士兰微电子介绍

微电子工艺制程

微电子工艺概论 做layout,对工艺的了解至关重要,以下是本人在拜读前辈门的心血后,自己总结的内容,由于不知怎么的不能插图片,所以略有遗憾,还请个位高手指教!我将分几篇文章将其叙述完毕。 1扩散工艺 A扩散是掺杂的一种工艺 B半导体中常用的杂质有:受主杂质(P型):硼施主杂质(N型):磷,砷,锑 C 扩散三步曲 (1)预淀积扩散:在扩散过程中,硅片表面杂质浓始终不变,又称恒表面源扩散。 (2)推进扩散:除表面以外的任何地方的初始杂质浓度均为0。 (3)激活:激活杂质原子,改变了硅的导电率。 D 杂质扩散种类 替代扩散和间隙扩散,现今流行的是替位扩散 2 离子注入工艺 A 离子注入工艺是掺杂工艺中最重要的一项,各方面都明显优于扩散。 B 离子在注入时有2种能量损失的类型 (1)电子碰撞(与核外电子作用):离子质量比电子质量大很多,每次碰撞后离子能量损失小,产生小角度散射。 (2)原子碰撞(同核碰撞):由于两者质量相当,能量损失大,产生大角度的散射。 C 沟道效应 离子注入时,离子即未与电子也未与原子核发生碰撞而是穿过了晶格间隙使得该离子比那些发生碰撞的原子穿透得更深。他的控制方法主要有以下几种: (1)倾斜硅片,偏离垂直方向7度已大于临界角注入。 (2)屏蔽氧化层

(3)硅预非晶化,预先注入点不活泼粒子si+ (4)用质量较大的原子 D 退火 (1)分类:高温炉退火;快速热退火(RTA) (2)退火作用:修复硅晶格结构并激活杂质——硅键。 (3)退火时间越长,温度越高,杂质的激活就越充分。 3 热氧化工艺 一始,先讲一下SiO2的问题,这有助于理解以后的内容 A SiO2薄膜结构:其基本单元是一个由Si——O原子组成的正四面体(图插不进,就略了) B SiO2的化学性质:它不溶于水和酸,但溶于HF C SiO2的作用: (1)作为杂质选择扩散的掩蔽膜 (2)作为器件表面的保护和钝化膜 首先,可以避免硅表面被镊子划伤以及蒸发,烧结,封装中可能 带来的杂质玷污,起了保护硅的作用。 其次,它可以使硅片表面,p-n结与外界气氛隔离开来,从而减 弱了环境气氛对硅片表面性质的影响。 (3)作为集成电路的隔离介质和绝缘介质 (4)作为电容器,栅氧或储存器单元结构中的介质材料 (5)作为MOS场效应管的绝缘栅材料。 现在,再来讲氧化物生长 D 热氧化方法 (1)干氧法:用氧作为氧化剂 (2)湿氧法:用氧和水的混合剂作为氧化剂 E 影响氧化物生长的因素(速率影响) (1)掺杂效应:重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速度快

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焊接工艺设计综述

安徽机电职业技术学院 《焊接结构课程设计说明书》 --------------------------支撑座的设计 姓名: 班级: 系部:机械工程系 学号: 2014年6月27日星期五

目录 前言 (1) 第一章设计支撑座的目的 (2) 第二章板材的矫正 (3) 第三章放样 (4) 第四章划线(号料) (6) 第五章下料工艺过程 (9) 第六章装配——焊接工艺 (13) 6.1 焊接装配的基础知识 (13) 第七章焊接工艺制定 (19) 7.1 焊接方法的选择 (19) 7.2 焊接工艺参数的选择 (19) 7.3 焊接工艺卡的内容 ..................................... 错误!未定义书签。第八章课程设计总结 .. (22)

前言 “焊接结构制造工艺及实施”是一门涉及多种焊接相关知识及多种工程技术,理论与实践结合极为紧密的课程。接近生产实际经验,贴近生产,贴近工程实践,体系完善。通过对焊接制造工艺过程中各个环节相关知识的学习,使学生初步掌握现代化焊接结构工艺编制方法,培养理论联系实际,分析问题和解决问题的能力。帮助我们了解产品的制造工艺和企业通用焊接技术文件样本,还有制造工艺及一些典型的工艺要求,初步积累经验,为以后走上工作岗位打下良好的基础。 当然课程设计是我们学习中必不可少的,有助于帮助我们更好地去了解一个产品的生产过程和制造过程,对于提高我们的能力还是有很大的帮助的,而且在实习中还有老师的指导,和同学的交流,这些在以后的工作岗位上是很少的,学习的机会也会很少的,没有在学校中的这种氛围。对于这次实习我们还是非常的珍惜的。 1

