 对于其他的编码与温度特性的关系,大家可以参考表4-1。例如,X5R的意思就是该电容的正常工作温度为 -55°C~+85°C,对应的电容容量变化为±15%。 表4-1 电容的温度与容量误差编码 下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在

使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一、NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%, 相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO 电容器可选取的容量范围。 NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。 二 X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。 三 Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。 Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -56% 介质损耗最大 4% 四 Y5V电容器 Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。 Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。 Y5V电容器的取值范围如下表所示 Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -82% 介质损耗最大 5% 贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。 NPO,X7R及Y5V电容的特性及主要用途 NPO的特性及主要用途 属1类陶瓷介质,电气性能稳定,基本上不随时间、温度、电压变化,适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场合。特性: 电容范围 1pF~0.1uF (1±0.2V rms 1MHz) 环境温度: -55℃~+125℃ 组别:CG 温度特性:0±30ppm/℃ 损耗角正切值: 15x10-4 绝缘电阻:≥10GΩ 抗电强度: 2.5倍额定电压 5秒浪涌电流:≤50毫安

电容参数资料

电容的型号功能和应用的详细介绍 1. [capacitance;electric capacity]:电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量,非导电体的下述性质:当非导电体的两个相对表面保持某一电位差时(如在电容器中),由于电荷移动的结果,能量便贮存在该非导电体之中 定义: 电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量,叫做电容器的电容。 电容的符号是C。 在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等,换算关系是: 1法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。 相关公式: 一个电容器,如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏,这个电容器的电容就是1法,即:C=Q/U 但电容的大小不是由Q或U决定的,即:C=εS/4πkd 。其中,ε是一个常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离, k则是静电力常量。常见的平行板电容器,电容为C=εS/d.(ε为极板间介质的介电常数,S为极板面积,d为极板间的距离。)

电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2 多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn 多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn 电容器的型号命名方法 第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分 名称 | 材料 | 特征 | 序号 电容器 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 C 高频瓷 T 铁电 T 低频瓷 W 微调 I 玻璃 J 金属化 符号 Y 釉云母 X 小型 C Z 纸介 D 电压用字母或数字 J 金属化 M 密封 L 纸涤纶 Y 高压

电容器基本常识

电容器基本常识

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電容器基本常識 一﹑電容器的基本構造﹕ 在正負兩極間加入介質(絕緣材料)乃是電容器的最基本構造﹒ 二﹑電容器的總類﹕ 1﹒含油紙質電容(Oil impregnated paper Capacitor) 以兩層以上的絕緣體當介質﹐在真空槽中含浸絕緣油﹐再予以封裝即可﹒ 2﹒金屬化紙電容(Metallized paper Capacitor) 3﹒聚乙酯膜電容(Polyester Film Capacitor) 4﹒金屬化聚乙酯膜電容(Metallized Polyester Film Capacitor)簡稱MPE 5﹒聚苯乙烯膜電容(Polystyrene Film Capacitor)簡稱P.S.Cap 6﹒聚丙烯膜電容(Polypropylene Film Capacitor)簡稱PP.Cap 7﹒金屬化聚丙烯膜電容(Metallized Polypropylene Film Capacitor)簡稱MPP Cap. 8﹒雲母電容(Mica Capacitor) 9﹒陶瓷電容(Ceramic Capacitor) 10﹒鋁電解電容(Aluminum Electrolytic Capacitor) 11﹒空氣電容(Air Capacitor) 12﹒聚碳酯電容(PC) 以上凡是金屬化膜電容器皆具有自我恢復作用和小型化的特色﹐自我恢復作用是經電壓瞬時破壞後﹐仍會恢復﹐不致短路﹐因其材料上蒸著之金屬物氣化蒸發飛散之

