熔丝配置详解
AVR熔丝位配置详解
A VR熔丝位配置详解AVR开发前预备—熔丝位(Fuse)快速入门本页关键词：AVR 熔丝位(Fuse)快速入门熔丝位熔丝的作用AVR通过熔丝来操纵芯片内部的一些功能，比如JTAG，时钟的使用，掉电检测电压，是否承诺调试等。
AVR Studio 中STK500 处理熔丝位有庞大的优势：它是以功能组合让用户配置。
这种方式与小马(PnoyProg2000,SL-ISP)相比，具有以下的优势(优势是如此明显，能够用“庞大优势”来形容)：1有效幸免因不熟悉熔丝位让芯片锁死(这是初学者的恶梦)，笔者曾经锁死过三片Atmega16。
2不需要靠经历与查文档，就能配置熔丝位(这也是初学者的恶梦)3动手之前：请你一定弄清晰了，你如此改会有什么后果，除非你有专门多钱不在乎多锁死几个芯片。
备份你的熔丝位状态，在点击Program 之前再次检查熔丝位设置正确与否，不要误点了某项而没有注意到。
由于ISP下载需要芯片本身提供时钟信号。
一定注意，假如没有接外部晶振，一定不能编程熔丝位使用外部晶振。
一旦那样做，就不能再进入编程了，也确实是芯片被锁死。
建议新手不要随意设置芯片的熔丝位，等对熔丝位比较了解了再进行操作。
当芯片锁死已成事实，只要能够为芯片提供相对应的时钟源即可。
如选择了Ext. RC Osc而又没有外部RC(阻容) 振荡器时，可参考手册的接一个专门简单的RC振荡电路！再将熔丝位配置改回正确的配置就可搞定！通过下图的方法打开连接：使用操作界面如下：(注意：下图中，打勾的表示选中，代表0。
没有打勾的表示1)。
上图的资料有专门多相关项，你需要认识以下的代码，以明白中意思。
英文翻译说明如下：英文中文On-Chip Debug Enabled 片内调试使能JTAG Interface Enabled JTAG 接口使能Serial program downloading (SPI) enabled 串行编程下载(SPI) 使能(ISP下载时该位不能修改)Preserve EEPROM memory throughthe Chip Erase cycle;芯片擦除时EEPROM的内容保留Boot Flash section size=xxxx words 引导(Boot)区大小为xxx个词Boot start address=$yyyy; 引导(Boot)区开始地址为$yyyy Boot Reset vector Enabled 引导(Boot)、复位向量使能Brown-out detection level atVCC="xxxx" V;掉电检测的电平为VCC="xxxx" 伏Brown-out detection enabled; 掉电检测使能Start-up time: xxx CK + yy ms启动时刻xxx 个时钟周期+ yy 毫秒Ext. Clock; 外部时钟Int. RC Osc. 内部RC(阻容) 振荡器Ext. RC Osc. 外部RC(阻容) 振荡器Ext. Low-Freq. Crystal; 外部低频晶体Ext. Crystal/Resonator Low Freq 外部晶体/陶瓷振荡器低频Ext. Crystal/Resonator Medium Freq 外部晶体/陶瓷振荡器中频Ext. Crystal/Resonator High Freq 外部晶体/陶瓷振荡器高频注：以上中文是对比ATmega16的中、英文版本数据手册而翻译。
熔丝配置详解
<熔丝详解（M16）><<返回written by harrylee harrylee@初学者对熔丝经常不解，AVR芯片使用熔丝来设定时钟、启动时间、一些功能的使能、BOOT区设定、当然还有最让初学者头疼的保密位，设不好锁了芯片很麻烦。
要想使MCU功耗最小也要了解一些位的设定在此写下自己对熔丝的理解，参照了一些MEGA16的PDF文档，双龙的文档，以及大家的帖子。
力求易懂、全面。
下面以双龙的在系统编程软件SLISP为例具体说明我对熔丝的理解。
a introb低位(时钟及启动时间设置）：c时钟总表d高位(BOOT区设置)：e常用熔丝设置打开运行SLISP.exe，首先记住：1：未编程（配置熔丝检查框未打钩）0：编程（配置熔丝检查框打钩）建议在配置熔丝之前先“读取配置”读出原来的设定，再自己编辑。
先了解一下M16的出厂设置。
默认设置为：内部RC振荡8MHz6CK+65ms CKSEL=0100SUT=10低位(时钟及启动时间设置）：1.BOD(Brown-out Detection)掉电检测电路BODLEVEL(BOD电平选择):1:2.7V电平；0：4.0V电平BODEN(BOD功能控制):1：BOD功能禁止；0：BOD功能允许使用方法：如果BODEN使能(复选框选中)启动掉电检测，则检测电平由BODLEVEL决定。
