金属氧化物和有机薄膜晶体管的溶液法制备与应用研究

金属氧化物和有机薄膜晶体管的溶液法制备及应用研究目录

目录

第一章绪论 (1)

1.1引言 (1)

1.2晶体管器件简介 (2)

1.3半导体层类型 (5)

1.3.1硅半导体晶体管 (5)

1.3.2金属氧化物半导体 (6)

1.3.3有机半导体 (8)

1.3.4量子点 (10)

1.3.5碳纳米管和石墨烯 (11)

1.3.6其它二维材料 (13)

1.3.7小结 (16)

1.4金属氧化物和有机半导体层的制备工艺 (17)

1.4.1气相法 (17)

1.4.1.1物理气相沉积 (17)

1.4.1.2化学气相沉积 (18)

1.4.1.3磁控溅射 (18)

1.4.1.4脉冲激光沉积 (19)

1.4.1.5分子束外延 (19)

1.4.2溶液法 (19)

1.4.2.1旋涂法 (19)

1.4.2.2提拉法 (20)

1.4.2.3溶液剪切法 (20)

1.4.2.4喷涂法 (20)

1.4.2.5绕线的棒式涂布法和刮涂法 (20)

1.4.2.6气溶胶喷射法 (21)

1.4.2.7喷墨打印法 (21)

1.4.2.8丝网印刷 (21)

1.4.2.9凹版印刷 (22)

1.4.3小结 (22)

1.5前言分析及本论文主要研究内容 (22)

目录金属氧化物和有机薄膜晶体管的溶液法制备及应用研究第二章碳水化合物辅助燃烧合成实现高性能氧化物晶体管 (24)

2.1引言 (24)

2.2实验部分 (25)

2.2.1IGZO前驱体制备 (25)

2.2.2DSC和TGA测量 (25)

2.2.3氧化物薄膜制备及器件性能 (26)

2.2.4氧化薄膜结构的表征 (26)

2.3结果与讨论 (27)

2.3.1葡萄糖辅助燃烧的IGZO晶体管测试 (27)

2.3.2真空干燥后的前驱体的热分析 (31)

2.3.3不同糖对IGZO晶体管性能的影响 (34)

2.3.4薄膜形态和组织结构 (37)

2.4本章小结 (40)

第三章协同燃烧合成金属氧化物半导体的薄膜晶体管 (42)

3.1引言 (42)

3.2实验部分 (42)

3.2.1前驱体的制备 (42)

3.2.2前驱体的化学和结构表征 (43)

3.2.3薄膜制备及结构形态表征 (44)

3.2.4IGZO薄膜晶体管的测试 (44)

3.3结果 (44)

3.3.1燃烧前驱体的表征 (44)

3.3.2IGZO薄膜晶体管电学性能 (48)

3.4讨论 (51)

3.4.1薄膜形态和微观结构 (51)

3.4.2前驱体的化学表征 (53)

3.5本章小结 (60)

第四章喷雾燃烧合成法制备溶液加工全氧化物透明高性能晶体管 (61)

4.1引言 (61)

4.2实验部分 (62)

4.2.1材料和前驱体制备 (62)

4.2.2金属氧化物薄膜的制备 (63)

4.2.3薄膜的结构表征及器件性能 (63)

金属氧化物和有机薄膜晶体管的溶液法制备及应用研究目录4.3结果与讨论 (64)

4.3.1电介质的制备与性能 (64)

4.3.2喷雾燃烧法制备的器件性能 (70)

4.3.3喷雾燃烧法制备的全金属氧化物晶体管 (75)

4.4本章小结 (79)

第五章快速提拉法在疏水表面图案化生长有机半导体薄膜 (80)

5.1引言 (80)

5.2实验部分 (81)

5.2.1材料与薄膜制备 (81)

5.2.2有机薄膜的表征及器件测试 (81)

5.3结果与讨论 (82)

5.3.1薄膜的形态和结构 (82)

5.3.2薄膜选择性生长的研究 (84)

5.3.3图案化有机薄膜晶体管的电学表征 (89)

5.4本章小结 (91)

第六章快速图案化制备的有机半导体晶体管及其氨气传感器性能的研究 (92)

6.1引言 (92)

6.2实验部分 (93)

6.2.1图案化晶体管的制备 (93)

6.2.2薄膜形态及结构表征 (93)

6.2.3器件的气体传感测试 (93)

6.3结果与讨论 (93)

6.3.1微条带的形态与晶体结构 (93)

6.3.2薄膜晶体管的氨气传感性能 (96)

6.3.3氨气传感机理探讨 (99)

6.4本章小结 (102)

结论 (103)

参考文献 (105)

攻读博士学位期间发表的论文 (124)

致谢 (126)