电解电容参数特性

电解电容器的参数特性 上海BIT-CAP技术中心2.1容量 2.1.1标称容量(C R) 电容器设计所确定的容量和通常在电容器上所标出的电容量值。 2.1.2容量公差 容量偏差是指电容器的实际容量离开标称容量的范围,容量偏差一般会标示在出货检验单上和包装箱盒贴上。YM产品的容量公差为±20%。 2.1.3容量偏差等级 为了保证每批电容器容量的一致性,保证客户装在同一台机器上的所有电容器之间的容量偏 差在。特别为每一个电容器贴上表示容量偏差的标签。客户在装机时选用同一标签的电容器装在一台设备内,这样能够有效的保证了同一台设备内的电容器容量的一致性。偏差等级见表1。 容量等级代码容量偏差 D-20%≤Cap<-15% C-15%≤Cap<-10% B-10%≤Cap<-5% A-5%≤Cap<0 E0≤Cap<5% F5%≤Cap<10% G10%≤Cap<15% H15%≤Cap≤20% 表1容量偏差等级表 2.1.4容量的温度特性 电解电容的容量不是所有的工作温度下都是常量,温度对容量的影响很大。温度降低时,电解液的粘性增加,导电能力下降,容量下降。

图4容量温度特性(测试频率120Hz ) 2.1.5 容量的频率特性 电解电容器的容量决定于温度,还决定于测试频率。容量频率关系:C 代表容量,单位F f 代表频率,单位Hz z 代表阻抗,单位Ω 图5容量频率特性曲线(测试温度20℃) 2.1.6频繁的电压波动及充放电 频繁的电压波动及充放电都会导致容量下降,为了应对频繁的电压波动及充放电的使用条件,特别设计了ER6系列产品(充放电应对品)。详细情况请联系我们。2.2损耗角的正切值tan δ 用于脉动电路中的铝电解电容器,实际上要消耗一部分的有功功率,这可以用损耗角的正切值来表征。损耗角的正切值为在正弦电压下有功功率与无功功率的比值。对于电解电容器较常采用的等效电路,如图6,则损耗角的正切值为: 图6等效串联电路图

常用电容器主要参数与特点

常用电容器主要参数与特点 1、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。 电解电容器的容值,取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。因此容值,也就是交流电容值,随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。在标准JISC 5102 规定:铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为 120Hz,最大交 流电压为(Voltage Root Mean Square,通常指交流电压的有效值),DC bias (直流偏压直流偏置直流偏移直流偏磁)电压为~的条件下进行。可以断言,铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。 电容器中存储的能量 E = CV^2/2 电容器的线性充电量 I = C (dV/dt) 电容的总阻抗(欧姆) Z = √ [ RS^2 + (XC – XL)^2 ] 容性电抗(欧姆) XC = 1/(2πfC)

电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。 精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%) 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。 2、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。 3、绝缘电阻 直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻。 当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越大越好。 电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。 4、损耗 电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

电容器基本知识

電容器基本知識 一、定義:由兩金屬极板加以絕緣物質隔離所構成的可儲存電能的元件稱為電容器 二、代號:“C” 三、單位:法拉(F) 微法(uF) 納法(nF) 皮法(pF) 1F=106 uF =109nF=1012 pF 四、特性:通交流、阻直流 因電容由兩金屬片構成,中間有絕緣物,直流電無法流過電容,但通上交流電時,由於電容能充放電所致,所以能通上交流 五、作用:濾波、耦合交變信號、旁路等 六、電容的串聯、並聯計算 1.串聯電路中,總容量=1÷各電容容量倒數之和 例: 2.並聯電路中,總容量=各電容容量之和 例: 七、電容的標示: 1.直標法:直接表示容量、單位、工作電壓等。如1uF/50V 2.代表法:用數字、字母、符號表示容量、單位、工作電壓等 如:“104”表示容量為“100000pF” “Z”表示容量誤差“+80% -20%” “”表示工作電壓“50V” 八、電容的分類 1.按介質分四大類 1).有機介質電容器(極性介質與非極性介質,一般有真合介質、漆膜介質等)

