半导体公司名单(DOC)

国内主要IC封装、测试企业1、国内主要外商独资封装企业及封装形式

2、国内主要合资封装企业及封装形式

3、国内主要内资封装企业及封装形式

PCB板制造业公司：

类型地点封测厂名

外商上海市英特尔（Intel）英特尔独资

外商上海市安可（AmKor）安可独资

外商上海市金朋（ChipPAC）星科金朋（STATSChippac）(原为现代电子)

外商上海市新加坡联合科技（UTAC）联合科技独资

外商江苏省苏州市飞利浦（Philips）飞利浦独资

外商江苏省苏州市三星电子（Samsung）三星电子独资

外商江苏省苏州市超微（AMD）Spansion 专做FLASH内存(原为超微独资)

外商江苏省苏州市国家半导体（National Semiconductor）国家半导体独资

外商江苏省苏州市快捷半导体（Fairchild）

外商江苏省无锡市无锡开益禧半导体（KEC）韩国公司独资

外商江苏省无锡市东芝半导体（T oshiba）1994年东芝与华晶电子合资，2002年4月收购成为旗下半导体公司，原名为华芝半导体公司

外商天津市摩托罗拉（Motorola）Freescale (原为摩托罗拉独资)

外商天津市通用半导体（General Semiconductor）General独资

外商广东省深圳市三洋半导体（蛇口）曰本三洋独资

外商广东省深圳市ASAT ASAT LIMITED（英国）独资芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试外商广东省东莞市清溪三清半导体三洋半导体（香港）芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试

合资上海市上海新康电子上海新泰新技术公司与美国siliconix公司合资

合资上海市松下半导体（Matsushita）曰本松下、松下中国及上海仪电控股各出资59%、25%、16%成立

合资上海市上海纪元微科微电子（原阿法泰克电子）泰国阿法泰克公司占51%，上海仪电控股占45%，美国微芯片公司占4%。

合资江苏省苏州市曰立半导体（Hitachi）曰立集团与新加坡经济发展厅合资半导体技术天地[合资江苏省苏州市英飞凌（Infineon）英飞凌与中新苏州产业园区创业投资有限公司合资合资江苏省无锡市矽格电子矽格电子与华晶上华合资

合资江苏省南通市南通富士通微电子南通华达微电子与富士通合资

合资北京市三菱四通电子曰本三菱与四通集团合资

合资广东省深圳市深圳赛意法电子深圳赛格高技术投资股份有限公司与意法半导体合资

合资四川省乐山乐山菲尼克斯半导体乐山无线电厂与安森美半导体合资

合资浙江省宁波市宁波明昕电子台湾地区明昕电子与宁波电子信息集团有限公司及中国新纪元有限公司和亨利企业（香港）有限公司还有宁波合泰科技投资公司合资半导体技术天地

台商上海市威宇半导体被曰月光收购(原为威盛董事长王雪红主导)