士兰微股票投资分析报告

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士兰微股票投资分析报告 经笔者查阅大量资料,对杭州士兰微店子股份有限公司详细分析后写下本次报告,报告分四个部分展开,总的来说包括以下几点: ?我国宏观经济走势。 ?发行公司所处行业发展现状。 ?选择该公司进行投资的原因 ?结论 一、2011年我国经济形势分析、及2012年我我国宏观经济展望 (1)2011年我国经济形势分析 从过去的五个月来看,经济增长保持稳定,通胀压力依然显著,中央紧缩的政策保持不变,人民币利率和汇率进入了一个不断上升和升值的通道,房地产市场博弈依然处于僵滞观望状态。上半年的中国经济,总体可以概括为:宏观稳定,微观调整,适度通胀,经济总体表现为稳定趋好的形势。展望下半年,中国经济增长仍将保持在10%左右的潜在增长区间,全年经济增长总体有望实现9.8%左右,CPI有望保持在5%左右的高位水平。 长焦镜头视角下的中国经济分析:“双高”经济是本轮经济增长周期的一个显著特征。 中国经济目前进入工业化中后期发展阶段,经济层面的二元经济转型基本结束,经济进入刘易斯拐点后的农业商业化阶段。改革开放以来,中国经济的工业化驱动、城市化抑制的发展模式,以及以金砖四国为代表的新兴经济体的崛起,这些因素决定了中国经济进入了一个以“高增长、高通胀”为特征的“双高”经济增长周期。下面具体分析一些数据,来说明我们的结论。 消费物价指数(CPI),自从2009年10月份走出负增长以来,持续上升,2010年11月份达到5.1%的高位,2011年3月份达到5.4%,4月份保持在5.3%,5月份维持在5.2%,6月份跃升至6.4%。如果考虑到2011年1月份CPI指数篮子调整的因素,按照去年的CPI统计指数的话,今年3—4月份CPI已经达到6%左右。通胀的压力在持续上升。本轮通胀压力主要来自于成本压力,包括国际能源资源和大宗原材料价格上涨的因素,还有一个重要的因素,就是中国经济处于刘易斯拐点后农业商业化阶段,或者说工业化中后期的中等收入陷阱阶段,农产品价格上涨,以及由此推动的劳动成本上涨,将是一个持续影响中国消费物价指数的因素。这预示着中国结束了高增长、低通胀的经济增长阶段,进入了一个高增长伴随着高通胀的经济增长阶段。 生产者物价指数(PPI),同样自2009年11月份走出负增长以来,在2010年5月达到7.1%,一直保持在6%左右的高位,在2011年3月份达到7.3%,在4月份保持在7.2%,5月份维持在6.8%,6月份继续保持7.1%。PPI在2010年4月达到6%以上以来,一直保持着高位运行。这一方面反映了国际能源资源和大宗原材料价格保持高位水平,另一方面反映了国内劳动成本持

微电子工艺复习

第一章: 1.看懂这是一个三极管 利用基区、发射区扩散形成电阻的结构2.看懂电极 外延层电阻结构 3.看懂电极 MOS集成电路中的多晶硅电阻 4.电容结构包括哪些要素? 两端是金属,中间是介电材料。

集成电路中电容的结构5.这是电容结构 Pn结位于空间电荷区,是一个电容结构。 PN结电容结构 6. MOS场效应晶体管中以SiO2为栅极层 MOS场效应晶体管电容结构

7.有源器件? 二极管,三极管,MOS管 集成电路中二极管的基本结构 8.看懂二极管,三极管的结构 集成电路中二极管的结构 9.三极管分清npn与pnp?有什么区别?怎么画的? 结构上,NPN三极管的中间是P区(空穴导电区),两端是N区(自由电子导电区),而PNP三极管正相反。 使用上,NPN三极管工作时是集电极接高电压, 发射极接低电压,基极输入电压升高时趋向导通,基极输 入电压降低时趋向截止;而PNP三极管工作时则是集电极 接低电压,发射极接高电压,基极输入电压升高时趋向截 止,基极输入电压降低时趋向导通。 晶体管的基本结构

10.什么叫NMOS?什么叫PMOS? PMOS是指利用空穴来传导电性信号的金氧半导体。 NMOS是指利用电子来访传导电性信号的金氧半晶体管。 MOS管的结构图和示意图 11.集成电路包括哪些阶段?核心阶段? 阶段: 硅片(晶圆)的制备、掩膜版的制作、硅片的制造及元器件封装 集成电路制造的阶段划分 半导体芯片的制造框图

半导体芯片制造的关键工艺 12.硅的基本性质?它的优点? 硅的禁带宽度较大(1.12eV),硅半导体的工作温度可以高达200℃。硅片表面可以氧化出稳定且对掺杂杂质有极好阻挡作用的氧化层(SiO2) 优点: (1)硅的丰裕度硅是地球上第二丰富的元素,占到地壳成分的25%,经合理加工,硅能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度,而消耗的成本比较低。 (2)更高的熔化温度允许更宽的工艺容限硅的熔点是1412℃,远高于锗937℃的熔点,更高的熔点使得硅可以承受高温工艺。 (3)更宽的工作温度范围用硅制造的半导体器件可以工作在比锗制造的半导体器件更宽的温度范围,增加了半导体器件的应用范围和可靠性。 (4)氧化硅的自然生成硅表面有能够自然生长氧化硅(SiO2)的能力,SiO2是一种高质量、稳定的电绝缘材料,而且能充当优质的化学阻挡层以保护硅不受外部沾污。 13.硅生长有哪两个生长方法?用于什么样的地方? (1)直拉法(CZ) 直拉法生长单晶硅是将熔化了的半导体级多晶硅变成有正确晶向并被掺杂成N型或P型的固体硅锭。均匀的大直径晶体 (2)区熔法 区熔法是另一种单晶生长方法,它所生产的单晶硅中含氧量非常少,能生产目前为止最纯的单晶硅。 第二章 1.隔离分为哪些?怎么样来做隔离? ①PN结隔离 未加正向偏压的PN结几乎无电流流动,因而PN结可作器件隔离用,双极型集成电路中的隔离主要采用PN结隔离。

