关于使用霍尔器件注意事项

关于使用霍尔器件注意事项
关于使用霍尔器件注意事项

集成霍尔器件在使用中

几个注意事项

集成霍尔器件是一种半导体的磁敏器件,用于测量磁场的有无,大小及方向,由于它对磁敏感,本身又有放大电路集成在内部,因此,输出讯号较大,使用中不再加运放放大,用起来非常方便。

从应用来看,分成线性及开关两类,开关应用中又分为单极、双极及锁存三种工作模式。

在集成霍尔器件的应用中,要注意下列事项:

一、在测试及焊接过程中的注意事项——防止静电烧毁

静电对半导体器件的毁坏作用,日益显得突出,由于半导体器件是微功率器件,在集成电路中每一个晶体管的功率很小,耐压有一定的要求。如果受静电的冲击,很容易损坏。

静电在日常生活及实验室中处处存在。静电是由于两种或多种物品的摩擦而引起的,例如毛衣和尼龙衣服的摩擦,可以产生静电放电。在黑暗处可以看到火花,听到放电的声音,有时切割材料,也是产生摩擦,引起静电。

静电由摩擦产生,因此静电势的高低也是根据不同的物质及摩擦的情况而定的。

按照静电的大小,分为三类:

1、第一类是所用的元器件,对静电损伤最敏感,其静电电压在0-1000伏之间,就会损坏器件。

2、第二类是所用的元器件,对静电放电敏感,其静电电压为1000-4000伏之间,在这一电压下,会损坏器件。

3、第三类是所用的元器件,对静电放电不敏感,其静电电压高到4000-15000伏,才损坏器件。

Si集成半导体霍尔开关及线性电路是属于第一类的元器件,因此很容易受静电的损坏。Si集成HALL器件在出厂时用金属纸袋包封,或是用去静电的塑料袋包封,以防止静电的损伤。但在运输过程中,由于摩擦,包装表面

也会产生静电,为了防止静电损坏器件,要求在启封以后,严格导循下列程序:

(一)防止静电烧毁

1、对测试人员,最好穿无静电的棉布衣服。如果穿毛衣或尼龙衣服,则会产生静电。因此要求在手腕上或脚上带一只金属环,该环与地线相接,如果身上出现静电,则能很快消除。

2、所用测试工具台及其它金属部分也应接地。如果不采取措施而身上带有高压静电,则:一种情况是霍尔器件处于与地绝缘的状态,则在取霍尔器件时,霍尔器件与操作人员同电位,在测试时由于测试系统接地,会造成对地短路的情况,则在接触霍尔器件时,即会通过霍尔器件对地放电而损坏器件。

前面说过静电的产生是由于物体的摩擦,因此静电电压的高低是不确定的,所带的电荷也是不确定的,这就意味着经过静电放电冲击的霍尔器件不是每一只一定损坏掉。它们在经过静电放电后,有不同程度的损坏,但是这种不同程度的损坏,在今后的使用中,会影响到它的寿命,有些严重损坏的,可能当时就不能用,已经失去逻辑作用,而轻微损伤的器件,则在今后的使用中,会慢慢呈现出来。

因此,静电损伤是应当严格防止的。

(二)测试过程中,对测试设备及测试方法的要求:

1、测试时要求使用输出低阻抗恒压源,并要求有较高的负载能力,例如无负载时,电压为5.00伏,接上霍尔器件后,仍然是5.00伏。

2、在测试系统中,要加保护电路,以吸收外电路及电源起伏时带来的影响。

3、在测试中要插拔霍尔器件,不要开关电源的开关,因为在电源质量不是太好的情况下,开启或关闭电源的开关时,会出现瞬时

的高电压脉冲,足以烧毁霍尔器件或对霍尔器件造成不同程度的损伤。

正确电路图

错误电路图

4、对一些稳压电流电源实测结果,每次开关电源,在电源输出为直流3伏时,仍然可以从存储示波器上观察到15-30伏的电压脉冲,这对器件是一个很大的威胁。

5、这种电脉冲是由于反复开关220伏交流电源时不同的电动势所造成的。

6、测试完的器件应存放在接地的金属盒中,或去静电的塑料袋中存放。

(三)霍尔电路的焊接

1、对焊接人员仍然如前所述,要采取防静电的措施

2、所用工具,特别是焊接用的电烙铁,必须严格接上地线,以保证电烙铁不漏电,即电烙铁的铁皮是接地的。

3、所有设备都应严格接地,并用检电笔逐个查明确无漏电,才能开始工作

4、在焊接中要使用高质量的低温焊锡,焊接时间小于3秒,温度不要超过300?C。

5、要求印制板及霍尔器件管腿严格经过清洁处理,使它于焊锡有良好的浸润性。

二、在电路装配及使用过程中的注意事项——防止高压电脉冲的烧毁

在霍尔器件装上印制板,在实际应用过程中,最主要的是防止高压电脉冲的冲击。

(一)由于霍尔电路与其它电路做在一起,整体的功耗较大,这时静电冲击的作用显得不是太重要,因为静电电压虽高,但它本身输不出功耗,没有持续的电流。特别是电路有保护的情况下,通常可以认为这时静电冲击已不太起作用。

(二)但这时电源的开关机时的瞬时高压脉冲对霍尔器件是一个主要威胁。实际证明,即使是正规厂家出厂的合格电源,在电源的开关机中,仍然存在相当大的瞬时电脉冲。前面已经说过,切断电源有两种方法:一种是切断交流220伏的电源。另一种是切断电源的直流电源部分,但在实际应用中只能去切断220伏的交流电源。

这一高电压脉冲的产生很好理解,因为在50C/S的电源变压器中,正常情况下是一个正弦波形。因此输入输出的电压幅度是确定的,但在每一次开关机过程中,它的电脉冲幅度是不一样的,它取决于开启或断开的瞬间。在50C/S正弦波的任何位置上切断或接通,都会造成电动势,即dv/dt。这时相当于一个脉冲变压器的瞬间,开关电源时的dv/dt大得多。因此会出现一个瞬间的高电压脉冲。这一电压脉冲会不同程度损伤霍尔器件。

(三)在设计实用的霍尔器件电源时,必须考虑用保护电路去吸收过压电脉冲,常常通用的办法是用大电容及稳压二极管。

附图

电容的容量必须足够大,如500uf或1000uf,而且应当采用多级保护。稳压二极管必须有一定的功率,及快速响应,如果在这样的情况下仍然有高的电压脉冲,则可以考虑用两级电源块:

附图

电源块I和电源块II之间一般留2-3伏的压差如电源块I用7808,则电源块II用7805。电容的容量仍然要足够大。

另外在选用的变压器中,最好使用隔离变压器,以消除由于220伏电源中引入的瞬间高电压波动。

对于有蓄电池供电同时进行的情况,如电子水表的情况,平时是用220伏交流提供的5伏直流电源供电。当停电时,由表内蓄电池供电,220伏交流恢复供电后,电源除给表供电外,还给蓄电池充电,由于停电时间长短不一样,它的阻抗也不同,对通电后电脉冲的吸收能力也不一样。