台商上海市桐芯科技台商独资

台商上海市宏盛科技台商独资

台商上海市凯虹电子台商独资

台商上海市捷敏电子台商独资芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试

台商上海市曰月光台商独资

台商上海市南茂台商独资

台商江苏省苏州市瀚霖电子台商独资

台商江苏省苏州市矽品台商独资

台商江苏省苏州市京元电台商独资芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,

台商江苏省宁波市菱生台商独资

台商江苏省吴江市巨丰电子台商独资

台商江苏省吴江市超丰台商独资

台商广东省珠海市珠海南科集成电子珠海南科集团

台商广东省东莞市矽德台商独资芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,

台商山东省阳信市长威电子

台商独资芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,

本土上海市上海华旭微电子首刚NEC后段封测独立

本土江苏省无锡市无锡华润晶微电子香港华润微电子子公司

本土江苏省常州市中电华威电子（原连云港华威电子）连云港华威电子集团有限公司与深圳中电投资股份有限公司和江阴市新潮科技有限公司及南通华达微电子有限公司合资

本土江苏省江阴市江苏长电科技本土最大的封测企业

本土江苏省邗江市邗江九星电子本土资金

本土江苏省锡山市玉祁红光电子本土资金

本土广东省厦门市厦门华联

本土资金本土广东省汕头市汕头华汕电子本土资金

本土四川省西安市骊山微电子前身为西安微电子研究所

本土浙江省绍兴市华越芯装电子本土资金芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,

本土广西省桂林市南方电子有限公司本土资金芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,

本土甘肃省天水市天水华微电子前身为国营第七四九厂芯片,设计,版图,芯片制造,工艺国家鼓励的集成电路企业（第一批）名单：

武汉新芯集成电路制造有限公司

上海集成电路研发中心有限公司

无锡华润微电子有限公司

中国电子科技集团公司第五十五研究所

华越微电子有限公司

中国电子科技集团公司第五十八研究所

珠海南科集成电子有限公司

江苏东光微电子股份有限公司

无锡中微晶园电子有限公司

无锡华普微电子有限公司

日银IMP微电子有限公司

中电华清微电子工程中心有限公司

中纬积体电路（宁波）有限公司

深圳方正微电子有限公司

北京华润上华半导体有限公司

福建福顺微电子有限公司

北京半导体器件五厂

贵州振华风光半导体有限公司

天水华天微电子股份有限公司

天水天光半导体有限责任公司

常州市华诚常半微电子有限公司锦州七七七微电子有限责任公司北京燕东微电子有限公司

河南新乡华丹电子有限责任公司西安微电子技术研究所

长沙韶光微电子总公司

威讯联合半导体（北京）有限公司英特尔产品（上海）有限公司

上海松下半导体有限公司

南通富士通微电子股份有限公司瑞萨半导体（北京）有限公司

江苏长电科技股份有限公司

勤益电子（上海）有限公司

瑞萨半导体（苏州）有限公司

日月光半导体（上海）有限公司星科金朋（上海）有限公司

威宇科技测试封装有限公司

安靠封装测试（上海）有限公司上海凯虹电子有限公司

天水华天科技股份有限公司

飞索半导体（中国）有限公司

无锡华润安盛科技有限公司

上海纪元微科电子有限公司

快捷半导体（苏州）有限公司

中电智能卡有限责任公司

宏茂微电子（上海）有限公司

美商国家半导体（苏州）有限公司上海长丰智能卡有限公司

矽品科技（苏州）有限公司

江阴长电先进封装有限公司

华微半导体（上海）有限责任公司广东省粤晶高科股份有限公司

珠海南科电子有限公司

南通华达微电子有限公司

杭州士兰光电技术有限公司

上海华旭微电子有限公司

上海雅斯拓智能卡技术有限公司浙江华越芯装电子股份有限公司安徽国晶微电子有限公司

合肥合晶电子有限公司

哈尔滨海格科技发展有限责任公司浙江金凯微电子有限公司

济南晶恒有限责任公司

江门市华凯科技有限公司

江门市骏华电子有限公司

晶方半导体科技（苏州）有限公司宁波华泰半导体有限公司

苏州固锝电子股份有限公司

河北博威集成电路有限公司

超威半导体技术（中国）有限公司

赛美科微电子(深圳)有限公司

深圳安博电子有限公司

北京华大泰思特半导体检测技术有限公司上海华岭集成电路技术有限责任公司

成都芯源系统有限公司

无锡中微腾芯电子有限公司

京隆科技（苏州）有限公司

优特半导体（上海）有限公司

有研半导体材料股份有限公司

宁波立立电子股份有限公司

上海合晶硅材料有限公司

麦斯克电子材料有限公司

杭州海纳半导体有限公司

宁波立立半导体有限公司

国泰半导体材料有限公司

南京国盛电子有限公司

上海银笛微电子科技有限公司

浙江金西园科技有限公司

上海通用硅晶体材料有限公司

上海通用硅材料有限公司

珠海南科单晶硅有限公司

上海新傲科技有限公司

万向硅峰电子股份有限公司

陕西易佰半导体有限公司

2017年中国十大半导体公司排名

2017年中国十大半导体公司排名 2017年已接近尾声，接下来就让小编带你看看最新的中国十大半导体公司排名吧!1、环旭电子(601231)环旭电子股份有限公司是全球ODM/EMS领导厂商，专为国内外品牌电子产品或模组提供产品设计、微小化、物料采购、生产制造、物流与维修服务。环旭电子成立于2003年，现为日月光集团成员之一，于2012年成为上海证券交易所A股上市公司。环旭电子股份有限公司以信息、通讯、消费电子及汽车电子等高端电子产品EMS、JDM、ODM为主，主要产品包括WiFi ADSL、WiMAX、WiFi AP、WiFi Module、Blue-Tooth Module、LED LighTIng & Inverter、Barcode Scanner、DiskDrive Array、网络存储器、存储芯片、指纹辨识器等。2、长电科技(600584)成立于1972年，2003年在上交所主板成功上市。历经四十余年发展，长电科技已成为全球知名的集成电路封装测试企业。长电科技面向全球提供封装设计、产品开发及认证，以及从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务。长电科技致力于可持续发展战略，崇尚员工、企业、客户、股东和社会和谐发展，合作共赢之理念，先后被评定为国家重点高新技术企业，中国电子百强企业，集成电路封装技术创新战略联盟理事长单位，中国驰名商标，中国出口产品质量示范企业等，拥有国内唯一的高密度集成电路国家工

