半导体企业列表

半导体企业列表
半导体企业列表

半导体企业列表---芯片制造

TSMC---台湾积体电路制造股份有限公司

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited

UMC---联华电子公司

United Microelectronics Coporation,

SMIC---中芯国际集成电路制造股份有限公司Semiconductor Manufacturing International Corporation

CSM---特许半导体制造公司

Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.

HHNEC---上海华虹NEC电子有限公司

Shanghai Hua Hong NEC Electronics Company, Ltd.

GSMC---宏力半导体制造有限公司

Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

ASMC---上海先进半导体制造有限公司

Advanced Semiconductor Manufacturing Corp.of Shanghai

BCD---BCD半导体制造有限公司

BCD Semiconductor Manufacturing Limited

Belling---上海贝岭股份有限公司

Shanghai Belling Co., Ltd.

HJTC---和舰科技(苏州)有限公司

HeJian Technology (Suzhou) Co., Ltd.

IC Spectrum-德芯电子集成电路制造有限公司

IC Spectrum Co., Ltd.

Hynix-ST---海力士-意法半导体有限公司

Hynix-ST Semiconductor Ltd.

CSWC---华润晶芯半导体有限公司

China Resources Semiconductor Wafer Chips Ltd.

CSMC---华润上华科技有限公司

CSMC Technologies Corporation

GMIC---南通绿山集成电路有限公司

Nantong Green Mountain Integrated Corp., Ltd

Silan---杭州士兰集成电路有限公司

Hangzhou silan integrated circuits Co., Ltd.

SinoMOS---中纬积体电路(宁波)有限公司

SinoMOS Semiconductor (Ningbo) Inc.

SGNEC---首钢曰电电子有限公司

Shougang NEC Electronic Co.,Ltd.

TJSemi---天津中环半导体股份有限公司

Tianjin Zhonghuan Semiconductor Joint-stock Co.,Ltd.

Founder IC---深圳方正微电子有限公司

Founder Microelectronics Inc.

ACSMC---珠海南科集成电子有限公司

Advanced CMOS Semiconductor Manufacturing Corp.

XiY ue---西岳电子技术有限公司

XiY ue Electronics Technology Co., Ltd.

WXIC---武汉新芯积体电路制造有限公司

[委托中芯国际集成电路制造股份有限公司(SMIC)经营管理] Intel Corporation Fab-68 (in Dalian,China)

半导体材料课程教学大纲

半导体材料课程教学大纲 一、课程说明 (一)课程名称:半导体材料 所属专业:微电子科学与工程 课程性质:专业限选 学分: 3 (二)课程简介:本课程重点介绍第一代和第二代半导体材料硅、锗、砷化镓等的制备基本原理、制备工艺和材料特性,介绍第三代半导体材料氮化镓、碳化硅及其他半导体材料的性质及制备方法。 目标与任务:使学生掌握主要半导体材料的性质以及制备方法,了解半导体材料最新发展情况、为将来从事半导体材料科学、半导体器件制备等打下基础。 (三)先修课程要求:《固体物理学》、《半导体物理学》、《热力学统计物理》; 本课程中介绍半导体材料性质方面需要《固体物理学》、《半导体物理学》中晶体结构、能带理论等章节作为基础。同时介绍材料生长方面知识时需要《热力学统计物理》中关于自由能等方面的知识。 (四)教材:杨树人《半导体材料》 主要参考书:褚君浩、张玉龙《半导体材料技术》 陆大成《金属有机化合物气相外延基础及应用》 二、课程内容与安排 第一章半导体材料概述 第一节半导体材料发展历程 第二节半导体材料分类 第三节半导体材料制备方法综述 第二章硅和锗的制备 第一节硅和锗的物理化学性质 第二节高纯硅的制备 第三节锗的富集与提纯

第三章区熔提纯 第一节分凝现象与分凝系数 第二节区熔原理 第三节锗的区熔提纯 第四章晶体生长 第一节晶体生长理论基础 第二节熔体的晶体生长 第三节硅、锗单晶生长 第五章硅、锗晶体中的杂质和缺陷 第一节硅、锗晶体中杂质的性质 第二节硅、锗晶体的掺杂 第三节硅、锗单晶的位错 第四节硅单晶中的微缺陷 第六章硅外延生长 第一节硅的气相外延生长 第二节硅外延生长的缺陷及电阻率控制 第三节硅的异质外延 第七章化合物半导体的外延生长 第一节气相外延生长(VPE) 第二节金属有机物化学气相外延生长(MOCVD) 第三节分子束外延生长(MBE) 第四节其他外延生长技术 第八章化合物半导体材料(一):第二代半导体材料 第一节 GaAs、InP等III-V族化合物半导体材料的特性第二节 GaAs单晶的制备及应用 第三节 GaAs单晶中杂质控制及掺杂 第四节 InP、GaP等的制备及应用 第九章化合物半导体材料(二):第三代半导体材料 第一节氮化物半导体材料特性及应用 第二节氮化物半导体材料的外延生长 第三节碳化硅材料的特性及应用 第十章其他半导体材料

(整理)半导体基础知识.