化工工艺设计基础-个人总结

化工工艺设计基础-个人总结.txt丶︶ ̄喜欢的歌,静静的听,喜欢的人,远远的看我笑了当初你不挺傲的吗现在您这是又玩哪出呢?本文由scutbiao贡献 doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。 《化工工艺设计》讲座化工工艺设计》 1. 概述要建设一个化工厂,必须具有一批化工工艺专业技术人员, 1.1 要建设一个化工厂,必须具有一批化工工艺专业技术人员,这批化工工艺专业技术人员必须具备下列基本条件. 业技术人员必须具备下列基本条件. 掌握化工基本理论如化工热力学,流体力学,传热,传质,化学反应动力学(化学反应工程) . 如化工热力学,流体力学,传热,传质,化学反应动力学(化学反应工程) 掌握化工工艺设计方法和技能熟悉环保,安全,消防等方面的法规熟悉环保,安全,消防等方面的法规环保一定的工作经验 1.2 化工建设项目阶段 1. 2.1 建设项目阶段的划分以工程公司为主体,通常分为三个阶段建设项目阶段的划分以工程公司为主体, 项目前期工程设计按国内审批要求分为按国内审批要求分为: 批准后建设单位即可开工. 初步设计→批准后建设单位即可开工. 施工图设计按国际常规做法分为: 按国际常规做法分为: 工艺设计基础设计详细设计施工,安装,试车,性能考核及国家验收(验收后工厂投入正常运行) 施工,安装,试车,性能考核及国家验收(验收后工厂投入正常运行) 建设项目阶段的划分以建设单位为主体, 1.2.2 建设项目阶段的划分以建设单位为主体,通常分为四个阶段项目前期工程设计工程建设工厂投入生产 2. 工艺设计的内容和深度工艺设计的文件包括三大内容文件包括三大内容: 2.1 工艺设计的文件包括三大内容: 文字说明(工艺说明) 文字说明(工艺说明) 图纸表格文字说明(工艺说明) 2.1.1 文字说明(工艺说明) 工艺设计的范围. 工艺设计的范围. 设计基础:生产规模,产品方案,原料,催化剂,化学品,公用工程燃料规格, 设计基础:生产规模,产品方案,原料,催化剂,化学品,公用工程燃料规格, 产品及副产品规格. 产品及副产品规格. 副产品规格工艺流程说明:生产方法,化学原理,工艺流程叙述. 工艺流程说明:生产方法,化学原理,工艺流程叙述. 原料,催化剂,化学品及燃料消耗定额及消耗量. 原料,催化剂,化学品及燃料消耗定额及消耗量. 公用工程(包括水, 公用工程(包括水,电,汽,脱盐水,冷冻,工艺空气,仪表空气,氮气)消耗脱盐水,冷冻,工艺空气,仪表空气,氮气) 定额及消耗量. 定额及消耗量. 三废排放:包括排放点,排放量, 三废排放:包括排放点,排放量,排放组成及建议处理方法装置定员安全备忘录(另行成册) 安全备忘录(另行成册) 技术风险备忘录(通常为对内使用,另行成册) 技术风险备忘录(通常为对内使用,另行成册) 操作指南(通常为对内使用,另行成册.供工艺系统,配管等专业使用) 操作指南(通常为对内使用,另行成册.供工艺系统,配管等专业使用) 2.1.2 图纸 PFD: 的设计依据,供基础设计使用(通常分版次逐版深化) PFD:是 PID 的设计依据,供基础设计使用(通常分版次逐版深化) . 包括全部工艺设备,主要物料管道(表示出流向,物料号) 主要控制回路, ,主要控制回路包括全部工艺设备,主要物料管道(表示出流向,物料号) 主要控制回路,联锁 , 方案,加热和冷却介质以及工艺空气进出位置. 方案,加热和冷却介质以及工艺空气进出位置. 建议设备布置图:是总图布置,装置布置的依据,供基础设计使用( 建议设备布置图:是总图布置,装置布置的依据,供基础设计使用(通常为平面布置图) 根据工艺流程的特点和要求进行布置. .根据工艺流程的特点和要求进行布置布置图) 根据工艺流程的特点和要求进行布置. . PCD:通常是设计院内部设计过程文件, PCD:通常是设计院内部设计过程文件,最终体现在终版 PFD 中(通常由自控专业完成) . 完成) 2.1.3 表格物料平衡表工艺设备数据表工艺设备表取样点汇总表装置界区条件表工艺设计方法(化工基本理论的应用) 3. 工艺设计方法(化工基本理论的应用) 3.1 工艺路线的选择 原料来源经济效益和社会效益(生产成本) 经济效益和社会效益(生产成本) 环境保护其它,如操作条件, 其它,如操作条件,安全,消防,投资,工艺先进性,可行性,合理性. 消防,