程实验室、国家级企业技术中心、博士后科研工作站等。由江阴长江电子实业有限公司整体变更设立为股份有限公司，是中国半导体第一大封装生产基地，国内著名的晶体管和集成电路制造商，产品质量处于国内领先水平。长电科技拥有目前体积最小可容纳引脚最多的全球顶尖封装科技，在同行业中技术优势十分突出。3、歌尔股份(002241)有限公司成立于2001年6月，2008年5月在深交所上市，主要从事微型声学模组、传感器、微显示光机模组等精密零组件，虚拟现实/增强现实、智能穿戴、智能音响、机器人/无人机等智能硬件的研发、制造和销售，目前已在多个领域建立了全球领先的综合竞争力。自上市以来，歌尔保持高速成长，年复合增长率达44.5%。4、中环股份(002129)天津中环半导体股份有限公司成立于1999年，前身为1969年组建的天津市第三半导体器件厂，2004年完成股份制改造，2007年4月在深圳证券交易所上市，股票简称“中环股份”，代码为002129。是生产经营半导体材料和半导体集成电路与器件的高新技术企业，公司注册资本482，829，608元，总资产达20.51 亿。天津中环股份有限公司致力于半导体节能和新能源产业，是一家集半导体材料-新能源材料和节能型半导体器件-新能源器件科研、生产、经营、创投于一体的国有控股企业。5、三安光电(600703)三安光电股份有限公司(以下简称“三安光电”或公司，证券代码：600703)是具有国际影响力的全色系

半导体工艺主要设备大全

清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅片的清洗。超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器，以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。超声波清洗机（超声波清洗器）利用空化效应，短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净，超声波清洗机对清洗器件的养护，提高寿命起到了重要作用。CSQ 系列超声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统，有效提高了清洗效率；设置时间控制装置，清洗方便；具有频率自动跟踪功能，清洗效果稳定；多种机型、结构设计，适应不同清洗要求。CSQ 系列超声波清洗机适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件，医疗设备、精密偶件、化纤行业（喷丝板过滤芯）等的清洗；对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡，涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效果。恒威公司生产CSQ 系列超声波清洗机具有以下特点：不锈钢加强结构，耐酸耐碱；特种胶工艺连接，运行安全；使用IGBT 模块，性能稳定；专业电源设计，性价比高。反渗透纯水机去离子水生产设备之一，通过反渗透原理来实现净水。纯水机清洗半导体硅片用的去离子水生产设备，去离子水有毒，不可食用。净化设备主要产品：水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI 装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV 紫外线杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。风淋室：运用国外先进技术和进口电器控制系统, 组装成的一种使用新型的自动吹淋室.它广泛用于微电子医院制药生化制品食品卫生精细化工精密机械和航空航天等生产和科研单位,用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃,同时风淋室也起气的作用防止未净化的空气进入洁净区域,是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备. 抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。化学机械抛光时，旋转的工件以一定的压力压在旋转的抛光垫上，而由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动，并产生化学反应，工件表面形成的化学反应物由磨粒的机械作用去除，即在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工，人们称这种CMP 为游离磨料CMP 。电解抛光电化学抛光是利用金属电化学阳极溶解原理进行修磨抛光。将电化学预抛光和机械精抛光有机的结合在一起，发挥了电化学和机构两类抛光特长。它不受材料硬度和韧性的限制，可抛光各种复杂形状的工件。其方法与电解磨削类似。导电抛光工具使用金钢石导电锉或石墨油石，接到电源的阴极，被抛光的工件（如模具）接到电源的阳极。光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠氮醌类化合

半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)

常用术语翻译 active region 有源区 2.active ponent有源器件 3.Anneal退火 4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS 7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度 10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积 11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散 15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅 21.IC reliability 集成电路可靠性 22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.ion implanter 离子注入机 24.magnetron sputtering 磁控溅射 25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积 26.pc board 印刷电路板 27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD 28.polish 抛光 29.RF sputtering 射频溅射 30.silicon on insulator绝缘体上硅（SOI）

半导体工艺流程

1清洗集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水; 且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即米用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1-6所示。图1-6硅片清洗工艺示意图工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为： Si + O2 T SiO2

3、扩散扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 —2P+3H2 4、离子注入离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的方法就