1.1 半导体基础知识概念归纳 本征半导体定义:纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 电流形成过程:自由电子在外电场的作用下产生定向移动形成电流。 绝缘体原子结构:最外层电子受原子核束缚力很强,很难成为自由电子。 绝缘体导电性:极差。如惰性气体和橡胶。 半导体原子结构:半导体材料为四价元素,它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚,也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧。 半导体导电性能:介于半导体与绝缘体之间。 半导体的特点: ★在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。 ★在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。 晶格:晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,称为晶格。 共价键结构:相邻的两个原子的一对最外层电子(即价电子)不但各自围绕自身所属的原子核运动,而且出现在相邻原子所属的轨道上,成为共用电子,构成共价键。 自由电子的形成:在常温下,少数的价电子由于热运动获得足够的能量,挣脱共价键的束缚变成为自由电子。 空穴:价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。 电子电流:在外加电场的作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流。 空穴电流:价电子按一定的方向依次填补空穴(即空穴也产生定向移动),形成空穴电流。 本征半导体的电流:电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同,它们运动方向相反。 载流子:运载电荷的粒子称为载流子。 导体电的特点:导体导电只有一种载流子,即自由电子导电。 本征半导体电的特点:本征半导体有两种载流子,即自由电子和空穴均参与导电。 本征激发:半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。 复合:自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴,

2017年中国十大半导体公司排名

2017年中国十大半导体公司排名 2017年已接近尾声,接下来就让小编带你看看最新的中国十大半导体公司排名吧!1、环旭电子(601231)环旭电子股份有限公司是全球ODM/EMS领导厂商,专为国内外品牌电子产品或模组提供产品设计、微小化、物料采购、生产制造、物流与维修服务。环旭电子成立于2003年,现为日月光集团成员之一,于2012年成为上海证券交易所A股上市公司。环旭电子股份有限公司以信息、通讯、消费电子及汽车电子等高端电子产品EMS、JDM、ODM为主,主要产品包括WiFi ADSL、WiMAX、WiFi AP、WiFi Module、Blue-Tooth Module、LED LighTIng & Inverter、Barcode Scanner、DiskDrive Array、网络存储器、存储芯片、指纹辨识器等。2、长电科技(600584)成立于1972年,2003年在上交所主板成功上市。历经四十余年发展,长电科技已成为全球知名的集成电路封装测试企业。长电科技面向全球提供封装设计、产品开发及认证,以及从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务。长电科技致力于可持续发展战略,崇尚员工、企业、客户、股东和社会和谐发展,合作共赢之理念,先后被评定为国家重点高新技术企业,中国电子百强企业,集成电路封装技术创新战略联盟理事长单位,中国驰名商标,中国出口产品质量示范企业等,拥有国内唯一的高密度集成电路国家工

程实验室、国家级企业技术中心、博士后科研工作站等。由江阴长江电子实业有限公司整体变更设立为股份有限公司,是中国半导体第一大封装生产基地,国内著名的晶体管和集成电路制造商,产品质量处于国内领先水平。长电科技拥有目前体积最小可容纳引脚最多的全球顶尖封装科技,在同行业中技术优势十分突出。3、歌尔股份(002241)有限公司成立于2001年6月,2008年5月在深交所上市,主要从事微型声学模组、传感器、微显示光机模组等精密零组件,虚拟现实/增强现实、智能穿戴、智能音响、机器人/无人机等智能硬件的研发、制造和销售,目前已在多个领域建立了全球领先的综合竞争力。自上市以来,歌尔保持高速成长,年复合增长率达44.5%。4、中环股份(002129)天津中环半导体股份有限公司成立于1999年,前身为1969年组建的天津市第三半导体器件厂,2004年完成股份制改造,2007年4月在深圳证券交易所上市,股票简称“中环股份”,代码为002129。是生产经营半导体材料和半导体集成电路与器件的高新技 术企业,公司注册资本482,829,608元,总资产达20.51 亿。天津中环股份有限公司致力于半导体节能和新能源产业,是一家集半导体材料-新能源材料和节能型半导体器件-新能 源器件科研、生产、经营、创投于一体的国有控股企业。5、三安光电(600703)三安光电股份有限公司(以下简称“三安光电”或公司,证券代码:600703)是具有国际影响力的全色系

