交流扫描分析

交流扫描分析
交流扫描分析

电子电路分析与设计

实验报告

学院计算机与电子信息学院

专业电子信息工程班级电信11-1

姓名黄永耀学号 11034030146

指导教师张涛

实验报告评分:_______

实验四 交流扫描分析

一、实验目的:

1、掌握交流扫描分析的各种设置和方法。

二﹑实验内容:

1、 共射极放大电路如下图所示。试分析出中频区放大倍数、上限截止频率和下限截止

频率,电路输入电阻和输出电阻。

C1

10U

R23K R5

3K

RS 2K

R31k

C2

10U

C310U

V2

12V

VK

V1

FREQ = 10K

VAMPL = 0.01VOFF = 0

OUT

R1

300K 0

Q2

Q2N3904

元件名称 元件库

说明 R Library/Pspice/Analog.olb 电阻 C Library/Pspice/Analog.olb 电容 Q2N3904 Library/Pspice/Bipolar.olb 三极管 VDC Library/Pspice/Sourse.olb 直流电压源 VSIN

Library/Pspice/Sourse.olb

正弦信号源

步骤: (1)、作出电路图,修改三极管参数:放大系数β =80,r bb’ (r b )= 100。

将V1信号源的 AC 设置为1(设置方法:双击电压源V1,出现V1电压参 数设置界面,将AC 设置为1,否则交流仿真分析无法完成)。

(2)、在Analysis type 中选择AC Sweep/Noise ,在Options 中选中General Settings 。AC

Sweep 的分析频率从0.01Hz 到1GHz ,采用十倍频,每十倍频采样点数为50。运行仿真。

(3)、在Probe 窗口中,键入幅频响应表达式:DB (V (OUT )/V (VK )),显示出电压增

益的幅频特性曲线。启动标尺,测量并列出中频电压增益(分贝)=( 36.859 )。下限截止频率f L 和上限截止频率f H 大约是:f L =( 4.5234K ),f H =( 2.0461M )。(上限截止频率f H 和下限截止频率的分贝数要比中频电压增益(分贝)少3分贝) (4)、在Probe 窗口中,键入相频响应表达式:P (V (OUT )/V (VK )),显示出电压增益的相频特性曲线。启动标尺,测量并列出中频区相位差大约为( 150.905 )。

(5)、在Probe 窗口中,显示出输入电阻的特性曲线。输入电阻表达式:V(VK)/I(V1)。启

动标尺,测量并列出中频区输入电阻大约为( 45.236 )。

(6)、在Probe 窗口中,显示出输入电阻的特性曲线。方法如下:

①将电路输入端短路。即将电源V1去掉,用 wire 代替。

②负载电阻R5去掉,在输出端加入信号源T V (将信号源 AC 设置为1 )。

③进行交流扫描分析,键入表达式(:)/()T T V V I V 。启动标尺,测量并列出中频区的输出电阻数值大约为( 139.312K )。

2、电路如下图所示,试分析C 5在1UF 到100UF 之间变化时,下限频率f L 的变化范围。

R101.3K

R85.1K

C4

10U

V4

vo

R633K

V3

12V

R910K

PARAMETERS:

cval = 50u

C5{cval}

R73.3K

Q2

Q2N3904C3

10U

(元件PARAM 位于Library/Pspice/Special.olb 下) 步骤:

(1)、设置交流分析。 AC Sweep 的分析频率从0.01Hz 到1GHz ,采用十倍频,每十倍频采样点数为50。

(2)、选中参数扫描分析(Parametric sweep )。

Sweep variable: Global Parameter; Parameter name: cval

Sweep type: value list

设置C e取列表值1UF、5UF、10UF、20UF、50UF、80UF和100UF。(注意列表值之

间用空格键隔开)

(3)、进行仿真后,得到电压增益的幅频响应曲线。由图中看出,C e在1UF到100UF之

间变化时,下限频率变化的趋势。

60

40

20

-0

-20

-40

-60

10mHz100mHz 1.0Hz10Hz100Hz 1.0KHz10KHz100KHz 1.0MHz10MHz100MHz 1.0GHz DB(V(OUT)/V(VK))

Frequency

3、电路如题2图所示,试分析三极管放大系数在20到200之间变化时,电路输出电压

变化趋势。

步骤:

(1)、设置交流分析。AC Sweep的分析频率从0.01Hz到1GHz,采用十倍频,每十倍频采

样点数为50。

(2)、选中参数分析。

Sweep variable: Model Parameter;

Model type: NPN

Model name:Q2N3904

Parameter name: Bf

Sweep type: Linear

Start value:20 End value:200 Increment value:20

(3)、进行交流扫描分析,查看输出电压变化曲线。输出电压表达式为V(VO)。

120V

100V

80V

60V

40V

20V

0V

10mHz100mHz 1.0Hz10Hz100Hz 1.0KHz10KHz100KHz 1.0MHz10MHz100MHz 1.0GHz V(OUT)

Frequency

4、电路如题2图所示,试分析温度在20到100之间变化时,电路中三极管集电极电流

变化情况。

步骤:

(1)、设置交流分析。AC Sweep的分析频率从0.01Hz到1GHz,采用十倍频,每十倍频采

样点数为50。

(2)、选中参数分析。

Sweep variable:Temperature

Sweep type: Linear

Start value:20 End value:100 Increment value:10

(3)、进行交流扫描分析。查看三极管集电极电流变化曲线。三极管集电极电流表达式为

IC(Q2)。

60mA

50mA

40mA

30mA

20mA

10mA

0A

10mHz100mHz 1.0Hz10Hz100Hz 1.0KHz10KHz100KHz 1.0MHz10MHz100MHz 1.0GHz IC(Q2)

Frequency

5、电流并联负反馈电路如下图所示。试运用PSPICE分析该电路的A IF、输入电阻R if 和

输出电阻R of 。

V+

V-V2

12V

RL 500

U1

uA7413

2

7

4

615

+-

V +V -

OUT

OS1

OS2

V-0Rs

500K

Is

R 100

V+

V1

12V

VO

Rf

1k

步骤:

(1)、设置交流扫描分析,仿真后得到频率响应曲线。由图可得 A IF =( 200 ),输入电阻R IF ==( 1000 )Ω。 (2)、输出电阻R of = ( 150 )Ω。

元件名称 元件库 说明 R Library/Pspice/Analog.olb 电阻 VDC Library/Pspice/Sourse.olb 直流电压源 uA741 Library/Pspice/opamp.olb 放大器 IAC Library/Pspice/Sourse.olb 交流电流源

6 、在电路中计算的噪音通常是电阻上产生的热噪音、半导体器件产生的散粒噪音和闪烁噪音。 步骤:

(1)、打开Orcad/Pspice/Samples/Anasim/Example/example.obj 文件。

(2)、进行交流扫描分析,选中噪音分析。在Output V oltage中填入V(OUT2),在I/V中填入

V1,在Interval填入30。

(3)、查看输出文件。在频率为100Mhz下的各个元器件的噪声、总噪声。

(4)、在Probe窗口中,在Trace/Add中选择V(ONOISE)和V(INOISE),查看输出节点

OUT2总的输出噪声电压和在输入节点计算出来的等效输入噪声电压随频率变化而变化情

况。

700nV

600nV

500nV

400nV

300nV

200nV

100nV

0V

10mHz100mHz 1.0Hz10Hz100Hz 1.0KHz10KHz100KHz 1.0MHz10MHz100MHz 1.0GHz10GHz V(ONOISE)V(INOISE)

Frequency

三、实验心得

这一次的交流扫描分析实验的实验内容相对也比较多,在第一次实验上机课时我不能完

成全部内容,最后剩下实验内容是在第二次课时完成的,由于这一次主要进行的是pspice

的交流扫描分析仿真实验,所以在开始建工程文件时要注意确保建立的是仿真文件,而且在

设置仿真参数时也要设置正确,否则会导致仿真不准确,最后是要会看仿真后的图标,因为

有一些数据是要靠看仿真图表才可以算出来的,经过这次的实验课,我了解并掌握了交流扫

描分析的各种设置和方法,总的来说收获不少。

实验三 直流扫描分析

实验三 直流扫描分析 一、实验目的 1、掌握直流扫描分析的各种设置和方法。 二、实验内容 1、绘出下面电路图,利用直流扫描(DC Sweep )来验证二极管的V-I 特性曲线。 D1D1N4002 步骤: (1)、作出电路图,进行直流扫描扫描分析。设置主扫描变量为电压 源Vi,由-110V 开始扫描到10V ,每隔0.01V 记录一点;查看二极管流过的 电流曲线I (D1)。 V_Vi -110V -100V -90V -80V -70V -60V -50V -40V -30V -20V -10V 0V 10V I(D2) -400A -200A 0A 200A 400A (2)、现在调整横轴与纵轴坐标以便观察门坎电压值。请选Plot\Axis Settings...功能选 项或直接X 轴坐标刻度上双击左键来打开Axis Settings 对话框。请把X Axis 页内Data Ranges 栏下的User Defined 值设为0-2V ,请把Y Axis 页内Data Rangs 栏下的User Defined 值设为0-5A 。查看二极管电流I (D1)。 V_Vi 0V 0.2V 0.4V 0.6V 0.8V 1.0V 1.2V 1.4V 1.6V 1.8V 2.0V I(D2) 0A 2.0A 4.0A 5.0A (3)、再如上面的操作将X 轴坐标刻度值设为-101V 到-99V ,将纵坐标调整为-5A 到1A ,查看二极管电流I (D1),可见其雪崩电压约为100V 。

V_Vi -101.0V -100.8V -100.6V -100.4V -100.2V -100.0V -99.8V -99.6V -99.4V -99.2V -99.0V I(D2) -4.0A -2.0A 0A -5.0A 1.0A 2、绘出下面电路图,利用直流扫描分析(DC Sweep)的来验证晶体三极管的 Vce-Ib 输出特性曲线。 步骤: 1)电压源V1和电流源I1的元件属性默认都为0。以下扫描类型均为Linear 扫描。 2)设置主扫描参数。在Options 栏内勾选Primary Sweep 选项,设置主扫描变量为电压 源Vi,由0V 开始扫描到4V ,每隔0.01V 记录一点。 3)设置副扫描参数 在Options 栏内勾选Secondary Sweep 选项,设置副扫描变量为电流源I1,由0A 开始扫描到0.5mA,每隔0.1mA 记录一点。或者在Value List 中设置为0 0.1m 0.2m 0.3m 0.4m 0.5m 也可。 4)进行仿真分析,查看集电极电流IC (Q1)。 V_V1 0V 0.4V 0.8V 1.2V 1.6V 2.0V 2.4V 2.8V 3.2V 3.6V 4.0V IC(Q1) -50mA 0A 50mA 100mA 5)启动光标来测量坐标值。由曲线上,大致可以看出在放大区内三极管放大系数β为( 150.06 )。(C B I I β?= ?)

