模拟集成电路 英文
课程教学大纲（英文版）
Course Number: 03017005 Course Name: Analysis and Design of Analog
Integrated Circuit
Class Hours：40
Credits：2 Semester:
(√) Fall/( ) Spring Students: (√) Master / (√ ) Ph.D.
1. Course Objectives
Analog Integrated Circuit is a most important part of IC. The function of Analog IC is very important and can not be replaced by digital IC in modern complex high performance systems.
After learning this curriculum, the students can understand the typical processes of analog IC, the configurations and characteristics of the elements in analog IC, handle the configurations and characteristics of the elements in analog IC, the basic unit circuits and normal analog IC. Furthermore, they can handle the analysis method of the large signal and small signal models and designing thought of analog ICs. The capability in analysis and design of analog integrated circuit of the students can be trained and improved after learning this curriculum.
2. Course Content and Requirements
Chapter1Models for Integrated-Circuit Active Devices ( hours: 5 )
§1.1 PN Junction (1h)
§1.2 Large-Signal and Small-Signal Models of Bipolar Transistors (1h)
§1.3 Large-Signal and Small-Signal Models of MOS Transistors (2h)
§1.4 Comparison of BJT and MOS transistors (1h)
The keys of this chapter are the models of PN junction, BJT, and MOSFET.
The students should know how to give out the design plan according to the characteristics of the devices in ICs after learn this chapter.
Chapter2 Bipolar and MOS Integrated-Circuit Technology ( hours: 4)
§2.1 Basic Processes in Integrated-Circuit Fabrication (0.5h)
§2.2 Typical Processes of Bipolar Integrated-Circuit (1h)
§2.3 Components in Bipolar Integrated Circuits (0.5h)
§2.4 MOS Integrated-Circuit Fabrication (1h)
§2.5 Components in MOS Technology (1h)
The students should know how to choose the process to achieve the requirement of the design circuit after learn this chapter.
Chapter3 Single-Transistor and Multiple-Transistor Amplifiers ( hours: 6)
§3.1 Basic Single-Transistor Amplifier Stages (2h)
§3.2 Multi-Transistor Amplifier Stages (2h)
§3.3 Differential Pairs (2h)
The students should handle the characteristics of the typical amplifiers and know how to design the structure and parameters of a circuit according to the demand after learn this chapter.
Chapter4 Current Mirrors, Active Loads, and References ( hours: 7)
§4.1 Current Mirrors (2h)
§4.2 Active Loads (2h)
§4.3 References (3h)
The students should handle the structures and the characteristics of the typical current sources and voltage references after learn this chapter.
Chapter5 Ideal Operation Amplifiers and Feedback ( hours: 6)
§5.1 Ideal ops (2h)
§5.2 Feedback Configurations and Feedback circuits (4h)
The students should handle the basic characteristics of the ideal ops and know how to analyze and design the feedback circuits after learn this chapter.
Chapter6 Frequency Response of Integrated Circuits ( hours: 7)
§6.1 Frequency Response of Amplifier (2h)
§6.2 Frequency Compensation (5h)
The students should know how to realize compensation of the frequency according to the bode plot after learn this chapter.
Chapter7 Fully-differential Amplifiers ( hours: 5)
§7.1 simple OTAs (2h)
§7.2 Fully-differential Amplifiers (3h)
This chapter is the assembly of all knowledge in this course. It is a most difficult chapter. The students should know how to design a practical amplifier after learn this chapter.
3. Evaluation and Grading
Teaching Mode：Adopting original English textbook, teach with multimedia, integrating teaching and discussing.
Examination Mode: One sheet opened/ open sheet
Homework assignment:
1）Two reading paper reports about analog IC analysis and design, which has relation of course content. Requirement: you’d better read English paper from IEEE and report in Chinese.
2）One design report about an analog IC, which is finished by a 3-5 students group.
Evaluation and Grading：
20% of the credit at based on paper reading reports, 20% of the credit at based on circuit design report, and 60% are from the final exam.
4.Text and Reference:
Textbook:《Analysis and Design of Analog integrated Circuits》 4th Edition，Gray, Hurst, Lewis, Meyer, (影印版)，高等教育出版社, 2003.