2).無機介質電容器(雲母電容器、陶瓷電容器、波璃釉電容器 3).電解電容器(以電化學方式形式氧化膜作介質,如鋁Al2O3鉭Ta2O5) 4).氣體介質電容器(真空、空氣、充氣、氣膜復合) 2.按結構分四大類 1).固定電容器 2).可變電容器 3).微調電容器(半可變電容器) 4).電解電容器 3.按用途分 1).按電壓分低壓電容器、高壓電容器 2).按使用頻率分低頻電容器(50周/秒或60周/秒)和高頻電容器(100K周/秒) 3).按電路功能分:隔直流、旁路、藕合、抗干擾(X2)、儲能、溫度補償等 九、我司主要使用之電容: 1).電解電容 2).陶瓷電容(包括Y電容與積層電容、SMD電容) 3).塑膠薄膜電容(包括金屬薄膜電容器、X2電容器、嘜拉電容器) 電解電容(E/C) 一、概述 電解電容的構造是由陽箔、陰箔、電解紙、電解液之結合而成的,陽箔經化成後含有一高介電常數三氧化鋁膜(Al2O3),此氧化膜當作陽箔與陰箔間的絕緣層,氧化膜的厚度即為箔間之距離(d),此厚度可由化成來加以控制,由於氧化膜的介電常數高且厚度薄,故電解電容器的容量較其他電容高。電解電容的實值陽极是氧化膜接觸之電解液,而陰箔只是將電流傳屋電解液而已,電解紙是用來幫助電解液及避免陽箔、陰箔直接接觸因磨擦而使氧化膜磨損。 即電解電容器是高純度之鋁金屬為陽极,以陽极氧化所開氧化膜作為電介質,以液體電解液為電解質,另與陰极鋁箔所構成之電容器。

各种电容器的分类及特点

电容器是电子设备中常用的电子元件,下面对几种常用电容器的结构和特点作以简要介绍,以供大家参考。 1铝电解电容器: 它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质,插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理,做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性,适于电源滤波或低频电路中,使用时,正、负极不要接反。 2钽铌电解电容器 它用金属钽或者铌做正极,用稀硫酸等配液做负极,用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。其特点是:体积小、容量大、性能稳定、寿命长。绝缘电阻大。温度性能好,用在要求较高的设备中。 3瓷电容器 用瓷做介质。在瓷基体两面喷涂银层,然后烧成银质薄膜作极板制成。其特点是:体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高,但容量小,适用于高频电路。铁电瓷电容容量较大,但损耗和温度系数较大,适用于低频电路。 4云母电容器: 用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板,极板和云母一层一层叠合后,再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。其特点是:介质损耗小、绝缘电阻大。温度系数小,适用于高频电路。 5薄膜电容器

结构相同于纸介电容器,介质是涤纶或聚苯乙烯。涤纶薄膜电容,介质常数较高,体积小、容量大、稳定性较好,适宜做旁路电容。聚苯乙烯薄膜电容器,介质损耗小、绝缘电阻高,但温度系数大,可用于高频电路。 6纸介电容器 用两片金属箔做电极,夹在极薄的电容纸中,卷成圆柱形或者扁柱形芯子,然后密封在金属壳或者绝缘材料壳中制成。它的特点是体积较小,容量可以做得较大。但是固有电感和损耗比较大,适用于低频电路。 7金属化纸介电容器 结构基本相同于纸介电容器,它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代金属箔,体积小、容里较大,一般用于低频电路。 8油浸纸介电容器 它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里,能增强其耐压。其特点是电容量大、耐压高,但体积较大。此外,在实际应用中,第一要根据不同的用途选择不同类型的电容器;第二要考虑到电容器的标称容量,允许误差、耐压值、漏电电阻等技术参数;第三对于有正、负极性的电解电容器来说,正、负极在焊接时不要接反。