扫描参数设置2012

扫描参数设置2012-04-07 12:421.首先要保持工作环境的清洁,扫描仪的玻璃板以及若干个反光镜片及镜头,其中任何一部分脏污都会影响扫描文字图像的效果。因此,保持扫描仪的清洁是确保文字图像扫描质量及识别率较高的重要前提。 2.扫描仪在刚开启时,光源的稳定性较差,而且光源的色温也没有达到正常工作所需的色温,所以开始扫描以前最好先让扫描仪预热一段时间。 3.在放置扫描原稿时,把扫描的文字材料摆放在扫描起始线正中,可以最大限度地避免由于光学透镜导致的失真而影响识别率。 4.扫描后的文字图像经常会有一定角度的倾斜,出现这种情况必须在扫描后使用自动或手动旋转工具进行纠正,OCR软件一般都设有自动纠偏和手动纠偏工具。否则OCR识别软件会将水平笔画当作斜笔画处理,识别率会下降很多。如果扫描后的文字图像倾斜角度超过15°,倾斜校正会产生较大的失真和误差,从而严重影响识别率,这种情况建议摆正原稿重新扫描。 图2 分辨率、亮度、对比度的设定 三、扫描参数的设置 扫描参数的设置主要包括分辨率的设置及亮度和对比度的设置。 1.一般来讲,分辨率越高识别率也就会越高。但这也不是绝对的,对于一些过大过粗的字体,设置过高的分辨率,识别率可能会降低,而且设置高分辨率后,扫描速度会大大降低。根据实际经验,1、2、3号字的文稿推荐使用200dpi,4、小4、5号字的文稿推荐使用300dpi,小5、6号字的文稿推荐使用400dpi,7、8号字的文稿推荐使用600dpi(图2)。 2.扫描时适当地调整好亮度和对比度值,对识别率的高低影响很大,在进行扫描亮度和对比度的设定时(图2),以扫描后的图像中文字的笔画较细、均匀,且没有明显断点为准。如果扫描后的文字图像存在黑点、黑斑或文字线条很粗很黑,分不清笔画,说明亮度值太小,应该增加亮度值再重新扫描。如果文字线条凹凸不平,有断线甚至图像中汉字轮廓严重残缺时,说明亮度值太大,应减小亮度后再重新扫描。如果要扫描质量比较差的文稿,比如报纸,扫描出的图像可能会出现大量的黑点,而且在字体的笔画上也会出现粘连现象,为获得较好的识别结果,必须仔细进行亮度和对比度值的调整,反复扫描多次才能获得比较理想的效果。 四、识别后的处理工作 1.文字校正 文字校正是OCR识别工作中比较烦琐的一步。一般OCR软件对可能出现错误的文字,会显

pspice参数扫描分析与统计分析教程文件

实验四参数扫描分析和统计分析 实验目的: 1、学习一些特定参数分析的方法,使之能够在今后的场合适用; 2、学会做蒙托卡诺这种随机抽样、统计分析的分析方法; 3、学会观测输出文件中的数据以及如何用图形表示出相应数据。 实验步骤: 1、首先确定好研究对象,即下面的差分电路: 2、进行参数扫描分析: 1)首先在原图的基础上选定一个参数扫描分析的对象,如选定R1。要先加入参数符号,可从元器件图开符号库中调出名称为PAPAM的符号,如下图:

2)加入元件后,双击它则需要给它加入一个属性,点击new: 3)在上面Property中填入R1,然后,在R1中输入1K的阻值,然后,右击该值,选择Display,在出现的Display Properties中选择“Name And Value” 4)设定好之后,把图中R1的值改为{R1},则完成的图形如下:

5)现在设置仿真参数,在时域分析的同时做参数分析,参数设置如下: 一般设置: 参数设置:“Sweep variable”中选择“Global parameter”,注意parameter中的R1不用加{} 6)点击运行之后在probe中出现:

点击OK以后出现的图形如下:(图中out1、out2都加了电压针) Time 0s0.2us0.4us0.6us0.8us 1.0us V(OUT2)V(OUT1) 2.0V 4.0V 6.0V 8.0V 该波形是呈对称的波形,随着电阻从1K至10K的变化,电压变化的越来越平缓且电压平均在逐渐减小。 3、蒙托卡诺分析 1)在上图的基础上,首先把全局参数设置的删除,把R1改成Rbreak中电阻元件: 2)对刚替换的R1符号后要设置电阻的模型参数变化,则,首先选中该元件,再执行Capture中的Edit/PSpice Model子命令,则出现下图,并设置相应的DEV、LOT参数变化模式:

参数扫描分析

概述: 件的参数都取确定值,而在参数扫描和统参数扫描分析 参数扫描分析和统计分析温度的影响 参数变化的影响 参数统计变化对电路特性影响的两种统计分析技术 模拟类型分组及每组包含的功能

温度扫描分析电阻阻值以及晶体管的许多模型参数值与温度的关系非常密切。如果改变温度,必然通过这些元器件参数值的变化导致电路特性的变化。 PSpice中的各个元器件模型都考虑了模型参数与温度的关系。进行电路特性分析时,PSpice的内定温度为27摄氏度。 在每一个温度下,首先按元器件模型计算该温度下电路中的元器件参数值,然后进行指定的电路特性分析。 例:差分对电路的交流小信号温度特性 温度扫描分析(Temperature Sweep 演示

思考题 参数扫描分析的含义: 分析电路中某个/某些参数变化引起电路DC 、AC 、TRAN 这3种基本特性的变化情况。其分析参数设置形式与DC 分析相同。 参数扫描分析(Parametric Sweep 温度分析是在不同温度下分析电路特性的变化,具体地说是在用户指定的每个温度下均进行一次电路基本特性分析。 参数扫描分析的作用类似,对指定的每个参数变化值,均执行一次电路分析,不过在参数扫描分析中,可变化的参数从温度一种扩展为独立电压源,独立电流源,温度,模型参数和全局参数。温度分析的任务也可以通过参数扫描分析来完成。 参数扫描分析在电路优化设计方面有重要的作用,将其与Probe 的电路设计性能分析功能结合在一起,可用于优化确定元器件参数设计值。 DC 分析是一种关于电路直流偏置状态的基本电路特性分析,而参数扫描分析是使电路中的某一参数发生变化,然后对每一个变化值重复进行基本电路特性分析,也可以包括DC 分析,因此,不能将同一个参数既指定为参数扫描分析中的变化参数,同时又指定为DC 分析中的自变量或参变量。

实验6--参数扫描和电路性能分析

实验报告 一、实验目的 1、使学生掌握参数扫描方法; 2、使学生掌握电路性能分析方法; 3、掌握波形调用方法。 二、实验容 1、按电路图1所示的连接,绘制电路。 2、设BJT的型号为2N3904,β= 50,Rbb(Rb)=100Ω,其参数如图1所示。试分析Ce在1μF到100μF之间变化时,下线频率fL的变化围。 3、绘制出图2所示电路。使电容C1在0.01UF到0.3UF围变化,分析积分电路的上升时间与C1的关系。

