典型射频芯片测试介绍与测量仪器的程控(GPIB)1

射频电路调试测试流程

射频电路调试测试流程(准备阶段) 射频电路的调试作为通信整机研发工作中的重要一环,工作量非常大,几乎所有电路都需要调试,为了提高效率,需要对调试环境、调试方法等进行规范。 环境准备如下 1、防静电 佩戴“静电手环”,并良好接地,若着化纤、羊毛、羽绒服装,外层需加穿防静电服,或防辐射服;小功率、低电压、高频率、小封装的器件均ESD敏感,最容易被ESD击穿的射频器件:RF开关,其次是LNA;所有仪器,开机使用前必须将机壳良好接地;2、电源 稳压电源接入负载前,先校准输出电压,电压等于负载的额定电压; 3、仪器保护 为安全起见:只要射频功率大于20dBm,射频信号源(30dBm)、频谱分析仪(27dBm)、信号源分析仪(23dBm)输入端必须级联同轴衰减器,一般情况下,5W 5dB衰减器为常态配置,若测试功放模块需根据实际输出功率大小配置合适的衰减器; 4、仪器设置 射频信号源:Keysight输出功率<13dBm,R&S输出功率<18dBm,若超出,输出功率可能小于显示值,需实测并进行补偿; 频谱分析仪:屏幕显示的有效动态范围,FSV约70dB,FSW约80dB;仪器的线性输入功率<-3dBm,超出会恶化待测IM3(ACLR)、谐波,应选择合适的内部/外部衰减值; 矢量网络分析仪:仪器的IF带宽决定噪声,测无源器件的带外抑制,应适当降低IF带宽;调测任何电路,必须保证输出功率

射频工程师笔试题

一、填空题(每题 5 分, 10 题,共 50 分) 1. 功率1W = 30 dBm。 2. 贴片电阻上的 103 代表 10K 欧姆阻值。 3. 三极管在工作时,发射结和集电结均处于正向偏置,该晶体管工作在饱和状态。 4. 假设 A 传输线的特征阻抗是 70 欧姆, B 传输线的特征阻抗是 30 欧姆, A 传输线与 B 传 输线相连,那么它们之间的反射系数 是0.4。( -0.4 也可以是正确答案) 5. Smith 阻抗圆图的最左侧点对应的是短路,阻抗圆图的最右侧点对应的是开 路。 6. 负载阻抗串联一个电 感,则输入阻抗在 Smith 圆图上如何变化?以负载阻抗点为起 点,围绕等阻抗圆顺时针旋 转。 7. 负载阻抗为 ZL,经过阻抗 为 Z0,长度为λ/4 的传输线,则阻抗变 为Z0 2/ZL 。 8.请写出级联网络的噪声系数计算公式NFTOTAL = NF1 + (NF2-1)/G 1 + (NF3-1)/G 2 + ? + (NFn -1)/G n-1 。 9.一个低噪声放大器的噪声系数为1.5dB,增益 20dB,现在放大器的前端添加一个插损为 1dB 的无源滤波器,请问从滤波器的输入端看,这个电路的噪声系数是 2.5dB 。 10. 请写出接收机的灵敏度计算公式PIN MIN = -174dBm/Hz + 10log(B) + NF + SNR OUT MIN ,使用 B 表示符号速率, NF 表示噪声系数, SNR OUT MIN表示解调门限。 二、问答题(每题 10 分, 5 题,共 50 分) 1. 请分别解释放大器的 1dB 压缩点和噪声系数 NF 的含义?( 10 分) 答案:1dB压缩点(P1dB):放大器有一个线性动态范围,在这个范围内,放大器的输出功率随 输入功率线性增加。随着输入功率的继续增加,放大器进入非线性区,其输出功率不再随输入功 率的增加而线性增加,也就是说,其输出功率低于小信号增益所预计的值。通常把增益下降到比 线性增益低1dB时的输出功率值定义为输出功率的 1dB 压缩点,用 P1dB表示。 噪声系数:放大器本身自带噪声,在放大输入信号和输入噪声的同时,也会将自身的噪声和放大后的输入信号和 输入噪声叠加,导致输出端的信噪比减小; 噪声系数 NF=输入端信噪比/ 输出端信噪比 2. 请分别画出 BUCK和 BOOST电路的原理框图。(10 分) BUCK电路:

射频工程师的主要能力应该是什么

手机射频工程师的主要能力是什么,是匹配吗?为什么N次的面试都纠结于史密斯和调匹配,这很重要吗,我不这么认为,因此我来说说我的看法 首先自然是原理图的设计能力,当然,从无到有目前已经很少了,多数平台都会有一个大致的参考设计,就算没有,原理图设计阶段也会有平台方的大力支持。不过对于射频部分,没人帮助问题也不大,频段确定了,选好这个频段的PA,双工器,FEM或者ASM,如果不是什么不入流的厂家,链路预算也不是那么重要,大家按业内标准来做的,不会差太多。RF前端部分的原理图其实不算太难,TRX部分按照IC的DATASHEET来,有特殊注意的地方,IC 厂家肯定会告知的。当然对于现成的原理图,更换一些主要器件,首先要对比下新旧器件的参数有没有大的区别,然后要一些实际的测试数据来看看,毕竟datasheet不是特别全面。大致总结下,就是说你对各射频器件都要熟悉,哪个参数什么意思,对系统有什么影响,比如一个双工,插损大0.5,收发端口隔离度差5db,带外某位置抑制差了10db,这些对系统的影响有多大,有没有临界的项会fail。虽然这些器件设计出来基本是能用的,但是这个和平台和具体设计关系也很大。这些很熟悉了,原理图部分的设计还是改动或者说优化都不会有大问题了。 第二,就是布局,怎么走顺大家都知道,实在不顺首先让高频接收线最短保护最好,然后是低频接收,然后是高频发射,然后是低频发射。TRX IC的设计基本也固定了你RF 前端的整体布局。注意一些去耦电容的位置,都靠近芯片肯定不现实,别差太多,实在远,线别太细。具体哪个要优先考虑哪个可以靠后,你自己去分析信号属性,是时钟的,是模拟的还是数字的。同属性的也有强有弱,强的别干扰别人,弱的别被干扰。基本上布局问题也不大,现在手机环境越来越复杂,都保证设计规则是不现实的,具体怎么把握,这个才是显现能力的地方。 第三,非常重要,就是layout。个人认为好的射频工程师更应该控制好layout,其次才是后期解bug。对于layout,这就需要经验了。因为单从各IC厂家,各器件厂家的layout 指导来做,一般都不会有问题。但实际肯定是不可能的,就像placement一样。这个就需要你用经验去判断在有冲突的时候,偏重优化某部分。再次强调,layout非常重要,好的射频工程师不会挖很多坑在后期慢慢解。 第四,问题的分析能力,这个之前在博客中写了很多。这里就随便写写。发射的,这个确实很多都是匹配导致的,比如发射功率和接收灵敏度。但是这个不难,对吧,有人卡在这里吗?那么继续,比如EVM,可能是因为PA线性不好,这个通过匹配可以搞定,如果降低功率EVM 还是不行,那么就要查查TRX供电,时钟电路。如果还是不行,数字IQ也查查,不要认为数字IQ就牛的怎么走都行,走多长都行,而且多大干扰都不怕。基本上工作几年的,基本上所有的射频测试项都会遇到过fail的,但是难解的问题都不是匹配,对吧。当然有特殊情况,确实卡在匹配这,这个我后面说。 第五,对于对系统共存问题的解决。这个就是互扰,有传导的,也有辐射的。如果是一些射频系统内部的问题还好,对于跨系统的,比如摄像头,LCD,SD卡,马达,背光等等其他部分对射频(包含2G/3G/4G/GPS/WIFI/BT/FM)的干扰,就需要你各功能模块,各器件的性能工作原理,杂散特性都比较了解,这个相对就比较难了。还是需要长期的经验积累的。这里顺便提一下,我说这些重要,并不是说我在这部分很懂,这里估计需要标红加粗,以免有人没看到而拍砖。

射频工程师面试问题(经典)

1.射频线一般走多宽,微带线一般如何处理。差分线怎么走,线间距一般是多少。 2.PA供电一般走多宽,W和GSM分别都是什么范围。 3.WCDMA及TD的输出端加的SA W的作用主要作用是什么。 4.如果W的ACLR 指标不好,那么该怎么调。 5.W的双工器的隔离度一般是多少 6.如果某频段的接收灵敏度不平,如高信道好,低信道差,该调哪里。 7.校准的原理,包含APC,AGC,AFC校准。 8.W或TD手机呼叫的流程。 9.W的手机调哪里才能让发射收敛。 10.TX noise的问题一般如何解决。 11.desence 的问题的解决思路一般是什么。 12.手机功率耦合器的作用是什么,有的是每个PA都有耦合器,有的是在输出端一个耦合器,区别是什么。 13.手机射频系统架构。 14.各通信制式的灵敏度如何确定的。 15.如何让GSM 手机在4个频段上自动切换,顺序是什么。 16.VCTCXO和crystal的区别是什么,校准的方式分别是什么。 由于手机不断移动,手机和基站之间的距离不断变化,因此手机的发射功率不是固定不变的,基站根据距离远近的不同向手机发出功率级别信号,手机收到功率级别信号后会自动调整自身的功率,离基站远时发射功率大,离基站近时发射功率小。具体过程如下:手机中的数据存储器存放有功率级别表,当手机收到基站发出的功率级别要求时,在CPU的控制下,从功率表中调出相应的功率级别数据,经数/模转换后变成标准的功率电平值,而手机的实际发射功率经取样后也转换成一个相应的电平值,两个电平比较产生出功率误差控制电压,去调节发射机激励放大电路、预放、功放电路的放大量,从而使手机的发射功率调整到要求的功率级别上。

RFID相关射频芯片基本介绍与应用

RFID相关射频芯片基本介绍与应用 (一)RC530 概述:RC530是NXP 公司出品的应用与13.56MHz非接触式通信中高集成读卡IC系列中的一员,该芯片完全集成了在13.56MHz下所有类型的被动非接触式通信方式和协议。MFRC530支持ISO14443A所有的层。RC530的外围电路入图所示。该电路由接收电路和单片机接口电路两部分组成。由于RC530内部接收部分使用一个受益于副载波双边带的概念装入卡响应的调整。推荐使用内部产生的VMID电势作为RX脚的输入电势。为了提供一个稳定的参考电压,必须在VIMD脚接一个对地的电容C9,RX和VMID必须连接一个分压IC卡将回复自己UID,如果没有碰撞阅读器将收到完整的电路由R9,R10构成,而且天线与分压器间还需要用一个电容C10串接。由于IC卡工作在13.56Mhz下。石英晶体在产生用于驱动RC530和天线的13.56Mhz时钟时,还会产生更高频率的谐波。因此必须加上由 L1,L2,C11,C13组成的低通滤波电路。 (二)MF RC531 概述MF RC531 是应用于13.56MHz 非接触式通信中高集成读写卡芯片系列中的一员。该读写卡芯片系列利用了先进的调制和解调概念,完全集成了在13.56MHz 下所有类型的被动非接触式通信方式和协议。芯片管脚兼容MF RC500、MF RC530 和SL RC400。MF RC531 支持ISO/IEC14443A/B 的所有层和MIFARE? 经典协议,以及与该标准兼容的标准。支持高速MIFARE?非接触式通信波特率。内部的发送器部分不需要增加有源电路就能够直接驱动近操作距离的天线(可达100mm)。接收器部分提供一个坚固而有效的解调和解码电路,用于ISO14443A 兼容的应答器信号。数字部分处理ISO14443A 帧和错误检测(奇偶&CRC)。此外,它还支持快速CRYPTO1 加密算法,用于验证MIFARE 系列产品。与主机通信模式有8 位并行和SPI 模式,用户可根据不同的需求选择不同的模式,这样给读卡器/终端的设计提供了极大的灵活性。 特性 高集成度的调制解调电路; 采用少量外部器件,即可输出驱动级接至天线; 最大工作距离100mm; 支持ISO/IEC14443 A/B 和MIFARE? 经典协议; 支持非接触式高速通信模式,波特率可达424kb/s; 采用Crypto1 加密算法并含有安全的非易失性内部密匙存储器;? 管脚兼容MF RC500、MF RC530 和SL RC400; 与主机通信的2 种接口:并行接口和SPI,可满足不同用户的需求 自动检测微处理器并行接口类型; 灵活的中断处理; 64 字节发送和接收FIFO 缓冲区; 带低功耗的硬件复位; 可编程定时器; 唯一的序列号; 用户可编程初始化配置; 面向位和字节的帧结构; 数字、模拟和发送器部分经独立的引脚分别供电; 内部振荡器缓存器连接13.56MHz 石英晶体;