一旦VCC下降到触发电平(2.7v或4.0v)以下，MUC复位；当VCC电平大于触发电平后，经过tTOUT延时周后重新开始工作。
注：1.复选框选中代表0，0电平有效。
2.因为M16L可以工作在2.7v～5.5v，所以触发电平可选2.7v(BODLEVEL=0)或4.0v(BODLEVEL=1);而M16工作在4.5～5.5V，所以只能选BODLEVEL=0，BODLEVEL=1不适用于ATmega16。
2.复位启动时间选择SUT1/0:当选择不同晶振时，SUT有所不同。
熔丝熔片的配置标准
关于配变熔丝熔片的配置各客户服务中心：变台熔丝熔片的配置要求以拟定，请各中心对集镇上的变台按（表2）要求配置熔丝熔片。
配电变压器低压侧或其内部发生故障时，应靠相应熔断器熔断来实现保护作用，熔丝选择是否适得当对设备和供电安全影响很大。
选择熔丝应注意以下几点。
（１）配电变压器低压侧熔丝，负荷率在８０％以下时，按其额定电流值选配；负荷率在额定状态时，考虑电动机启动、电网电压变化，可按其额定电流１．２倍值选配熔丝。
（２）高压侧熔断器熔丝变压器容量大小、负载率并结合实际与上级保护特征配合（即分、支路熔断器）。
对过负荷的保护，侧重从低压侧保护上考虑，高压侧熔丝应不影响设备出力达到铭牌规定值。
配电变器以下故障短路，应先熔断该保护熔丝。
当配电变压器容量在５０kＶＡ及以下时，熔丝电流宜按２．０～３．５倍额定电流选取；当配电变压器容量在８０～１００kＶＡ时，熔丝电流按１．５～２．５倍额定电流选取；当配电变压器容量在１００KＶＡ以上时，熔丝电流按１．５～２倍额定电流选取。
熔丝规格不能小３Ａ。
表1（基本配置）适用于农村变台序号变压器容量高压熔丝配置低压熔片配置（按额定电流配置）高压侧额定电流低压侧额定电流高压负载率（熔丝与额定电流）低压负载率（熔片与额定电流）1 20KVA 3 32 1.15 28.86 260.87% 110.88%2 30KVA 5 50 1.73 43.3 289.02% 115.47%3 50KVA 7.5 80 2.89 72.17 259.52% 110.85%4 80KVA 10 120 4.62 115.47 216.45% 103.92%5 100KVA 15 150 5.77 144.34 259.97% 103.92%6 200KVA 20 315 11.55 288.68 173.16% 109.12%7 250KVA 25 365 14.43 360.85 173.25% 101.15%8 315KVA 30 470 18.19 454.68 164.93% 103.37%9 400KVA 35 600 23.09 577.37 151.58% 103.92%10 500KVA 45 750 28.87 721.71 155.87% 103.92%11 630KVA 60 1000 36.37 909.35 164.97% 109.97% 表2（各中心的集镇变台按此表配置）配变容量(kVA) 高压熔丝(安)低压熔片(安) (安) (安)30 6 5050 6 80100 10 150160 15 250200 20 350250 25 400315 30 500400 40 600（750）500 40 （1000）630 50 （1200）生产技术部2010年9月27日。
ATMEGA128熔丝位配置详解
ATMEGA128熔丝位配置详解熔丝位配置2009-07-29 11:51在配置熔丝位时应特别注意，部分熔丝位（如OCDEN、JTAGEN和SPIEN等）的配置是不可逆的2009年04月17日星期五 11:28引言AVR系列单片机在仿真调试之前，首先必须对AVR的熔丝位和锁定位进行配置。
如果配置不当，则可能造成单片机不能正常工作，严重时可能导致单片机死锁。
因此，对单片机熔丝位和锁定位的正确配置显得尤为重要。
熔丝位是对单片机具体功能和工作模式的限定，其正确配置与否直接影响到单片机能否正常工作;锁定位是对单片机的程序和数据进行加密，以防止单片机中的程序和数据被读出或写入。
在进行配置时，一般先配置熔丝位，再配置锁定位。
锁定位又分为引导程序区锁定位和程序及数据存储器锁定位两类。
对引导程序区锁定位进行编程可以实现两套保护模式，即应用区保护模式和Boot Loader区保护模式；不同的编程配置可以实现不同的加密级别。