图一电路图1 图2参数设置 v cc VOFF = 0PARAMETERS: Cv al = 1uf

图3参数设置 图4下线频率变化围波形图 分析: Ce在1μF到100μF之间变化时,Ce值越大,下线频率fL下线频率越低。

图5电路图2 图6 v0参数设置 C1TD = 9.9m TF = 0.1m PW = 9.9m V1 = 0TR = 0.1m V2 = 5

图7 v0参数设置 图8 v0的波形0.01uf到0.3uf 分析: 由图8电容C1在0.01UF到0.3UF围变化,电容越大,积分电路的上升时间越大。

三、实验总结 通过这次实验我们运用参数符号设置变化的值,电容的值为变量。Ce在1μF到 100μF之间变化时,Ce值越大,下线频率fL下线频率越低;实验图二中会有v-,v+ 的值没画出来,需要自己添加。由图8电容C1在0.01UF到0.3UF围变化,电容越大,积分电路的上升时间越大。学会了交流分析参数设置开始频率为1Hz,截止频率为 1meg,方便观察完整波形。电容(全局变量Global parameter),参数parameter设为{Cval}。然后需要调用Special库中的PARAM。然后双击命名和设置初始值。

Cadence电路参数变量扫描分析说明

Cadence 电路参数变量扫描分析
庞则桂 2006-12-22 Version-1.0

在使用 Cadence 的 Affirma Analog Circuit Design Environment 对电路进行仿真的时候, 适当地使用 Design Variables 将会获得事半功倍的效果。 什么是 Design Variables?直观地说它们就是出现在 Affirma Analog Circuit Design Environment 界面中的一些可变的参数值。如下图红色虚线框中所示的就是一些已经定义好 了的变量。
图 1 Affirma Analog Circuit Design Environment 界面
变量可以是一些全局的参数。例如 temp,就是系统默认的温度参数,当设置对温度变 量进行扫描分析时,可以获得一组代表了整个电路在不同温度下某个参数的变化曲线。 变量还可以是电路中某些元器件的具体数值。 通过扫描该参数可以获得该器件的这个参 数值在一定范围内变化对整个电路的影响。Cadence 还可以对多个变量进行扫描,可以获得 电路多个参数同时变化时的最优值, 这对设计电路, 确定元器件的取值具有非常重要的作用。 变量的取值可以是具体的数值、等式或者表达式。这里我们主要讨论数值的情况,关于 等式和表达式的变量取值还没有用到,以后接触到之后再继续详述之。 对变量进行扫描,例如电路中激励源 vdc 的直流电压大小,电路中某个电容,电阻的大 小等等,使用 Analyses 菜单下的 Choose dc,即 DC sweep(直流参数扫描)也可以分析电 路某个参数变化对整体的影响,为什么还要刻意地进行 Design Variables 的参数变量扫描分 析呢?两者有什么不同?我们可以先假设这样一种情况。 假如, 我有一个电路, 在上电之后, 要延时一定的时间电路才能开始正常工作,而且这个启动的过程不可忽略,那么,我就需要 进行时域上的分析,即采用瞬态分析(tran)才能仿真出这个过程。如果我想考察电路启动 模块中某个电容对电路启动时间的影响,假设我使用 DC sweep,对电容的参数进行扫描, 那么很显然,在整个扫描的过程中,由于 DC sweep 本身并没有考虑到时域上的过程,所以 电容变化的整个过程都是在 t=0 的时刻进行的,而这时电路还没有开始工作,所以无论电容 值怎么变化,电路的状态都是一样的,未进入工作状态,由这个仿真结果看来,电容值似乎 对电路没有产生什么影响,但是,实际上该电容的数值可能对电路的启动过程,甚至于启动 之后的电路工作状态都有着至关重要的影响,因此,在这种情况下,DC sweep 并不能真实

cst参数扫描方法

Faq-040101: 在参数扫描中保存所有的结果 利用“Transient Solver -> Parameter Sweep”进行参数扫描时,保存在Tables下的结果只能是1D/0D的结果。如果您想将每次参数变化的计算结果,包括2D/3D结果,我们推荐您使用另外的方法——CST自带的VBA宏Parameter + Mesh Study。 下面来说明一下宏Parameter + Mesh Study的使用方法: 1、将CST项目设置完毕后,运行Macros?Wizard?Parameter + Mesh Study: 2、弹出的对话框中要求输入变化参数的个数,这里我们只考察一个参数。 3、点击OK确认后,弹出对话框让您定义参数变化范围和变化步长: 缺省情况下,参数选择框中为%mesh,这个设置可以用了考察网格加密对结果的影响,也是种作收敛性分析方法。 这里我们要进行参数扫描,在下拉菜单中选择相应的参数。本例中为参数“a”,并设置了相应的范围和步长:

4、点击OK确认后,弹出如下对话框,显示了选择参数,以及相关参数扫描设置,请点击Start Parameter Study按钮: 5、弹出的对话框中可选择您需要启动的求解器,这里我们选择时域求解器(Transient),其他还有些高级设置,更多详细信息,请参考此宏的在线帮助文档。点击Start按钮,启动参数扫描求解: 6、参数扫描结束后,弹出如下对话框,从对话框上的叙述中可以看出,所有的1D结果和一些 0D结果进行了比较,并保存在结果导航树中;而每次计算的模型文件,包括其所有结果都保存在了原CST项目目录下相应的文件夹中:

全自动图像扫描分析系统技术参数要求

全自动图像扫描分析系统技术参数要求 一、项目概述 本次商谈的内容为AA港市第一人民医院全自动图像扫描分析系统采购,卖方负责将全自动图像扫描分析系统运抵买方指定机房,完成安装,检测、验收合格,交付买方使用,即交钥匙工程。 二、主要技术参数 1、整机为原装进口,具有CFDA注册证 2、整套系统支持网络化运行,全部实现网络化操作功能 3、软件功能描述 (1)全自动扫描功能 A. 扫描并记录每一个目标(中期分裂相或间期细胞、微核等)的坐标位置,单键选择即可自动移动载物台到目标位置,软件同时可以将此坐标位置转换成实验室其他显微镜下的坐标来查看。 B. 系统实现了中期分裂相由低倍镜扫描查找切换到高倍镜图像捕获的全自动处理,包括自动对焦、自动选择清晰、高质量的最优分裂相、自动进行细胞分类等功能。细胞的数量和捕获所基于的参数都可由用户进行设置。 C. 采用自动滴油系统,从扫描到捕获可以连续自动执行。 D. 可自动检测盖玻片边缘和滴片区域,进行更准确、快速的对焦; E. 可自动将细胞与对应的克隆关联,并将不同的克隆和找到的中期分裂相分别进行数字和颜色标识 F. 扫描向导清楚明了,可用于所有样本,包括点计数。 G. 查找应用程序能根据应用需要进行中期分裂相和间期细胞的识别。 H. 用户可自行创建并训练分类器,用于标识所需要的细胞形态,在扫描期间自动将细胞标记为“待采集”(绿色)或“待定义”(白色),并根据相应的规则对“复查”中显示的细胞进行排序,不断提高扫描效率。