Reference:
1、《模拟CMOS集成电路设计》，拉扎维著，陈贵灿等译，西安交通大学出版社，2003.
2、《CMOS Analog Circuits Design》Second Edition, Phillip E.Allen, 电子工业出版社，
2002.
3、《半导体集成电路》，朱正涌，清华大学出版设，2001年.
4、《Analog Design Essentials》, Willy M.C.Sansen, Springer, 2006. （《模拟集成电路设
计精粹》，陈莹梅翻译，清华大学出版社，2008.）
Writer: Luo Ping
School of microelectronics and solid-state electronics
2014.7
AT89C51芯片介绍完整中英文翻译
Description The AT89C51 is a low-power, high-performance CMOS 8-bit microcomputer with 4K bytes of Flash Programmable and Erasable Read Only Memory (PEROM) and 128 bytes RAM. The device is manufactured using Atmel’s high density nonvolatile memory technolo gy and is compatible with the industry standard MCS-51? instruction set and pinout. The chip combines a versatile 8-bit CPU with Flash on a monolithic chip, the Atmel AT89C51 is a powerful microcomputer which provides a highly flexible and cost effective solution to many embedded control applications. Features: ? Compatible with MCS-51? Products ? 4K Bytes of In-System Reprogrammable Flash Memory ? Endurance: 1,000 Write/Erase Cycles ? Fully Static Operation: 0 Hz to 24 MHz ? Three-Level Program Memory Lock ? 128 x 8-Bit Internal RAM ? 32 Programmable I/O Lines ? Two 16-Bit Timer/Counters ? Six Interrupt Sources ? Programmable Serial Channel ? Low Power Idle and Power Down Modes The AT89C51 provides the following standard features: 4K bytes of Flash, 128 bytes of RAM, 32 I/O lines, two 16-bit timer/counters, a five vector two-level interrupt architecture, a full duplex serial port, on-chip oscillator and clock circuitry. In addition, the AT89C51 is designed with static logic for operation down to zero frequency and supports two software selectable power saving modes. The Idle Mode stops the CPU while allowing the RAM, timer/counters, serial port and interrupt system to continue functioning. The Power Down Mode saves the RAM contents but freezes the oscillator disabling all other chip functions until the next hardware reset. Pin Description: VCC Supply voltage.
TTL74系列芯片大全(中英文对照)
7400 TTL 2输入端四与非门 7401 TTL 集电极开路2输入端四与非门 7402 TTL 2输入端四或非门 7403 TTL 集电极开路2输入端四与非门 7404 TTL 六反相器 7405 TTL 集电极开路六反相器7406 TTL 集电极开路六反相高压驱动器 7407 TTL 集电极开路六正相高压驱动器 7408 TTL 2输入端四与门 7409 TTL 集电极开路2输入端四与门 7410 TTL 3输入端3与非门 74107 TTL 带清除主从双J-K触发器74109 TTL 带预置清除正触发双J-K触发器7411 TTL 3输入端3与门 74112 TTL 带预置清除负触发双J-K触发器7412 TTL 开路输出3输入端三与非门 74121 TTL 单稳态多谐振荡器74122 TTL 可再触发单稳态多谐振荡器74123 TTL 双可再触发单稳态多谐振荡器74125 TTL 三态输出高有效四总线缓冲门74126 TTL 三态输出低有效四总线缓冲门 7413 TTL 4输入端双与非施密特触发器 74132 TTL 2输入端四与非施密特触发器 74133 TTL 13输入端与非门 74136 TTL 四异或门 74138 TTL 3-8线译码器/复工器 74139 TTL 