对程序及数据存储器锁定位进行编程可以禁止对并行和SPI/JTAG串行编程模式中Flash和EEPROM进一步编程，从而对程序和存储器中的数据进行保护。
由于引导程序锁定位和程序及数据存储器锁定位的配置具有可逆性，因此可根据不同的需要多次编程，灵活改变。
但是，在配置熔丝位时应特别注意，部分熔丝位（如OCDEN、JTAGEN和SPIEN等）的配置是不可逆的。
在采用单一编程下载情况下（例如只采用JTAG下载或者只采用AVRISP并行下载），一旦配置后将不可改变。
鉴于熔丝位配置的重要性，本文以AVR系列的ATmega128单片机为例，详细介绍熔丝位的配置以及在配置过程中常出现的一些问题，并给出相应的解决办法，成功地解决了因熔丝位配置不当而引起的单片机不能正常工作和死锁等一系列问题。
1 熔丝位的配置ATmega128的熔丝位共有3个字节：熔丝位扩展字节、熔丝位高字节和熔丝位低字节。
表1、表2和表3分别描述了所有熔丝位的功能、默认值以及它们是如何映射到熔丝位字节的。
高(低)压熔断器及熔丝选择标准
熔丝额定电流（A）
额定电流（A）
熔丝额定电流（A）
5
0.48
3
7.2
7.5
0.296
3
14.4
15
0.58
3
14.4
15
15
1.44
3
21.6
25
0.87
3
21.6
25
20
1.92
3
28.8
30
1.16
3
28.8
30
25
2.4
5
35
45
1.45
3
35
45
30
2.88
19.24
30
288
280
11.54
15
288
280
240
23.1
45
345
400
13.85
20
345
400
315
30
50
451
500
18.5
30
451
500
560
53.87
60
806
800
32.4
50
806
800
5
43.2
45
1.78
5
43.2
45
50
4.81
7.5
72
75
2.89
5
72
75
75
7.21
10
108
120
4.34
7.5
108
120
100
9.62
15
144
150
5.8
10
常见配电变压器熔丝配置表
配电变压器熔丝配置表
说明：低压侧熔丝中的×2指变压器低压侧两回出线
10kV侧，跌落式熔断器熔丝的配置，容量在100千伏安及以上的，按变压器额定电流的1.5倍配置熔体；容量在100千伏安以下的，按变压器额定电流的2倍配置熔体。
400V侧，采用开关熔体（丝）保护，熔体（丝）按变压器额定电流配置。
采用塑壳空气开关保护，开关额定电流按变压器额定电流的1.3倍选择。
馈（分）线开关额定电流，按出线回路数平均分配变压器额定电流的1.2倍选择。
一般情况下总开关开断电流不小于50kA，馈（分）线开关开断电流不小于35kA，总开关配置三段式过流保护（瞬时、短延时、长延时），缺相保护及故障类显示指示灯；馈（分）线开关设二段式过流保护（瞬时、长延时）。
AVRmega单片机熔丝位的设置详解及应用举例
（10）使用内部有RC振荡器的AVR芯片时，要特别注意熔丝位CKSEL的配置。一般情况下，芯片出厂时CKSEL位的状态默认为使用内部1MHz的RC振荡器作为系统的时钟源。如果你使用了外部振荡器作为系统的时钟源时，不要忘记首先正确配置CKSEL熔丝位，否则你整个系统的定时都会出现问题。而当在你的设计中没有使用外部振荡器（或某钟特定的振荡源）作为系统的时钟源时，千万不要误操作或错误的把CKSEL熔丝位配置成使用外部振荡器（或其它不同类型的振荡源）。一旦这种情况产生，使用ISP编程方式则无法对芯片操作了（因为ISP方式需要芯片的系统时钟工作并产生定时控制信号），芯片看上去“坏了”。此时只有使用取下芯片使用并行编程方式，或使用JTAG方式（如果JTAG为允许时且目标板上留有JTAG接口）来解救了。另一种解救的方式是：尝试在芯片的晶体引脚上临时人为的叠加上不同类型的振荡时钟信号，一旦ISP可以对芯片操作，立即将CKSEL配置成使用内部1MHz的RC振荡器作为系统的时钟源，然后再根据实际情况重新正确配置CKSEL。
默认情况下M103模式是选中的，应该将其去掉；晶振是内部1M晶振，如果你使用外部晶振，应该进行修改。M128可以开启硬件的看门狗，选中此项，看门狗不需要程序初始化，只需要程序里面喂狗就可以了。
默认熔丝第一部分
M103兼容模式，使能JTAG，使能SPI，Bootloader区大小4096，未使能BOOT。
AVRmega单片机熔丝位的设置详解及应用举例
一、正确配置AVR的熔丝位
熔丝位讲解
初学者对熔丝经常不解，AVR芯片使用熔丝来设定时钟、启动时间、一些功能的使能、BOOT区设定、当然还有最让初学者头疼的保密位，设不好锁了芯片很麻烦。