中国半导体100强企业名单

飛比達電子元器件(東莞)有限公司website www.的相关搜索 台達電子東莞有限公司成翔電子東 莞有限公司 吉嘉電子東 莞有限公司 富港電子東 莞有限公司 聯德電子東 莞有限公司 康舒電子東莞有限公司極訊電子東 莞有限公司 奇燁電子東 莞有限公司 嘉尼電子東 莞有限公司 光寶電子東 莞有限公司 第五章半导体分立器件制造行业重点企业经营状况及竞争力分析 1. 苏州松下半导体有限公司 2. 乐山无线电股份有限公司 3. 英飞凌科技(无锡)有限公司 4. 飞利浦半导体(广东)有限公司 5. 上海凯虹科技电子有限公司 6. 通用半导体(中国)有限公司 7. 欧姆龙(上海)有限公司 8. 上海旭福电子有公司 9. 吉林华星电子集团有限公司 10. 新义半导体(苏州)有限公司 11. 汕尾德昌电子有限公司 12. 莱尔德电子材料(深圳)有限公司 13. 上海凯虹电子有限公司 14. 宁波康强电子股份有限公司 15. 强茂电子(无锡)有限公司 16. 杭州大和热磁电子有限公司 17. 惠阳科惠工业科技有限公司 18. 无锡开益禧半导体有限公司 19. 森萨塔科技(宝应)有限公司 20. 上海威旭半导体光电有限公司 21. 杰群电子科技(东莞)有限公司

22. 美固电子(深圳)有限公司 23. 三洋半导体(蛇口)有限公司 24. 阳信长威电子有限公司 25. 江阴市通用电子器件厂 26. 苏州固锝电子股份有限公司 27. 常州银河电器有限公司 28. 迪思科科技(上海)有限公司 29. 超科林半导体设备(上海)有限公司 30. 佛山市蓝箭电子有限公司 31. 厦门永红集团有限公司 32. 西安华晶电子技术有限公司 33. 汕头华汕电子器件有限公司 34. 成都亚光电子股份有限公司 35. 常州星海电子有限公司 36. 天津长威科技有限公司 37. 南安市三晶硅品精制有限公司 38. 江苏华日源电子科技有限公司 39. 上海住友金属矿山电子材料有限公司 40. 天津中环半导体股份有限公司 41. 宁波市明昕微电子股份有限公司 42. 上海九晶电子材料有限公司 43. 光电子(大连)有限公司 44. 中山开益禧半导体有限公司 45. 江门市亿都半导体有限公司 46. 西安永电电气有限责任公司 47. 宁波德洲精密电子有限公司 48. 成都住矿电子有限公司 49. 扬州晶来半导体(集团)有限责任公 50. 安伦通讯设备(苏州)有限公司

半导体产业介绍

半导体整个生态链 主要分为:前端设计(design),后端制造(mfg)、封装测试(package),最后投向消费市场。 不同的厂商负责不同的阶段,环环相扣,最终将芯片集成到产品里,销售到用户手中。半导体厂商也分为2大类,一类是IDM (Integrated Design and Manufacture),包含设计、制造、封测全流程,如Intel、TI、Samsung这类公司;另外一类是Fabless,只负责设计,芯片加工制造、封测委托给专业的Foundry,如华为海思、展讯、高通、MTK(台湾联发科)等。 前端设计是整个芯片流程的“魂”,从承接客户需求开始,到规格、系统架构设计、方案设计,再到Coding、UT/IT/ST(软件测试UT:unit testing 单元测试IT: integration testing 集成测试ST:system testing 系统测试),提交网表(netlist或称连线表,是指用基础的逻辑门来描述数字电路连接情况的描述方式)做Floorplan,最终输出GDS(Graphics Dispaly System)交给Foundry做加工。由于不同的工艺Foundry提供的工艺lib库不同,负责前端设计的工程师要提前差不多半年,开始熟悉工艺库,尝试不同的Floorplan设计,才能输出Foundry想要的GDS。 后端制造是整个芯片流程的“本”,拿到GDS以后,像台积电,就是Foundry 厂商,开始光刻流程,一层层mask光刻,最终加工厂芯片裸Die。 封装测试是整个芯片流程的“尾”,台积电加工好的芯片是一颗颗裸Die,外面没有任何包装。从晶圆图片,就可以看到一个圆圆的金光闪闪的东西,上面横七竖八的划了很多线,切出了很多小方块,那个就是裸Die。裸Die是不能集成到手机里的,需要外面加封装,用金线把芯片和PCB板连接起来,这样芯片才能真正的工作。 台积电是目前Foundry中的老大,华为麒麟系列芯片一直与台积电合作,如麒麟950就是16nm FF+工艺第一波量产的SoC芯片。 半导体行业的公司具主要分为四类: 集成器件制造商IDM (Integrated Design and Manufacture):指不仅设计和销售微芯片,也运营自己的晶圆生产线。Intel,SAMSUNG(三星),东芝,ST(意法半导体),Infineon(英飞凌)和NXP(恩智浦半导体)。 无晶圆厂供应商Fabless:公司自己开发和销售半导体器件,但把芯片转包给独立的晶圆代工厂生产。例如:Altera(FPL),爱特(FPL),博通(网路器件),CirrusLogicCrystal(音频,视频芯片),莱迪思(FPL),英伟达(FPL),