无功补偿电容器运行特性参数选取

无功补偿电容器运行特性参数选取 1 电力电容器及其主要特性参数 电力电容器是无功补偿装置的主要部件。随着技术进步和工艺更新,纸介质电容器已被 自愈式电容器所取代,自愈式电容器采用在电介质中两面蒸镀金属体为电极,其最大的改进是电容器在电介质局部击穿时其绝缘具有自然恢复性能,即电介质局部击穿时,击穿处附近的金属涂层将熔化和气化并形成空洞,由此虽然会造成极板面积减少使电容C 及相应无功功率有所下降,但不影响电容器正常运行。 自愈式电容器主要特性参数有额定电压、电容、无功功率。 1. 1 额定电压 《自愈式低电压并联电容器》第3. 2 条规定“电容器额定电压优先值如 下0. 23 ,0. 4 ,0. 525 及0. 69 kV。”电容器额定电压选取一般比电气设备额定运行电压高5 %。 1. 2 电容 电容器的电容是极板上的电荷相对于极板间电压的比值,该值与极板面积、极板间绝缘 厚度和绝缘介质的介电系数有关, 其计算式为C = 1 4πε× S D 式中ε为极板间绝缘介质的介电系数; S 为电容器极板面积; D 为电容器绝缘层厚度。 在上式中,电容C 数值与电压无直接关系, C 值似乎仅取决于电容器极板面积和绝缘介质,但这只是电容器未接网投运时的静态状况;接网投运后,由于电介质局部击穿造成极板面积减少从而会影响到电容C 数值降低,因此运行过程中, 电容C 是个逐年衰减下降的变量,其衰减速度取决于运行电压状况和自身稳态过电压能力。出厂电容器的电容值定义为静态电 容。一般,投运后第一年电容值下降率应在2 %以内,第二年至第五年电容值下降率应在1 %~ 2 % ,第五年后因电介质老化,电容值将加速下降,当电容值下降至出厂时的85 %以下,可认为该电容器寿命期结束。 1. 3 无功功率 在交流电路中,无功功率QC = UI sinφ由于电容器电介质损耗角极小,φ= 90°,所以sin φ= 1 ,则无功功率QC = UI =ωCU2 ×10 - 3 = 2πf CU2 ×10 - 3 (μF) ,从该式可见,电容器无功功率不仅取决于电容C ,而且还与电源频率f 、端电压U 直接相关,电容器额定无功功率的准确定义应是标准频率下外接额定电压时静态电容C 所对应的无功率。接网投运后电容器所输出实际无功功率能否达到标定容量,则需视运行电压状况。当电网电压低于电容器额定电压时,电容器所输出的无功功率将小于标定值。因此如果电容器额定电压选择偏高,电容器实际运行电压长期低于额定值,很可能因电容器无功出力低于设计值造成电网无功短 缺。 2 无功补偿电容装置参数的选取误区 无功补偿装置在进行设计选型及设备订货时,提供给厂家的参数往往仅是电容补偿柜型 号和无功功率数值,而电容器额定电压及静态电容值这两个重要参数常被忽略。由于电容器 生产厂家对产品安装处电压状况不甚了解,在产品设计时往往侧重于降低产品生产成本和减 少电介质局部击穿,所选取的电容器额定电压往往高于国家标准推荐值,这样做对电网运行的无功补偿效果会造成什么影响对电网建设投资又会引起什么变化呢可通过以下案例进行 分析。 例如某台10 0. 4 kV 变压器,按照功率因数0. 9 的运行要求,需在变压器低压侧进行集中 无功补偿,经计算需补偿无功功率100 kvar ,如果按额定电压U = 450 V 配置电容器,根据QC=ωCU2 ×10 - 3 计算,电容器组的静态电容值C 为1 572μF ,接入电网后在运行电压U =400 V 的状态下,该电容器实际向电网提供的无功功率QC 为79 kvar ,补偿效果仅达预期的79 %。反之,在上述条件下,要想保证实际补偿效果为100 kvar ,则至少需配置电容器无功功率为127 kvar ,也就意味着设备投资需要增加27 %。中山市2004 年变压器增加898 台,合计容量近60 万kvar ,按30 %补偿率计需补偿无功功率近18 万kvar 。

