光刻胶大全之令狐文艳创作
2021年光刻胶大全
光刻胶产品前途无量（半导体技术天地）欧阳光明（2021.03.07）1 前言光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器（FPD）的制作。
由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。
作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC，经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。
2 国外情况随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展，对微细图形加工技术的要求越来越高，为了适应亚微米微细图形加工的要求，国外先后开发了g线（436nm）、i线（365nm）、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。
这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达（Kodak）公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等；联合碳化学（UCC）公司的KTI系列；日本东京应化（Tok）公司的TPR、SVR、OSR、OMR；合成橡胶（JSR）公司的CIR、CBR系列；瑞翁（Zeon）公司的ZPN系列；德国依默克（E.Merk）公司的Solect等。
正性胶如：美国西帕来（Shipely）公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。
2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额公司2001年收益2001年市场份额（%）2000年收益2000年市场份额（%）Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.5 25.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.4 16.1 Shin-Etsu Chemical 70.1 10.6 74.2 8.6 Arch Chemicals 63.7 9.6 84.1 9.8 其他122.2 18.5 171.6 20.0 总计662.9 100.0 859.4 100.0 Source: Gartner Dataquest 目前，国际上主流的光刻胶产品是分辨率在0.25µm～0.18µm的深紫外正型光刻胶，主要的厂商包括美国Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。
瑞红RZJ-304光刻胶光刻工艺研究
摘
要 ：利用 光 刻 技 术 对 瑞 红 Ｒ Ｚ Ｊ 一 ３ ０ ４正 性 光 刻 胶 进 行 光 刻 工 艺 研 究 ， 用 透 射 式 光 栅作 为掩 模 版 ， 通 过 改 变 光 刻 步
骤中的前烘时间 、 曝 光时 间 、 显影时间等来研究光刻效果。实验结果表明 。 掩 模 版 图 形 被 成 功 地 转 移 到 了 硅 片 基 底 上， 显 影 后 光 刻 胶厚 度 均 匀 ， 光刻胶线条呈周期性排列 ， 得 到 了与 掩 模 版 尺 寸 一 致 的 图 形 。 这 说 明 得 到 了 适 合 Ｒ 一
产水平 ； 其 二是 图形 线宽 不断缩 小 ， 使 集成 度不 断提 高 ， 生 产成本 持续 下 降 ； 其三 ， 由于线宽 的缩小 ， 器 件 的运
行速 度越 来越快 ， 从 而使 集成 电路 的性能 不断提 高 。光刻技 术 在现代 传感 器技 术 中也 得 到了广泛 的应用 ． 利
用光 刻 技术 制作 的 薄膜传 感 器可 以克 服传 统应 变式 传感 器 的缺点 ， 如 传统 的金 属应 变 片式 传感 器 无法 应 用
Ｖ０ ｌ Ｉ ３ ２ ＮＯ ． ３
Ｓ ｅ Ｄ． ２ ０１ ５
瑞红 Ｒ Ｚ Ｊ 一 ３ ０ ４ 光刻胶 光刻工艺研究
庞梦瑶 ， 程新ｆ ｔ ． Ｉ Ｊ ， 秦长发 ， 沈娇 艳 ， 唐运海 ，王 冰 ｚ
（ １ ． 苏 州科 技 学 院 数理 学 院 ， 江 苏 苏卅 Ｉ ２ １ ５ ０ ０ ９ ； ２ ． 昆 山 双 桥传 感 器 测 控 技 术 有 限公 司 ， 江苏 昆山 ２ １ ５ ３ ２ １ ）
化探 索合 适 的光 刻工 艺参 数 。光刻 技 术一般 包 括基 片清 洗烘 干 、 旋 转 涂胶 、 前烘 、 对准 并 曝光 、 显影 、 后 烘 坚 膜、 腐 蚀 和去胶 等 ８个步骤 ［ ９ － Ｏ ｌ 。 笔者 选择前 烘 、 曝光 、 显影 三个 重要 步骤进 行研究 ， 以获取 适合光 刻胶 的最 佳
聚乙烯醇肉桂酸酯光刻胶的合成
聚乙烯醇肉桂酸酯光刻胶的合成
邵燕;姜劲松
【期刊名称】《上海化工》
【年(卷),期】1999(24)3
【摘要】采用新的分级方法，提高了聚丙烯醇的聚合度，缩小了分子量分布范围，使合成的产品性能有较大的提高。
【总页数】2页(P36-37)
【作者】邵燕;姜劲松
【作者单位】辽宁省化工研究院;辽宁省化工研究院
【正文语种】中文
【中图分类】TN305.7
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己二醇肉桂酸酯)基-L-谷氨酸酯共聚物的合成、LB膜性质及光交联反应的研究 [J], 4.肉桂酸Vc酯和肉桂酸异Vc酯的合成及其性能研究 [J], 郑大贵;祝显虹;张勇;余
泗莲;彭化南
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董秋静
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宝钢DC01标准之令狐文艳创作