在电路已经装配好以后,电压脉冲对电路的破坏性很大,它对小功率半导体器件——例如霍尔器件的破坏性也非常明显。实验证明,即使有时只采用电容吸收电压峰值的办法也不一定有效,因为电容有一个充电过程,但高压脉冲直接进入霍尔集成电路。

但是,高压脉冲的总的功率并不大,因此只要电路的负载阻抗较小,就能有效的防止电脉冲,例如单只器件SS400系列的最大供电电流是10mA,这时在电源开关中的瞬时脉冲可能会到30伏,这一电压已高于SS400系列的最大允许电压24伏,会引起器件的损坏。但是如果这时还带有别的负载,或几只霍尔电路并联,需要供出30mA的电流,这时高压脉冲的峰值会降到24伏以下,使霍尔器件处于安全的运用状态。

在实验中有这样的情况,用同一个电流,去测量单个器件时,有时会损坏器件,但是当器件装在电路中时,由于需要提供较大的电流。这时损坏的情况就很小。由此可以看出,把霍尔集成电路和别的电路并联在一起,或多只霍尔器件并联使用,能有效的减少电脉冲的损坏。

前面说过,过压脉冲是由于瞬时开关的电动势引起的。它能损坏半导体的PN结,导致器件损坏,但是它没有太大的功率,不能持续提供功率,在很短的时间内即已消失。因此有时损坏了器件,但不一定损坏保护电路,这也说明有时只用单只电容并不一定能对器件进行有效的保护。

三、在电路接口上的注意事项——防止大电流烧毁

由于大电流引起霍尔器件的烧毁,也是损坏霍尔电路的一个原因。但在实际应用中,出现这种现象较少,只要在正常的使用条件下,不会出现大电流烧毁的情况。

(一)霍尔集成电路的极性不能接反,如果极性接反,就一定是大电流烧毁。这时器件发热,随之烧毁。因为原来设计时Vce电压均大于24伏,现在是发射极接正电源,Veb的击穿电压很低,是高浓度的发射极区。这种只是一个人为的错误,只要认真按说明书的连接方法,就不会出现这一问题。因此在通电前,要看好说明书。这一问题对老用户来讲,不会有什么问电流太大的情况;这种情况题。

(二)负载电流太大的情况;这种情况主要是霍尔电路输出所带负载太重,这种负载如逻辑电路TTL,在霍尔电路输出为低电平时,TTL门电路会向它注入电流,如图所示:

它本身有一个注入电流Io=(Vcc-Vec)/Ro 再加上 nI=(V-Vec-Veb)/R1,两者电流的和不能超过50mA 。当然电路本身有一定的保护作用,即当ib 固定,Io 加大时,三极管本身会脱离饱和状态而进入线性区,提供了Voec 电压,使注入电流减小。但由于Voec 增加,也会增加管子的功耗。

在这种情况,即电流沉的情况。不怕输出对地短接,这时只要负载电阻功耗足够大,不会烧毁R ,在使用中是安全的。 这时带的负载很多,

每个TTL 电路都会通过限流电阻R1-Rn 向霍尔电流最后一级的晶体管注入电流,而霍尔电流的最后一级是: 但对电流源的情况输出一般不能对地短路。否则由于Vs 电压太高时,如24伏,当Ib 电流较大时会损坏PNP 管。

(三)对VLs 电压的要求:有时为了工作方便,另外加-VLs 电压,该电压不能超过24伏,否则当管子截止时,要承受高于24伏的电

压,会造成输出管子的击穿损坏。

霍尔元件应用及与磁钢的配合使用

霍尔元件应用及与磁钢的配合使用 1 霍尔器件的应用 1.1 应用的一般问题 1.1.1 测量磁场 使用霍尔器件检测磁场的方法极为简单,将霍尔器件作成各种形式的探头,放在被测磁场中,因霍尔器件只对垂直于霍尔片的表面的磁感应强度敏感,因而必须令磁力线和器件表面垂直,通电后即可由输出电压得到被测磁场的磁感应强度。若不垂直,则应求出其垂直分量来计算被测磁场的磁感应强度值。而且,因霍尔元件的尺寸极小,可以进行多点检测,由计算机进行数据处理,可以得到场的分布状态,并可对狭缝,小孔中的磁场进行检测。 1.1.2 工作磁体的设置 用磁场作为被传感物体的运动和位置信息载体时,一般采用永久磁钢来产生工作磁场。例如,用一个5×4×2.5(mm3)的钕铁硼Ⅱ号磁钢,就可在它的磁极表面上得到约2300高斯的磁感应强度。在空气隙中,磁感应强度会随距离增加而迅速下降。为保证霍尔器件,尤其是霍尔开关器件的可靠工作,在应用中要考虑有效工作气隙的长度。在计算总有效工作气隙时,应从霍尔片表面算起。在封装好的霍尔电路中,霍尔片的深度在产品手册中会给出。 因为霍尔器件需要工作电源,在作运动或位置传感时,一般令磁体随被检测物体运动,将霍尔器件固定在工作系统的适当位置,用它去检测工作磁场,再从检测结果中提取被检信息。工作磁体和霍尔器件间的运动方式有:(a)对移;(b)侧移;(c)旋转;(d)遮断。如图7所示,图中的TEAG即为总有效工作气隙。 图7 霍尔器件和工作磁体间的运动方式 在遮断方式中,工作磁体和霍尔器件以适当的间隙相对固定,用一软磁(例如软铁)翼片作

为运动工作部件,当翼片进入间隙时,作用到霍尔器件上的磁力线被部分或全部遮断,以此来调节工作磁场。被传感的运动信息加在翼片上。这种方法的检测精度很高,在125℃的温度范围内,翼片的位置重复精度可达50μm。 图8 在霍尔器件背面放置磁体 也可将工作磁体固定在霍尔器件背面(外壳上没打标志的一面),让被检的铁磁物体(例如钢齿轮)从它们近旁通过,检测出物体上的特殊标志(如齿、凸缘、缺口等),得出物体的运动参数。 1.1.3 与外电路的接口 霍尔开关电路的输出级一般是一个集电极开路的NPN晶体管,其使用规则和任何一种相似的NPN开关管相同。输出管截止时,输漏电流很小,一般只有几nA,可以忽略,输出电压和其电源电压相近,但电源电压最高不得超过输出管的击穿电压(即规范表中规定的极限电压)。输出管导通时,它的输出端和线路的公共端短路。因此,必须外接一个电阻器(即负载电阻器)来限制流过管子的电流,使它不超过最大允许值(一般为20mA),以免损坏输出管。输出电流较大时,管子的饱和压降也会随之增大,使用者应当特别注意,仅这个电压和你要控制的电路的截止电压(或逻辑“零”)是兼容的。 以与发光二极管的接口为例,对负载电阻器的选择作一估计。若在Io为20mA(霍尔电路输出管允许吸入的最大电流),发光二极管的正向压降VLED=1.4V,当电源电压VCC=12V 时,所需的负载电阻器的阻值(4) 和这个阻值最接近的标准电阻为560?,因此,可取560?的电阻器作为负载电阻器。 用图9表示简化了的霍尔开关电路,图10表示与各种电路的接口:(a)与TTL电路;(b)与CMOS电路;(c)与LED;(d)与晶闸管。