电容基本知识

产品说明 贴片电容产品规格说明及选用基本知识 电容的种类有很多,可以从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上分主要有:CBB电容(聚乙烯),涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容(即贴片电容或MLCC)、电解电容、钽电容等。我们将贴片电容选用时需要注意的事项和一些基本知识拿出来一起与大家探讨. 如何理解电容介质击穿强度 介质强度表征的是介质材料承受高强度电场作用而不被电击穿的能力,通常用伏特/密尔(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示。 当外电场强度达到某一临界值时,材料晶体点阵中的电子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射,产生出足夠多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应,进而导致突发击穿电流击穿介质,使其失效。除此之外,介质失效还有另一种模式,高压负荷下产生的热量会使介质材料的电阻率降低到某一程度,如果在这个程度上延续足夠长的时间,将会在介质最薄弱的部位上产生漏电流。这种模式与温 度密切相关,介质强度隨温度提高而下降。 任何绝缘体的本征介质强度都会因为材料微结构中物理缺陷的存在而出现下降,而且和绝缘电阻一样,介质强度也与几何尺寸密切相关。由于材料体积增大会导致缺陷隨机出現的概率增大,因此介 质强度反比于介质层厚度。类似地,介质强度反比于片式电容器內部电极层数和其物理尺寸。基於以上考虑,进行片式电容器留边量设计时需要确保在使用过程中和在进行耐压测试(一般为其工作 电压的2.5倍)時,不发生击穿失效。 如何理解绝缘电阻IR 绝缘电阻表征的是介质材料在直流偏压梯度下抵抗漏电流的能力。 绝缘体的原子结构中没有在外电场强度作用下能自由移动的电子。对于陶瓷介质,其电子被离子键和共价键牢牢束缚住,理论上几乎可以定义该材料的电阻率为无穷大。但是实际上绝缘体的电阻率 是有限,并非无穷大,这是因为材料原子晶体结构中存在的杂质和缺陷会导致电荷载流子的出现。 电容器的射频电流与功率 这篇文章主要是讨论多层陶瓷电容器的加载电流、功率损耗、工作电压和最大额定电压之间的关系。通过电容的最大电流主要是由最大额定电压和最大功率损耗限制的。电容的容值和工作频率又决 定了它们的限制是可调节。对于在固定频率下一个较低容值的电容或者是一个电容在较低的频率下工作,它们的最高电压极限一般都比最大功率损耗的极限到达快一些。 最大的额定电压决定于电容器的阻抗(Xc),就好像功率损耗决定于电阻的阻抗,或者叫做电容的等效电阻(ESR) Xc是由公式:Xc=1/[2πFC]计算出来,这里的F是频率,单位是Hz;C是容量,单位是F。 在没有超出电容器的额定电压情况下,允许流过电容的最大电流峰值是这样计算出来的:I=Er/Xc这里的Er是电容器的额定电压,电流是峰值电流,单位是A。 流过电容的实际电流是这样计算出来:I=Ea/Xc,这里的Ea是应用电压或者是实际工作。 下面几个例子是讲解在固定的频率不同的电容器这些变数是怎样影响电压和电流的极限值。 例1:0.1pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上: 等效电阻:Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(0.1x10-12)]=1591ohms 电流峰值:I=500/1591=0.315Apeak或0.22Arms. 如果超过这个电流,则工作电压将会超过额定电压。 例2:1.0pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上: 等效电阻:Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(1.0x10-12)]=159ohms 电流峰值:I=500/159=3.15Apeak或者2.2Arms 如果超过这个电流,则工作电压将会超过额定电压。 