半导体材料

半导体材料 应用物理1001 20102444 周辉 半导体材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。这种材料在某个温度 范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度,电阻率下降。由化合物构成的半导 体材料,通常是指无机化合物半导体材料。比起元素半导体材料来它的品种更多, 应用面更广。 半导体材料结构特征主要表现在化学键上。因为化合物至少由两个元素构 成,由于它们彼此间的原子结构不同,价电子必然向其中一种元素靠近,而远离 另一种元素,这样在共价键中就有了离子性。这种离子性会影响到材料的熔点、 带隙宽度、迁移率、晶体结构等。 化合物半导体的组成规律一般服从元素周期表排列的法则。对已知的化合物 半导体材料,其组成元素在同一族内垂直变换,其结果是随着元素的金属性增大 而其带隙变小,直到成为导体。反之,随着非金属性增加而其带隙变大,直至成 为绝缘体。 类别按其构成元素的数目可分为二元、三元、四元化合物半导体材料。它 们本身还可按组成元素在元素周期表中的位置分为各族化合物,如Ⅲ—V族,I —Ⅲ—Ⅵ族等。下面介绍二元化合物,其中主要的类别为Ⅲ—v族化合物半导体 材料,Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料,Ⅳ—Ⅳ族化合物半导体材料。 Ⅳ—Ⅵ族化合物半导体材料。已发现具有半导体性质的有格式,GeSe,GeTe, SnO ,SnS,SnSe,SnTe,Pb0,PbS,PbSe,PbTe,其中PbO,PbS,PbSe,PbTe 2 已获重要用途。

V—Ⅵ族化合物半导体材料。已发现具有半导体性质的有Bi 2O 3 ,Bi 2 S 3 ,Bi 2 Se 3 , Bi 2Te 3 ,Sb 2 O 3 ,Sb 2 S 3 ,Sb 2 Te 3 、As 2 O 3 ,As 2 S 3 ,其中Bi 2 Te 3 ,Bi 2 Se 3 等已获实际应用。 I—Ⅵ族化合物具有半导体性质的有Cu 2 O,Cu 2 S,Ag 2 S,Ag 2 Se,Ag 2 Te等,其 中Cu 20,Cu 2 S已获应用。 三元化合物种类较多,如I—Ⅲ—Ⅵ、I—v—Ⅵ、Ⅱ—Ⅲ—Ⅵ、Ⅱ—Ⅳ—V 族等。多数具有闪锌矿、纤锌矿或黄铜矿型晶体结构,黄铜矿型结构的三元化合 物多数具有直接禁带。比较重要的三元化合物半导体有CuInSe 2,AgGaSe 2 , CuGaSe 2,ZnSiP 2 ,CdSiP 2 ,ZnGeP 2 ,CdGaS 4 ,CdlnS 4 ,ZnlnS 4 和磁性半导体。后者 的结构为AB 2X 4 (A—Mn,Co,Fe,Ni;B—Ga,In;X—S,Se)。 四元化合物研究甚少,已知有Cu 2FeSnS 4 ,Cu 2 FeSnSe 4 ,Cu 2 FeGeS 4 等。 应用化合物及其固溶体的品种繁多,性能各异,给应用扩大了选择。在光电子方面,所有的发光二极管、激光二极管都是用化合物半导体制成的,已获工业应用的有GaAs,GaP,GaAlAs,GaAsP,InGaAsP等。用作光敏元件、光探测器、光调制器的有InAsP,CdS,CdSe,CdTe,GaAs等。一些宽禁带半导体(SiC,ZnSe等)、三元化合物具有光电子应用的潜力。GaAs是制作超高速集成电路的最主要的材料。微波器件的制作是使用GaAs,InP,GaAlAs等;红外器件则用GaAs,GaAlAs,CdTe,HgCdTe,PbSnTe等。太阳电池是使用CdS,CdTe,CulnSe2,GaAs,GaAlAs等。最早的实用“半导体”是「电晶体/ 二极体」。 一、在无线电收音机及电视机中,作为“讯号放大器用。 二、近来发展「太阳能」,也用在「光电池」中。 三、半导体可以用来测量温度,测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域,有较高的准确度和稳定性,分辨率可达0.1℃,甚至达到0.01℃也不是不可能,线性度0.2%,测温范围-100~+300℃,是性价比极高的一种测温元件。 其中在半导体材料中硅材料应用最广,所以一般都用硅材料来集成电路,因为硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于