士兰微(600460)研究报告2

士兰微(600460) 士兰微:鲲鹏展翅 报告日期 2010-8-25 报告日收盘价 21.59元 52周最高/最低 23.02/5.80 52周上证表现 2319.74/3361.39 总股本(万股)40400 A 股(万股)40400 H 股(万股)0 主要财务数据及预测 报告要点: ● 公司二季度业绩达到历史高点:公司10中期集成电路营收同比增 74.12%,器件增 85.34%,LED 增191.94%,LED 受益行业景气,增速为集成电路及器件的 2 倍还多,超过器件成为第二大收入来源。 ● 公司下半年业绩有望大幅超预期:受益于行业高景气,士兰明芯计划到今年年底产能由10万片增加到15万片;由于集成电路行业的高弹性,下半年盈利水平有望达到上半年的三倍,从而下半年业绩大幅超预期。 ● 进军西部,未来将再造两个士兰:受困于杭州的水电配套问题,公司已在成都购入400亩地,发展LED 、模块和外延等业务。在未来两年公司成都厂区将快速发展。 ● 盈利预测:预计士兰微2010 年、2011 年、2012年公司EPS 分别为0.84元、1.09 元和1.62 元,同比分别增长342%、29.8%、48%。 ● 投资建议:依照市场目前估值,但前股价合理。但是下半年存在业绩大幅超预期可能,股价将会随着三季报的公布而上升,合理股价为33元左右,因此建议积极买入。 士兰微研究报告 公司名称/代码

一、公司二季度业绩达到历史高点 根据公司2010年中报显示,公司营收和净利润达到历史高点。公司三大主营业务集成电路、分立器件和发光二极管都同比大幅增长。集成电路营收同比增74.12%,器件增85.34%,LED 增191.94%,LED 受益行业景气,增速为集成电路及器件的 2 倍还多。LED占主营的比重也由去年同期18.08%大幅提高至26.55%。实际上,2010 年二季度LED 营收占比已达28.76%,超过器件成为第二大收入来源。 图 1 公司季度盈利情况 图 2 2009、2010年中期营收占比情况

微电子工艺扫盲课程.pdf

)))))))) Warning and explanation:文中所引用图片均来自于互联网和中科院半导体所官方网站。本人只是用于讲解知识所用,并未用于商业获利行为。产生任何法律纠纷均与我无关。请勿盗链文中的 图片,后果自负! 介货就是硅 微电子制造工艺在微电子整体产业中处于中游阶段(上游是电路设计,下游是封装测试)。一个芯片的制造能否达到设计要求,与制造工艺有很大的关系,因此有必要对工艺线的流程为大家说 明讲清楚。我们手中使用的mobilephone,camera,ipad内部电路板上焊接的形状各异外形诡 异的小芯片都是如何造出来?想必大家都是有兴趣知道的。即使没有电子工程的基础,通过我的讲解也是可以,你对这个最精密自动化程度最高的行业有一个清晰的轮廓。 IC(integrate circuit)的制造分为前工序和后工序。 前工序:IC制造工程中,晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为前工序,这是IC制造的最要害技术。 后工序:晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序。 我们所要了解的就是前工序的内容,打蛇打七寸,直入要害。 首先,光刻过程的操作流程为: 衬底氧化—涂胶—光刻机曝光—显影烘干—刻蚀—清洗干燥—离子注入(等离子刻蚀、金属淀积)—去胶。 其中最费钱的一步大家知道是什么吗? 光刻机曝光。流片光刻的费用约占到总体花费的40%左右。很多研究机构或者高校做芯片设计 只是通过软件模拟一下,由此就以这些数据写论文,很少有经费可以去流片测试。况且一个可以投产的芯片并不是一次流片就能成功的,通常情况下需要四次甚至更多次数。以西电微电子学院的军用RFID为例,流片次数已过4次,电路尺寸逐步达到设计标准。军用研发经费充足,不计 成本,不过半导体产业高投入的现状可见一斑。 现在通过图片讲解对各部工序逐一讲解: ))))))))). ))))))))

微电子加工工艺总结资料

1、分立器件和集成电路的区别 分立元件:每个芯片只含有一个器件;集成电路:每个芯片含有多个元件。 2、平面工艺的特点 平面工艺是由Hoerni于1960年提出的。在这项技术中,整个半导体表面先形成一层氧化层,再借助平板印刷技术,通过刻蚀去除部分氧化层,从而形成一个窗口。 P-N结形成的方法: ①合金结方法 A、接触加热:将一个p型小球放在一个n型半导体上,加热到小球熔融。 B、冷却:p型小球以合金的形式掺入半导体底片,冷却后,小球下面形成一个再分布结晶区,这样就得到了一个 pn结。 合金结的缺点:不能准确控制pn结的位置。 ②生长结方法 半导体单晶是由掺有某种杂质(例如P型)的半导体熔液中生长出来的。 生长结的缺点:不适宜大批量生产。 扩散结的形成方式 与合金结相似点: 表面表露在高浓度相反类型的杂质源之中 与合金结区别点: 不发生相变,杂质靠固态扩散进入半导体晶体内部 扩散结的优点 扩散结结深能够精确控制。 平面工艺制作二极管的基本流程: 衬底制备——氧化——一次光刻(刻扩散窗口)——硼预沉积——硼再沉积——二次光刻(刻引线孔)——蒸铝——三次光刻(反刻铝电极)——P-N结特性测试 3、微电子工艺的特点 高技术含量设备先进、技术先进。 高精度光刻图形的最小线条尺寸在亚微米量级,制备的介质薄膜厚度也在纳米量级,而精度更在上述尺度之上。 超纯指工艺材料方面,如衬底材料Si、Ge单晶纯度达11个9。 超净环境、操作者、工艺三个方面的超净,如 VLSI在100级超净室10级超净台中制作。 大批量、低成本图形转移技术使之得以实现。 高温多数关键工艺是在高温下实现,如:热氧化、扩散、退火。