双2-4线译码器/复工器 7414 TTL 六反相施密特触发器 74145 TTL BCD—十进制译码/驱动器 7415 TTL 开路输出3输入端三与门 74150 TTL 16选1数据选择/多路开关 74151 TTL 8选1数据选择器 74153 TTL 双4选1数据选择器 74154 TTL 4线—16线译码器 74155 TTL 图腾柱输出译码器/分配器 74156 TTL 开路输出译码器/分配器74157 TTL 同相输出四2选1数据选择器74158 TTL 反相输出四2选1数据选择器 7416 TTL 开路输出六反相缓冲/驱动器 74160 TTL 可预置BCD异步清除计数器74161 TTL 可予制四位二进制异步清除计数器74162 TTL 可预置BCD同步清除计数器74163 TTL 可予制四位二进制同步清除计数器74164 TTL 八位串行入/并行输出移位寄存器
各种集成电路介绍
第一节三端稳压IC 电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义，三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管，TO-220的标准封装，也有9013样子的TO-92封装。 用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压，如7806表示输出电压为正6V，7909表示输出电压为负9V。 78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产，80年代就有了，通常前缀为生产厂家的代号，如TA7805是东芝的产品，AN7909是松下的产品。（点击这里，查看有关看前缀识别集成电路的知识） 有时在数字78或79后面还有一个M或L，如78M12或79L24，用来区别输出电流和封装形式等，其中78L调系列的最大输出电流为100mA，78M系列最大输出电流为1A，78系列最大输出电流为1．5A。它的封装也有多种，详见图。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点，因此用得比较多。79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外，命名方法、外形等均与78系列的相同。 因为三端固定集成稳压电路的使用方便，电子制作中经常采用，可以用来改装分立元件的稳压电源，也经常用作电子设备的工作电源。电路图如图所示。 注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不能接错，不然容易烧坏。一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为2V，否则不能输出稳定的电压，一般应使电压差保持在4-5V，即经变压器变压，二极管整流，电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。 在实际应用中，应在三端集成稳压电路上安装足够大的散热器（当然小功率的条件下不用）。当稳压管温度过高时，稳压性能将变差，甚至损坏。 当制作中需要一个能输出1．5A以上电流的稳压电源，通常采用几块三端稳压电路并联起来，使其最大输出电流为N个1．5A，但应用时需注意：并联使用的集成稳压电路应采用同一厂家、同一批号的产品，以保证参数的一致。另外在输出电流上留有一定的余量，以避免个别集成稳压电路失效时导致其他电路的连锁烧毁。 第二节语音集成电路 电子制作中经常用到音乐集成电路和语言集成电路，一般称为语言片和音乐片。它们一般都是软包封，即芯片直接用黑胶封装在一小块电路板上。语音IC一般还需要少量外围元件才能工作，它们可直接焊到这块电路板上。
模拟集成电路设计期末试卷
《模拟集成电路设计原理》期末考试 一．填空题（每空1分，共14分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_ 较低__的制造成本。 2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来 表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输 出的改变。 7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制 沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__。 10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。 二．名词解释（每题3分，共15分） 1、阱 解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应 解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS 如何阅读英文的芯片数据手册 申明：为方便计，本文将以AD9945为例，进行描述！ 我们坚信，阅读英文芯片手册，并没有想象的那么难。 不管什么芯片手册，它再怎么写得天花乱坠，本质也只是芯片的使用说明书而已。而说明书一个最显著的特点就是必须尽可能地使用通俗易懂的语句，向使用者交代清楚该产品的特点、功能以及使用方法。从这个角度看，无论什么芯片手册，都不会存在特别偏僻的语法、生僻的单词（当然专业词汇除外），运用在大学里所学到的那些英文知识去分析这些手册，足矣。 个人觉得，这些数据手册的阅读难点主要有如下三点： 语言风格——跟平常我们所阅读的新闻、报导都不一样，好多数据手册在表达意思上的连贯性做得不是很好，并且从一个意思到另外一个意思的过渡，有时候也作得不好，套句老话，就是乘得不好，转得过硬。比如说没有太大联系的两句话，就很有可能就被放在了一起，按照俺们的习惯思维，挨这么近的两句话，肯定会有联系，可这数据手册的描述却偏偏不然，它就没联系，它就放一起，没办法，只得接受（莫非这也是中外思维的差异？）