要想使MCU 功耗最小也要了解一些位的设定在此写下自己对熔丝的理解，参照了一些MEGA16的PDF文档，双龙的文档，以及大家的帖子。
力求易懂、全面。
首先记住：1：未编程（检查框不打钩）0：编程（检查框打钩）建议在配置熔丝之前先“读取配置”读出原来的设定，再自己编辑。
看看 M16的出厂设置。
默认设置为：内部RC振荡8MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0100 SUT=10高位：时钟及启动时间设置：BODLEVEL: BOD电平选择1：2.7V电平；0：4.0V电平BODEN: BOD功能控制1：BOD功能禁止；0：BOD功能允许使用方法：BOD(Brown-out Detection) 掉电检测电路，如果BODEN使能（编程）启动掉电检测，检测电平由BODLEVEL决定一旦VCC下降到触发电平（2.7v或4.0v）以下，MUC复位，当VCC电平大于触发电平后，经过tTOUT 延时周后重新开始工作。
注：1：因为M16L可以工作在2.7v－5.5v所以触发电平可选2.7v或4.0v。
M16工作在4.5 - 5.5V，所以 BODLEVEL=0。
BODLEVEL=1 不适用于ATmega16，SUT1/0: 复位启动时间选择当选择不同晶振时，SUT有所不同。
如果没有特殊要求推荐SUT1/0设置电源缓慢上升。
CKSEL3/0: 时钟源选择低位：BOOT区设置JTAGEN: JTAG允许1：JTAG禁止；0：JTAG允许OCDEN：OCD功能允许1：OCD功能禁止；0：OCD功OCDEN(On-chip Debug)片上调试使能位,JTAGEN:JTAG使能JTAG 测试访问端口。
使用方法：在JTAG调试时使能OCDEN JTAGEN两位（打勾），并保持所有的锁定位处于非锁定状态，在实际使用时为降低功耗不使能OCDEN JTAGEN，大约减少2－3mA的电流。
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要想使MCU功耗最小也要了解一些位的设定在此写下自己对熔丝的理解，参照了一些MEGA16的PDF文档，双龙的文档，以及大家的帖子。
力求易懂、全面。
下面以双龙的在系统编程软件SLISP为例具体说明我对熔丝的理解。
a introb低位(时钟及启动时间设置）：c时钟总表d高位(BOOT区设置)：e常用熔丝设置打开运行SLISP.exe，首先记住：1：未编程（配置熔丝检查框未打钩）0：编程（配置熔丝检查框打钩）建议在配置熔丝之前先“读取配置”读出原来的设定，再自己编辑。
先了解一下M16的出厂设置。
默认设置为：内部RC振荡8MHz6CK+65ms CKSEL=0100SUT=10低位(时钟及启动时间设置）：1.BOD(Brown-out Detection)掉电检测电路BODLEVEL(BOD电平选择):1:2.7V电平；0：4.0V电平BODEN(BOD功能控制):1：BOD功能禁止；0：BOD功能允许使用方法：如果BODEN使能(复选框选中)启动掉电检测，则检测电平由BODLEVEL决定。
一旦VCC下降到触发电平(2.7v或4.0v)以下，MUC复位；当VCC电平大于触发电平后，经过tTOUT延时周后重新开始工作。
注：1.复选框选中代表0，0电平有效。
2.因为M16L可以工作在2.7v～5.5v，所以触发电平可选2.7v(BODLEVEL=0)或4.0v(BODLEVEL=1);而M16工作在4.5～5.5V，所以只能选BODLEVEL=0，BODLEVEL=1不适用于ATmega16。
2.复位启动时间选择SUT1/0:当选择不同晶振时，SUT有所不同。
如果没有特殊要求推荐SUT1/0设置复位启动时间稍长，使电源缓慢上升。
CKSEL3/0:时钟源选择（时钟总表）时钟总表时钟源启动延时熔丝外部时钟6CK+0ms CKSEL=0000SUT=00外部时钟6CK+ 4.1ms CKSEL=0000SUT=01外部时钟6CK+65ms CKSEL=0000SUT=10内部RC振荡1MHZ6CK+0ms CKSEL=0001SUT=00内部RC振荡1MHZ6CK+ 4.1ms CKSEL=0001SUT=01内部RC振荡1MHZ16CK+65ms CKSEL=0001SUT=10内部RC振荡2MHZ6CK+0ms CKSEL=0010SUT=00内部RC振荡2MHZ6CK+ 4.1ms CKSEL=0010SUT=01内部RC振荡2MHZ6CK+65ms CKSEL=0010SUT=10内部RC振荡4MHZ6CK+0ms CKSEL=0011SUT=00内部RC振荡4MHZ6CK+ 