霍尔传感器工作原理

半导体薄片置于磁感应强度为 B 的磁场中,磁场方向垂直于薄片,如图所示。当有电流 I 流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势 EH ,这种现象称为霍尔效应,该电动势称为霍尔电势,上述半导体薄片称为霍尔元件。 原理简述如下:激励电流 I 从 a 、 b 端流入,磁场 B 由正上方作用于薄片,这时电子 e 的运动方向与电流方向相反,将受到洛仑兹力 FL 的作用,向内侧偏移,该侧形成电子的堆积,从而在薄片的 c 、 d 方向产生电场 E 。电子积累得越多, FE 也越大,在半导体薄片 c 、 d 方向的端面之间建立的电动势 EH 就是霍尔电势。 由图可以看出,流入激励电流端的电流 I 越大、作用在薄片上的磁场强度B 越强,霍尔电势也就越高。磁场方向相反,霍尔电势的方向也随之改变,因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。 半导体薄片置于磁感应强度为 B 的磁场中,磁场方向垂直于薄片,如图所示。当有电流 I 流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势 EH ,这种现象称为霍尔效应,该电动势称为霍尔电势,上述半导体薄片称为霍尔元件。 原理简述如下:激励电流 I 从 a 、 b 端流入,磁场 B 由正上方作用于薄片,这时电子 e 的运动方向与电流方向相反,将受到洛仑兹力 FL 的作用,向内侧偏移,该侧形成电子的堆积,从而在薄片的 c 、 d 方向产生电场 E 。电子积累得越多, FE 也越大,在半导体薄片 c 、 d 方向的端面之间建立的电动势 EH 就是霍尔电势。 由图可以看出,流入激励电流端的电流 I 越大、作用在薄片上的磁场强度B 越强,霍尔电势也就越高。磁场方向相反,霍尔电势的方向也随之改变,因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。

霍尔元件应用

霍尔元件应用 霍尔元件之作用原理也就是霍尔效应,所谓霍耳效应如图1 所示,系指将电流I 通至一物质,并对与电流成正角之方向施加磁场B 时,在电流与磁场两者之直角方向所产生的电位差V 之现象。此电压是在下列情况下所产生的,有磁场B 时,由于弗莱铭(Fleming)左手定则,使洛仁子力(即可使流过物质中之电子或正孔向箭头符号所示之方向弯曲的力量:(Lorentz force)发生作用,而将电子或正孔挤向固定输出端子之一面时所产生。电位差V 之大小通常决定于洛仁子力与藉所发生之电位差而将电子或正孔推回之力(亦即前者之力等于后者之力),而且与电流I 乘以磁场B 之积成比例。比例常数为决定于物质之霍耳常数除以物质在磁场方向之厚度所得之值。 图1 霍尔组件之原理 在平板半导体介质中,电子移动(有电场)的方向,将因磁的作用(有磁场),而改变电子进的方向。电场与磁场互相垂直时,其传导的载子(电子或电),将集中于平板的上下两边,因而形成电位差存在的现象。该电位差即霍尔 电压(霍尔电压)在实际的霍尔组件中,一般使用物质中之电流载子为电子的N 型半导体材料。将一定之输入施加至霍尔组件时之输出电压,利用上述之关系予以分析时,可以获致下列的结论:(1) 材料性质与霍尔系数乘以电子移动度之积之平方根成正比。(2) 材料之形状与厚度之平方根之倒数成正比。由于上述关系,实际的霍尔组件中,可将霍尔系数及电子移动度大的材料加工成薄的十字形予以制成。 图2 系表示3~5 端子之霍尔组件的使用方法,在三端子霍尔元件之输出可以产生输入端子电压之大致一半与输出信号电压之和的电压,而在四端子及五端子霍尔组件中,在原理上虽然可以免除输入端子电压的影响,但实际上即使

霍尔传感器制作实训报告

佛山职业技术学院 实训报告 课程名称传感器及应用 报告内容霍尔传感器制作与调试 专业电气自动化技术 班级08152 姓名陈红杰‘’‘’‘’‘’‘’‘’‘’‘ 学号31 二0一0年六月 佛山职业技术学院

《传感器及应用》 霍尔传感器制作实训报告 班级08152学号31 姓名陈红杰时间2009-2010第二学期项目名称霍尔传感器电路制作与 指导老师张教雄谢应然调试 一、实验目的与要求: 1.对霍尔传感器的实物(电路部分)进行一个基本的了解。 2.了解双层PCB板以及一定(霍尔传感器)的焊接排版的技术和工艺。 二、实验仪器、设备与材料: 1.认识霍尔传感器(电路部分)的元件(附图如下): 2.焊接电路PCB板(双层)和对电路设计的排版工艺的了解。 3.对霍尔传感器的电路原理图进行基本的分析(附图如下):

实验开始,每组会得到分发的元件,我先由霍尔传感器的电路原理图开始分析,将每个元件插放好位置,这点很重要,如果出了问题那么会使电路不能正常工作,严重的还有可能导致电路元件受损而无法恢复。所以我先由霍尔传感器的电路原理图开始着手,分析清楚每个元件的指定位置,插放好了之后再由焊接,最后要把多余的脚剪掉。 整个电路的元件除了THS119是长脚直插式元件之外,其余的元件均为低位直插或者贴板直插。 焊接的过程中,所需要注意的事情就是不能出现虚焊脱焊或者更严重的烙铁烫坏元件的表壳封装损坏印制电路板等。这些都是在焊接的整个过程中要注意的事情。 比如,焊接三端稳压管7812时,要考虑到电路板的外壳封装和三端稳压管7812的散热问题,如果直插焊接的话那么就会放不进塑料外壳里,还有直插没有折引脚的话对三端稳压管7812的散热影响很大。综合这些因素再去插放焊接元件,效果会好很多。 又比如,焊接THS119的时,原本PCB板在设计的时已经排好版了,就是在TL082的背面插放THS119。这样的设计很巧妙,能够保证每一个THS119插进去焊接完了之后都能很好地与塑料外壳严密配合安放进去。因为这是利用了IC引脚与PCB板的间距来实现定距离的,绝不会给焊接带来任何麻烦。 最后,顺便提及一下,在保证能将每一个元件正确地焊接在印制电路板上的前提条件下要尽量将元件插放焊接得美观。 五、实验心得体会 (1)首先,从整个霍尔传感器来看,设计的电路的合理性,元件的选用,还有焊接的制作工艺是保证整个电路能正常工作前提。 (2)在学习电子电路的过程中,急需有一个过度期,焊接霍尔传感器电路的过程当中就会得到一个这样的练习。 (3)简单的说就是,拿到一张电路原理图未必做得出一个比较好的产品,这里需要对整个电路设计的元件参数的考虑和排版,元件插放等等。只有将这些问题逐一解决了,才能做好一个电路,也只有这样才能做好一个产品。 (4)霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低。霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁场强度。 六、实验收获 从拿到第一个元件开始,我仍然没有太多的收获,直到开始分析整个电路原理图的时候才慢慢开始了解到一些确实精巧的设计,可以说是独具匠心,到整个霍尔传感器电路完成之后才算是明白了一二。 在此,我具体地说说。首先,为什么不用一个普通的稳压管替代Z2这个精密稳压集成电路TL431呢?我查阅相关资料知道它的温度范围宽能在 区间工作。将其的R、C脚并焊再串上一个电阻来等效代替电