全球10大半导体厂商排名及简介

[2011-11-09] 全球10大半导体厂商排名及简介 全球10大半导体厂商排名: 1.英特尔(Intel) 2.三星(Samsung) 3.德州仪器(TI) 4.东芝(Toshiba) 5.台积电(TSMC) 6.意法半导体会(ST) 7.瑞萨科技(Renesas) 8.海力士(Hynix) 9.索尼(Sony) 10.高通(Qualcomm) 1.美国英特尔(Intel)公司,以生产CPU芯片闻名于世! 2.三星(Samsung)电子公司成立于1969年,初期主要生产家用电子产品,如电视机和录像机等。七十年代始进入国际市场,逐渐发展成为全球五大电 子公司之一,产品也由家电扩展到计算机、通讯等诸多方面。九十年代由 于经济方面的原因,三星公司进行了大规模的战略重组。1978年,三星半 导体从三星电子公司分立出来而成为独立的实体,1983年起随着成功发展 了64K DRAM超大规模集成电路,从此在单一家电类半导体产品基础上发展了许多新的半导体产品,逐渐成为全球领先的半导体厂商。它的半导体产 品主要有DRAM、SRAM、闪速存储器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。 3.德州仪器(TI)公司总部位于美国德克萨斯州达拉斯城,是一家全球性的 半导体公司,是世界领先的数字信号处理和模拟技术的设计商、供应商, 是推动电子数字化进程的引擎。主要IC产品有:数字信号处理器、模拟和混合信号器件、数字逻辑、ASIC、微控制器、语音和图形处理器、可编程 逻辑、军用器件等。 4.东芝(Toshiba)在国际市场上盛名远扬,家喻户晓。在日本之外,东芝拥 有100多家子公司和协作公司的庞大全球网络,仅海外子公司便拥有40,000 多名雇员,他们遍及全球各地,从事着从科研到采购、生产、销售以及市 场调研等工作。分布在世界各地的39个厂家构成东芝的生产网络,制造品种繁多的产品,包括最先进的半导体元件、显象管、彩色电视机、移动式 计算个人电脑、光?磁存储、消耗品及工业用发电机和变电装置。这些技术和设备均处世界领先地位的东芝生产厂家,强有力地保障着公司技术和整体 能力的发展,推动着电子工业的进步;同时也提供了更多的就业机会,进 一步促进了当地经济的蓬勃发展。 5.台积电(TSMC)成立于1987年,是全球最大的专业集成电路制造服务公司。身为专业集成电路制造服务业的创始者与领导者,TSMC在提供先进晶圆制程技术与最佳的制造效率上已建立声誉。自创立开始,TSMC即持续提供客户最先进的技术;2006年的总产能超过七百万片约当八寸晶圆,全年营 收约占专业集成电路制造服务领域的百分之五十。

国内31家半导体上市公司

国内31家半导体上市公司排行 内容来源网络,由“深圳机械展(11万㎡,1100多家展商,超10万观众)”收集整理!更多cnc加工中心、车铣磨钻床、线切割、数控刀具工具、工业机器人、非标自动化、数字化无人工厂、精密测量、3D打印、激光切割、钣金冲压折弯、精密零件加工等展示,就在深圳机械展. 中国芯是科技行业近几年的高频词汇之一,代表着我国对于国内半导体发展的期许,提升和现代信息安全息息相关的半导体行业的自给率,实现芯片自主替代一直是我国近年来的目标。为实现这一目标,我国从政策到资本为半导体产业提供了一系列帮助,以期在不久的将来进入到全球半导体行业一线阵营。 半导体是许多工业整机设备的核心,普遍使用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等核心领域。半导体主要由四个组成部分组成:集成电路,光电器件,分立器件,传感器。半导体行业的上游为半导体支撑业,包括半导体材料和半导体设备。中游按照制造技术分为分立器件和集成电路。下游为消费电子,计算机相关产品等终端设备。 截至3月31日收盘,中国A股半导体行业上市公司市值总额为3712.3亿元,其中市值超过100亿元的公司有11家,市值超过200亿元的公司有4家,分别为三安光电、利亚德、艾派克、兆易创新,其中三安光电以652.1亿元的市值位居首。 详细排名如下: 三安光电 三安光电是目前国内成立早、规模大、品质好的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片产业化生产基地,总部坐落于美丽的厦门,产业化基地分布在厦门、天津、芜湖、泉州等多个地区。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、化合物太阳能电池及Ⅲ