I. 能够自动识别超出一个视野范围的染色体中期分裂相,并捕获任何所需的融合图像来完成完整细胞的捕获。 J. 具有延时捕获功能,将捕获与自动扫描分开,用户可以手动选择想要用高倍镜捕获的中期分裂相,用于捕获处理不佳的样本的图像。 K. 可在当前批次中插入处理优先案例或紧急案例。. L. 具有多用户接入功能,允许不只一名技师对同一病例或玻片进行分析。 M. 能满足多重实验室质量控制要求,包括分析者自查,审核者平行审查,可视化的汇总表。自动跟踪并记录所有拍摄细胞的流程处理情况,包括计数,分析,核型分析,异常染色体,性别等,并记录坐标、图像和结果。 N. 可对染色体异常,包括缺失、断裂、倒位、插入等情况进行打分,并实现电子追踪。 (2)软件基本功能 a)系统支持中文。 b)可实现文件的显示和集合,实验资料的管理。 c)具有染色体核型分析功能。 d)具有染色体中期分裂相自动扫描功能。 e)全面的病案管理功能,每个病人的图片独立管理,所有相关信息自动保存。 f)实现核型、中期分裂相、实验报告的高分辨率打印;自定义创建中文病例信息录入模板;自定义生成含不同中期分裂相及核型的中文报告单模板。 g)可通过JPG、TIF等标准格式文件导入导出图像 h)通过Internet在线交互式技术支持和维护。 (3)核型分析功能 a)全自动扫描与核型分析可实现无缝连接。 b)对十字交叉、粘联和重叠的染色体具有预分割功能,并可采用自动或手工染色体分割。 c)能对染色体进行倒转、旋转、拉直和彩色涂抹识别操作。

PSpice仿真教程3--旁路电容对低频特性的影响(交流扫描+参数扫描)

题目:旁路电容对共射极放大电路低频特性的影响 电路如图所示,BJT为NPN型硅管,型号为2N3904,放大倍数为50,电路其他元件参数如图所示。分析旁路电容Ce对共射极放大电路低频特性的影响。 步骤如下: 1、绘制原理图如上图所示。 2、修改三极管放大倍数Bf=50; 双击交流源v1设置其属性为:ACMAG=15mv,ACPHASE=0。 3、修改c3的大小,双击c3的大小,设置value={cval}。如图所示: 4、Get New Part Param,从元件库中找到符号Param。双击Param并设置其属性 Name1=cval, Value1=50uf。如图所示:

5、设置分析类型(根据题意,需设置交流扫描分析和参数扫描分析): ①交流扫描分析: 选择Analysis→set up→AC Sweep,参数设置如下: ②参数扫描分析: 选择Analysis→set up→Parametric,参数设置如下:

6、Analysis Simulate,调用Pspice A/D对电路进行仿真计算。 计算完毕后,弹出如下对话框,表明有三项模拟结果的波形资料,点击All三个波形全显示在probe下,或只点击其中一条,在probe下只显示其中一条曲线。 点击All。得到如下结果:

v(out)/v(in) 单击ok按钮,仿真结果如下:

波形显示了电压增益的幅值随频率变化的关系,即幅频特性。同时还反映了旁路电容对电压增益的影响。最左边的是ce为200uf时的幅频特性曲线,中间的那条是ce为50uf时的幅频特性曲线,最右边的那条是ce为0.1uf时的幅频特性曲线。 问题:从仿真结果中可以看出,旁路电容越大,下限截止频率f L(越低还是越高)? 下面测量c3=50uf时的放大电路的低频截止频率。 步骤如下: 1、取消参数扫描分析。 2、Analysis→Simulate,调用Pspice A/D对电路进行仿真计算。 3、在probe下,选择Trace→ Add(添加输出波形),,弹出Add Trace对话框,在Trace Expression 中编辑v(out)/v(in)

连云港第一人民医院全自动图像扫描分析系统技术参数要求一

连云港市第一人民医院 全自动图像扫描分析系统技术参数要求 一、项目概述 本次商谈的内容为连云港市第一人民医院全自动图像扫描分析系统采购,卖方负责将全自动图像扫描分析系统运抵买方指定机房,完成安装,检测、验收合格,交付买方使用,即交钥匙工程。 二、主要技术参数 1、整机为原装进口,具有CFDA注册证 2、整套系统支持网络化运行,全部实现网络化操作功能 3、软件功能描述 (1)全自动扫描功能 A.扫描并记录每一个目标(中期分裂相或间期细胞、微核等)的坐标位置,单键选择即可自动移动载物台到目标位置,软件同时可以将此坐标位置转换成实验室其他显微镜下的坐标来查看。 B.系统实现了中期分裂相由低倍镜扫描查找切换到高倍镜图像捕获的全自动处理,包括自动对焦、自动选择清晰、高质量的最优分裂相、自动进行细胞分类等功能。细胞的数量和捕获所基于的参数都可由用户进行设置。 C.采用自动滴油系统,从扫描到捕获可以连续自动执行。 D.可自动检测盖玻片边缘和滴片区域,进行更准确、快速的对焦; E.可自动将细胞与对应的克隆关联,并将不同的克隆和找到的中期分裂相分别进行数字和颜色标识 F.扫描向导清楚明了,可用于所有样本,包括点计数。 G.查找应用程序能根据应用需要进行中期分裂相和间期细胞的识别。 H.用户可自行创建并训练分类器,用于标识所需要的细胞形态,在扫描期间自动将细胞标记为“待采集”(绿色)或“待定义”(白色),并根据相应的规则对“复查”中显示的细胞进行排序,不断提高扫描效率。 I.能够自动识别超出一个视野范围的染色体中期分裂相,并捕获任何所需的融合图像来完成完整细胞的捕获。 J.具有延时捕获功能,将捕获与自动扫描分开,用户可以手动选择想要用高倍镜捕获的中期分裂相,用于捕获处理不佳的样本的图像。