常见硬件工程师笔试题(标准答案)

硬件工程师笔试题 一、电路分析: 1、竞争与冒险 在组合逻辑中,在输入端的不同通道数字信号中经过了不同的延时,导致到达该门的时间不一致叫竞争。因此在输出端可能产生短时脉冲(尖峰脉冲)的现象叫冒险。 常用的消除竞争冒险的方法有:输入端加滤波电容、选通脉冲、修改逻辑设计等。 2、同步与异步 同步逻辑是时钟之间有固定的因果关系。异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系。 同步电路:存储电路中所有触发器的时钟输入端都接同一个时钟脉冲源,因而所有触发器的状态的变化都与所加的时钟脉冲信号同步。 异步电路:电路没有统一的时钟,有些触发器的时钟输入端与时钟脉冲源相连,只有这些触发器的状态变化与时钟脉冲同步,而其它的触发器的状态变化不与时钟脉冲同步。 异步电路不使用时钟脉冲做同步,其子系统是使用特殊的“开始”和“完成”信号使之同步 同步就是双方有一个共同的时钟,当发送时,接收方同时准备接收。异步双方不需要共同的时钟,也就是接收方不知道发送方什么时候发送,所以在发送的信息中就要有提示接收方开 始接收的信息,如开始位,结束时有停止位 3、仿真软件:Proteus 4、Setup 和Hold time Setup/hold time 是测试芯片对输入信号和时钟信号之间的时间要求。建立时间是指触发器 的时钟信号上升沿到来以前,数据稳定不变的时间。输入信号应提前时钟上升沿(如上升 沿有效)T时间到达芯片,这个T就是建立时间-Setup time.如不满足setup time,这个数据就不能被这一时钟打入触发器,只有在下一个时钟上升沿,数据才能被打入触发器。保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后,数据稳定不变的时间。如果hold time不够,数据同样不能被打入触发器。 5、IC设计中同步复位与异步复位的区别 同步复位在时钟沿采集复位信号,完成复位动作。异步复位不管时钟,只要复位信号满足条件,就完成复位动作。异步复位对复位信号要求比较高,不能有毛刺,如果其与时钟关系 不确定,也可能出现亚稳态。 6、常用的电平标准 TTL:transistor-transistor logic gate晶体管-晶体管逻辑门 CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor互补金属氧化物半导体 LVTTL(L ow Voltage TTL)、LVCMOS(L ow Voltage CMOS):3.3V、2.5V RS232、RS485 7、TTL电平与CMOS电平 TTL电平和CMOS电平标准

射频工程师笔试题目

微博人才网 1.一个威尔金森功分器,从2和3端口分别输入两个频率分别为f1,f2的信号,且幅度均为 0dBm,请问1端口输出为什么信号,幅度多大?(我写的答案是输出为二者的和,通过和 差化积公式,变成一个调幅波,不知道对不对?? 2.6dB派型电阻衰减器,请写出R1,R2,R3三个电阻的详细计算过程,精确到个位。(没 找到哪本书上有讲如何推导的啊,有没有推荐的教材,我要研究一下,网上有现成的计算 公式,这哪记得住啊) 3.某型号频谱仪低噪为-165dBm/Hz,当RBW设为100KHz时,能否区分出幅度为- 120dBm左右的单音信号?如希望准确测量此单音信号的幅度,同时希望尽量节约测试时间,RBW应如何设置?(什么是RBW都不知道,囧) 4.请解释什么是AB类放大器,为什么CDMA末级功放采用这种类型的?(我就说导通角 介于360-180之间,线性工作,但效率又比A类的高,综合考量线性度和效率,选用AB 类,不知道是不是答非所问啊) 5.如图所示,请问图示两个电路各实现什么功能 问题1:要看2个输入信号的相位。 问题2:这个,我只能说出大概思路,要我现场手算,搞不好要1个小时,只知道3个电 阻分别是150欧姆,150欧姆,36欧姆。 问题3:测不出,如果需要测量,将rbw打成10k 问题4:你回答的基本正确 问题5:第一个用作可调衰减器,第二个用作移相器 关于RBW和VBW的解释,网上可以找到一些,但是总感觉解释的不是很清楚。我所说的只能算是一个参考吧,个人的理解。希望能以此抛砖引玉,得到更满意的解释。 RBW称为分析带宽,就是频谱仪当中下变频以后的中频带宽。它决定了FFT变换的二进 制长度。RBW与采样点数成反比。一般来说,比较小的RBW有更好的分辨率,就是能正 确的分辨处两个信号。一般来说我们都有这样的经验。 当输入两个频率很近的信号,如果SPAN打的比较大的话,两个信号就会混迭在一起。这 是因为如果不是专门的设定RBW。一般RBW会随SPAN自动调节。只有在小的SPAN,也就是小的RBW的情况下才能分辨出两个信号。小的RBW采样点数多,意味着要消耗