例3:10pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上: 等效电阻:Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(10x10-12)]=15.9ohms 电流峰值:I=500/15.9=31.5Apeak或者22.2Arms 如果超过这个电流,则工作电压将会超过额定电压。 结论:最大功率损耗值是在假设电容器的端头是一个无穷大的散热器情况下计算出来得。这时传导到空气中的热量是忽略的。一个10pF,500V的电容器工作在1000MHZ的频率,在功率极限下工作 的电流峰值是7A,平均电流大概是5Arms。在这种工作电流情况下,电容器的温度将会升到125℃。为了稳定地工作,它的实际最大工作电流是2Arms,如果端头的散热效果很好可以到达3Arms。 如何理解电容器的静电容量 A.电容量 电容器的基本特性是能够储存电荷(Q),而Q值与电容量(C)和外加电压(V)成正比。 Q=CV 因此充电电流被定义为: =dQ/dt=CdV/dt 当外加在电容器上的电压为1伏特,充电电流为1安培,充电时间为1秒时,我们将电容量定义为1法拉。 C=Q/V=库仑/伏特=法拉 由于法拉是一个很大的测量单位,在实际使用中很难达到,因此通常采用的是法拉的分数,即: 皮法(pF)=10-12F 纳法(nF)=10-9F 微法(mF)=10-6F B.电容量影响因素 对于任何给定的电压,单层电容器的电容量正比于器件的几何尺寸和介电常数: C=KA/f(t) K=介电常数 A=电极面积 t=介质层厚度 f=换算因子 在英制单位体系中,f=4.452,尺寸A和t的单位用英寸,电容量用皮法表示。单层电容器为例,电极面积1.0×1.0″,介质层厚度0.56″,介电常数2500, C=2500(1.0)(1.0)/4.452(0.56)=10027pF 如果采用公制体系,换算因子f=11.31,尺寸单位改为cm, C=2500(2.54)(2.54)/11.31(0.1422)=10028pF 正如前面讨论的电容量与几何尺寸关系,增大电极面积和减小介质层厚度均可获得更大的电容量。然而,对于单层电容器来说,无休止地增大电极面积或减小介质层厚度是不切实际的。因此,平行 列阵迭片电容器的概念被提出,用以制造具有更大比体积电容的完整器件。 在这种“多层”结构中,由于多层电极的平行排列以及在相对电极间的介质层非常薄,电极面积A得以大大增加,因此电容量C会随着因子N(介质层数)的增加和介质层厚度t’的减小而增大。这里A’指的是交迭电极的重合面积。 C=KA’N/4.452(t’) 以前在1.0×1.0×0.56″的单片电容器上所获得的容量,现在如果采用相同的介质材料,以厚度为0.001″的30层介质相迭加成尺寸仅为0.050×0.040×0.040″的多层元件即可获得(这里重合电极面积A’为0.030×0.020″)。 C=2500(0.030)(0.020)30/4.452(0.01)=10107pF 上面的实例表明在多层结构电容器尺寸相对于单层电容器小700倍的情况下仍能提供相同的电容量。因此通过优化几何尺寸,选择有很高介电常数和良好电性能(能在形成薄层结构后保持良好的绝 缘电阻和介质强度)的介质材料即可设计和制造出具有最大电容量体积系数的元件。 电容的型号命名 各国电容器的型号命名很不统一,国产电容器的命名由四部分组成: 第一部分:用字母表示名称,电容器为C。 第二部分:用字母表示材料。 第三部分:用数字表示分类。 第四部分:用数字表示序号。 电容的标志方法 (1)直标法:用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 (2)文字符号法:用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位:P、N、U、M、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10PF 的电容,其允许偏差用字母代替:B——±0.1PF,C——±0.2PF,D——±0.5PF,F——±1PF。 (3)色标法:和电阻的表示方法相同,单位一般为PF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示: 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V (4)进口电容器的标志方法:进口电容器一般有6项组成。