霍尔器件在电机中的原理及作用介绍

霍尔器件在电机中的原理及作用介绍 霍尔器件是一种磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。霍尔器件具有许多优点,它们的结构牢固,体积小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高(可达1MHZ),耐震动,不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。 原理: 有霍尔型是通过电机的霍尔型号来判断当前电机运动的状态,然后控制器根据霍尔所采集的信号再控制控制器的三相输出来给电机供电,让电机持续正常的工作。 无霍尔型的是电机无霍尔传感器,控制器通过电流采集来判断电机当前的运动状态,然后控制控制器输出来给电机供电,让电机争产工作。 作用: 有霍尔型电机和控制器在使用时稳定,启动时扭矩大,无异响。 无霍尔型电机和控制器在使用时因技术问题,目前还不是很稳定,特别是在起步阶段,稳定性差,动力不够。 在电动自行车中有多处利用了霍尔传感器,如调速转把,刹把,以及无刷电机中等。 电动车调速转把:调速转把顾名思义是电动车的调速部件,这是一种线性调速部件,样式很多但工作原理是一样的。它一般位于电动车的右边,既骑行时右手的方向,电动车转把的转动角度范围在0—30度制之间。 电动车刹把:转把信号是电动车电机旋转的驱动信号,刹信号是电机停止转动的制动信号。电动车标准要求电动车在刹车制动时,控制器应能自动切断对电机的供电。因此电动车闸把上应该有闸把位置传感元件,在有捏刹车把动作时,将刹车信号传给控制器,控制器接受到刹车信号后,立即停止对电机的供电。 无刷电机:现在的电动助力车,一般都采用如下三种电机:高效低速稀土永磁直流无刷电机、高效低速永磁直流有刷电机、高效高速稀土永磁直流有刷电机。直流电机在转动过程中,绕组中的电流要不断地改变方向,以使转子向一个方向转动。其中,有刷

常用霍尔元件封装图以及霍尔元件对应型号和霍尔的应用

常用霍尔元件封装图以及霍尔元件对应型号和霍尔的应用 三脚插片封装是霍尔元件常用的一种封装形式,它的英文简称是 TO-92或 者SlP-3。三脚插片封装都有标准尺寸,在厚度上会有细微的厚薄之分,但不影 响使用。常用的三脚插片封装霍尔元件型号有 YS4仆.YS43F,YS44E,YS188,YS282 等等。单极,双极锁存,全极性霍尔所用三脚插片封装形式最多,可用于无刷电 机,速度检测,家用电器,玩具设备,便携式电子等所有工控领域。 霍尔三脚插片 TO-92/SIP-3 封装图 管腿说明:1?电源2.地3?输出

霍尔三脚贴片SOT-23封装图 霍尔元件封装形式中的三脚贴片封装(SOT-23)是一种小型化的封装,它 的封装体积有大有小,贴片封装相比插片封装在安装上更便捷,也更节省人工。 常用的霍尔元件三脚贴片封装型号有: YS39E,YS1254,YS3254,YS282等。

霍尔四脚贴片 SOT-23-4封装图 狂9±口】 OE IE 0 方 霍尔元件四脚贴片(SOT-23-4)封装形式,这种封装形式的霍尔有四个管脚, 双输入,双输出。四脚贴片霍尔常用型号有: HG-106C,HG106A,HG166A,HW101A,HW108A 等等,并且以线性霍尔元件居多。 主要用于磁场检测,仪器仪表,电流传感器等。 一样接 F?ning _ ? ■;jFζκ; fc / 1-, 続 ,J 入力“ InPUt B) ■ ????g - 厂士 04 F≡= ∣?∣ L∩ ■ 0~0?1

霍尔四脚插片DIP-4封装图 霍尔元件四脚插片( DIP-4)封装形式,四脚插片霍尔常用 型号有: HG-302C,HG-302A,HG-362A,HW-300B,HW-302B,HW-322B 等等,四脚插片封装 是双输入,双输出。以线性霍尔元件居多。 HG 系列四脚霍尔主要用于恒流源, HW 系列四脚霍尔主要用于恒压源。多用于电流传感器,高斯计等磁检测产品中。 1 ---- - Γ M -?≡- NE b□ — Γ M r 熾一 接続 Pinning 入力 InPUt 出力 OUtPUt ??fc? ■ " ??, ? ? 4(+) _ _ 0.95-EJ 汁 02

霍尔传感器用法

一、霍尔电流电压传感器、变送器的基本原理与使用方法 1.霍尔器件 霍尔器件是一种采用半导体材料制成的磁电转换器件。如果在输入端通入控 制电流I C ,当有一磁场B穿过该器件感磁面,则在输出端出现霍尔电势V H 。 如图1-1所示。 霍尔电势V H 的大小与控制电流I C 和磁通密度B的乘积成正比,即:V H =K H I C Bsin Θ 霍尔电流传感器是按照安培定律原理做成,即在载流导体周围产生一正比于该电流的磁场,而霍尔器件则用来测量这一磁场。因此,使电流的非接触测量成为可能。 通过测量霍尔电势的大小间接测量载流导体电流的大小。因此,电流传感器经过了电-磁-电的绝缘隔离转换。 2.霍尔直流检测原理 如图1-2所示。由于磁路与霍尔器件的输出具有良好的线性关系,因此霍尔 器件输出的电压讯号U 0可以间接反映出被测电流I 1 的大小,即:I 1 ∝B 1 ∝U 我们把U 0定标为当被测电流I 1 为额定值时,U 等于50mV或100mV。这就制成 霍尔直接检测(无放大)电流传感器。

3.霍尔磁补偿原理 原边主回路有一被测电流I1,将产生磁通Φ1,被副边补偿线圈通过的电流I2所产生的磁通Φ2进行补偿后保持磁平衡状态,霍尔器件则始终处于检测零磁通的作用。所以称为霍尔磁补偿电流传感器。这种先进的原理模式优于直检原理模式,突出的优点是响应时间快和测量精度高,特别适用于弱小电流的检测。霍尔磁补偿原理如图1-3所示。 从图1-3知道:Φ 1=Φ 2 I 1N 1 =I 2 N 2 I 2=N I /N 2 ·I 1 当补偿电流I 2流过测量电阻R M 时,在R M 两端转换成电压。做为传感器测量电 压U 0即:U =I 2 R M 按照霍尔磁补偿原理制成了额定输入从0.01A~500A系列规格的电流传感器。 由于磁补偿式电流传感器必须在磁环上绕成千上万匝的补偿线圈,因而成本增加;其次,工作电流消耗也相应增加;但它却具有直检式不可比拟的较高精度和快速响应等优点。 4.磁补偿式电压传感器 为了测量mA级的小电流,根据Φ 1=I 1 N 1 ,增加N 1 的匝数,同样可以获得高磁 通Φ 1 。采用这种方法制成的小电流传感器不但可以测mA级电流,而且可以测电压。 与电流传感器所不同的是在测量电压时,电压传感器的原边多匝绕组通过串 联一个限流电阻R 1,然后并联连接在被测电压U 1 上,得到与被测电压U 1 成比 例的电流I 1 ,如图1-4所示。