600460杭州士兰微电子股份有限公司2020年第三季度报告正文

公司代码:600460 公司简称:士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司 2020年第三季度报告正文

一、重要提示 1.1 公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证季度报告内容的真实、准确、完整,不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。 1.2 公司全体董事出席董事会审议季度报告。 1.3 公司负责人陈向东、主管会计工作负责人陈越及会计机构负责人(会计主管人员)马蔚保证季度报告中财务报表的真实、准确、完整。 1.4 本公司第三季度报告未经审计。 二、公司主要财务数据和股东变化 2.1主要财务数据 单位:元币种:人民币 非经常性损益项目和金额 √适用□不适用

1.5 截止报告期末的股东总数、前十名股东、前十名流通股东(或无限售条件股东)持股情况表 单位:股

2.2截止报告期末的优先股股东总数、前十名优先股股东、前十名优先股无限售条件股东持股情 况表 □适用√不适用

三、重要事项 3.1公司主要会计报表项目、财务指标重大变动的情况及原因√适用□不适用

3.2重要事项进展情况及其影响和解决方案的分析说明 √适用□不适用 公司拟通过发行股份的方式购买国家集成电路产业投资基金股份有限公司持有的杭州集华投资有限公司19.51%的股权以及杭州士兰集昕微电子有限公司20.38%的股权,同时公司拟非公开发行股份募集配套资金。2020年7月24日,公司第七届董事会第十二次会议审议通过了《关于<杭州士兰微电子股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易预案>及其摘要的议案》、《关于公司发行股份购买资产并募集配套资金方案的议案》等与本次交易相关的所有议案。 本次交易尚需提交公司股东大会审议,并经有权监管机构批准后方可正式实施,能否通过审批尚存在一定的不确定性,以及最终获得相关批准或核准的时间均存在不确定性。 3.3报告期内超期未履行完毕的承诺事项 □适用√不适用

士兰微2020年三季度财务状况报告

士兰微2020年三季度财务状况报告 一、资产构成 1、资产构成基本情况 士兰微2020年三季度资产总额为963,831.54万元,其中流动资产为427,798.73万元,主要以存货、应收账款、货币资金为主,分别占流动资产的35.11%、26.93%和24.9%。非流动资产为536,032.81万元,主要以固定资产、长期股权投资、在建工程为主,分别占非流动资产的56.08%、13.89%和11.36%。 资产构成表(万元) 2、流动资产构成特点 企业营业环节占用的资金数额较大,约占企业流动资产的35.51%,说明市场销售情况的变化会对企业资产的质量和价值带来较大影响,要密切关注企业产品的销售前景和增值能力。企业持有的货币性资产数额较大,

约占流动资产的27.54%,表明企业的支付能力和应变能力较强。但这种应变能力主要是由短期借款及应付票据来支持的,应当对偿债风险给予关注。 流动资产构成表(万元) 项目名称 2018年三季度2019年三季度2020年三季度 数值百分比(%) 数值百分比(%) 数值百分比(%) 流动资产 376,992.71 100.00 360,808.48 100.00 427,798.73 100.00 存货 115,681.23 30.69 141,935.92 39.34 150,194.99 35.11 应收账款77,412.77 20.53 81,170.19 22.50 115,216.4 26.93 货币资金 118,803.26 31.51 93,943.9 26.04 106,532.08 24.90 应收票据37,480.62 9.94 30,981.43 8.59 11,250.33 2.63 其他流动资产22,486.23 5.96 6,691.82 1.85 4,757.34 1.11 预付款项2,475.9 0.66 2,196.6 0.61 1,726.05 0.40 一年内到期的非流动 资产 500 0.13 250 0.07 750 0.18 交易性金融资产0 - 1,699 0.47 21.4 0.01 3、资产的增减变化 2020年三季度总资产为963,831.54万元,与2019年三季度的855,586.02万元相比有较大增长,增长12.65%。