4.1ms CKSEL=0011SUT=01内部RC振荡4MHZ6CK+65ms CKSEL=0011SUT=10内部RC振荡8MHZ6CK+0ms CKSEL=0100SUT=00内部RC振荡8MHZ6CK+ 4.1ms CKSEL=0100SUT=01内部RC振荡8MHZ6CK+65ms CKSEL=0100SUT= 10外部RC振荡≤0.9MHZ18CK+0ms CKSEL=0101SUT= 00外部RC振荡≤0.9MHZ18CK+ 4.1ms CKSEL=0101SUT= 01外部RC振荡≤0.9MHZ18CK+65ms CKSEL=0101SUT= 10外部RC振荡≤0.9MHZ6CK+ 4.1ms CKSEL=0101SUT= 11外部RC振荡0.9-3.0MHZ18CK+0ms CKSEL=0110SUT= 00外部RC振荡0.9-3.0MHZ18CK+ 4.1ms CKSEL=0110SUT= 01外部RC振荡0.9-3.0MHZ18CK+65ms CKSEL=0110SUT= 10外部RC振荡0.9-3.0MHZ6CK+ 4.1ms CKSEL=0110SUT= 11外部RC振荡3.0-8.0MHZ18CK+0ms CKSEL=0111SUT= 00外部RC振荡3.0-8.0MHZ18CK+ 4.1ms CKSEL=0111SUT= 01外部RC振荡3.0-8.0MHZ18CK+65ms CKSEL=0111SUT= 10外部RC振荡3.0-8.0MHZ6CK+ 4.1ms CKSEL=0111SUT= 11外部RC振荡8.0-12.0MHZ18CK+0ms CKSEL=1000SUT= 00外部RC振荡8.0-12.0MHZ18CK+ 4.1ms CKSEL=1000SUT= 01外部RC振荡8.0-12.0MHZ18CK+65ms CKSEL=1000SUT= 10外部RC振荡8.0-12.0MHZ6CK+ 4.1ms CKSEL=1000SUT= 11低频晶振(32.768KHZ)1K CK+ 4.1ms CKSEL=1001SU T=00低频晶振(32.768KHZ)1K CK+65ms CKSEL=1001SU T=01低频晶振(32.768KHZ)32K CK+65ms CKSEL=1001SU T=10低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ)258CK+ 4.1ms CKSEL=1010SUT=0 0低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ)258CK+65ms CKSEL=1010SUT=0 1低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ)1K CK+0ms CKSEL=1010SUT=1 0低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ)1K CK+ 4.1ms CKSEL=1010SUT=1 1低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ)1K CK+65ms CKSEL=1011SUT=0 0低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ)16K CK+0ms CKSEL=1011SUT=0 1低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ)16K CK+ 4.1ms CKSEL=1011SUT=1 0低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ)16K CK+65ms CKSEL=1011SUT=1 1中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ)258CK+ 4.1ms CKSEL=1100SUT=0 0中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ)258CK+65ms CKSEL=1100SUT=0 1中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ)1K CK+0ms CKSEL=1100SUT=1 0中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ)1K CK+ 