。 长句太多——为保证严谨，不至于让读者产生误解，数据手册通常喜欢采用一些长句对问题进行描述，并且这些长句所描述问题的通常都比较关键。这很让人头疼，要连贯地理解这些长句，需要俺们有比较好的记忆力。当然，俺们也有笨办法：按照古老的主谓宾状补结构，把整个长句拆开，然后对每一个小短句进行分析，最后联系上下文，揣摩出整句的意思。 专业词汇太多，甚至会出现一些字典上都找不到的单词——这没办法，一得靠平时的积累，二得善于借助网络资源，比如CNKI翻译助手（https://www.360docs.net/doc/ea10329713.html,/）就是个挺专业的网站。强调一下：俺们没有必要把每一个单词的意思都完完全全地、准确无误地翻译出来，只要理解它所表达的意思就足够了，古人云：不可言传、只可意会，放到这，也合适。 俺们可以这么去阅读一个芯片的数据手册： 先看看芯片的特性（Features）、应用场合（Applications）以及内部框图。这有助于我们对芯片有一个宏观的了解，此时需要弄清楚该芯片的一些比较特殊的功能，充分利用芯片的特殊功能，对整体电路的设计，将会有极大的好处。比如AD9945可以实现相关双采样（CDS），这可以简化后续信号调理电路，并且抵抗噪声的效果还好。 重点关注芯片的参数，同时可以参考手册给出的一些参数图（如AD9945的TPC 1，TPC2等），这是俺们是否采用该芯片的重要依据。像AD9945，就可以关注采样率（maximum clock rate）、数据位数（AD converter）、功耗（Power consumption）、可调增益范围（gain range）等。 选定器件后，研究芯片管脚定义、推荐的PCB layout，这些都是在硬件设计过程中必须掌握的。所有管脚中，要特别留意控制信号引脚或者特殊信号引脚，这是将来用好该芯片的前提。比如AD9945的SHP、SHD、PBLK、CLPOB等。 认真研读芯片内部寄存器，对寄存器的理解程度，直接决定了你对该芯片的掌握程度。比如AD9945就有4个寄存器：Operation、Control、Clamp Level和VGA gain，对于这些寄存器，必须清楚它们上电后的初始值、所能实现的功能、每个bit所代表的含义这些基本情况。 清华大学微电子学研究所Feb. 25, 2008模拟集成电路分析与设计 课程概况 z微电子学专业核心课程之一 z3学分48学时：每周3学时X16周 z目标：培养学生具有初步的模拟集成电路分析能力和设计能力，了解模拟集成电路基本模块的分析方法和设计过程 z上课时间：每周一上午第二大节（9：50～ 12：15）z上课地点：六教6A301 z习题课：四次习题课 习题课 z答疑时间：周三下午2：00～3：30 z答疑地点：任课教师办公室 答疑地点 教材与参考书 z教材： Behzad Razavi，“Design of Analog CMOS Integrated Circuits”, 西安电子科技大学出版社英版中版 （英文影印版或者中文版），2001年 池保勇,“模拟集成电路分析与设计”,（编写中）z参考书： P R Gray“Analysis and Design of Analog P.R. Gray, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits”, Fourth Edition，高等教育出 版社英文影印版或者中文版，2001年 () P.E. Allen, “CMOS Analog Circuit Design”, Second Edition, 电子工业出版社，2002年 , 课程内容 CMOS电路为主，适当介绍Bipolar电路 考核 z总原则：学到东西、相对公平 总原则学到东西相对公平 z平时表现（5％）＋作业（10％）＋课程设计（25％）＋期中考试（开卷，25％）＋期末考试（闭卷，35％） 试（闭卷 z作业：10次作业，每次1分 z课程设计：设计思路和结果、口头报告及文档z期中考试：开卷考试(Lecture 1-7) 期中考试(Lecture17) z期末考试：闭卷考试(期中考试后的内容) 1、 研究模拟集成电路的重要性：（1）首先，MOSFET 的特征尺寸越来越小，本征速度越来 越快；（2）SOC 芯片发展的需求。 2、 模拟设计困难的原因：（1）模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多 种因素间进行折衷，而数字电路只需在速度和功耗之间折衷；（2）模拟电路对噪声、串扰和其它干扰比数字电路要敏感得多；（3）器件的二级效应对模拟电路的影响比数字电路要严重得多；（4）高性能模拟电路的设计很少能自动完成，而许多数字电路都是自动综合和布局的。 3、 鲁棒性就是系统的健壮性。它是在异常和危险情况下系统生存的关键。所谓“鲁棒性”， 是指控制系统在一定的参数摄动下，维持某些性能的特性。 4、 版图设计过程：设计规则检查（DRC ）、电气规则检查（ERC ）、一致性校验（LVS ）、RC 分布参数提取 5、 MOS 管正常工作的基本条件是:所有衬源（B 、S ）、衬漏（B 、D ）pn 结必须反偏 6、 沟道为夹断条件： ?GD GS DS T DS GS TH H V =V -≤V V V -V ≥V 7、 （1）截止区：Id=0；Vgs 集成电路英文代码及中文对照（一） 我的文摘2009-11-21 11:32:53 阅读111 评论0 字号：大中小订阅 性能说明 产品名称 型号规格 LM LM24J 四运放(军用级) LM148J 通用四运放 LM1875T 无线电控制/接收器 LM224J 四运放(工业级) LM258N 分离式双电源双运放 LM2901N 四电压比较器 LM2904N 四运放 LM301AN 通用运算放大器 LM308N 单比较器 LM311P 单比较器 LM317L 可调三端稳压器/100mA LM317T 可调三端稳压器/1.5A LM317K 