磁场的测定(霍尔效应法)汇总

霍尔效应及其应用实验 (FB510A型霍尔效应组合实验仪)(亥姆霍兹线圈、螺线管线圈) 实 验 讲 义 长春禹衡时代光电科技有限公司

实验一 霍尔效应及其应用 置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的,后被称为霍尔效应。如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量的电测量、自动控制和信息处理等方面。在工业生产要求自动检测和控制的今天,作为敏感元件之一的霍尔器件,将有更广泛的应用前景。掌握这一富有实用性的实验,对日后的工作将有益处。 【实验目的】 1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。 2.学习用“对称测量法”消除副效应的影响,测量试样的S H I ~V 和M H I ~V 曲线。 3.确定试样的导电类型。 【实验原理】 1.霍尔效应: 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场H E 。如图1所示的半导体试样,若在X 方向通以电流S I ,在Z 方向加磁场B ,则在Y 方向即试样A A '- 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对图1(a )所示的N 型试样,霍尔电场逆Y 方向,(b )的P 型试样则沿Y 方向。即有 ) (P 0)Y (E )(N 0)Y (E H H 型型?>?< 显然,霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移,当载流子所受的横向电场力H E e ?

实验十三 霍尔效应测磁场---注意事项及操作步骤(姜黎霞)

实验十三 霍耳效应测磁场 一、注意事项 1. 双刀双掷开关上的连线已经固定连接好,请不要擅自拆卸。 2. 双刀双掷开关引出的导线红“+”、黑“-”,各表头对应的接线柱也是红“+”、黑“-”,连线时双刀双掷开关引出的导线并联到接线柱上,即“红接红,黑接黑”。导线连好后经老师检查,然后开电源。 3. 双刀双掷开关向上合闸规定为“+”,向下合闸规定为“-”。在整个实验过程中,霍耳电压H U 对应的双刀双掷开关向上合闸,固定不变,只有工作电流H S ()I I 和励磁电流M I 对应的双刀双掷开关会要求上、下换向合闸,其中励磁电流M I 对应的双刀双掷开关在合闸时动作要快,否则会产生电火花。 4. 实验结束后,先断电,后拆线。只拆自己连接的部分,其它线路保留。 5. 本实验有两种型号的仪器,工作电流分别表示为H I 或S I ,灵敏度分别表示为 H K 或H S 。 6. 每套仪器的灵敏度不同,具体数值标在仪器箱内的面板上,注意:有一种型号的仪器灵敏度单位不是国际单位制,要化为国际单位制,具体换算是: 1mV /mA KG 10V /A T ?=?( G :高斯,T :特斯拉) 二、操作步骤 1. 将三个双刀双掷开关引出的导线分别并联到与开关名目相同的接线柱上,经老师检查后,打开电源。 2. 将三个双刀双掷开关全部向上合闸,然后调节工作电流H S () 2.00mA I I =,励磁电流M 0.6A I =。注意:(1)励磁电流调节好后就固定了,直到实验结束都不需再调节。(2)有一种型号的仪器工作电流和励磁电流用同一个表头显示,需要用旁边的红色按钮转换。 3. 调节霍耳元件移动螺杆旋钮,测量霍耳元件在电磁铁两极间隙中5个不同任选位置的霍耳电压H U ,并将数据填入表13-1的草表中。

霍尔元件及其应用

霍尔元件及其应用 霍尔元件及其应用 摘要: 霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族,并已得到广泛的应用。本文简要介绍其 工作原理,产品特性及其典型应用。 1 引言 霍尔器件是一种磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。 霍尔器件具有许多优点,它们的结构牢固,体积小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高(可达1MHZ),耐震动,不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。 霍尔线性器件的精度高、线性度好;霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高(可达μm级)。取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽,可达-55℃~150℃。 按照霍尔器件的功能可将它们分为: 霍尔线性器件和霍尔开关器件。前者输出模拟量,后者输出数字量。 按被检测的对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性,后者是检测受检对象上人为设置的磁场,用这个磁场来作被检测的信息的载体,通过它,将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等,转变成电量来进行检测和控制。 2 霍尔效应和霍尔元件 2.1 霍尔效应 如图1所示,在一块通电的半导体薄片上,加上和片子表面垂直的磁场B,在薄片的横向两侧会出现一个电压,如图1中的VH,这种现象就是霍尔效应,是由科学家爱德文·霍尔在1879年发现的。VH称为霍尔电压。

(a)霍尔效应和霍尔元件 这种现象的产生,是因为通电半导体片中的载流子在磁场产生的洛仑兹力的作用下,分别向片子横向两侧偏转和积聚,因而形成一个电场,称作霍尔电场。霍尔电场产生的电场力和洛仑兹力相反,它阻碍载流子继续堆积,直到霍尔电场力和洛仑兹力相等。这时,片子两侧建立起一个稳定的电压,这就是霍尔电压。 在片子上作四个电极,其中C1、C2间通以工作电流I,C1、C2称为电流电极,C3、C4间取出霍尔电压VH,C3、C4称为敏感电极。将各个电极焊上引线,并将片子用塑料封装起来,就形成了一个完整的霍尔元件(又称霍尔片)。 (1) 或(2) 或(3) 在上述(1)、(2)、(3)式中VH是霍尔电压,ρ是用来制作霍尔元件的材料的电阻率,μn是材料的电子迁移率,RH 是霍尔系数,l、W、t分别是霍尔元件的长、宽和厚度,f(I/W)是几何修正因子,是由元件的几何形状和尺寸决定的,I是工作电流,V是两电流电极间的电压,P是元件耗散的功率。由(1)~(3)式可见,在霍尔元件中,ρ、RH、μn决定于元件所用的材料,I、W、t和f(I/W)决定于元件的设计和工艺,霍尔元件一旦制成,这些参数均为常数。因此,式(1)~(3)就代表了霍尔元件的三种工作方式所得的结果。(1)式表示电流驱动,(2)式表示电压驱动,(3)式可用来评估霍尔片能承受的最大功率。 为了精确地测量磁场,常用恒流源供电,令工作电流恒定,因而,被测磁场的磁感应强度B可用霍尔电压来量度。 在一些精密的测量仪表中,还采用恒温箱,将霍尔元件置于其中,令RH保持恒定。 若使用环境的温度变化,常采用恒压驱动,因和RH比较起来,μn随温度的变化比较平缓,因而VH受温度变化的影响较小。 为获得尽可能高的输出霍尔电压VH,可加大工作电流,同时元件的功耗也将增加。(3)式表达了VH能达到的极限——元件能承受的最大功耗。