4.1ms CKSEL=1100SUT=1 1中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ)1K CK+65ms CKSEL=1101SUT=0 0中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ)16K CK+0ms CKSEL=1101SUT=0 1中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ)16K CK+ 4.1ms CKSEL=1101SUT=1 0中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ)16K CK+65ms CKSEL=1101SUT=1 1高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ)258CK+ 4.1ms CKSEL=1110SUT=0 0高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ)258CK+65ms CKSEL=1110SUT=0 1高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ)1K CK+0ms CKSEL=1110SUT=1 0高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ)1K CK+ 4.1ms CKSEL=1110SUT=1 1高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ)1K CK+65ms CKSEL=1111SUT=0 0高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ)16K CK+0ms CKSEL=1111SUT=0 1高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ)16K CK+ 4.1ms CKSEL=1111SUT=1 0高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ)16K CK+65ms CKSEL=1111SUT=1 1高位(BOOT区设置)：1.JTAGEN(JTAG允许):1：JTAG禁止；0：JTAG允许OCDEN(OCD功能允许)：1：OCD功能禁止；0：OCD功能允许OCDEN(On-chip Debug)：片上调试使能位JTAGEN(JTAG使能):JTAG测试访问端口使用方法：在JTAG调试时，使能OCDEN JTAGEN两位（复选框打勾），并保持所有的锁定位处于非锁定状态；在实际使用时为降低功耗，不使能OCDEN JTAGEN，大约减少2－3mA的电流。
2.SPIEN(SPI下载允许):1：SPI下载禁止；0：SPI下载使能注：在双龙的软件里，SPIEN是不能编辑的，默认为0。
3.CKOPT(选择放大器模式)：CKOPT＝0：高幅度振荡输出；CKOPT＝1：低幅度振荡输出当CKOPT被编程时振荡器在输出引脚产生满幅度的振荡。
这种模式适合于噪声环境，以及需要通过XTAL2驱动第二个时钟缓冲器的情况，而且这种模式的频率范围比较宽。
当保持CKOPT为未编程状态时，振荡器的输出信号幅度比较小。
其优点是大大降低了功耗，但是频率范围比较窄，而且不能驱动其他时钟缓冲器。
(据我测量功耗差别在1mA左右)。
对于谐振器，当CKOPT未编程时的最大频率为8MHz，CKOPT编程时为16MHz。
内部RC振荡器工作时不对CKOPT编程。
4.EEAVE(烧录时EEPROM数据保留):1：不保留；0：保留在一次使用EEProm时没注意EEAVE位的编程，调试程序每次烧flash 时，EEProm都没了，后来才知道，EEAVE打了勾。
5.BOOTRST(复位入口选择):1：程序从0x0000地址开始0：复位后从BOOT区执行（参考BOOTSZ0/1）6.BOOTSZ1/0(引导区程序大小及入口):00：1024Word/0xc00；01：512Word/0xe00；10：256Word/0xf00；11：128Word/0xf80qiuck giude常用的熔丝设置：1.1Mhz内部RC振荡器：内部RC振荡1MHZ6CK+ 4.1 ms CKSEL=0001SUT=012.8Mhz内部RC振荡器：内部RC振荡8MHZ6CK+65 ms CKSEL=0100SUT=10。