可调三端稳压器/3A LM318 高速宽带运放 LM324K 通用四运放 LM331N V-F/F-V转换器 LM336-2.5V 基准电压电路 LM336 5V 基准电压电路 LM337T 基准电压电路1A LM338K 可调三端稳压器5A LM339N 四比较器 LM348N 四741运放 LM358N 低功耗双运放 LM361N 高速差动比较器 LM386N 声频功率放大器 LM3914N 十段点线显示驱动 LM393N 低功耗低失调双比较器 LM399H 精密基准源(6.9) LM723CN 可调正式负稳压器 LM733CN 视频放大器 LM741J 单运放 LM741CN 双运放 NE NE521 高速双差分比较器 NE5532 双运放 NE5534 双运放 NE555N 单运放 NE555J 时基电路军品极 NE556 双级型双时基电路 NE564 锁相环 NE565 锁相环 NE567 音调译码器 NE592 视频放大器 OP OP07 低噪声运放 OP27 超低噪声精密运放 OP37 超低噪声精密运放 光电耦合 4N25 晶体管输出 4N25MC 晶体管输出 4N26 晶体管输出 4N27 晶体管输出 4N28 晶体管输出 4N29 达林顿输出 如何阅读英文的芯片数据手册 EMAIL：ql_smbj@https://www.360docs.net/doc/ea10329713.html, Q Q ： 20761258 2009-03-31 申明：为方便计，本文将以AD9945为例，进行描述！ 我们坚信，阅读英文芯片手册，并没有想象的那么难 不管什么芯片手册，它再怎么写得天花乱坠，本质也只是芯片的使用说明书而已。而说明书一个最显著的特点就是必须尽可能地使用通俗易懂的语句，向使用者交代清楚该产品的特点、功能以及使用方法。从这个角度看，无论什么芯片手册，都不会存在特别偏僻的语法、生僻的单词（当然专业词汇除外），运用在大学里所学到的那些英文知识去分析这些手册，足矣。 俺个人觉得，这些数据手册的阅读难点主要有如下三点： 语言风格——跟平常我们所阅读的新闻、报导都不一样，好多数据手册在表达意思上的连贯性做得不是很好，并且从一个意思到另外一个意思的过渡，有时候也作得不好，套句老话，就是乘得不好，转得过硬。比如说没有太大联系的两句话，就很有可能就被放在了一起，按照俺们的习惯思维，挨这么近的两句话，肯定会有联系，可这数据手册的描述却偏偏不然，它就没联系，它就放一起，没办法，只得接受（莫非这也是中外思维的差异？）。 长句太多——为保证严谨，不至于让读者产生误解，数据手册通常喜欢采用一些长句对问题进行描述，并且这些长句所描述问题的通常都比较关键。 这很让人头疼，要连贯地理解这些长句，需要俺们有比较好的记忆力。当然，俺们也有笨办法：按照古老的主谓宾状补结构，把整个长句拆开，然后对每一个小短句进行分析，最后联系上下文，揣摩出整句的意思。 专业词汇太多，甚至会出现一些字典上都找不到的单词，——这没办法，一得靠平时的积累，二得善于借助网络资源，比如CNKI翻译助手（https://www.360docs.net/doc/ea10329713.html,/）就是个挺专业的网站。强调一下：俺们没有必要把每一个单词的意思都完完全全地、准确无误地翻译出来，只要理解它所表达的意思就足够了，古人云：不可言传、只可意会，放到这，也合适。 俺们可以这么去阅读一个芯片的数据手册 9先看看芯片的特性（Features）、应用场合（Applications）以及内部框图。这有助于我们对芯片有一个宏观的了解，此时需要弄清楚该芯片的一些比较特 1 《模拟集成电路设计原理》期末考试 一．填空题（每空1分，共14分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。 2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。 6、 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。 7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容Cin为__ CF（1－A） __。 10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。 二．名词解释（每题3分，共15分） 11、1、阱 解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应 解：实际上，VGS=VTH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当VGS The present situation and developing tendency of integrated circuit Liu Chen Lang Fang Teacher’s University Mathematics and Information Science College Information Engineering Abstract: The thesis demonstrates the current technology of IC industry and the influence of IC to the world, and it also discusses the problems IC has encountered and the corresponding solutions. According to the problems and solutions, I synthetically expound the tendency of IC in size, material and technology. At the end of the thesis, I conclude the current situation of IC and express