弱电工程师笔试考题答案

安全技术防范考试试卷(基础知识题)姓名_____________得分______________ (满分100 分) 一、填空(每空0.5分共计20分) 1.电动三可变镜头是指电动光圈、电动聚焦、电动变焦。 2.电缆和低压电力线平行或交叉敷设时,若双方都在封闭并接地的金属桥 架内,其间距不得小于0.15 m ;否则不得小于0.3M 。电力线与信号线交叉敷 设时,宜成直角。 3.接地一般可分为交流工作地、直流工作地、静电保护地、防雷保护地 。 4.安全技术防范系统独立接地时地线电阻值应不大于4@。联合接地时电阻值应不大于1 Qo 5.摄像机按照扫描制式可划分为PAL 制式和NTSC制式,我国采用 PAL制式。 6.视频输出阻抗一般为Z5 _____ 殴,采用BNC 接头。 7.300米传输距离一般宜采用SYV75-5 视频线,150米传输距离推荐采 用SYV75-3 视频线。 8.在技防工程中各种线材常用颜色标记是:电源线是红色,地线是黑色,共用信号线是黄色。 9.双绞线系统中,永久链路最大距离为90m.;最大有效传输距离100 m。 10.数据模块B类接法的线序按颜色排序方式为白橙橙白绿蓝白 11.使用一对普通多模或者单模光纤,使用多模光纤的时候,计算机到集线 器之间的千兆距离最大可到0.5 km ,使用单模光纤时最大可达10 km 普通多模万兆传输最大可至70米,若要传输更远的距离,在需要使用OM3光缆 12. 多模光缆分为50/125 和62.5/125 两种规格。 14.云台摄像机的的控制协议一般采用RS485 控制协议 15.监控中心内接地汇集环或汇集排宜采用裸铜线,其截面积应小于3二 mm2 16.以下是我们在项目施工中常见的常见英文代码或字符,请填出中文释义 或名称。 英文中文英文中文 AC 交流BRUSH 雨刷 DC 直流GND 接地 17.电动势的实际方向是由高到低________ 它与电源端电压的实际方向相当电源开路时,它的端电压等于它的电动势。 18.在并联电路中,总电流等于各电阻的电流之和;各电阻的电流与其阻值 蓝绿白棕棕。 圆型带螺纹(配线架上用的最成反比_; 是FC 13光纤接口类型: 卡接式方型(路由器交换机上用的最多)。

射频工程师常见面试题

1.你做过什么项目?画出原理图,讲述各个器件的意义,描述信号的传输等等。(这个基本每家单位都会问) 2.画出二端口网络S矩阵框图,并说明每个参数的意义。 3.dBi与dBd什么区别?dB与dBm什么关系,dBm与电压怎么换算的? 4.画出smith圆图,指出开路点、短路点、匹配点,并说明阻抗原图与导纳圆图的关系。 5.一个负载阻抗并联一个电感或电容,怎么在smith圆图求出其输入阻抗? 6.微带线特性阻抗与哪些因素有关?与线长L有关吗? 7.写出传输线输入阻抗的表达式,并说明同一传输线上不同两点反射系数的关系。 8.请画出3dB威尔金森功分器原理图。 9.请写出单级放大器噪声系数的表达式,多级放大器级联NF又如何? 10.放大器的增益有哪几种?有什么区别和联系? 11.放大器绝对稳定的条件是什么?请写出表达式。 12.请问低噪声放大器输入端和输出端匹配原则是什么?阻抗匹配的目的是什么?

13.低噪声放大器中高频扼流圈的作用是什么? 14.低噪声放大器的主要性能指标有哪些? 15.功率放大器的1dB压缩点怎么定义的?IIP3又是指什么?有何意义? 16.功率放大器有哪几种工作状态?各有什么区别? 17.请画出一般接收机的系统框图,并说明各个模块的用处。 18.天线的性能指标有哪些? 19.天线的极化方式有哪些?请画出半波对称阵子的方向图。 20.你会使用的微波软件有哪些?测量仪器有哪些?熟练程度如何? 小结:以上差不多就是我面试遇到所有有关射频微波方面的问题,其实总体看上去难度不大,但很注重基础,范围很广,问的也很细,所以要想全部回答上来,还需下一番功夫,认真得把基础打好,再学学软件多动动手,加深对概念和原理的认识。从实践中学习,再回到书本好好理解和品味我认为是很重要的