霍尔传感器基本原理

霍尔电流电压传感器、变送器的基本原理与使用方法 1.霍尔器件 霍尔器件是一种采用半导体材料制成的磁电转换器件。如果在输入端通入控制电流I C ,当有一磁场B 穿过该器件感磁面,则在输出端出现霍尔电势V H 。如图1-1所示。 霍尔电势V H 的大小与控制电流I C 和磁通密度B的乘积成正比,即:V H =K H I C BsinΘ 霍尔电流传感器是按照安培定律原理做成,即在载流导体周围产生一正比于该电流的磁场,而霍尔器件则用来测量这一磁场。因此,使电流的非接触测量成为可能。 通过测量霍尔电势的大小间接测量载流导体电流的大小。因此,电流传感器经过了电-磁-电的绝缘隔离转换。 2.霍尔直流检测原理 如图1-2所示。由于磁路与霍尔器件的输出具有良好的线性关系,因此霍尔器件输出的电压讯号U 可以间接反映出被测电流I 1的大小,即:I 1 ∝B 1 ∝U 我们把U 0定标为当被测电流I 1 为额定值时,U 等于50mV或100mV。这就制成霍尔直接检测(无放大) 电流传感器。 3.霍尔磁补偿原理 原边主回路有一被测电流I1,将产生磁通Φ1,被副边补偿线圈通过的电流I2所产生的磁通Φ2进行补偿后保持磁平衡状态,霍尔器件则始终处于检测零磁通的作用。所以称为霍尔磁补偿电流传感器。这种先进的原理模式优于直检原理模式,突出的优点是响应时间快和测量精度高,特别适用于弱小电流的检测。霍尔磁补偿原理如图1-3所示。

从图1-3知道:Φ 1=Φ 2 I 1N 1 =I 2 N 2 I 2=N I /N 2 ·I 1 当补偿电流I 2流过测量电阻R M 时,在R M 两端转换成电压。做为传感器测量电压U 即:U =I 2 R M 按照霍尔磁补偿原理制成了额定输入从0.01A~500A系列规格的电流传感器。 由于磁补偿式电流传感器必须在磁环上绕成千上万匝的补偿线圈,因而成本增加;其次,工作电流消耗也相应增加;但它却具有直检式不可比拟的较高精度和快速响应等优点。 4.磁补偿式电压传感器 为了测量mA级的小电流,根据Φ 1=I 1 N 1 ,增加N 1 的匝数,同样可以获得高磁通Φ 1 。采用这种方法 制成的小电流传感器不但可以测mA级电流,而且可以测电压。 与电流传感器所不同的是在测量电压时,电压传感器的原边多匝绕组通过串联一个限流电阻R 1 ,然 后并联连接在被测电压U 1上,得到与被测电压U 1 成比例的电流I 1 ,如图1-4所示。 副边原理同电流传感器一样。当补偿电流I 2流过测量电阻R M 时,在R M 两端转换成电压作为传感器的 测量电压U 0,即 U =I 2 R M 5.电流传感器的输出 直接检测式(无放大)电流传感器为高阻抗输出电压,在应用中,负载阻抗要大于10KΩ,通常都是将其±50mV或±100mV悬浮输出电压用差动输入比例放大器放大到±4V或±5V。图5-1是两个实用电路,供参考。

霍尔元件简介及应用

霍尔元件简介及应用 霍尔元件之作用原理也就是霍尔效应,所谓霍耳效应如图1所示,系指将电流I 通至一物质,并对与电流成正角之方向施加磁场B 时,在电流与磁场两者之直角方向所产生的电位差V 之现象。此电压是在下列情况下所产生的,有磁场B 时,由于弗莱铭(Fleming)左手定则,使洛仁子力(即可使流过物质中之电子或正孔向箭头符号所示之方向弯曲的力量:(Lorentz force)发生作用,而将电子或正孔挤向固定输出端子之一面时所产生。电位差V 之大小通常决定于洛仁子力与藉所发生之电位差而将电子或正孔推回之力(亦即前者之力等于后者之力),而且与电流I 乘以磁场B 之积成比例。比例常数为决定于物质之霍耳常数除以物质在磁场方向之厚度所得之值。 图1 霍尔组件之原理

在平板半导体介质中,电子移动(有电场)的方向,将因磁力的作用(有磁场),而改变电子行进的方向。若电场与磁场互相垂直时,其传导的载子(电子或电洞),将集中于平板的上下两边,因而形成电位差存在的现象。该电位差即霍尔电压(霍尔电压)在实际的霍尔组件中,一般使用物质中之电流载子为电子的N 型半导体材料。将一定之输入施加至霍尔组件时之输出电压,利用上述之关系予以分析时,可以获致下列的结论: (1) 材料性质与霍尔系数乘以电子移动度之积之平方根成正比。 (2) 材料之形状与厚度之平方根之倒数成正比。 由于上述关系,实际的霍尔组件中,可将霍尔系数及电子移动度大的材料加工成薄的十字形予以制成。 图2系表示3~5 端子之霍尔组件的使用方法,在三端子霍尔元件之输出可以产生输入端子电压之大致一半与输出信号电压之和的电压,而在四端子及五端子霍尔组件中,在原理上虽然可以免除输入端子电压的影响,但实际上即使在无磁场时,也有起因于组件形状之不平衡等因素之不平衡电压存在。

用霍尔效应测量螺线管磁场 物理实验报告

华南师范大学实验报告 学生姓名 学 号 专 业 化学 年级、班级 课程名称 物理实验 实验项目 用霍尔效应测量螺线管磁场 实验类型 □验证 □设计 □综合 实验时间 2012 年 3 月 07 实验指导老师 实验评分 一、 实验目的: 1.了解霍尔效应现象,掌握其测量磁场的原理。 2.学会用霍尔效应测量长直通电螺线管轴向磁场分布的方法。 二、 实验原理: 根据电磁学毕奥-萨伐尔定律,通电长直螺线管线上中心点的磁感应强度为: 2 2 M D L I N B +??μ= 中心 (1) 理论计算可得,长直螺线管轴线上两个端面上的磁感应强度为内腔中部磁 感应强度的1/2: 2 2M D L I N 21B 21B +??μ? ==中心端面 (2) 式中,μ为磁介质的磁导率,真空中的磁导率μ0=4π×10-7 (T ·m/A),N 为螺线管的总匝数,I M 为螺线管的励磁电流,L 为螺线管的长度,D 为螺线管的平均直径。 三、 实验仪器: 1.FB510型霍尔效应实验仪 2.FB510型霍尔效应组合实验仪(螺线管) 四、 实验内容和步骤: 1. 把FB510型霍尔效应实验仪与FB510型霍尔效应组合实验仪(螺线管)正确连接。把励磁电流接到螺线 管I M 输入端。把测量探头调节到螺线管轴线中心,即刻度尺读数为13.0cm 处,调节恒流源2,使I s =4.00mA ,按下(V H /V s )(即测V H ),依次调节励磁电流为I M =0~±500mA ,每次改变±50mA, 依此测量相应的霍尔电压,并通过作图证明霍尔电势差与螺线管内磁感应强度成正比。 2. 放置测量探头于螺线管轴线中心,即1 3.0cm 刻度处,固定励磁电流±500mA ,调节霍尔工作电流为:I s =0~ ±4.00mA ,每次改变±0.50mA ,测量对应的霍尔电压V H ,通过作图证明霍尔电势差与霍尔电流成正比。 3. 调节励磁电流为500mA ,调节霍尔电流为 4.00mA ,测量螺线管轴线上刻度为X =0.0cm~13.0cm ,每次移动 1cm ,测各位置对应的霍尔电势差。(注意,根据仪器设计,这时候对应的二维尺水平移动刻度读数为:13.0cm 处为螺线管轴线中心,0.0cm 处为螺线管轴线的端面,找出霍尔电势差为螺线管中央一半的数值的刻度位置。与理论值比较,计算相对误差。按给出的霍尔灵敏度作磁场分布B ~X 图。) 五、 注意事项: 图1