my expectation of future development of IC. Key Words: integrated circuit, current situation, and tendency Ⅰ. Introduction Integrated circuit and software are the basis and center of economic development in the information society. Nowadays, information industry based on integrated circuit has exceeded the traditional industry which is represented by car, petroleum and steel. Therefore, IC industry has become the powerful tool to transform the traditional industry and move towards the digital times. IC is the leading industry of the national economy and social development. It has very strong innovation and integration, and has already penetrated into daily life, production and all aspects of national defense security. The world's major countries and regions have regarded the development of the integrated circuit industry as an important means to enhance the comprehensive national strength, economic development and national security. As the focus of today's world economic competition, integrated circuit with independent intellectual property rights has become the lifeblood of economic development and international competition. Ⅱ. The current situation of the overseas development of IC 1. The development of IC In the first half of the twenty-first century, the mainstream of microelectronic technology is silicon CMOS technology whose size is shrinking. The development of IC technology in today’s world has entered into the nanometer era, and continues to develop depth. Today, 45nm technologies have entered the practical stage; and the development of 32nm and 22nm technology has also made gratifying achievements. In addition, the key technology in IC technology –immersion lithography and extreme ultraviolet lithography has used 45nm chip lithography; what’s more, neon imprint lithography technology has also made progress. Long term of investment in scientific research makes people understand the IC process thoroughly. This is the precious wealth of knowledge. In 2006, the minimum feature size of system on chip integrated chip reached 0.09 μm, the integration of chip reached 200000000 transistors, the chip had the area of 520 mm, metal wire of 7 ~ 8 layers, pin number 4000, a voltage of 0.9 ~ 1.2 V, operating frequency 《模拟集成电路设计原理》试卷(答题卷)（1） 一、填空题（共30分，每空格1分） 1. MOSFET 是一个四端器件，现在大多数的CMOS 工艺中，P 管做在_____中，并且，在大 多数电路中，P 管的衬底与______（高或低）电平相连接，这样连接的原因是使得_________________________________________________。 2. 对增强型NMOS 来说，让其处于饱和时的条件为_______________________________， 增强型PMOS 处于饱和时的条件为__________________________________________。 3. 