射频工程师面试题_40题

射频工程师面试40题 先介绍下你自己吧,介绍完了就进入正题:(前16题有答案) 1.射频线一般走多宽,微带线一般如何处理。差分线怎么走,线间距一般是多少。 2.PA供电一般走多宽,W和GSM分别都是什么范围。 3.WCDMA及TD的输出端加的SAW的作用主要作用是什么。 4.如果W的ACLR 指标不好,那么该怎么调。 5.W的双工器的隔离度一般是多少 6.如果某频段的接收灵敏度不平,如高信道好,低信道差,该调哪里。 7.校准的原理,包含APC,AGC,AFC校准。 8.W或TD手机呼叫的流程。 9.W的手机调哪里才能让发射收敛。 10.TX noise的问题一般如何解决。 11.desence 的问题的解决思路一般是什么。 12.手机功率耦合器的作用是什么,有的是每个PA都有耦合器,有的是在输出端一个耦合器,区别是什么。 13.手机射频系统架构。 14.各通信制式的灵敏度如何确定的。 15.如何让GSM 手机在4个频段上自动切换,顺序是什么。 16.VCTCXO和crystal的区别是什么,校准的方式分别是什么。 17:GPS 该注意什么,衡量GPS 的灵敏度有几个指标,GPS天线该注意什么18:WIFI 有没有测试过,WIFI 要测试哪几个关键指标 19:BT 有没有测试过,你怎么测试, 20:内环功控怎么解决。。。。 21:WCDMA 大功率和小功率灵敏度会有变化吗,怎么解决 22:整机无线灵敏度有没有碰到比较差,怎么解决。 23:衡量双工和滤波的指标哪几个,插入损耗多少 24:请画3G框图 25:WCDMA灵敏度一般做到多少,。。。。大功率和小功率有差别吗 26:用过哪家PA,3G PA 有哪些,各家的特性可以说下吗 27:整机碰到相位误差和频差问题么,该怎么解决。。。 28:为什么2G 的PA在5 功率等级电流只有200多,而3G 电流有500,,,,29:FM 碰到什么问题,,,无线灵敏度有配碰到么 30:50R你是怎么理解的。怎么调试PA 输出匹配,如果饱和功率不够,怎么调试,网络分析仪会用吗 31:SMITH 原图上标出50R位置,开路端和短路请标识出来 32:请画下串联电感和并联电感请在SMITH 原图标识出来。 33:微带线和传输线走哪种比较好,为什么。。。。 34:你的优点是什么,你的缺点是什么 35: 你对加班怎么看,,。。 36 你为什么要离职。 37:你对我们公司了解吗。 38:对我们公司了解吗,有什么问题要问吗 39,你期望薪水多少。。。。 40:今天就到这里,谢谢来我们公司,有消息我们HR会通知你 1

射频工程师笔试题

射频工程师笔试题 Company Document number:WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998

一、填空题(每题5分,10题,共50分) 1.功率1W = 30 dBm。 2.贴片电阻上的103代表10K欧姆阻值。 3.三极管在工作时,发射结和集电结均处于正向偏置,该晶体管工作在饱和状态。 4.假设A传输线的特征阻抗是70欧姆,B传输线的特征阻抗是30欧姆,A传输线与B 传输线相连,那么它们之间的反射系数是。(也可以是正确答案) 5.Smith阻抗圆图的最左侧点对应的是短路,阻抗圆图的最右侧点对应的是开路。 6.负载阻抗串联一个电感,则输入阻抗在Smith圆图上如何变化以负载阻抗点为起点,围绕等阻抗圆顺时针旋转。 7.负载阻抗为Z L,经过阻抗为Z0,长度为λ/4的传输线,则阻抗变为 Z02/Z L。 8.请写出级联网络的噪声系数计算公式NF TOTAL = NF1 + (NF2-1)/G1 + (NF3-1)/G2 + … + (NF n- 1)/G n-1 。 9.一个低噪声放大器的噪声系数为,增益20dB,现在放大器的前端添加一个插损为1dB 的无源滤波器,请问从滤波器的输入端看,这个电路的噪声系数是。 10.请写出接收机的灵敏度计算公式P IN MIN = -174dBm/Hz + 10log(B) + NF + SNR OUT MIN ,使 用B表示符号速率,NF表示噪声系数,SNR OUT MIN表示解调门限。 二、问答题(每题10分,5题,共50分) 1.请分别解释放大器的1dB压缩点和噪声系数NF的含义(10分) 答案:1dB压缩点(P1dB):放大器有一个线性动态范围,在这个范围内,放大器的输出功率随输入功率线性增加。随着输入功率的继续增加,放大器进入非线性区,其输出功率不再随输入功率的增加而线性增加,也就是说,其输出功率低于小信号增益所预计的值。通常把增益下降到比线性增益低1dB时的输出功率值定义为输出功率的1dB压缩点,用P1dB表示。 噪声系数:放大器本身自带噪声,在放大输入信号和输入噪声的同时,也会将自身的噪声和放大后的输入信号和输入噪声叠加,导致输出端的信噪比减小; 噪声系数NF=输入端信噪比/输出端信噪比 2.请分别画出BUCK和BOOST电路的原理框图。(10分) BUCK电路: BOOST电路: 3.请将下图所示的英文翻译为中文。(10分)

射频芯片测试简介

射频芯片测试简介 射频/无线芯片相信各位射频工程师们都用的挺多的了,本文会介绍几种基本测试供大家参考,如果有写得不对的地方还请大家批评指正!射频/无线系统会同时包含一个发射器和接收器分别用于发送和接收信号。我们先介绍发射器的测试基础,接下来再介绍接收器的测试基础。 发射器测试基础 如图1所示,数字通信系统发射器由以下几个部分构成: CODEC(编码/解码器) 符号编码 基带滤波器(FIR) IQ调制 上变频器(Upconverter) 功率放大器 CODEC使用数字信号处理方法(DSP)来编码声音信号,以进行数据压缩。它还完成其它一些功能,包括卷积编码和交织编码。卷积编码复制每个输入位,用这些冗余位来进行错误校验并增加了编码增益。交织编码能让码位错误分布比较均匀,从而使得错误校验的效率更高。符号编码把数据和信息转化为I/Q信号,并把符号定义成某个特定的调制格式。基带滤波和调制整形滤波器通过修整I/Q调制信号的陡峭边沿来提高带宽的使用效率。 IQ调制器使得I/Q信号相互正交(积分意义上),因此它们之间不会相互干扰。IQ调制器的输出为是IQ信号的组合,就是一个单一的中频信号。该中频信号经过上变频器转换为射频信号后,再通过放大后进行发射。 图1、通用数字通信系统发射器的简单模块图