-Ⅴ族化合物半导体等的研发、生产和销售。是我国国内LED芯片市场市占高、规模大的企业,技术水平比肩国际厂商。 利亚德 利亚德是一家专业从事LED使用产品研发、设计、生产、销售和服务的高新技术企业。公司生产的LED使用产品主要包括LED全彩显示产品、系统显示产品、创意显示产品、LED 电视、LED照明产品和LED背光标识系统等六大类。 艾派克 艾派克是一家以集成电路芯片研发、设计、生产和销售为核心,以激光和喷墨打印耗材使用为基础,以打印机产业为未来的高科技企业。是全球行业内领先的打印机加密SoC 芯片设计企业,是全球通用耗材行业的龙头企业。艾派克科技的业务涵盖通用耗材芯片、打印机SoC芯片、喷墨耗材、激光耗材、针式耗材及其部件产品和材料,可提供全方位的打印耗材解决方案。 兆易创新 兆易公司成立于2005年4月,是一家专门从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司,致力于各种高速和低功耗存储器的研究及开发,正在逐步建立世界级的存储器设计公司的市场地位。产品广泛地使用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及其周边、网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。 长电科技 长电科技是主要从事研制、开发、生产销售半导体,电子原件,专用电子电气装置和销售企业自产机电产品及成套设备的公司。是中国半导体封装生产基地,国内著名的三极管制造商,集成电路封装测试龙头企业,国家重点高新技术企业。2015年成功并购同行业的新加坡星科金朋公司,合并后的长电科技在业务规模上一跃进入国际半导体封测行业的第一

半导体材料硅基本性质

半导体材料硅的基本性质 一.半导体材料 固体材料按其导电性能可分为三类:绝缘体、半导体及导体,它们典型的电阻率如下: 图1 典型绝缘体、半导体及导体的电导率范围 半导体又可以分为元素半导体和化合物半导体,它们的定义如下: 元素半导体:由一种材料形成的半导体物质,如硅和锗。 化合物半导体:由两种或两种以上元素形成的物质。 1)二元化合物 GaAs —砷化镓 SiC —碳化硅 2)三元化合物 As —砷化镓铝 AlGa 11 AlIn As —砷化铟铝 11 半导体根据其是否掺杂又可以分为本征半导体和非本征半导体,它们的定义分别为:本征半导体:当半导体中无杂质掺入时,此种半导体称为本征半导体。 非本征半导体:当半导体被掺入杂质时,本征半导体就成为非本征半导体。 掺入本征半导体中的杂质,按释放载流子的类型分为施主与受主,它们的定义分别为:施主:当杂质掺入半导体中时,若能释放一个电子,这种杂质被称为施主。如磷、砷就是硅的施主。 受主:当杂质掺入半导体中时,若能接受一个电子,就会相应地产生一个空穴,这种杂

质称为受主。如硼、铝就是硅的受主。 图(a)带有施主(砷)的n型硅 (b)带有受主(硼)的型硅 掺入施主的半导体称为N型半导体,如掺磷的硅。 由于施主释放电子,因此在这样的半导体中电子为多数导电载流子(简称多子),而空穴为少数导电载流子(简称少子)。如图所示。 掺入受主的半导体称为P型半导体,如掺硼的硅。 由于受主接受电子,因此在这样的半导体中空穴为多数导电载流子(简称多子),而电子为少数导电载流子(简称少子)。如图所示。 二.硅的基本性质 硅的基本物理化学性质 硅是最重要的元素半导体,是电子工业的基础材料,其物理化学性质(300K)如表1所示。 性质符号单位硅(Si) 原子序数Z 14 原子量M 原子密度个/cm3 ×1022 晶体结构金刚石型 晶格常数 a ? 熔点Tm ℃1420 密度(固/液) ρg/ cm3 介电常数ε0 个/ cm3×1010本征载流子浓度n i 本征电阻率ρi Ω·cm ×105

半导体材料有哪些

半导体材料有哪些 半导体材料有哪些 半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化镓、磷化镓等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物(硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 半导体的分类,按照其制造技术可以分为:集成电路器件,分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类,一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类,虽然不常用,但还是按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。此外,还有按照其所处理的信号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。 延伸 半导体材料是什么? 半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。 自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围(上限按谢嘉奎《电子线路》取值,还有取其1/10或10倍的;因角标不可用,暂用当前描述)。在一般情况下,半导体电导率随温度的升高而升高,这与金属导体恰好相反。 凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体半导体材料内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象,这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体,正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。 半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构,所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。由于地球的矿藏多半是化合物,所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿

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新型半导体材料GaN简介

新型半导体材料GaN GaN的发展背景 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。 在宽禁带半导体材料中,氮化镓由于受到缺乏合适的单晶衬底材料、位错密度大等问题的困扰,发展较为缓慢,但进入90年代后,随着材料生长和器件工艺水平的不断发展,GaN半导体及器件的发展十分迅速,目前已经成为宽禁带半导体材料中耀眼的新星。 GaN的特性 具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。 GaN是极稳定的化合物,又是坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃,GaN 具有高的电离度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有4个原子,原子体积大约为GaAs的一半。因为其硬度高,又是一种良好的涂层保护材料。在室温下,GaN 不溶于水、酸和碱,而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN,可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下,在高温下呈现不稳定特性,而在N2气下最为稳定。GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n 型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品,都是高补偿的。 很多研究小组都从事过这方面的研究工作,其中中村报道了GaN最高迁移率数据在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v·s和μn=1500cm2/v·s,相应的载流子浓度为n=4×1016/cm3和n=8×1015/cm3。未掺杂载流子浓度可控制在

半导体材料介绍论文

半导体材料介绍 摘要:本文主要介绍半导体材料的特征、分类、制备工艺以及半导体材料的一些参数。 半导体在我们的日常生活中应用很广泛,半导体材料的一些结构和参数决定了 它的特性。以二氧化钛为例,它就是一种半导体材料,其结构和性能决定了它 在降解有机污染物方面的应用,人们现在研究了有关它的性质,并将进一步研 究提高它的光催化效果。 关键词:半导体材料导电能力载流子电阻率电子空穴 正文: 半导体材料是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料,其电导率在10(U-3)~10(U-9)欧姆/厘米范围内。 半导体材料可按化学组成来分,再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。 制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求,包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。 半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性,称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别,而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有:禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定,反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然,对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。 半导体材料的特性参数对于材料应用甚为重要。因为不同的特性决定不同的用途。晶体管对材料特性的要求:根据晶体管的工作原理,要求材料有较大的非平衡载流子寿命和载流子迁移率。用载流子迁移率大的材料制成的晶体管可以工作于更高的频率(有较好的频率响应)。晶体缺陷会影响晶体管的特性甚至使其失效。晶体管的工作温度高温限决定于禁带宽度的大小。禁带

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半导体封装企业名单半导体封装企业名单 中电科技集团公司第58研究所 南通富士通微电子有限公司 江苏长电科技股份有限公司 江苏中电华威电子股份有限公司 天水华天科技股份有限公司(749厂) 铜陵三佳山田科技有限公司 无锡华润安盛封装公司(华润微电子封装总厂)中国电子科技集团第13研究所 乐山无线电股份公司 上海柏斯高模具有限公司 浙江华越芯装电子股份有限公司 航天771所 新科-金朋(上海)有限公司 江苏宜兴电子器件总厂 浙江东盛集成电路元件有限公司 北京科化新材料科技有限公司 上海华旭微电子公司 电子第24所 上海纪元微科电子有限公司

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半导体材料专题介绍

深圳大学考试答题纸 (以论文、报告等形式考核专用) 二○~二○学年度第学期 课程编号课程名称主讲教师评分学号姓名专业年级 题目:

目录 摘要 (4) 1.ZnO的发展历史与基本性质 (5) ZnO的发展历史 (5) ZnO的基本性质 (5) ZnO的晶体结构 (5) ZnO的物理化学性质 (6) ZnO的其他性质 (7) 紫外受激发射特性 (7) 透明导体特性 (8) 气敏性 (8) 压敏特性 (8) P-N结特性 (9) 压电特性 (9) 2.ZnO的原料的获取与提纯 (10) 原料的获取 (10) 原料的提纯 (11) 直接法(美国法) (11) 间接法(法国法) (11) 化学湿法 (12) 3.ZnO的单晶的制备 (13) 水热法 (13) 化学气相输运法 (14) 4.ZnO的薄膜的制备 (16) 脉冲激光沉积法PLD (16) 金属有机物气相外延法MOCVD (17) 喷雾热解法 (17) 磁控溅射法 (18)

溶胶-凝胶法Sol-gel (19) 5.ZnO的应用与前景 (21) 的应用方向 (21) 短波长发光材料 (21) 氮化镓薄膜的缓冲层 (22) 集成光学 (22) 电声器件与声光器件 (22) 传感器和高效率器件 (22) ZnO的问题与挑战 (23) ZnO的前景 (24) 谢辞 (25) 参考文献 (26)

摘要 氧化锌(ZnO)是一种具有广泛用途的新型第三代II-VI族多功能半导体材料,拥有着许多诸如宽禁带,激子结合能大,高化学稳定性和耐高温性等等优良性质,制备出来的ZnO单晶和薄膜在发光器件,透明电极,压敏电阻等等领域有着诸多的应用,在未来有着光明的应用前景,引起了社会各界的广泛关注。 本论文着重介绍了氧化锌半导体材料的材料来源,晶体结构,物理化学性质,单晶与薄膜的制备,具体在各个领域应用与发展和目前制备薄膜以及应用于市场所遇到的难题。 关键词:氧化锌,材料来源,晶体结构,物理化学性质,单晶,薄膜,应用,难题。