电阻,电感,电容的主要参数

电阻,电感,电容的主要参数 电阻主要特性参数 1、标称阻值:电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差:标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差,它表示电阻器的精度。 允许误差与精度等级对应关系如下:±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级 3、额定功率:在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为-55℃~+70℃的条件下,电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为(W):1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为(W):1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100 4、额定电压:由阻值和额定功率换算出的电压。 5、最高工作电压:允许的最大连续工作电压。在低气压工作时,最高工作电压较低。 6、温度系数:温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小,电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数,反之为负温度系数。 7、老化系数:电阻器在额定功率长期负荷下,阻值相对变化的百分数,它是表示电阻器寿命长短的参数。 8、电压系数:在规定的电压范围内,电压每变化1伏,电阻器的相对变化量。 9、噪声:产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏,包括热噪声和电流噪声两部分,热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动,使导体任意两点的电压不规则变化。 电感器的主要参数 电感器的主要参数有电感量、允许偏差、品质因数、分布电容及额定电流等。

各种电容器的分类及特点

各种电容器的分类及特点 电容器是电子设备中常用的电子元件,下面对几种常用电容器的结构和特点作以简要介绍,以供大家参考。 1.铝电解电容器: 它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质,插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理,做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性,适于电源滤波或低频电路中,使用时,正、负极不要接反。 2.钽铌电解电容器: 它用金属钽或者铌做正极,用稀硫酸等配液做负极,用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。其特点是:体积小、容量大、性能稳定、寿命长。绝缘电阻大。温度性能好,用在要求较高的设备中。 3.陶瓷电容器: 用陶瓷做介质。在陶瓷基体两面喷涂银层,然后烧成银质薄膜作极板制成。其特点是:体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高,但容量小,适用于高频电路。铁电陶瓷电容容量较大,但损耗和温度系数较大,适用于低频电路。 4.云母电容器: 用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板,极板和云母一层一层叠合后,再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。其特点是:介质损耗小、绝缘电阻大。温度系数小,适用于高频电路。 5.薄膜电容器: 结构相同于纸介电容器,介质是涤纶或聚苯乙烯。涤纶薄膜电容,介质常数较高,体积小、容量大、稳定性较好,适宜做旁路电容。聚苯乙烯薄膜电容器,介质损耗小、绝缘电阻高,但温度系数大,可用于高频电路。 6.纸介电容器: 用两片金属箔做电极,夹在极薄的电容纸中,卷成圆柱形或者扁柱形芯子,然后密封在金属壳或者绝缘材料壳中制成。它的特点是体积较小,容量可以做得较大。但是固有电感和损耗比较大,适用于低频电路。 7、金属化纸介电容器: 结构基本相同于纸介电容器,它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代金属箔,体积小、容里较大,一般用于低频电路。 8、油浸纸介电容器:

电容器的主要参数有哪些

电容器的主要参数有哪些? 电容器的主要参数有标称容量(简称容量)、允许偏差、额定电压、漏电流、绝缘电阻、损耗因数、温度系数、频率特性等。 (一)标称容量 标称容量是指标注在电容器上的电容量。 电容量的基本单位是法拉(简称法),用字母“F”表示。比法拉小的单位还在毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)、皮法(pF),它们之间的换算关系是: 1F=1000mF 1mF=1000μF 1μF=1000nF 1nF=1000pF 其中,微法(μF)和皮法(pF)两单位最常用。 在实际应用时,电容量在1万皮法以上电容量,通常用微法作单位,例如:0.047μF、0.1μF、2.2μF、47μF、330μF、4700μF等等。 电容量在1万皮法以下的电容器,通常用皮法作单位,例如:2pF、68 pF、100 pF、680 pF、5600 pF等等。 标称容量的标注方法有直标法、文字符号标注法和色标法等,具体的识别方法将在以后的内容中作详细介绍。 (二)允许偏差 允许偏差是指电容器的标称容量与实际容量之间的允许最大偏差范围。 电容器的容量偏差与电容器介质材料及容量大小有关。电解电容器的容量较大,误差范围大于±10%;而云母电容器、玻璃釉电容器、瓷介电容器及各种无极性高频在机薄膜介质电容器(如涤纶电容器、聚苯乙烯电容器、聚丙烯电容器