宝山钢铁股份有限公司企业标准 Q/BQB 403－2003 冷连轧低碳钢板及钢带代替Q/BQB 403-1999 BZJ 407-1999令狐文艳1 范围本标准规定了冷连轧低碳钢板及钢带的分类和代号、尺寸、外形、重量、技术要求、检验和试验、包装、标志及质量证明书等。
本标准适用于宝山钢铁股份有限公司生产的厚度为0.30mm～3.5mm的冷连轧低碳钢板及钢带（以下简称钢板及钢带）。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 222－1984 钢的化学分析用试样取样法及成品化学成分允许偏差GB/T 223 钢铁及合金化学分析方法GB/T 228－2002 金属材料室温拉伸试验方法GB/T 2975－1998 钢及钢产品力学性能试验取样位置及试样制备GB/T 5027－1999 金属薄板和薄带塑性应变比（值）试验方法GB/T 5028－1999 金属薄板和薄带拉伸应变硬化指数（值）试验方法GB/T 8170－1987 数值修约规则Q/BQB 400－2003 冷轧产品的包装、标志及质量证明书Q/BQB 401－2003 冷连轧钢板及钢带的尺寸、外形、重量及允许偏差SAE J911－1998 冷轧钢板表面粗糙度和峰值数测量方法3 分类和代号3.1 钢板及钢带按用途区分如表1的规定。
宝山钢铁股份有限公司2003－06－04 发布 2003－12－15 实施4 订货所需信息4.1 订货时用户应提供如下信息：a) 产品名称b) 本产品标准号c) 牌号d) 产品规格及尺寸、不平度精度e) 边缘状态f) 表面结构g) 表面质量级别h) 包装方式i) 用途4.2 如订货合同中未注明尺寸及不平度精度、表面结构、表面质量级别、边缘状态及包装方式，则本标准产品按普通的尺寸及不平度精度、表面结构为麻面、FB级表面质量的切边钢带及切边钢板供货，并按供方提供的包装方式包装。
令人神往的变色材料
令人神往的变色材料
爱戈
【期刊名称】《今日科技》
【年(卷),期】1991(000)006
【摘要】近几年来,变色材料迅速崛起,并很快成为新材料家族中的一个重要成员。
科学家预言,变色材料将以其独特的变色性能实现预期的产品功能。
透明度可变的聚合物薄膜是当今材料市场上的新秀。
日本住友化工和日本平板玻璃公司合作。
【总页数】1页(P25)
【作者】爱戈
【作者单位】无
【正文语种】中文
【中图分类】TB324
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基于无颗粒银墨水制备柔性透明导电薄膜
基于无颗粒银墨水制备柔性透明导电薄膜
陈晓婷;孔令燕;苏玉;李晓东;张牧;孙旭东
【期刊名称】《贵金属》
【年(卷),期】2022(43)2
【摘要】以酒石酸银作为前驱体,1,2-丙二胺为络合剂,乙醇为溶剂制备无颗粒酒石酸银导电墨水。
以丙烯酸乳液为原料制备模板,利用模板法和旋涂工艺法,在PET基材上制备透明导电银网格薄膜。
采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)等方法对制备的导电墨水和透明导电银网格薄膜进行表征。
结果表明,该方法实现了银网格完全嵌入在裂纹模板凹槽中,通过调控模板的线宽大
小及网孔数量可获得透过率为82%、方阻为28Ω/sq的银网格透明导电薄膜。
该
导电薄膜的薄膜电阻经过100次弯曲后没有明显的变化,可以有效克服ITO薄膜柔性差的缺点。
【总页数】9页(P9-16)
【作者】陈晓婷;孔令燕;苏玉;李晓东;张牧;孙旭东
【作者单位】东北大学材料科学与工程学院先进陶瓷材料研究中心材料各向异性与织构教育部重点实验室;东北大学佛山研究生院
【正文语种】中文
【中图分类】TN604
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切割 TAIKO工艺之令狐文艳创作
TAIKO工艺令狐文艳TAIKO工艺，是我公司开发的晶片背面研削的新技术。
这项技术和以往的背面研削不同，在对晶片进行研削时，将保留晶片外围的边缘部分3mm左右），只对圆内进行研削薄型化。
通过导入这项技术，可实现降低薄型晶片的搬运风险和减少翘曲的作用。
“TAIKO工艺”的优点通过在晶片外围留边减少晶片翘曲提高晶片强度晶片使用更方便薄型化后的通孔插装，配置接线头等加工更方便不使用硬基体等类似构造而用一体构造※的优点晶片薄型化后需要高温工序(镀金属等)时，没有脱气现象发生因为是一体构造，形状单一，可降低颗粒带入现象※不使用硬基体等，仅凭借晶片本身，即可维持构造（形状）使用硬基体保持晶片TAIKO晶片研削时不在外围区域负重的优点研削外围区域有梯状的晶片更方便崩角现象为零以往的研削TAIKO工艺的研削TAIKO工艺流程图使用装置自动研磨机 DAG810 （TAIKO规格）SolutionsApplications ExampleThe process of ring removal for TAIKO wafer by circle cuttingUp until now a process called ring grinding has been used to remove the ring left over from TAIKO grinding. We have now developed a process of ring removal by circle cutting with a blade dicer.Advantages of ring removal by circle cutting- A simplified process with less tape mounting compared to the ring grinding process-Frame handling reduces the risk of breakage when handling thin wafersIntroduction to the TAIKO ring removal processFor details, please contact the Application R&D Division.。