霍尔传感器的原理及应用

第八章霍尔传感器 课题:霍尔传感器的原理及应用课时安排:2 课次编号:12 教材分析 难点:开关型霍尔集成电路的特性 重点:霍尔传感器的应用 教学目的和要求1、了解霍尔传感器的工作原理; 2、了解霍尔集成电路的分类; 3、掌握线性型和开关型霍尔集成电路的特性; 4、掌握霍尔传感器的应用。 采用教学方法和实施步骤:讲授、课堂互动、分析教具:各种霍尔元 件、霍尔传感器 各教学环节和内容 演示1: 将小型蜂鸣器的负极接到霍尔接近开关的OC门输出 端,正极接V cc端。在没有磁铁靠近时,OC门截止,蜂鸣 器不响。 当磁铁靠近到一定距离(例如3mm)时,OC门导通, 蜂鸣器响。将磁铁逐渐远离霍尔接近开关到一定距离(例 如5mm)时,OC门再次截止,蜂鸣器停响。 演示2: 将一根导线穿过10A霍尔电流传感器的铁芯,通入0.1~1A电流,观察霍尔IC的输出电压的变化,基本与输入电流成正比。 从以上演示,引入第一节霍尔效应、霍尔元件的工作原理。 第一节霍尔元件的工作原理及特性 一、工作原理 金属或半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中,磁场方向垂直于薄片,当有电流I流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势E H,这种现象称为霍尔效应(Hall Effect),该电动势称为霍尔电动势(Hall EMF),上述半导体薄片称为霍尔元件(Hall Element)。用霍尔元件做成的传感器称为霍尔传感器(Hall Transducer)。

图8-1霍尔元件示意图 a)霍尔效应原理图b)薄膜型霍尔元件结构示意图c)图形符号d)外形霍尔属于四端元件: 其中一对(即a、b端)称为激励电流端,另外一对(即c、d端)称为霍尔电动势输出端,c、d端一般应处于侧面的中点。 由实验可知,流入激励电流端的电流I越大、作用在薄片上的磁场强度B越强,霍尔电动势也就越高。霍尔电动势E H可用下式表示 E H=K H IB(8-1)式中K H——霍尔元件的灵敏度。 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件,而是与其法线成某一角度θ时,实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向(与薄片垂直的方向)的分量,即B cosθ,这时的霍尔电动势为 E H=K H IB cosθ(8-2) 从式(8-2)可知,霍尔电动势与输入电流I、磁感应强度B成正比,且当B的方向改变时,霍尔电动势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场,则霍尔电动势为同频率的交变电动势。 目前常用的霍尔元件材料是N型硅,霍尔元件的壳体可用塑料、环氧树脂等制造。 二、主要特性参数 (1)输入电阻R i恒流源作为激励源的原因:霍尔元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。它的数值从几十欧到几百欧,视不同型号的元件而定。温度升高,输入电阻变小,从而使输入电流I ab变大,最终引起霍尔电动势变大。使用恒流源可以稳定霍尔原件的激励电流。 (2)最大激励电流I m激励电流增大,霍尔元件的功耗增大,元件的温度升高,从而引起霍尔电动势的温漂增大,因此每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流,它的数值从几毫安至十几毫安。 提问:霍尔原件的最大激励电流I m为宜。 A.0mA B.±0.1 mA C.±10mA D.100mA (4)最大磁感应强度B m磁感应强度超过B m时,霍尔电动势的非线性误差将明显增大,B m的数值一般小于零点几特斯拉。 提问:为保证测量精度,图8-3中的线性霍尔IC的磁感应强度不宜超过为宜。 A.0T B.±0.10T C.±0.15T D.±100Gs

大物实验报告霍尔效应【霍尔效应及其应用】

大物实验报告霍尔效应【霍尔效应及其应用】 霍尔效应是1879年美国物理学家霍尔读研究生期间在做研究 载流子导体在磁场中受力作用实验时发现的。阐述了霍尔效应的原理,霍尔元件的特点和分类以及在各个领域中的应用。霍尔效应霍尔元件应用 一、霍尔效应原理 霍尔效应是1879年美国物理学家霍尔读研究生期间在做研究 载流子导体在磁场中受力作用实验时发现的。霍尔效应是载流试样在与之垂直的磁场中由于载流子受洛仑兹力作用发生偏转而在垂直于 电流和磁场方向的试样的两个端面上出现等量异号电荷而产生横向 电势差UH的现象。电势差UH称为霍尔电压,EH称为霍尔电场强度。此时的载流子既受到洛伦兹力作用又受到与洛伦兹力方向相反的霍 尔电场力作用,当载流子所受的洛伦兹力与霍尔电场力相等时,霍尔电压保持相对稳定。 二、霍尔元件的特点和分类 1.霍尔元件的特点。霍尔元件的结构牢固,体积小,重量轻, 寿命长,安装方便,功耗小,频率高(可达1MHZ),耐震动,不怕 灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀,调试方便等。霍尔元件和

永久磁体都能在很宽的温度范围(-40℃~1 50℃)、很强的振动冲击 条件下工作,且磁场不受一般介质的阻隔。另外它的变换器组件能够和相关的信号处理电路集成到同一片硅片上,体积小,成本低,且具有较好的抗电磁干扰性能。 2.霍尔元件的分类。按照霍尔元件的结构可分为:一维霍尔元件、二维霍尔元件和三维霍尔元件。一维霍尔元件又被称为单轴霍尔元件,它的主要参数是灵敏度、工作温度和频率响应。运用此类器件时,就可将与适当的小磁钢一起运动的物体的位置、位移、速度、角度等信息以电信号的形式传感出来,达到了自动测量与控制的目的。二维霍尔元件的结构是二维平面,也被称为平面霍尔元件;三维霍尔元件通常被称为非平面霍尔元件。霍尔元件按功能可分为:线形元件、开关、锁存器和专用传感器。 三、霍尔效应的应用 人们在利用霍尔效应原理开发的各种霍尔元件已广泛应用于精 密测磁、自动化控制、通信、计算机、航天航空等工业部门及国防领域。按被检测的对象的性质可将它们的应用分为直接应用和间接应用。直接应用是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性,间接应用是检测受检对象上人为设置的磁场,用这个磁场来作被检测的信息的载体,通过它将许多非电、非磁的物理量,如力、力矩、压力、应力、