等)的容量相对较小,误差范围小于±20%。 (三)额定电压 额定电压也称电容器的耐压值,是指电容器在规定的温度范围内,能够连续正常工作时所能承受的最高电压。 该额定电压值通常标注在电容器上。在实际应用时,电容器的工作电压应低于电容器上标注的额定电压值,否则会造成电容器因过压而击穿损坏。 (四)漏电流 电容器的介质材料不是绝艰绝缘体,宁在一定的工作温度及电压条件下,也会有电流通过,此电流即为漏电流。 一般电解电容器的漏电流略大一些,而其它类型电容器的漏电流较小。 (五)绝缘电阻 绝缘电阻也称漏电阻,它与电容器的漏电流成反比。漏电流越大,绝缘电阻越小。绝缘电阻越大,表明电容器的漏电流越小,质量也越好。 (六)损耗因数 损耗因数也称电容器的损耗角正切值,用来表示电容器能量损耗的大小。该值越小,说明电容器的质量越好。 (七)温度系数 温度系数是指在一定温度范围内,温度每变化1℃时,电容器容量的相对变化值。温度系数值越小,电容器的性能越好。 (八)频率特性 频率特性是指电容器对各种不同高低的频率所表现出的性能(即电容量等电参数随着电路工作频率的变化而变化的特性)。不同介质材料的电容器,其最高工作频率也不同,例如,容量较大的电容器(如电解电容器)只能在低频电路中正常工作,高频电路中只能使用容量较小的高频瓷介电容器或云母电容器等。 信息来源:慧聪电子 【我来说两句】【推荐给朋友】【关闭窗口】

电容的规格和品种介绍

电容的种类 电容的种类有很多,可以从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上可以分为:CBB电容(聚乙烯),涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。下表是各种电容的优缺点: 各种电容的优缺点 极性名称制作优点缺点 无无感CBB电容2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。无感,高频特性好,体积较小不适合做大容量,价格比较高,耐热性能较差。无CBB电容2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。有感,其他同上。 无瓷片电容薄瓷片两面渡金属膜银而成。体积小,耐压高,价格低,频率高(有一种是高频电容)易碎!容量低 无云母电容云母片上镀两层金属薄膜容易生产,技术含量低。体积大,容量小,(几乎没有用了) 无独石电容体积比CBB更小,其他同CBB,有感 有电解电容两片铝带和两层绝缘膜相互层叠,转捆后浸泡在电解液(含酸性的合成溶液)中。容量大。高频特性不好。 有钽电容用金属钽作为正极,在电解质外喷上金属作为负极。稳定性好,容量大,高频特性好。造价高。(一般用于关键地方) )名称:聚酯(涤纶)电容(CL) 符号: 电容量:40p--4u 额定电压:63--630V 主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差 应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路 2)名称:聚苯乙烯电容(CB) 符号: 电容量:10p--1u 额定电压:100V--30KV 主要特点:稳定,低损耗,体积较大 应用:对稳定性和损耗要求较高的电路

3)名称:聚丙烯电容(CBB) 符号: 电容量:1000p--10u 额定电压:63--2000V 主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差 应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路 4)名称:云母电容(CY) 符号: 电容量:10p--0。1u 额定电压:100V--7kV 主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小 应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路 5)名称:高频瓷介电容(CC) 符号: 电容量:1--6800p 额定电压:63--500V 主要特点:高频损耗小,稳定性好 应用:高频电路 6)名称:低频瓷介电容(CT) 符号: 电容量:10p--4。7u 额定电压:50V--100V 主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差

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