orcad参数扫描实验报告

实验二 参数扫描分析和统计分析实验 实验日期:2013.10.10 1、给出温度分析的电路图和分析结果,并简单说明温度对电路特性的影响。 VEE V29Vdc 图 1.1 恒流源式差分放大电路

15V 10V 5V 0V 1.0KHz10KHz100KHz 1.0MHz10MHz100MHz V(OUT2) Frequency 图1.2 不同温度下的V(out2)频率特性曲线 由分析结果可知:对图1.1恒流源式差分放大电路,输出电压V(OUT2)随着温度的增加而减小。

2、给出参数扫描分析的电路图和分析结果,并简单说明参数的变化对电路 特性的影响;给出恒流源式差分放大电路的最大增益随Rc1、Rc2阻值 的变化曲线。 VEE 图2.1 参数扫描分析的电路图

由分析结果可知:输出电压V(OUT2)随着RC1和RC2的增加而增加。 Frequency 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz 300KHz 1.0MHz V(OUT2) 4V 8V 12V 2V 22k 20k 18k 16k 14k 12k 10k 图 2.2 不同RC1和RC2阻值下的V(OUT2)频率特性曲线

3、给出MC 分析的电路图和分析结果输出曲线,注意适当设置X 、Y 坐标范围,使曲线显示清楚;在OUT 文件中截取MC 分析结果并给出Rc1、Rc2的阻值中和标称值偏差最大的。 、 VEE V29Vdc 图 3.1 MC 分析的电路图

图 3.2 MC 分析结果输出曲线 图 3.3 MC 分析的比较统计结果 Frequency 1.0KHz 10KHz 100KHz V(OUT2) 7.50V 7.75V 8.00V 8.25V 8.50V Pass 10 Pass9 Pass 2 Pass 7 Pass 5 Pass 6 Pass8 Pass 4 Pass 3 (nominal AC analyses) Rc1、Rc2的阻值中和标称值 偏差最大

ansoft参数扫描例子、参数化建模例子、参数化例子、参数设计例子、参数分析例子

论坛里总是有人一直问ansoft的参数化有关的问题。本人在学习ansoft参数化的时候也花了好长一段时间,一直纠结于这里问题。通过翻论坛里之前的帖子。慢慢学会了一些。发现论坛里这个参数化的例子的精华帖还是比较少。所以本人就参数化的帖子和自己已知的一些知识与大家分享。不足的地方请大家指教。欢迎大家来讨论,增进所学。谢谢! 在建参数变量时有两种变量:1、Project Variables。相当于全局变量;2、local Variables。相当于局部变量; Project Variables能在一个project下各个2D、3D、RMxprt下用,设置在Design Properties下建立; local Variables则只能在一个project下的某一个模型下用。设置在design properties下建立; 几乎所有常量,都可以输入变量,进行参数化分析。当然建立的变量不能和系统变量名字一样。 一、Ansoft Rmxprt 参数化:

edit-rotate中设置,将转子旋转你想要的角度,然后将旋转角度设置成变量

气隙大小可以通过定义定子内径和转子外径两者之间的关系来实现,完全可以做到电机的参数化分析

四、要删除变量,得先把用到变量的地方改为常数,然后再到design property里面删除 把用到变量的地方,改为常数,然后再保存,关闭文件。再重新打开,删除,就ok了 我搜集的一些关于参数化的一些好帖: ①Ansoft Rmxprt 参数化分析一例(详细操作、有工程文件) ②关于转子角度参数化问题:求助Forlink、y1949b、zptonghua等各大武林门派高手的支援! ③Ansoft Maxwell 2d 尺寸参数化问题。 ④关于Maxwell参数化扫描时添加calculations报错的说明。(forlink的博文里) ⑤ANSOFT MAXWELL参数化仿真,如何从新调整某个边参数值? ⑥关于静磁场参数化分析观看不同参数值的B和H等矢量图和云图的方法。 ⑦外电路参数化扫描

全自动染色体扫描分析系统参数

技术参数设备:全自动染色体扫描分析系统

3.2仪器可按程序自动用20倍物镜扫描全部或设定数目的中期分裂细胞后直接转用100倍 油镜拍下设定数目的最佳分裂相用于分析,全过程时间w 10分钟,无需人工干预。 3.3系统能够自动转至高倍油镜自动重拍所选的中期细胞而无需人工干预。 3.4系统应能过程全部自动完成自动扫描玻片、选择细胞、拍摄图象、捕捉不同Z轴的图象 等,并可根据实验方法的不同自动记录数据和产生结果报告。 3.5标配筛选细胞的智能化分类器并可以被训练和编程,使其具有不同样品标准选择。 3.6软件应能驱动油镜自动加油而无须人工加油。 3.7显示界面能同步显示扫描预览、扫描图库、玻片地貌图、玻片扫描进程图等参数。 3.8软件可设定玻片扫描范围、寻找中期分裂相数量、灵敏度和油镜下采集分裂相数量。 3.9用户可以在图廊中查看所选中期细胞并决定选择或删除该中期。 3.10该软件能与染色体组型软件及荧光原位杂交(FISH )成像系统无缝集成。 3.11标配FISH分析模块。 、设备配置清单: 1. Axio Imager Z2 显微镜主机一台; 2. 增强反差型平场荧光物镜10x (NA0.3)一个; 3. 增强反差型平场荧光物镜20x (NA0.5 ) 一个; 4. 增强反差型平场荧光物镜40X (NA 0.75 ) 一个; 5. 增强反差型平场荧光油镜63X (NA 1.25) —个; 6. 扫描台一个; 7. 染色体扫描软件包一个; 8. 染色体核型分析软件(在线版)一个; 9. 荧光原位杂交(FISH )分析软件一个; 10. 数码摄像头一个; 11. 染色体核型分析软件(中文版)一个。 12. 12V 100W透射光光源备用灯泡二个 三、售后服务要求: 1 ?投标人应对所提供的货物提供3年的免费维修服务。 2. 开机率》95%,仪器故障要求12小时内到达现场,48小时内解决。 3. 投标人(制造商或销售商)需在中国大陆地区设有售后服务机构和设施,并配备受过专业培训的售后服务人员。 备注: 1. 所有技术要求中,其中5条(含5条)条款不满足将导致废标。说明: 1、以下序号并非和格式合同序号相对应,仅为本合同主要条款编排。 2、以下商务条款为基本要求,投标人参加投标,则视为接受下述要求,投标人