先进的数字信号处理和专用应用芯片技术提高了数字系统的集成度。现在一块单一的芯片就集成了从ADC转换到中频调制输出的大部分功能。因此,模块级和芯片级的射频测试点会减少很多,发射器系统级和天线端的测试和故障分析就变得更加重要。 发射器的主要测试内容 信道内测试 信道内测试采用时分复用或者码分复用的方法来测试无线数字电路。复用指的是频率或者空间上的复用等。在时分多址(TDMA)技术中,一个信道可以定义为在一系列重复出现的帧里面特定的频段和时隙,而在码分多址(CDMA)技术中,信道定义为特定的码段和频段。信道内和信道外这两个术语指的是我们所感兴趣的频段(频率信道),而不是指频率带宽内信道的时隙或者码段。 发射器信道带宽是最先进行的测试,它决定了发射器发射信号的频谱特性。通过频谱的形状和特性可以发现设计上的许多错误,并能大概推算出系统符号速率的错误率。 载波频率测试用于测试可能引起相邻频段信道干扰或影响接收器载波恢复的频率误差。在大多数调制方式中,载波频率应处于频谱的中心。可以通过计算3dB带宽来判断中心频率。 信道功率测试用于测试有用信号在频率带宽内的平均能量。它通常定义为有用信号能量在信号频率带宽内的平均值,实际的测量方法随着不同的标准会有所不同。无线系统必须保证每个环节消耗的能量最少,这样的目的主要有两个:一是可以减少系统的整体干扰,二是能延长便携系统电池的使用寿命。因此,必须严格地控制输出功率。在CDMA系统中,为了达到最大的容量,系统总的干扰容限也严格限制了每个单个移动单元的功率。精确发射功率控制对系统的容量,覆盖范围和信号质量至关重要。 占用带宽跟信道功率密切相关,定义为给定总调制信号功率的百分比所覆盖多少频谱。 时间测试常用于TDMA系统中的突发信号测试。这些测试主要用来评估载波包络是否能满足预期的要求,它们包括了突发信号宽度,上升时间,下降时间、开启时间、关闭时间、峰值功率、发射功率、关闭功率以及占空比等。时间测试可以保证相邻频率信道之间的干扰以及信号开启或者关闭的时隙切换时的干扰最小。 调制品质的测试通常涉及到发射信号的精确解调并与理想的数学计算出来的发射信号或参考信号进行比较。实际的测量随着不同的调制方式和不同的标准会有不同的方法。 误差矢量幅度(EVM)是应用最广泛的数字通信系统调制品质参数,它采样发射器的输出端的输出信号,获得实际信号的轨迹。通常把输出信号解调后得到一个参考信号。矢量误差是指某个时间理想的参考信号与实际所测的信号的差别,是一个包含幅度分量和相位分量的复数。通常,EVM会采用最大的符号幅度分量或者平均符号功率的平方根。 I/Q偏置(固有偏置origin offsets)是由I/Q信号的直流偏置引起的,可能会导致载波反

射频工程师笔试题

一、填空题(每题5分,10题,共50分) 1.功率1W = 30dBm。 2.贴片电阻上的103代表10K欧姆阻值。 3.三极管在工作时,发射结和集电结均处于正向偏置,该晶体管工作在饱和状态。 4.假设A传输线的特征阻抗是70欧姆,B传输线的特征阻抗是30欧姆,A传输线与B传 输线相连,那么它们之间的反射系数是0.4 。(-0.4也可以是正确答案) 5.Smith阻抗圆图的最左侧点对应的是短路,阻抗圆图的最右侧点对应的是开路。 6.负载阻抗串联一个电感,则输入阻抗在Smith圆图上如何变化?以负载阻抗点为起点,围绕等阻抗圆顺时针旋转。 7.负载阻抗为Z L,经过阻抗为Z0,长度为λ/4的传输线,则阻抗变为Z02/Z L。 8.请写出级联网络的噪声系数计算公式NF TOTAL = NF1+ (NF2-1)/G1+ (NF3-1)/G2 + …+ (NF n-1)/G n-1 。 9.一个低噪声放大器的噪声系数为1.5dB,增益20dB,现在放大器的前端添加一个插损为 1dB的无源滤波器,请问从滤波器的输入端看,这个电路的噪声系数是 2.5dB 。10.请写出接收机的灵敏度计算公式P IN MIN = -174dBm/Hz + 10log(B) + NF + SNR OUT MIN , 使用B表示符号速率,NF表示噪声系数,SNR OUT MIN表示解调门限。 二、问答题(每题10分,5题,共50分) 1.请分别解释放大器的1dB压缩点和噪声系数NF的含义?(10分) 答案:1dB压缩点(P1dB):放大器有一个线性动态范围,在这个范围内,放大器的输出功率随输入功率线性增加。随着输入功率的继续增加,放大器进入非线性区,其输出功率不再随输入功率的增加而线性增加,也就是说,其输出功率低于小信号增益所预计的值。通常把增益下降到比线性增益低1dB时的输出功率值定义为输出功率的1dB 压缩点,用P1dB表示。 噪声系数:放大器本身自带噪声,在放大输入信号和输入噪声的同时,也会将自身的噪声和放大后的输入信号和输入噪声叠加,导致输出端的信噪比减小; 噪声系数NF=输入端信噪比/输出端信噪比 2.请分别画出BUCK和BOOST电路的原理框图。(10分) BUCK电路:

常用无线射频芯片

常用无线射频芯片目录 CC1000PWR 超低功率射频收发器 CC1010PAGR 射频收发器和微控制器 CC1020RSSR 射频收发器 CC1021RSSR 射频收发器 CC1050PWR 超低功率射频发送器 CC1070RSQR 射频发送器 CC1100RTKR 多通道射频收发器 CC1101RTKR 低于1GHz射频收发器 CC1110F16RSPR 射频收发片上系统 CC1110F32RSPR 射频收发片上系统 CC1110F8RSPR 射频收发片上系统 CC1111F16RSPR 射频收发片上系统 CC1111F32RSPR 射频收发片上系统 CC1111F8RSPR 射频收发片上系统 CC1150RSTR 多通道射频发送器 CC2400RSUR 多通道射频发送器 CC2420RTCR 2.4GHz射频收发器 CC2420ZRTCR 2.4GHz射频收发器 CC2430F128RTCR ZigBee?芯片 CC2430ZF128RTCR ZigBee?芯片 CC2431RTCR 无线传感器网络芯片 CC2431ZRTCR 无线传感器网络芯片 CC2480A1RTCR 2.4GHzZigBee处理器 CC2500RTKR 2.4GHz射频收发器 ? CC2510F16RSPR 2.4GHz无线电收发器 CC2510F32RSPR 2.4GHz无线电收发器 CC2510F8RSPR 2.4GHz无线电收发器 CC2511F16RSPR 2.4GHz无线电收发器 CC2511F32RSPR 2.4GHz无线电收发器 CC2511F8RSPR 2.4GHz无线电收发器 CC2520RHDR 射频收发器 CC2530F128RHAR 射频收发器 CC2530F256RHAR 射频收发器 CC2530F64RHAR 射频收发器 CC2550RSTR 2.4GHz发送器 CC2590RGVR 2.4GHz射频前端芯片 CC2591RGVR 2.4GHz射频前端芯片 CCZACC06A1RTCR 2.4GHZ ZigBee芯片 TRF7900APWR 27MHz双路接收器 TRF6900APT 射频收发器 TRF6901PTG4 射频收发器 TRF6901PTRG4 射频收发器

华为网优工程师中级认证题库

1 按调度器首先排除以下哪些条件的UE(多选)ABC A 当前TTI处于异频测量GAP周期内 B 当前TTI处于DRX休眠期内 C 当前TTI上行失步 D GBR速率未满足的UE 2 RLC层支持以下哪些传输模式?(多选)ABC A AM B UM C TM D CM 3 下列哪个承载连接是在UE和S-GW之间()B A GRB B E-RAB C EPS bearer D DRB 4 关于RRC建立成功率描述,以下哪个选项是错误的()D A 反映ENB或者小区的UE接纳能力 B RRC链接建立成功意味着UE与网络建立了信令连接 C RRC连接建立可以分两种情况:一种是与业务相关的RRC连接建立;另一种是与业务无关(如紧急呼叫、系统间小区重选、注册等)的RRC连接建立 D 与业务无关的RRC连接建立是衡量呼叫连通率的一个重要指标,与业务相关的RRC连接建立可用于考查系统负荷情况。 5 以下哪些情况下,手机会发起Service Request流程?(多选)BC A 当手机初始开机时 B 当UE无RRC连接且有上行数据发起需求时 C 当UE处于ECM IDLE态且有下行数据达到时

D UE发起位置更新 6 路测过程中,当设备异常断开连接、GPS信号不足时,Probe会以对话框或声音的方式提示。您可以自行设置特殊情况告警事件及告警方式。A A 正确 B 错误 7 LTE为了解决深度覆盖的问题,以下哪些措施是不可取的?A A 增加LTE系统带宽 B 降低LTE工作频点,采用低频段组网 C 采用分层组网 D 采用家庭基站等新型设备 8 以下哪些因素可以产生弱覆盖(多选)ABC A 封闭场所 B 站间距过大 C 功率配置不合理 D 立交桥 9 关于LTE TDD帧结构,哪些说法是正确的?C A 每一个无线帧长度为10ms,由10个时隙组成 B 每一个半帧由8个常规子帧和DwPTS、GP和UpPTS三个特殊时隙组成 C TDD上下行数据可以在同一频带内传输,可使用非成对频谱 D GP越小说明小区覆盖半径越大 10 下列哪些信息不能由PUSCH承载?A A Transport format B CQI C HARQ feedback D RRC signaling

常用无线射频芯片

常用无线射频芯片目录CC1000PWR 超低功率射频收发器 CC1010PAGR 射频收发器和微控制器 CC1020RSSR 射频收发器 CC1021RSSR 射频收发器 CC1050PWR 超低功率射频发送器 CC1070RSQR 射频发送器 CC1100RTKR 多通道射频收发器 CC1101RTKR 低于1GHz射频收发器 CC1110F16RSPR 射频收发片上系统 CC1110F32RSPR 射频收发片上系统 CC1110F8RSPR 射频收发片上系统 CC1111F16RSPR 射频收发片上系统 CC1111F32RSPR 射频收发片上系统 CC1111F8RSPR 射频收发片上系统 CC1150RSTR 多通道射频发送器 CC2400RSUR 多通道射频发送器 CC2420RTCR 射频收发器 CC2420ZRTCR 射频收发器 CC2430F128RTCR ZigBee芯片 CC2430ZF128RTCR ZigBee芯片 CC2431RTCR 无线传感器网络芯片

CC2431ZRTCR 无线传感器网络芯片CC2480A1RTCR 处理器 CC2500RTKR 射频收发器 CC2510F16RSPR 无线电收发器 CC2510F32RSPR 无线电收发器 CC2510F8RSPR 无线电收发器 CC2511F16RSPR 无线电收发器 CC2511F32RSPR 无线电收发器 CC2511F8RSPR 无线电收发器 CC2520RHDR 射频收发器 CC2530F128RHAR 射频收发器 CC2530F256RHAR 射频收发器 CC2530F64RHAR 射频收发器 CC2550RSTR 发送器 CC2590RGVR 射频前端芯片 CC2591RGVR 射频前端芯片CCZACC06A1RTCR ZigBee芯片TRF7900APWR 27MHz双路接收器TRF6900APT 射频收发器 TRF6901PTG4 射频收发器 TRF6901PTRG4 射频收发器 TRF6903PTG4 射频收发器