半导体产业介绍

半导体整个生态链主要分为：前端设计（design）,后端制造（mfg)、封装测试(package)，最后投向消费市场。不同的厂商负责不同的阶段，环环相扣，最终将芯片集成到产品里，销售到用户手中。半导体厂商也分为2大类，一类是IDM (Integrated Design and Manufacture)，包含设计、制造、封测全流程，如Intel、TI、Samsung这类公司；另外一类是Fabless，只负责设计，芯片加工制造、封测委托给专业的Foundry，如华为海思、展讯、高通、MTK（台湾联发科）等。前端设计是整个芯片流程的“魂”，从承接客户需求开始，到规格、系统架构设计、方案设计，再到Coding、UT/IT/ST（软件测试UT：unit testing 单元测试IT： integration testing 集成测试ST：system testing 系统测试），提交网表（netlist或称连线表，是指用基础的逻辑门来描述数字电路连接情况的描述方式）做Floorplan，最终输出GDS（Graphics Dispaly System）交给Foundry做加工。由于不同的工艺Foundry提供的工艺lib库不同，负责前端设计的工程师要提前差不多半年，开始熟悉工艺库，尝试不同的Floorplan设计，才能输出Foundry想要的GDS。后端制造是整个芯片流程的“本”，拿到GDS以后，像台积电，就是Foundry 厂商，开始光刻流程，一层层mask光刻，最终加工厂芯片裸Die。封装测试是整个芯片流程的“尾”，台积电加工好的芯片是一颗颗裸Die，外面没有任何包装。从晶圆图片，就可以看到一个圆圆的金光闪闪的东西，上面横七竖八的划了很多线，切出了很多小方块，那个就是裸Die。裸Die是不能集成到手机里的，需要外面加封装，用金线把芯片和PCB板连接起来，这样芯片才能真正的工作。台积电是目前Foundry中的老大，华为麒麟系列芯片一直与台积电合作，如麒麟950就是16nm FF+工艺第一波量产的SoC芯片。半导体行业的公司具主要分为四类：集成器件制造商IDM (Integrated Design and Manufacture)：指不仅设计和销售微芯片，也运营自己的晶圆生产线。Intel，SAMSUNG(三星)，东芝，ST(意法半导体)，Infineon(英飞凌)和NXP(恩智浦半导体)。无晶圆厂供应商Fabless：公司自己开发和销售半导体器件，但把芯片转包给独立的晶圆代工厂生产。例如：Altera(FPL)，爱特(FPL)，博通(网路器件)，CirrusLogicCrystal(音频，视频芯片)，莱迪思(FPL)，英伟达(FPL)，

芯片制造-半导体工艺教程

芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication ----A Practical Guide to Semicondutor Processing 目录: 第一章:半导体工业[1][2][3] 第二章:半导体材料和工艺化学品[1][2][3][4][5]第三章:晶圆制备[1][2][3] 第四章:芯片制造概述[1][2][3] 第五章:污染控制[1][2][3][4][5][6] 第六章:工艺良品率[1][2] 第七章:氧化第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验第十章:高级光刻工艺第十一章:掺杂第十二章:淀积第十三章:金属淀积第十四章:工艺和器件评估第十五章:晶圆加工中的商务因素第十六章:半导体器件和集成电路的形成第十七章:集成电路的类型第十八章:封装附录:术语表

#1 第一章半导体工业--1 芯片制造-半导体工艺教程点击查看章节目录 by r53858 概述本章通过历史简介，在世界经济中的重要性以及纵览重大技术的发展和其成为世界领导工业的发展趋势来介绍半导体工业。并将按照产品类型介绍主要生产阶段和解释晶体管结构与集成度水平。目的完成本章后您将能够： 1. 描述分立器件和集成电路的区别。 2. 说明术语“固态，” “平面工艺”，““N””型和“P”型半导体材料。 3. 列举出四个主要半导体工艺步骤。 4. 解释集成度和不同集成水平电路的工艺的含义。 5. 列举出半导体制造的主要工艺和器件发展趋势。一个工业的诞生电信号处理工业始于由Lee Deforest 在1906年发现的真空三极管。1真空三极管使得收音机, 电视和其它消费电子产品成为可能。它也是世界上第一台电子计算机的大脑，这台被称为电子数字集成器和计算器（ENIAC）的计算机于1947年在宾西法尼亚的摩尔工程学院进行首次演示。这台电子计算机和现代的计算机大相径庭。它占据约1500平方英尺，重30吨，工作时产生大量的热，并需要一个小型发电站来供电，花费了1940年时的400, 000美元。ENIAC的制造用了19000个真空管和数千个电阻及电容器。真空管有三个元件，由一个栅极和两个被其栅极分开的电极在玻璃密封的空间中构成(图1.2)。密封空间内部为真空，以防止元件烧毁并易于电子的====移动。真空管有两个重要的电子功能，开关和放大。开关是指电子器件可接通和切断电流；放大则较为复杂，它是指电子器件可把接收到的信号放大，并保持信号原有特征的功能。真空管有一系列的缺点。体积大，连接处易于变松导致真空泄漏、易碎、要求相对较多的电能来运行，并且元件老化很快。ENIAC 和其它基于真空管的计算机的主要缺点是由于真空管的烧毁而导致运行时间有限。这些问题成为许多实验室寻找真空管替代品的动力，这个努力在1947年12月23曰得以实现。贝尔实验室的三位科学家演示了由半导体材料锗制成的电子放大器。