在两级运放中，通常是用第一级运放实现_____________，用第二级运放实现 _____________。 4. 实际工艺中，本征阈值电压并不适用于电路设计，因此在器件制造过程中，通常通过 向沟道区注入__________来调整阈值电压，其实质是改变氧化层（栅氧）界面附近衬底的_______________。 5. 阈值电压为发生强反型时的栅压，对增强型NMOS 管来说，发生强反型时的条件为 __________________________________________________。 6. 折叠式共源共栅运放与套筒式共源共栅结构相比，输出电压摆幅_______,但这个优点 是以较大的________、较低的_______________、较低的_____________和较高的____________为代价得到的。 7. 对于一个负反馈系统来说，有前馈网络A 和反馈网络β，那么这个系统的开环增益为 _______，闭环增益为________________，环路增益为____________。 8. 对于一个单极点系统来说，单位增益带宽为80MHz ，若现在带宽变为16MHz ，则环路增 益为_________，闭环增益为_______。 9. 为了使系统稳定，零点应处于________平面,并且让极点尽量______。 10. 对单级共源、共漏和共栅放大器来说，dB f 3带宽最小的为__________,原因是由于 _______________的存在，dB f 3带宽最大的为__________。 11. MOSFET 的版图由电路中的器件所要求的_____________和工艺要求的 ________________共同决定。例如，选择适当的W/L 来确定跨导和其它电路参数，而L 的最小值由工艺决定。 12. 对于理想的差动电路来说，电路将只对_______________进行放大，而且完全抑制 实验室常用模拟集成电路 序号型号名称 M001 2P4M 可控硅 M002 4N35 通用光电耦合器 M003 6N135 数字逻辑隔离 M004 24C01 1K/2K 5V I2C 总线串行EEPROM M005 24LC08B 8K I2C 总线串行EEPROM M006 93C46 1K 串行EEPROM M007 AD574 12-BIT,DAC 转换器 M008 BM2272 遥控译码器 M009 CA3140E 4.5MHz，BiMOS 运算放大器 M010 TLP521 可编程控制AC/DC 输入固态继电器 M011 7805 正5V 三端稳压集成电路 M012 LM7905 负5V 三端稳压集成电路 M013 LA7806 B/W 电视机同步、偏转电路，16PIN M014 7906C 负6V 三端稳压集成电路 M015 7808A 正8V 3 端稳压器，输入35V，功率20.8W M016 7908AC 正8V 3 端稳压器，输入35V，功率12W M017 LM7809 正9V 三端稳压集成电路 M018 ADS7809 正9V 三端稳压集成电路 M019 TA7810S 0.5A,3 端稳压器 M020 TDA7910N 负10V 3 端稳压器，输入-35V，1A，功率12W M021 IRF7811A N-MOSFET,功率场效应管,28V/11.4A/2.5W M022 7812A 正12V 3 端稳压器，输入35V，功率20.8W M023 LM7912 1A 3 端稳压器 M024 AD7813 2.5V-5.5V,400kSPS，8/10-BIT，采样，ADC 转换器M025 LM7815 正15V 三端稳压集成电路 M026 LM7915 负15V1A 3 端稳压器 M027 AD7819 2.7V-5.5V,200KSPS,8-BIT，采样，ADC 转换器 M028 LA7820 彩色电视机同步/偏转电路 M029 L7920C 负20V1A 3 端稳压器 M030 LC7821 模拟开关 M031 LM7824 正24V 三端稳压集成电路 M032 KA7924 负24V1A 3 端稳压器 M033 AD7825 3Vto5V、2MSPS、1/4/8 通道、8BitAD 转换器 M034 PJ7925CZ 负25V1A 3 端稳压器 M035 ADS7826 10/8/12 位取样模拟数字转换器用2.7V 的电源 M036 IRF840 功率场效应管,大功率、高速, 500V/8A/125W M037 ADC0809 8-BIT up 兼容8 通道多路复用器A/D 转换器 M038 ADC0832 2 路，8-BIT 串行输入/输出A/D 转换多路选择 M039 LM324N 四路运算放大器 M040 LM339 低功耗低失调电压四比较器 M041 LM358 低功率双运算放大器 Specification or Spec. 生产规格 BOM: Bill of material 料表 S/N: Spec notice 生产注意事项 ES: Electrical Spec 电气规格 PK: Schematic 电路图 PD: Physical dimension 外观尺寸图 ES: Input characteristics 输入特性 Input voltage range 输入电压范围 Input frequency range 输入频率范围 Max. input AC current 最大输入交流电流 Inrush current (cold start) 突增电流(冷开机) Efficiency: 60% Min. At nominal line 效率: 60%,一般电压(指115/230V, 除非另有说明) Noise test 噪声测试 Static output characteristics 静态输出特性 Dynamic output characteristics 动态输出特性 Rise time DC输出电压上升时间 Hold up time DC输出电压持续时间Protection: 保护 OVP (over voltage