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半导体行业A股上市公司经营数据大比拼

半导体行业A股上市公司经营数据大比拼

半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。 按照半导体的制造技术,可以分为集成电路、分立器件、光电子、传感器等,其中,集成电路又包括模拟电路、逻辑电路、微处理器、存储器等。2016年全球分立器件、光电子、传感器、集成电路的销售额之和为3389.31亿美元,其中集成电路为2766.98亿美元,所占比例最高,为81.64%。因此,在大多数场合,半导体主要指代集成电路。 据中商情报网发布的《2017-2022年中国半导体行业市场前景及投资机会研究报告》数据显示,中国A股市场共有6家半导体上市企业,2017年前三季度半导体行业主营业务收入达到93.43亿元,净利润达到6.42亿元。其中,中环股份主营业务收入排名第一,2017年前三季度主营业务收入达到68.53亿元;康强电子排名第二,2017年前三季度主营业务收入达到9.37亿元;宏昌电子排名第三,2017年前三季度主营业务收入达到8.17亿元。 2017年前三季度半导体A股上市企业主营业务收入排行 数据来源:中商产业研究院整理 在净利润方面,中环股份位居榜首,2017年前三季度净利润达到4.53亿元;排名第二的是东尼电子,2017年前三季度净利润为0.87亿元;康强电子排名第三,净利润为0.56亿元。

2017年前三季度半导体A股上市企业净利润排行 数据来源:中商产业研究院整理 1.天津中环半导体股份有限公司 天津中环半导体股份有限公司是生产半导体分立器件的专业厂家,是天津市高新技术企业.公司主要产品有高压硅堆、硅整流二极管、硅桥式整流器等,广泛应用于行输出变压器、彩色电视机、显示器、微波炉、空气清新机等其它电子设备。 中商产业研究院大数据库数据显示,2012-2016年中环股份营收及净利润均处于稳定增长趋势,年均复合增长率达到27.%。2017年前三季度中环股份主营业务收入达到68.53亿元,同比增长26.38%,净利润达到4.53亿元,同比增长29.20%。 数据来源:中商产业研究院整理 2.宁波康强电子股份有限公司

世界著名半导体(芯片)公司--详细

世界半导体公司排名———详细 25大半导体厂商排名(2006年统计数据): 1. 英特尔,营收额313.59亿美元 2. 三星,营收额192.07亿美元 3. 德州仪器,营收额128.32亿美元 4. 东芝,营收额101.66亿美元 5. 意法半导体,营收99.31亿美元 6. Renesas科技,营收82.21亿美元 7. AMD,营收额74.71亿美元 8. Hynix,营收额73.65亿美元 9. NXP,营收额62.21亿美元 10.飞思卡尔,营收额60.59亿美元 11. NEC,营收额56.96亿美元 12. Qimonda,营收额55.49亿美元 13. Micron,营收额52.90亿美元 14. 英飞凌,营收额51.95亿美元 15. 索尼,营收额48.75亿美元 16. 高通,营收额44.66亿美元 17. 松下,营收额41.24亿美元 18. Broadcom,营收额36.57亿美元 19. 夏普,营收额34.76亿美元 20. Elpida,营收额33.54亿美元 21. IBM微电子,营收额31.51亿美元

22. Rohm,营收额29.64亿美元 23. Spansion,营收额26.17亿美元 24. Analog Device,营收额25.99亿美元 25. nVidia,营收额24.75亿美元 飞思卡尔介绍: 飞思卡尔半导体是全球领先的半导体公司,为汽车、消费、工业、网络和无线市场设计并制造嵌入式半导体产品。这家私营企业总部位于德州奥斯汀,在全球30多个国家和地区拥有设计、研发、制造和销售机构。 产品领域: 嵌入式处理器 汽车集成电路 集成通信处理器 适用于2.5G 和3G无线基础设施的射频功率晶体管 基于StarCore? 技术的数字信号处理器(DSP) 下列领域处于领先地位: 8位、16位和32位微控制器 可编程的DSP 无线手持设备射频微处理器 基于Power Architecture?技术的32位嵌入式产品 50多年来,飞思卡尔一直是摩托罗拉下属机构,2004年7月成为独立企业开始了新的生活。此后,公司在董事长兼首席执行官Michel Mayer的领导下,努力提高财务业绩,打造企业文化,构筑全球品牌。 意法半导体(ST)集团介绍

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