半导体的生产工艺流程

半导体的生产工艺流程微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术 (silicon-basedmicromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。一、洁净室一般的机械加工是不需要洁净室(cleanroom)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class10为例，意谓在单位立方英呎的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵。为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下： 1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴(airshower)的程序，将表面粉尘先行去除。 6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。)当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。 7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水(DIwater,de-ionizedwater)。一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半(MOS)晶体管结构之带电载子信道(carrierchannel)，影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率(resistivity)来定义好坏，一般要求至 17.5MΩ-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与 UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！ 8、洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使用氮气(98%)，吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮！以上八点说明是最基本的要求，另还有污水处理、废气排放的环保问题，再再需要大笔

半导体制造工艺流程

半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结：半导体元件制造过程可分为前段（FrontEnd）制程晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、晶圆针测制程（WaferProbe）；後段（BackEnd）构装（Packaging）、测试制程（InitialTestandFinalTest）一、晶圆处理制程晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。二、晶圆针测制程经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。半导体制造工艺分类半导体制造工艺分类一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型）半导体制造工艺分类二MOSIC的基本制造工艺：根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺

全球10大半导体厂商排名及简介

[2011-11-09] 全球10大半导体厂商排名及简介全球10大半导体厂商排名: 1.英特尔(Intel) 2.三星(Samsung) 3.德州仪器(TI) 4.东芝(Toshiba) 5.台积电(TSMC) 6.意法半导体会(ST) 7.瑞萨科技(Renesas) 8.海力士(Hynix) 9.索尼(Sony) 10.高通(Qualcomm） 1.美国英特尔（Intel）公司，以生产CPU芯片闻名于世！ 2.三星(Samsung)电子公司成立于1969年，初期主要生产家用电子产品，如电视机和录像机等。七十年代始进入国际市场，逐渐发展成为全球五大电子公司之一，产品也由家电扩展到计算机、通讯等诸多方面。九十年代由于经济方面的原因，三星公司进行了大规模的战略重组。1978年，三星半导体从三星电子公司分立出来而成为独立的实体，1983年起随着成功发展了64K DRAM超大规模集成电路，从此在单一家电类半导体产品基础上发展了许多新的半导体产品，逐渐成为全球领先的半导体厂商。它的半导体产品主要有DRAM、SRAM、闪速存储器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。 3.德州仪器(TI)公司总部位于美国德克萨斯州达拉斯城，是一家全球性的半导体公司，是世界领先的数字信号处理和模拟技术的设计商、供应商，是推动电子数字化进程的引擎。主要IC产品有：数字信号处理器、模拟和混合信号器件、数字逻辑、ASIC、微控制器、语音和图形处理器、可编程逻辑、军用器件等。 4.东芝(Toshiba)在国际市场上盛名远扬，家喻户晓。在日本之外，东芝拥有100多家子公司和协作公司的庞大全球网络，仅海外子公司便拥有40,000 多名雇员，他们遍及全球各地，从事着从科研到采购、生产、销售以及市场调研等工作。分布在世界各地的39个厂家构成东芝的生产网络，制造品种繁多的产品，包括最先进的半导体元件、显象管、彩色电视机、移动式计算个人电脑、光?磁存储、消耗品及工业用发电机和变电装置。这些技术和设备均处世界领先地位的东芝生产厂家,强有力地保障着公司技术和整体能力的发展，推动着电子工业的进步；同时也提供了更多的就业机会，进一步促进了当地经济的蓬勃发展。 5.台积电(TSMC)成立于1987年，是全球最大的专业集成电路制造服务公司。身为专业集成电路制造服务业的创始者与领导者，TSMC在提供先进晶圆制程技术与最佳的制造效率上已建立声誉。自创立开始，TSMC即持续提供客户最先进的技术；2006年的总产能超过七百万片约当八寸晶圆，全年营收约占专业集成电路制造服务领域的百分之五十。

半导体器件工艺基础知识

半导体基础知识和半导体器件工艺第一章半导体基础知识　通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类为导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其它一些物体。第二类为绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类为半导体，其导电能力介于导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si硅等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义为长1厘米、截面积为1平方厘米的物质的电阻值，单位为欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下，绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由于它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于半导体具有以下的特殊性质： (1) 温度的变化能显著的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏组件（如热敏电阻等），但是由于半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身产生的热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照后导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其它元素（这个过程我们称为掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特征。例如在原子密度为5*1022/cm3的硅中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例为10-7（即千万分之一），硅的导电能力提高了几十万倍。物质是由原子构成的，而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小，带负电，在一定的轨道上运转；原子核带正电，电荷量与电子的总电荷量相同，两者相互吸引。当原子的外层电子缺少后，整个原子呈现正电，缺少电子的地方产生一个空位，带正电，成为电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。前面提到掺杂其它元素能改变半导体的导电能力，而参与导电的又分为电子和电洞，这样掺杂的元素（即杂质）可分为两种：施主杂质与受主杂质。将施主杂质加到硅半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多自由电子参与导电，而杂质本身失去电子形成正离子，但不是电洞，不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要为五族元素：锑、磷、砷等。将施主杂质加到半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多电洞参与导电，这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要为三族元素：铝、镓、铟、硼等。电洞和电子都是载子，在相同大小的电场作用下，电子导电的速度比电洞