EMC技术工程师考核试题

考核试题考核人员: 考核分数: 以下考核题目包括判断题、选择题和简答题三种形式,由考核人依据回答的完整程度评分。 一、判断题(共15题,每题2分,正确填写错误填写“X”) 1?模拟手应包裹在试品的电机处、人手握的地方,以及不旋转的金属部位,具有危险性的金属处也要包。() 2.对于变频电机的测试,应该将人工电源网络接在电机电源和电机之间。() 3?骚扰电压试验的基本布置是将试品放置在尺寸为2mx 2m 的绝缘垫上,与人工电源网络 连接。() 4?现场测试时当试品电流大于200A,要求使用电压探头进行骚扰电压测量。() 5?现场测试时要求环境骚扰比限值低至少6dB.() 6?约定负载在传导骚扰电压测试中作为受试装置的一部分,其作用不仅仅是为焊接电源的模拟运行提供负载回路。() 7?弧焊设备需要测量的对象只是焊接电源内部电子元件运行工作时自身产生的骚扰。() 8.磁场辐射可通过一块金属板隔断。() 9.辅助设备的辅助引线应沿电源引线相反方向延伸。() 10.辐射发射和抗扰度测试布置中,焊接电源和负载两者与天线之间的距离相等。() 11?公共耦合点是指供电网络中电气上与特定负载距离最近的点,在这一点已接上或者可以接上其他负载。() 12?基波分量是指频率是5 0Hz的分量。()

13.谐波频率是电源(基波)频率的整数倍的频率,谐间波频率是任何基波频率的非整数倍频率。() 14.同轴电缆是指含有一根或多根同轴线的电缆,一般用于辅助设备与测量设备或(试验)信号发生器的匹配连接,以便提供一个规定的特性阻抗和允许的最大电缆转移阻抗。() 15?脉冲群测试时台式设备放在1 m高的非金属试验台上,落地式设备与接地参考平面间的 绝缘支座的厚度为0.1m ±0.01m ,受试设备应按正常安装要求布置和连接。除了接地参考平面外,受试设备与其它任何导体的结构之间的最小距离应大于0.5m。() 二、选择题(共20题,每题2分) 1.电磁干扰的三要素是() A)传导干扰、辐射干扰、抗扰度 B)EMI、EMS、EME (电磁环境) C)干扰源、耦合途径、敏感(接收)装置 D )天线、接收机、电缆 2. GB 434 3.2-2009 版本标准中对于浪涌试验相位角要求的变化是?() A)正负脉冲分别0°,90 ° ,180 ° ,270 ° B)正负脉冲分别90 ° ,270 ° C)正脉冲0°,负脉冲180 ° D )正脉冲90 °,负脉冲270 ° 3.下面对于抗扰度波形的叙述错误的为() A)静电放电波形为上升时间0.7~1 ns (GB/T17626.2-2008 ) B)脉冲群波形为上升时间5ns,持续时间50ns (50 Q负载) C)浪涌波形为波前时间1.2 口s,半峰值时间j0 口s D )阻尼振动波形为上升时间75 口s 4.信息技术设备的EMC发射试验应依据标准为() A)GB 17743 B )GB 4824 C)GB 9254 D )GB4343.1 5.照明器具和灯具的EMC发射试验应依据标准为()

Cascade探针台之芯片的射频测试解决方案

关于微带结构、管壳或大Pitch间距芯片的射频测试解决办法由于探针台越来越多的普及,同时外加在片测试的精确度极高,所以现在很多高校、研究所开始在Cascade系列的机台上测试非芯片的结构,如:微组装中使用的微带结构、承载芯片的管壳、键合后的芯片等,这些都会有一个较为常见的问题,就是射频测试中要是希望达到50G时,“GS”或“GSG”探针的”G”与”S”探针的中心点间距最好小于200um,但是由于各种工艺导致有时候会大于200,甚至有些是在1mm以上,或是有些微带线的“G”与“S”不在同一平面上,下面我将推荐大家一种方法解决这个问题。CC 由于射频探针都是共面波导的结构,如下图中ACP探针,边缘的“G”和中心导体贴焊上的“S”均在同一平面上,所以测试不在同一平面的微带结构会是一种挑战。 经过反复尝试,我们首先生产一块芯片,芯片如下图,芯片正面画有G、S、G三个PAD,每个PAD宽为70um,中心点间距150um,且S长度较长,这是为了方便后期S端和微带上的S进行键合。 芯片正面芯片背面

由于微带结构中S在上层,G在背面,为了将其转化为共面波导,所以我们的芯片在工艺生产上是:两侧的G是和芯片背面的G进行联通的,但是S只是表面。 然后拿一块导电的基板将芯片靠近微带结构一起烧结起来,这样芯片背面的“G”就和微带结构的“G”联通了,然后通过金色结合将微带结构的“S”端口键合在芯片的“S”上,这样既可实现较为庞大的微带结构利用探针台的测试,如下图: 键合 同理,如果是较为庞大的管壳,“G”与“S”间距在200um以上,那么就直接在芯片正面生产“GSG”结构且无需和背部相连,然后通过键合将每一个G和S与管壳上的G与S进行相连即可完成测试。 如果大家需要更加精确的测试也可在生产芯片的时候再生产一组开路、短路、延迟,这样即可实现去嵌,得到一个纯净的DUT参数,详情可直接与我们联系。 希望本文对大家有帮助,感谢!

相关文档
最新文档