实验二 参数扫描分析和统计分析实验

实验二参数扫描分析和统计分析实验 一、实验目的 熟悉并初步学会用PSpice软件进行扫描分析和统计分析的方法。 二、实验内容 1.分析实验一所绘制的差分对电路在-40℃、-20℃、0℃、25℃、50℃、75℃和100℃的输出V(OUT2)频率特性(按实验一的AC Sweep分析设置参数,不作噪声分析)。观察和分析温度对V(OUT2)幅度的影响,按试验报告要求记录相关的曲线。 操作步骤: (1)设置基本特性分析参数:对所绘制的差分对电路设置交流小信号特性分析参数,如下图所示。 (2)设置温度分析参数:在上图Options参数设置框中,选择Temperature(Sweep),相应的温度分析参数设置如下图。

(3)启动Pspice仿真程序,从下图所示批次选择对话框中选取需要的温度批次,再 单击Probe窗口中,将输出曲线复制到实验报告中,并简单说明。 2.对差分对电路进行参数扫描分析,观察并记录有关曲线。 操作步骤: (1)修改电阻RC1和RC2的阻值为“变化的参数”,具体做法是: ①将电阻值10K改为{Rval}; ②从图形符号库SPECIAL库中调出PARAM符号放在电路图的空处; ③双击PARAM符号出现以下属性参数对话框:

按按下左图所示设置新增的Rval参数,单击 选中Rval属性,单击 话框; (2)按实验一的AC Sweep分析设置参数后,选中Options参数设置框中的Parametric Sweep,按下图所示进行参数扫描分析的设置; (3)保存一次后,启动Pspice程序进行模拟,进入Probe窗口后,在批次选择对话框 ( 4) 对 输 出 曲 线 进 行 必 要 的标注后,复制到实验报告中。

交流扫描分析

电子电路分析与设计 实验报告 学院计算机与电子信息学院 专业电子信息工程班级电信11-1 姓名黄永耀学号 11034030146 指导教师张涛 实验报告评分:_______

实验四 交流扫描分析 一、实验目的: 1、掌握交流扫描分析的各种设置和方法。 二﹑实验内容: 1、 共射极放大电路如下图所示。试分析出中频区放大倍数、上限截止频率和下限截止 频率,电路输入电阻和输出电阻。 C1 10U R23K R5 3K RS 2K R31k C2 10U C310U V2 12V VK V1 FREQ = 10K VAMPL = 0.01VOFF = 0 OUT R1 300K 0 Q2 Q2N3904 元件名称 元件库 说明 R Library/Pspice/Analog.olb 电阻 C Library/Pspice/Analog.olb 电容 Q2N3904 Library/Pspice/Bipolar.olb 三极管 VDC Library/Pspice/Sourse.olb 直流电压源 VSIN Library/Pspice/Sourse.olb 正弦信号源 步骤: (1)、作出电路图,修改三极管参数:放大系数β =80,r bb’ (r b )= 100。 将V1信号源的 AC 设置为1(设置方法:双击电压源V1,出现V1电压参 数设置界面,将AC 设置为1,否则交流仿真分析无法完成)。 (2)、在Analysis type 中选择AC Sweep/Noise ,在Options 中选中General Settings 。AC Sweep 的分析频率从0.01Hz 到1GHz ,采用十倍频,每十倍频采样点数为50。运行仿真。 (3)、在Probe 窗口中,键入幅频响应表达式:DB (V (OUT )/V (VK )),显示出电压增 益的幅频特性曲线。启动标尺,测量并列出中频电压增益(分贝)=( 36.859 )。下限截止频率f L 和上限截止频率f H 大约是:f L =( 4.5234K ),f H =( 2.0461M )。(上限截止频率f H 和下限截止频率的分贝数要比中频电压增益(分贝)少3分贝) (4)、在Probe 窗口中,键入相频响应表达式:P (V (OUT )/V (VK )),显示出电压增益的相频特性曲线。启动标尺,测量并列出中频区相位差大约为( 150.905 )。 (5)、在Probe 窗口中,显示出输入电阻的特性曲线。输入电阻表达式:V(VK)/I(V1)。启 动标尺,测量并列出中频区输入电阻大约为( 45.236 )。 (6)、在Probe 窗口中,显示出输入电阻的特性曲线。方法如下: ①将电路输入端短路。即将电源V1去掉,用 wire 代替。