微电子工艺技术-复习要点答案

第四章晶圆制造 1.CZ法提单晶的工艺流程。说明CZ法和FZ法。比较单晶硅锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。 答:1、溶硅2、引晶3、收颈4、放肩5、等径生长6、收晶。CZ法:使用射频或电阻加热线圈,置于慢速转动的石英坩埚内的高纯度电子级硅在1415度融化(需要注意的是熔硅的时间不宜过长)。将一个慢速转动的夹具的单晶硅籽晶棒逐渐降低到熔融的硅中,籽晶表面得就浸在熔融的硅中并开始融化,籽晶的温度略低于硅的熔点。当系统稳定后,将籽晶缓慢拉出,同时熔融的硅也被拉出。使其沿着籽晶晶体的方向凝固。籽晶晶体的旋转和熔化可以改善整个硅锭掺杂物的均匀性。 FZ法:即悬浮区融法。将一条长度50-100cm 的多晶硅棒垂直放在高温炉反应室。加热将多晶硅棒的低端熔化,然后把籽晶溶入已经熔化的区域。熔体将通过熔融硅的表面张力悬浮在籽晶和多晶硅棒之间,然后加热线圈缓慢升高温度将熔融硅的上方部分多晶硅棒开始熔化。此时靠近籽晶晶体一端的熔融的硅开始凝固,形成与籽晶相同的晶体结构。当加热线圈扫描整个多晶硅棒后,便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒。 CZ法优点:①所生长的单晶的直径较大,成本相对较低;②通过热场调整及晶转,坩埚等工艺参数的优化,可以较好的控制电阻率径向均匀性。缺点:石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响,易引入氧、碳杂质,不易生长高电阻率单晶。 FZ法优点:①可重复生长,提纯单晶,单晶纯度较CZ法高。②无需坩埚、石墨托,污染少③高纯度、高电阻率、低氧、低碳④悬浮区熔法主要用于制造分离式功率元器件所需要的晶圆。缺点:直径不如CZ法,熔体与晶体界面复杂,很难得到无位错晶体,需要高纯度多晶硅棒作为原料,成本高。 MCZ:改进直拉法优点:较少温度波动,减轻溶硅与坩埚作用,降低了缺陷密度,氧含量,提高了电阻分布的均匀性 2.晶圆的制造步骤【填空】 答:1、整形处理:去掉两端,检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。 2、切片 3、磨片和倒角 4、刻蚀 5、化学机械抛光 3. 列出单晶硅最常使用的两种晶向。【填空】 答:111和100. 4. 说明外延工艺的目的。说明外延硅淀积的工艺流程。 答:在单晶硅的衬底上生长一层薄的单晶层。 5. 氢离子注入键合SOI晶圆的方法 答:1、对晶圆A清洗并生成一定厚度的SO2层。2、注入一定的H形成富含H的薄膜。3、晶圆A翻转并和晶圆B键合,在热反应中晶圆A的H脱离A和B键合。4、经过CMP和晶圆清洗就形成键合SOI晶圆 6. 列出三种外延硅的原材料,三种外延硅掺杂物【填空】 7、名词解释:CZ法提拉工艺、FZ法工艺、SOI、HOT(混合晶向)、应变硅 答:CZ法:直拉单晶制造法。FZ法:悬浮区融法。SOI:在绝缘层衬底上异质外延硅获得的外延材料。HOT:使用选择性外延技术,可以在晶圆上实现110和100混合晶向材料。应变硅:通过向单晶硅施加应力,硅的晶格原子将会被拉长或者压缩不同与其通常原子的距离。 第五章热处理工艺 1. 列举IC芯片制造过程中热氧化SiO2的用途?

智慧树知到 《陶瓷厂工艺设计概论(山东联盟)》章节测试答案

第一章 1、工厂设计的主体是()? A:工艺设计 B:总图设计 C:运输设计 答案: 工艺设计 2、基本建设是指工厂的()。 A:新建 B:扩建 C:改建 答案: 新建,扩建,改建 3、项目建议书中产品的内容包括()? A:产品名称 B:规格 C:生产能力 D:销售方向 答案: 产品名称,规格,生产能力,销售方向 4、陶瓷工厂根据生产特点,要尽可能靠近()?A:销售地区 B:原料基地 C:燃料产区 答案: 销售地区,原料基地

5、设计基础资料中风向和风速要有冬季、夏季和年主导风向及其频率,附风玫瑰图。 A:对 B:错 答案: 对 6、编制项目建议书或技术改造规划时,相应要做的工作()。 A:确定建厂地区 B:初选厂址 C:原料性能试验 答案: 确定建厂地区,初选厂址,原料性能试验 7、对建设项目的经济效果分析时不仅计算项目本身的微观效果,而且要衡量项目对国民经济的宏观效果和社会的影响。 A:对 B:错 答案: 对 8、建厂厂址选择时,陶瓷半成品在运输过程中易于破损,因此,要尽可能避免地形起伏变化过大。 A:对 B:错 答案: 对 9、可行性研究报告中关于环境保护涉及环境现状,预测项目对环境的影响,提出环境保护、三废治理和回收的初步方案。 A:对 B:错 答案: 对

10、厂址选择的工作程序,一般分为()几个阶段。 A:预备阶段 B:现场阶段 C:结束阶段 答案: 预备阶段,现场阶段,结束阶段 第二章 1、厂区内的建筑物、构筑物及交通运输线路的布置应使工艺流程顺捷,并保证合理的生产作业线。 A:对 B:错 答案: 对 2、陶瓷工厂的厂房可分为两大类()。 A:单层厂房 B:多层厂房 C:三层厂房 答案: 单层厂房,多层厂房 3、如果一个地区主导风向随季节而变化,则以()风向图为主。 A:春季 B:夏季 C:秋季 D:冬季 答案: 夏季

士兰微2020年上半年管理水平报告

士兰微2020年上半年管理水平报告 一、成本费用分析 1、成本构成情况 士兰微2020年上半年成本费用总额为159,638.67万元,其中:营业成本为135,850.33万元,占成本总额的85.1%;销售费用为4,271.44万元,占成本总额的2.68%;管理费用为11,058.15万元,占成本总额的6.93%;财务费用为7,517.8万元,占成本总额的4.71%;营业税金及附加为940.95万元,占成本总额的0.59%。 成本构成表(占成本费用总额的比例)(万元) 项目名称 2018年上半年2019年上半年2020年上半年 数值百分比(%) 数值百分比(%) 数值百分比(%) 成本费用总额 139,466.71 100.00 136,133.09 100.00 159,638.67 100.00 营业成本 105,354.87 75.54 113,509.49 83.38 135,850.33 85.10 营业税金及附加1,107.17 0.79 1,005.29 0.74 940.95 0.59 销售费用4,654.97 3.34 4,685.05 3.44 4,271.44 2.68 管理费用23,905.1 17.14 10,857.1 7.98 11,058.15 6.93 财务费用4,444.61 3.19 6,076.17 4.46 7,517.8 4.71 研发费用0 - 0 - 0 -