中国半导体100强企业名单

飛比達電子元器件(東莞)有限公司website www.的相关搜索台達電子東莞有限公司成翔電子東莞有限公司吉嘉電子東莞有限公司富港電子東莞有限公司聯德電子東莞有限公司康舒電子東莞有限公司極訊電子東莞有限公司奇燁電子東莞有限公司嘉尼電子東莞有限公司光寶電子東莞有限公司第五章半导体分立器件制造行业重点企业经营状况及竞争力分析 1. 苏州松下半导体有限公司 2. 乐山无线电股份有限公司 3. 英飞凌科技（无锡）有限公司 4. 飞利浦半导体（广东）有限公司 5. 上海凯虹科技电子有限公司 6. 通用半导体(中国)有限公司 7. 欧姆龙（上海）有限公司 8. 上海旭福电子有公司 9. 吉林华星电子集团有限公司 10. 新义半导体（苏州）有限公司 11. 汕尾德昌电子有限公司 12. 莱尔德电子材料（深圳）有限公司 13. 上海凯虹电子有限公司 14. 宁波康强电子股份有限公司 15. 强茂电子（无锡）有限公司 16. 杭州大和热磁电子有限公司 17. 惠阳科惠工业科技有限公司 18. 无锡开益禧半导体有限公司 19. 森萨塔科技（宝应）有限公司 20. 上海威旭半导体光电有限公司 21. 杰群电子科技（东莞）有限公司

22. 美固电子（深圳）有限公司 23. 三洋半导体(蛇口)有限公司 24. 阳信长威电子有限公司 25. 江阴市通用电子器件厂 26. 苏州固锝电子股份有限公司 27. 常州银河电器有限公司 28. 迪思科科技(上海)有限公司 29. 超科林半导体设备（上海）有限公司 30. 佛山市蓝箭电子有限公司 31. 厦门永红集团有限公司 32. 西安华晶电子技术有限公司 33. 汕头华汕电子器件有限公司 34. 成都亚光电子股份有限公司 35. 常州星海电子有限公司 36. 天津长威科技有限公司 37. 南安市三晶硅品精制有限公司 38. 江苏华日源电子科技有限公司 39. 上海住友金属矿山电子材料有限公司 40. 天津中环半导体股份有限公司 41. 宁波市明昕微电子股份有限公司 42. 上海九晶电子材料有限公司 43. 光电子(大连)有限公司 44. 中山开益禧半导体有限公司 45. 江门市亿都半导体有限公司 46. 西安永电电气有限责任公司 47. 宁波德洲精密电子有限公司 48. 成都住矿电子有限公司 49. 扬州晶来半导体(集团)有限责任公 50. 安伦通讯设备（苏州）有限公司

宽禁带半导体材料和工艺设计

宽禁带半导体材料与工艺 1.1 宽禁带半导体的概念和发展宽禁带半导体（WBS）是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化镓、）AlN（氮化铝）、ZnSe（硒化锌）以及金刚石等。第二代半导体GaAs与Si相比除了禁带宽度增大外，其电子迁移率与电子饱和速度分别是Si的6倍和2倍，因此其器件更适合高频工作。GaAs场效应管器件还具有噪声低、效率高和线性度好的特点但相比第三代半导体GaN和SiC，它的热导率和击穿电场都不高，因此它的功率特性方面的表现不足。为了满足无线通信、雷达等应用对高频率、宽禁带、高效率、大功率器件的需要从二十世纪九十年代初开始，化合物半导体电子器件的研究重心开始转向宽禁带半导体。我们一般把禁带宽度大于2eV的半导体称为宽禁带半导体。宽禁带半导体材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。 1.2 主要的宽禁带半导体材料近年来，发展较好的宽禁带半导体材料主要是SiC和GaN，其中SiC的发展更早一些，碳化硅、氮化镓、硅以及砷化镓的一些参数如下图所示：

图1-1 半导体材料的重要参数如上图所示，SiC和GaN的禁带宽度远大于Si和GaAs，相应的本征载流子浓度小于硅和砷化镓，宽禁带半导体的最高工作温度要高于第一、第二代半导体材料。击穿场强和饱和热导率也远大于硅和砷化镓。 2.1 SiC材料纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的α-SiC和立方体的β-SiC（称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。 SiC是IV-IV族二元化合物半导体，也是周期表IV族元素中唯一的一种固态化合物。构成元素是Si和C，每种原子被四个异种原子所包围,形成四面体单元(图25a)。原子间通过定向的强四面体SP3键(图25b)结合在一起，并有一定程度的极化。SiC具有很强的离子共价键，离子性对键合的贡献约占12%,决定了