霍尔效应法测量磁场

霍尔效应测磁场 霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效 应。1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象,故称霍尔效应。后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器,但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。随着半导体材料和制造工艺的发展,人们又利用半导体材料制成霍尔元件,由于它的霍尔效应显著而得到实用和发展,现在广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。近年来,霍尔效应实验不断有新发现。1980年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统的输运特性,在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应,这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。目前对量子霍尔效应正在进行深入研究,并取得了重要应用,例如用于确定电阻的自然基准,可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。 在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中,霍尔效应及其元件是不可缺少的,利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。 【实验目的】 1.霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用 2.测绘霍尔元件的V H—Is,了解霍尔电势差V H与霍尔元件工作电流Is、磁感应强度B之间的关系。 3.学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。 4.学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 【实验原理】

霍尔效应从本质上讲,是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作 用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积,从而形成附加的横向电场。如图13-1所示,磁场B位于Z的正向,与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流Is(称为工作电流),假设载流子为电子(N型半导体材料),它沿着与电流Is相反的X负向运动 。 由于洛仑兹力f L作用,电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转,并使B侧形成电子积累,而相对的A侧形成正电荷积累。与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力f E的作用。随着电荷积累的增加,f E增大,当两力大小相等(方向相反)时, f L=-f E,则电子积累便达到动态平衡。这时在A、B两端面之间建立的电场称为霍尔电场E H,相应的电势差称为霍尔电势V H。 设电子按均一速度,向图示的X负方向运动,在磁场B作用下,所受洛仑兹力为: 式中:e 为电子电量,为电子的漂移平均速度,B为磁场的磁感应强度。 同时,电场作用于电子所受电场力为: 式中:E H为霍尔电场强度,V H为霍尔电势,l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时:  (13-1) 设霍尔元件宽度为l,厚度为d ,载流子浓度为 n ,则霍尔元件的工作电流为

大学物理实验讲义实验 用霍尔效应法测量磁场

实验16用霍尔效应法测量磁场 在工业生产和科学研究中,经常需要对一些磁性系统或磁性材料进行测量,被测磁场的范 围可从~10 15-3 10T (特斯拉),测量所用的原理涉及到电磁感应、磁光效应、热磁效应等。常用的磁场测量方法有核磁共振法、电磁感应法、霍尔效应法、磁光效应法、超导量子干涉器件法等近十种。 一般地,霍尔效应法用于测量10~104 -T 的磁场。此法结构较简单,灵敏度高,探头体积小、测量方便、在霍尔器件的温度范围内有较好的稳定性。但霍尔电压和内阻存在一定的温度系数,并受输入电流的影响,所以测量精度较低。 用半导体材料制成的霍尔器件,在磁场作用下会出现显着的霍尔效应,可用来测量磁场、霍尔系数、判断半导体材料的导电类型(N 型或P 型)、确定载流子(作定向运动的带电粒子)浓度和迁移率等参数。如今,霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量电测、自动控制和信息处理等方面,如测量强电流、压力、转速等,在工业生产要求自动检测和控制的今天,作为敏感元件之一的霍尔器件,将有更为广阔的应用前景。了解这一富有实用性的实验,对于日后的工作将有益处。 【实验目的】 1. 了解霍尔效应产生的机理。 2. 掌握用霍尔器件测量磁场的原理和基本方法。 3. 学习消除伴随霍尔效应的几种副效应对测量结果影响的方法。 4. 研究通电长直螺线管内轴向磁场的分布。 【仪器用具】 TH-H/S 型霍尔效应/螺线管磁场测试仪、TH-S 型螺线管磁场实验仪。 【实验原理】 1. 霍尔效应产生的机理 置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场方向垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,载流体的两侧会产生一电位差,这个现象是美国霍普斯金大学二年级研究生霍尔于1879年发现的,后被称为霍尔效应,所产生的电位差称为霍尔电压。特别是在半导体样品中,霍尔效应更加明显。 霍尔电压从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子和空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的积累,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场。对于图1-1(a )所示的N 型半导体试样,若在X 方向通以电流S I ,在Z 方向加磁场B ,试样中载流子(电子)将受到洛仑兹力大小为: evB F g =(1-1) 则在Y 方向,在试样A 、A '电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场——霍尔电场。电场的指向取决于试样的导电类型,对N 型半导体试样,霍尔电场逆Y 方向,P 型半导体试样,霍尔电场则沿Y 方向,即有: 当S I 沿X 轴正向、B 沿Z 轴正向、H E 逆Y 正方向的试样是N 型半导体。

11霍尔效应及霍尔传感器应用

霍尔效应及霍尔传感器应用 霍尔效应Hall Effect是一种磁电效应,是德国物理学家霍尔1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。 根据霍尔效应,人们用半导体材料制成霍尔元件,它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点,因此,在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用。 通过该实验可以了解霍尔效应的物理原理以及把物理原理应用到测量技术中的基本过程。 当电流垂直于外磁场方向通过导体时,在垂直于磁场和电流方向的导体的两个端面之间出现电势差的现象称为霍尔效应,该电势差称为霍尔电势差(霍尔电压)。 霍尔效应原理 所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时,若在垂直于电流的方向施加磁场,则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显,而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。 利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差UH的基本关系为 UH=RHIB/d(18) RH=1/nq(金属)(19) 式中RH——霍尔系数; n——载流子浓度或自由电子浓度; q——电子电量; I——通过的电流; B——垂直于I的磁感应强度; d——导体的厚度。 对于半导体和铁磁金属,霍尔系数表达式与式(19)不同,此处从略。 由于通电导线周围存在磁场,其大小与导线中的电流成正比,故可以利用霍尔元件测量出磁场,就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路发生电接触,不影响被测电路,不消耗被测电源的功率,特别适合于大电流传感。 若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中,则在该元件中将产生电流I,元件上同时产生的霍尔电位差与电场强度E成正比,如果再测出该电磁场的磁场强度,则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。 利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。 如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上,当装在运动物体上的永磁体经过它时,可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数,则可以确定其运动速度。 霍尔效应在应用技术中特别重要。 霍尔发现,如果对位于磁场(B)中的导体(d)施加一个电压(Iv),该磁场的方向垂直于所施加电压的方向,那么则在既与磁场垂直又和所施加电流方向垂直的方向上会产生另一个电压(UH),人们将这个电压叫做霍尔电压,产生这种现象被称为霍尔效应。 好比一条路,本来大家是均匀的分布在路面上,往前移动.当有磁场时,大家可能会被推到靠路的右边行走.故路(导体)的两侧,就会产生电压差.这个就叫“霍尔效应”。 方便起见,假设导体为一个长方体,长度分别为a,b,d,磁场垂直ab平面。电流经过ad,电流I =nqv(ad),n为电荷密度。设霍尔电压为VH,导体沿霍尔电压方向的电场为VH / a。

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