2、总成本变化情况及原因分析 士兰微2020年上半年成本费用总额为159,638.67万元,与2019年上半年的136,133.09万元相比有较大增长,增长17.27%。以下项目的变动使总成本增加:营业成本增加22,340.85万元,财务费用增加1,441.62万元,管理费用增加201.05万元,共计增加23,983.52万元;以下项目的变动使总成本减少:营业税金及附加减少64.33万元,销售费用减少413.61万元,资产减值损失减少5,270.25万元,共计减少5,748.19万元。各项科目变化引起总成本增加18,235.33万元。 成本构成变动情况表(占营业收入的比例)(万元) 3、营业成本控制情况 2020年上半年营业成本为135,850.33万元,与2019年上半年的113,509.49万元相比有较大增长,增长19.68%。 4、销售费用变化及合理性评价 2020年上半年销售费用为4,271.44万元,与2019年上半年的4,685.05万元相比有较大幅度下降,下降8.83%。从销售费用占销售收入比例变化情况来看,2020年上半年在销售费用下降的情况下营业收入却获得了较大幅度的增长,企业采取了非常成功的销售战略,营销效率显著提高。

工艺设计说明

工艺设计说明

PROJECT NAME TAR DISTILLATION REVAMPING PROJECT 连云港美盛沃利工程有限公司 MAISONWORLEYPARSONS (LYG) ENGINEERING CO., LTD 中华人民共和国 住房和城乡建设部 工程设计甲级证书 A132005352 工程设计乙级证书 A232005359 项目号 PROJECT No. CC0914D1298 阶 段 PHASE 施工图 装置/工区名称 UNIT NAME 工艺生产装置 PROCESS UNIT 页码 SHEET 2 / 6 文件号 DOC. No. CC0914D1298-00-AR-REQ-0001 版次 REV. 1 工艺说明 PROCESS DESCRIPTION 1 ISSUE FOR CONSTRUCTION Gao CQ Yin YG 2010-04-15 版 次REV. 说 明 DESCRIPTION 设 计P RE’D 校 对CHK’D 审 核APP’D 审 定AUTH’D 日 期 DATE 专业D I S C I P L I N E 签字S I G N A T U R E 日期D A T E 本文件仅用于该项目。未经连云港美盛沃利工程有限公司或业主的书面许可,不得披露或复制。 T H I S D O C U M E N T I S O N L Y U S E D F O R T H E C U S T O M E R P R O J E C T . A N Y D I S C L O S U R E O R C O P Y O F T H I S D O C U M E N T I S N O T P E R M I T T E D W I T H O U T T H E W R I T T E N A P P R O V A L O F M A I S O N W O R L E Y P A R S O N S (L I A N Y U N G A N G ) O R T H E C U S T O M E R O F T H E P R O J E C T .

士兰微2019年财务分析详细报告

士兰微2019年财务分析详细报告 一、资产结构分析 1.资产构成基本情况 士兰微2019年资产总额为891,326.02万元,其中流动资产为381,231.38万元,主要分布在存货、货币资金、应收账款等环节,分别占企业流动资产合计的37.29%、28.39%和21.75%。非流动资产为510,094.64万元,主要分布在固定资产和在建工程,分别占企业非流动资产的56.25%、13.76%。 资产构成表 项目名称 2019年2018年2017年 数值百分比(%) 数值百分比(%) 数值百分比(%) 总资产891,326.02 100.00 812,636.83 100.00 625,440.65 100.00 流动资产381,231.38 42.77 371,898.54 45.76 273,085.55 43.66 长期投资67,204.14 7.54 36,809.47 4.53 12,427.69 1.99 固定资产286,918.86 32.19 255,732.66 31.47 202,843.39 32.43 其他155,971.63 17.50 148,196.17 18.24 137,084.03 21.92 2.流动资产构成特点 企业营业环节占用的资金数额较大,约占企业流动资产的37.29%,说

明市场销售情况的变化会对企业资产的质量和价值带来较大影响,要密切关注企业产品的销售前景和增值能力。企业持有的货币性资产数额较大,约占流动资产的31.26%,表明企业的支付能力和应变能力较强。但这种应变能力主要是由短期借款及应付票据来支持的,应当对偿债风险给予关注。 流动资产构成表 项目名称 2019年2018年2017年 数值百分比(%) 数值百分比(%) 数值百分比(%) 流动资产381,231.38 100.00 371,898.54 100.00 273,085.55 100.00 存货142,159.19 37.29 121,369.83 32.64 79,517.21 29.12 应收账款82,906.99 21.75 81,219.66 21.84 72,088.91 26.40 其他应收款1,820.65 0.48 2,497.63 0.67 1,897.2 0.69 交易性金融资产16.17 0.00 0 0.00 0 0.00 应收票据10,932.35 2.87 34,013.94 9.15 31,217.04 11.43 货币资金108,227.56 28.39 117,170.58 31.51 67,241.47 24.62 其他35,168.47 9.22 15,626.9 4.20 21,123.71 7.74 3.资产的增减变化 2019年总资产为891,326.02万元,与2018年的812,636.83万元相比有所增长,增长9.68%。