半导体工艺整理资料

第一章微电子工艺引论 1．硅片、芯片的概念硅片：制造电子器件的基本半导体材料硅的圆形单晶薄片芯片：由硅片生产的半导体产品 2．* 什么是微电子工业技术？微电子工业技术主要包括哪些技术？微电子工艺技术：在半导体材料芯片上采用微米级加工工艺制造微小型化电子元器件和微型化电路技术。包括超精细加工技术、薄膜生长和控制技术、高密度组装技术、过程检测和过程控制技术等 3．集成电路制造涉及的5 个大的制造阶段的内容集成电路制造阶段：硅片制备、芯片制造、芯片测试/ 拣选、装配与封装、终测 4. IC工艺前工序，IC工艺后工序，以及IC工艺辅助工序 IC工艺前工序：薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积（如溅射、蒸发）等掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术 IC工艺后工序：划片、封装、测试、老化、筛选 IC工艺辅助工序：超净厂房技术；超纯水、高纯气体制备技术；光刻掩膜版制备技术；材料准备技术 5．微芯片技术发展的主要趋势提高芯片性能（速度、功耗）提高芯片可靠性（低失效）降低芯片成本（减小特征尺寸，增加硅片面积，制造规模） 6．什么是关键尺寸（CD）？芯片上的物理尺寸特征称为特征尺寸特别是硅片上的最小特征尺寸，也称为关键尺寸或CD 第二章半导体材料 1 ．本征半导体和非本征半导体的区别是什么？本征半导体：不含任何杂质的纯净半导体，其纯度在99.999999%（8~10个9） 2 ．为何硅被选为最主要的半导体材料？硅材料：硅的丰裕度——制造成本低熔点高（1412 0C）――更宽的工艺限度和工作温度范围 SiO2的天然生成 3. GaAs相对硅的优点和缺点各是什么？优点： a）比硅更高的电子迁移率，高频微波信号响应好一一无线和高速数字通信 b）抗辐射能力强――军事和空间应用 c）电阻率大――器件隔离容易实现 d）发光二极管和激光器主要缺点 a）没有稳定的起钝化保护作用的自然氧化层 b）晶体缺陷比硅高几个数量级 c）成本高第三章圆片的制备 1．两种基本的单晶硅生产方法直拉法(CZ法)、区熔法 2．晶体缺陷根据维数可分为哪四种？ a) 点缺陷—空位、自填隙等 b) 线缺陷—位错 c) 面缺陷—层错

国内31家半导体上市公司

国内31家半导体上市公司排行内容来源网络，由“深圳机械展（11万㎡，1100多家展商，超10万观众）”收集整理！更多cnc加工中心、车铣磨钻床、线切割、数控刀具工具、工业机器人、非标自动化、数字化无人工厂、精密测量、3D打印、激光切割、钣金冲压折弯、精密零件加工等展示，就在深圳机械展. 中国芯是科技行业近几年的高频词汇之一，代表着我国对于国内半导体发展的期许，提升和现代信息安全息息相关的半导体行业的自给率，实现芯片自主替代一直是我国近年来的目标。为实现这一目标，我国从政策到资本为半导体产业提供了一系列帮助，以期在不久的将来进入到全球半导体行业一线阵营。半导体是许多工业整机设备的核心，普遍使用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等核心领域。半导体主要由四个组成部分组成：集成电路，光电器件，分立器件，传感器。半导体行业的上游为半导体支撑业，包括半导体材料和半导体设备。中游按照制造技术分为分立器件和集成电路。下游为消费电子，计算机相关产品等终端设备。截至3月31日收盘，中国A股半导体行业上市公司市值总额为3712．3亿元，其中市值超过100亿元的公司有11家，市值超过200亿元的公司有4家，分别为三安光电、利亚德、艾派克、兆易创新，其中三安光电以652．1亿元的市值位居首。详细排名如下：三安光电三安光电是目前国内成立早、规模大、品质好的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片产业化生产基地，总部坐落于美丽的厦门，产业化基地分布在厦门、天津、芜湖、泉州等多个地区。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、化合物太阳能电池及Ⅲ

－Ⅴ族化合物半导体等的研发、生产和销售。是我国国内LED芯片市场市占高、规模大的企业，技术水平比肩国际厂商。利亚德利亚德是一家专业从事LED使用产品研发、设计、生产、销售和服务的高新技术企业。公司生产的LED使用产品主要包括LED全彩显示产品、系统显示产品、创意显示产品、LED 电视、LED照明产品和LED背光标识系统等六大类。艾派克艾派克是一家以集成电路芯片研发、设计、生产和销售为核心，以激光和喷墨打印耗材使用为基础，以打印机产业为未来的高科技企业。是全球行业内领先的打印机加密SoC 芯片设计企业，是全球通用耗材行业的龙头企业。艾派克科技的业务涵盖通用耗材芯片、打印机SoC芯片、喷墨耗材、激光耗材、针式耗材及其部件产品和材料，可提供全方位的打印耗材解决方案。兆易创新兆易公司成立于2005年4月，是一家专门从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司，致力于各种高速和低功耗存储器的研究及开发，正在逐步建立世界级的存储器设计公司的市场地位。产品广泛地使用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及其周边、网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。长电科技长电科技是主要从事研制、开发、生产销售半导体，电子原件，专用电子电气装置和销售企业自产机电产品及成套设备的公司。是中国半导体封装生产基地，国内著名的三极管制造商，集成电路封装测试龙头企业，国家重点高新技术企业。2015年成功并购同行业的新加坡星科金朋公司，合并后的长电科技在业务规模上一跃进入国际半导体封测行业的第一