protection) 过电压保护 OPP (over power protection ) 过功率保护 OCP (over current protection) 过电流保护 OTP (over temp. protection) 过温度保护 Short circuit protection 短路保护 Hi-pot (dielectric withstand voltage) 耐电压测试 4.1 Primary to secondary AC TO DC 初级对次级 4.2 Primary to safety ground AC TO FG初级对地 4.3 Secondary to safety ground DC TO FG 次级对地 4.4 Insulation resistance绝缘阻抗 4.5 Leakage current漏电流 SPEC (规格) 常用单词 Model: 机种revision: 版本issued date: 发行日期 P/n: 品名description: 说明remark: 备注 Reported by: 草拟checked by: 审核approved by: 核准 2. FN (factory notice):生产通知／ECN (engineering change notice)工程变更通知 2.1 FN: Immediated change 立即变更Running change 自然切换 2.2 ECN: old rev. new rev. drawing no. customer alteration ref. 旧版本新版本图号客户变更依据 3.Department 部门 3.1 MFG: manufacturing 3.1.1 AI: auto insertion 自动插件 3.1.2 preforming 预加工 3.1.3 SMD 表面黏着 3.2 QA: quality assurance 3.2.1 VQA 进料品质保证 3.2.2 PQC,FQC 制程品管 3.2.3 Calibration , safety 仪校,安规 3.3 PE: production engineering 制造工程 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学二零零 四 至二零零 五 学年第 二 学期期 中 《微电子电路设计》课程考试题（ 120 分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2005年 5 月 日 1. Identify the source, drain, gate and bulk terminals, and find the current I in the transistors in the following Figure. Assume 2'/25V A K n μ=，V TN =0.75V . (16pts) (problem4.3) Solution: (a) V V V V V V V V V S D D S S G G S 2.0)2.0(0, 5=--=-==-= A V A V V V V L W K I I DS DS TN G n DS μμ2082.022.075.02.51102522' =??? ? ?--=??? ??--== (b) V V V V V V V V V S D D S S G G S 2.0)2.0(0, 2.5)2.0(5=--=-==--=-= A V A V V V V L W K I I DS DS TN G n DS μμ2182.022.075.02.51102522' -=??? ? ?--=??? ??---=-= ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 2. Design the bias circuit in the following figure to give the Q-point of mA I C 10= and V V EC 3= if the transistor current gain is 75=F β and V V BE 7.0=.What is the Q-point if the current gain of the transistor is actually 40? (15 pts) ( problem 5.62 ) Solution: Ω →Ω=-==Ω→Ω=-===+= =-=+-=183.171333.0)7.03( ,68069110013)310( 13.101075 76 1 ,10)(10k mA V I -V V R mA V R mA mA I I I R I R I I V B EB EC B C C F F F C E C E C B C EC ββα 0)5()(6801800007.05=--+---B C B I I I mA I I A V I B F C B 108.8, 7.202)680(41180007.010===Ω +-= βμ V mA V V EC 35.4680)311.8(10=Ω-= )35.4,11.8(:int V mA po Q -? 3. Find V OH , V OL and the power dissipation (for v o =V OL ) for the logic inverter with the saturated load in the following figure. Assume 0=γ, and 2' /25V A K n μ=，V V TN 1=. (16 pts) (Problem7.12m) Solution: V V V V For TN D D O H 6.216.3,0=-=-==γ如何阅读英文芯片数据手册
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