设计材料及加工工艺概论

设计材料及加工工艺概论 一、学习材料的重要性 1.1材料是设计的物质基础和载体 材料是科学技术研究的重要方面,设计材料由比较单一的木材,陶瓷,玻璃,金属到越来越丰富的塑料、复合材料为产品设计展开了一个广阔的天地。基本功能相同的产品,由于采用了不同的材料和加工工艺,就可以带来巨大的形态变化,随后带来的是使用变化和精神功能的变化。例如电视机外壳,用木质层板来做,因为受到材料特性和加工工艺的制约,一般会做成方形。如果后壳要做成弧度就有一定的难度。但是如果用工程塑料来做电视机外壳的话,就很容易用压注成型的方法实现曲面的造型。 以椅子的设计为例,椅子的基本功能是“座”,另外它还具有很强的象征和装饰功能,木材、金属、皮革玻璃、塑料等材料随着成型技术的发展进步,并结合设计师的创意,展现出了不同的形态和风貌,这些典型的形态也成为时代技术发展水平和人们社会生活的象征。 早期的椅子大都以实木为材料,坚硬的材料使得精密的榫卯结构得以实现,使得椅子在造型上线条更加挺拔、秀丽、流畅,其形体严谨合理的结构、精致的制作工艺和天然靓丽的枝干,无疑为明式家具的典范。 明式太师椅 20世纪三四十年代以后,由于合成树脂的迅速发展和高频胶核技术的应用,产生了一种新的椅子形态——胶合板椅。它改变了原有木材的特性,其结构、强度等均发生了变化,形成了一种新的造型风格。例如下面的LCM椅子。

1941年,设计师查而斯和伊姆斯在家具设计中用胶合板为材料进行椅子设计,引起了评委的注意,并因此拿了比赛的第一名。 由马歇尔.布劳耶设计的瓦西里椅是世界上第一个以标准件构成的钢管椅,突破了木质椅子造型的范围,压弯成型机和管材弯曲技术的出现,使得钢管本身的特性得以发挥,钢管有弹性、强度高,一致的弯曲半径给人一种有序和统一的美感。 塑料的发明给产品带来了前所未有的变化,如图所示,得S形的堆叠椅,是由威乐.潘顿设计的,采用塑料一次成型技术,造型优美,色彩艳丽,技术完善,让塑料制品拥有了更完美的品质。

工艺设计部门岗位职责

一、概述 任何一个企业要生存、求发展就必须生产出满足用户需求的产品、而这些产品的形成必须经过市场调研、产品开发设计、生产技术准备、物料采购、生产制造、质常管理、营销及服务全过程。而工艺技术、工艺管理贯穿于全过程,并将它们联结成一个整体。工艺工作贯穿于企业经营全部活动的情况如下表所示。 工艺管理的责任企业经营过程 市场调研 开发设计设计部门 设计、工艺 工艺、有关车间、设计工艺职能工艺调研工艺发展规划、工艺试验与研究、工艺情报收集与工艺标准制定、产品结构工艺性分析与审查。 生产技术准备工艺、工具、计量、质检及有关车间工艺方案、工艺路线、工艺规程的设计;工艺装备设计、制造;材料消耗工艺定额、工时消耗工艺定额制定;管理性工艺文件制定物料采购工具、设备、供应、工艺工艺装备明细表、材料消耗工艺定额明细表、主要辅料消耗工艺定额明细表、油漆消耗工艺定额明细表生产制造生产车间、生产调度、人力资源、工艺、定人定机定工种;按图样、工艺和标准进行生产、工质量管理、设备、工具、计量艺验证、工艺装备验证;现场工艺过程管理、执行工艺纪律、均衡生产、进行工艺总结质量管理技术检验、质量管理;总工程师、设计、按图样、工艺、标准验收;监督生产现场的工艺纪律;工艺 营销 服务工艺 工艺、设计、营销新产品样品试制鉴定;新产品小批试制鉴定。 向客户、消费者提供工艺参数客户访问、市场研究、对新产品提供最佳工艺决策

(3)建立工艺技术方面的工作程序。 (4)组织领导工艺调查,制定中长期工艺发展规划,提高本企业生产工艺水平。 (5)安排工艺人员参加新产品开发、调研和老产品用户访问。审批严重产品工艺方案,主持新产品样机试制、小批试制的厂内鉴定工作。 (6)建立健全工艺标准、工艺情报的专职机构或指定专人从事工艺标准、工艺情报T.作。积极采用国际标准和国外优秀标准、不断提高工艺技术水平和工艺管理水平。 (7)负责生产技术准备工作,保证工艺准备有科学的周期性。 (8)审批各类彐、艺技术文件和工艺规划与工艺制度。 (9)负责工艺技术档案与工艺技术保密工作。 (10)审批工厂总平面布置及工艺布局。 (11)负责组织领导工艺人员技术培训、考核、晋升工作。 3.总工艺师责任 (1)组织制定、审查、签署工艺管理制度和工艺责任制。 (2)组织制定、审查、签署工艺技术范围内的各项工作制 度和工艺工作程序。 (3)对新产品开发、老产品用户服务的人选提出建议。 (4)组织新老产品工艺方案和关键零部件工艺方案的讨论和制定工作,会签或审批产品工艺方案、工艺路线方案。 (5)详尽组织工艺科研的实施、及时解决和协调工艺科研过程中出现的技术问题,确保工艺科研工作的完成。 (6)编制或审查巨大工艺技术改造项目的可行性分析报告。

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