半导体公司好名称大全

半导体公司好名称大全半导体公司好名称大全公司名字半导体公司公司名字大全核心提示: 半导体公司公司名字大全。半导体指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。半导体公司公司名字大全一.半导体公司取名建议 1.缺角字：看情况而使用缺角字也不是绝对不能使用，也要和字的音和义，以及其他名称中的字结合起来。缺角字包括下面要讲到的独体字，一般谨慎使用的原因就在于这些字的视觉效果可能会带来一些潜意思的偏差。但是如果结合公司本身的情况，已经名称意义和相连的字的对比，一些缺角字还是可以使用的。 2.独体字：视觉效果更好

独体字和缺角字基本情况相同，但是独体字比缺角字在视觉效果上还是好很多的。 3.可以按行业相关字眼公司名称一般和股权、行业等等有关。一般用于字号的可能就和股权或者母公司有关了。比如有些公司取名的时候，会把母公司或集团的字号放到前面。一般而言，这类公司的名字的字数就会增加。但就目前来说，纯粹的字号，基本在2-4字之间。2个字是最常见的公司名字。但是受到工商注册的影响，现在2个字的字号很难注册下来，特别是大城市，基本要求不要用2个字。2个字的词组是非常合适记忆与传播的，缺点是品牌区分度不高。 4.字型需要注意：简繁相谐字型是给品牌受众者的关于品牌的第一印象，在还未去联想名称蕴含的意义，以及去读名称的音的时候，字型是最原始的接触。所以字型在商业命名中也同样需要注意。这里首先纠正一个误区，那就是太繁的字一定不能用，其实一些笔画较多的字还是可以斟酌使用的，这样的汉字一般蕴含的文化、历史内容比较多，而且能给受众很可靠、安稳的感觉。二.半导体公司名称大全仙童半导体公司科达半导体公司安森美半导体深圳市三浦半导体有限公司东芝公司深爱半导体股份有限公司恩智浦半导体广东有限公司湖北台基半导体股份有限公司瑞萨电子(中国)有限公司天津中环领先材料技术有限公司

半导体封装企业名单

半导体封装企业名单半导体封装企业名单中电科技集团公司第58研究所南通富士通微电子有限公司江苏长电科技股份有限公司江苏中电华威电子股份有限公司天水华天科技股份有限公司（749厂）铜陵三佳山田科技有限公司无锡华润安盛封装公司（华润微电子封装总厂）中国电子科技集团第13研究所乐山无线电股份公司上海柏斯高模具有限公司浙江华越芯装电子股份有限公司航天771所新科-金朋（上海）有限公司江苏宜兴电子器件总厂浙江东盛集成电路元件有限公司北京科化新材料科技有限公司上海华旭微电子公司电子第24所上海纪元微科电子有限公司

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5种主流射频半导体制造工艺

5种主流射频半导体制造工艺嘉兆科技 1、GaAs 半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT)，在3 V 电压操作下可以有80 %的功率增加效率(PAE: power addedefficiency)，非常的适用于高层(high tier)的无线通讯中长距离、长通信时间的需求。砷化镓元件因电子迁移率比硅高很多，因此采用特殊的工艺，早期为MESFET 金属半导体场效应晶体管，后演变为HEMT ( 高速电子迁移率晶体管)，pHEMT( 介面应变式高电子迁移电晶体)目前则为HBT ( 异质接面双载子晶体管)。异质双极晶体管(HBT)是无需负电源的砷化镓组件，其功率密度(power density)、电流推动能力(current drive capability)与线性度(linearity)均超过FET，适合设计高功率、高效率、高线性度的微波放大器，HBT 为最佳组件的选择。而HBT 组件在相位噪声，高gm、高功率密度、崩溃电压与线性度上占优势，另外它可以单电源操作，因而简化电路设计及次系统实现的难度，十分适合于射频及中频收发模块的研制，特别是微波信号源与高线性放大器等电路。砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需要采用磊晶技术制造，这种磊晶圆的直径通常为4-6 英寸，比硅晶圆的12 英寸要小得多。磊晶圆需要特殊的机台，

全球半导体设备厂商名单及网站

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