实验四 交流扫描分析

实验四 交流扫描分析 一、 实验目的 1、掌握交流扫描分析的各种设置和方法。 三、 实验内容: 1、 共射极放大电路如下图所示。试分析出中频区放大倍数、上限截止频率和下限截止 频率,电路输入电阻和输出电阻。 FREQ = 10K VOFF = 0 (1)、作出电路图,修改三极管参数:放大系数β =80,r bb’ (r b )= 100。 将V1信号源的 AC 设置为1(设置方法:双击电压源V1,出现V1电压参 数设置界面,将AC 设置为1,否则交流仿真分析无法完成)。 (2)、在Analysis type 中选择AC Sweep/Noise ,在Options 中选中General Settings 。AC Sweep 的分析频率从0.01Hz 到1GHz ,采用十倍频,每十倍频采样点数为50。运行仿真。 (3)、在Probe 窗口中,键入幅频响应表达式:DB (V (OUT )/V (VK )),显示出电压增益 的幅频特性曲线。启动标尺,测量并列出中频电压增益(分贝)=( 39.320 )。下限截止频率f L 和上限截止频率f H 大约是:f L =(1.0206KHz ),f H =(6.3872MHz )。(上限截止频率f H 和下限截止频率的分贝数要比中频电压增益(分贝)少3分贝) (4)、在Probe 窗口中,键入相频响应表达式:P (V (OUT )/V (VK )),显示出电压增益的相频特性曲线。启动标尺,测量并列出中频区相位差大约为(-161.718)。 (5)、在Probe 窗口中,显示出输入电阻的特性曲线。输入电阻表达式:V(VK)/I(V1)。启动 标尺,测量并列出中频区输入电阻大约为(49.222K )。 (6)、在Probe 窗口中,显示出输入电阻的特性曲线。方法如下: ①将电路输入端短路。即将电源V1去掉,用 wire 代替。 ②负载电阻R5去掉,在输出端加入信号源T V (将信号源 AC 设置为1 ) 。

Multisim参数扫描分析应用

Multisim参数扫描分析应用 姓名**** (*************地址********* ****邮编****) 摘要:简要介绍了在自动控制系统实验中Multisim仿真软件的应用,并以一个参数扫描分析(Parameter Sweep Analysis)的实际运用为例子介绍了Multisim 中的参数扫描分析应用。 关键词:Multiisim,参数扫描分析 一、引言 自动控制系统是自动化专业的一门主要专业基础课程。这门课程有比较抽象的理论分析,我们对该课程的掌握程度将直接影响到自动化专业后续课程的学习。通常的教学方法是在课堂上进行理论分析,再到实验室做若干个实验来验证,由于设备等诸多方面的原因可能导致许多实验达不到理想的效果,甚至有些实践项目无法开展,使得自动控制系统这门学科几乎成为纯粹的理论知识,缺乏感性认识,无法进行理论与实践的紧密结合。 随着计算机技术的高速发展,国内外各软件公司相继推出了许多EDA软件,这些软件除了能进行电路辅助设计外,还能对设计的电路进行实时、动态的仿真,例如:美国国家仪器(NI)公司的电路仿真软件Multisim 10.0。这些软件在自动控制教学中的应用使得深奥、抽象的理论变得形象生动、易于理解。本文以参数扫描分析为例,介绍如何使用NI Multisim 10.0软件进行自动控制实验仿真。二、电子工作平台(Multisim)简介 Multisim是美国国家仪器(NI)有限公司推出的以Windows为基础的EDA 工具软件,适用于板级的模拟/数字电路板的设计工作。它包含了电路原理图的图形输入、电路硬件描述语言输入方式,具有丰富的仿真分析能力。 Multisim具有以下多种功能:可进行数字和模拟电路设计的模拟系统,且提供了万用表、示波器、信号发生器、逻辑发生仪、波特图形显示器、脉冲仪、失真分析仪、功率表等11种图形仪器,且仪器可以反复使用;可进行静态工作点分析、直流扫描分析、交流频率分析、暂态分析、噪声分析和傅里叶分析等6项基础分析以及失真度、灵敏度、参数扫描、温度扫描、转移函数和蒙特卡罗分析、零极点分析、批处理分析、最坏情况分析等9项高级分析,提供了PCB板图设计功能,并可进行自动布线;Multisim成功地将原理图设计、系统模拟仿真和虚拟仪器等融为一体,其提供的示波器、逻辑分析仪、万用表等测量仪器的外

扫描电镜相关参数

扫描电镜相关参数 ·关键技术参数 1.分辨率:对微区成分分析而言,它是指能分析的最小区域;对成像而言,它是指能分辨两点之间的最小距离。分辨率大小由入射电子束直径和调制信号类型共同决定。电子束直径越小,分辨率越高。但由于用于成像的物理信号不同,例如二次电子和背反射电子,在样品表面的发射范围也不相同,从而影响其分辨率。一般二次电子像的分辨率约为5-10nm,背反射电子像的分辨率约为50-200nm。 2.放大倍数:当入射电子束作光栅扫描时,若电子束在样品表面扫描的幅度为As,在荧光屏阴极射线同步扫描的幅度为Ac,则扫描电镜的放大倍数为: M=Ac/As 3.真空系统Pa 4.加速电压Kv 5.电子束电流 uA 6.样品室内部尺寸mm 7.样品台行程 8.样品最大高度 mm ·样品减薄技术 复型技术只能对样品表面性貌进行复制,不能揭示晶体内部组织结构信息,受复型材料本身尺寸的限制,电镜的高分辨率本领不能得到充分发挥,萃取复型虽然能对萃取物相作结构分析,但对基体组织仍是表面性貌的复制。在这种情况下,样品减薄技术具有许多特点,特别是金属薄膜样品:可以最有效地发挥电镜的高分辨率本领;能够观察金属及其合金的内部结构和晶体缺陷,并能对同一微区进行衍衬成像及电子衍射研究,把性貌信息于结构信息联系起来;能够进行动态观察,研究在变温情况下相变的生核长大过程,以及位错等晶体缺陷在引力下的运动与交互作用。 ·表面复型技术 谓复型技术就是把金相样品表面经浸蚀后产生的显微组织浮雕复制到一种很薄的膜上,然后把复制膜(叫做“复型”)放到透射电镜中去观察分析,这样才使透射电镜应用于显示金属材料的显微组织有了实际的可能。用于制备复型的材料必须满足以下特点:本身必须是“无结构”的(或“非晶体”的),也就是说,为了不干扰对复制表面形貌的观察,要求复型材料即使在高倍(如十万倍)成像时,也不显示其本身的任何结构细节。必须对电子束足够透明(物质原子序数低);必须具有足够的强度和刚度,在复制过程中不致破裂或畸变;必须具有良好的导电性,耐电子束轰击;最好是分子尺寸较小的物质---分辨率较高。

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