湖南健康管理师培训大纲之令狐文艳创作
令狐文艳创作湖南省健康管理师令狐文艳培训大纲湖南省人力资源和社会保障厅监制目录健康管理师三级培训大纲健康管理师二级培训大纲健康管理师三级培训大纲课程名称：健康管理师：三级（职业代码：X2-05-05-09）英文名称：Health management specialist教材：《健康管理师》（陈君石、黄建始主编卫生部职业技能鉴定指导中心培训教材）；参考教材：1.《健康管理师》（刘天鹏主编人事部组织编写，辅助教材）；2.湖南省劳动厅职业鉴定中心培训讲义。
一、培训目标1.1 总体培训目标通过培训要求学员掌握健康管理的基础知识，能运用基本技能独立完成本职业信息收集、信息管理、风险识别、风险分析、跟踪随访、健康教育、实施干预方案、监测干预效果等常规工作。
1.2 理论知识培训目标依据《健康管理师国家职业标准》中对三级健康管理师的理论知识要求，通过培训，使学员掌握健康管理工作的职业道德、职业守则、健康管理基本知识、健康保险相关知识、医学基础知识、相关法律、法规等知识。
1.3 专业能力培训目标依据《健康管理师国家职业标准》中对三级健康管理师的理论知识要求，通过培训，使学员掌握信息收集、信息管理、风险识别、风险分析、跟踪随访、健康教育、实施干预方案、监测干预效果的基本方法，达到独立上岗工作的水平。
二、课程任务和说明三级健康管理师应具备基本的专业基础知识和基本的专业技能。
通过培训，使学员能够独立完成健康监测、健康风险评估和分析、健康指导和健康干预等工作。
理论培训部分按照掌握程度，区分为掌握、熟悉、了解三个不同层次。
“掌握”的内容要求理解透彻，能在本学科的学习工作中熟练、灵活运用其基本理论和基本概念；“熟悉”的内容要求能熟知其相关内容的概念及有关理论，并能适当应用；“了解”的内容要求对其中的概念和相关内容有所了解。
三、课时分配总学时:204学时；其中理论 180 学时；实习 24学时。
3.1 理论授课部分3.2 实习部分四授课大纲注：“Z”代表掌握；“S”代表熟悉；“L”代表了解五、实习要求5.1 社区5.1.1 健康管理信息的收集（体格检查、个人健康日记、问卷调查）5.1.1.1 目的要求①掌握健康信息采集的方法；②掌握体格检查的基本操作方式；③掌握基本问卷种类，及问卷调查的基本方法。
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光刻胶产品前途无量（半导体技术天地）令狐文艳1 前言光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器（FPD）的制作。
由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。
作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC，经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。
2 国外情况随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展，对微细图形加工技术的要求越来越高，为了适应亚微米微细图形加工的要求，国外先后开发了g线（436nm）、i线（365nm）、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。
这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达（Kodak）公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等；联合碳化学（UCC）公司的KTI系列；日本东京应化（Tok）公司的TPR、SVR、OSR、OMR；合成橡胶（JSR）公司的CIR、CBR系列；瑞翁（Zeon）公司的ZPN 系列；德国依默克（E.Merk）公司的Solect等。
正性胶如：美国西帕来（Shipely）公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。
2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额公司2001年收益2001年市场份额（%）2000年收益2000年市场份额（%）Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.5 25.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.4 16.1 Shin-EtsuChemical 70.1 10.6 74.2 8.6 Arch Chemicals 63.7 9.6 84.1 9.8 其他122.2 18.5 171.6 20.0 总计662.9 100.0 859.4 100.0Source: Gartner Dataquest目前，国际上主流的光刻胶产品是分辨率在0.25µm～0.18µm的深紫外正型光刻胶，主要的厂商包括美国Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。
中国专利CN1272637A2000年公开了国际商业机器公司发明的193nm光刻胶组合物，在无需相传递掩膜的情况下能够分辨尺寸小于150nm，更优选尺寸小于约115nm。
2003年美国专利US2003/0082480又公开了Christian Eschbaumer 等发明的157nm光刻胶。
预计2004年全球光刻胶和助剂的市场规模约37亿美元。
3 国内现状国内主要产品有聚乙烯醇肉桂酸酯（相当于美KPR胶）、聚肉桂叉丙二酸乙二醇酯聚酯胶、环化橡胶型购胶（相当于OMR－83胶）和重氮萘醌磺酰氯为感光剂主体的紫外正型光刻胶（相当于AZ－1350）。
其中紫外线负胶已国产化，紫外线正胶可满足2µm工艺要求，深紫外正负胶（聚甲基异丙烯基酮、氯甲基聚苯乙烯，分辨率0.5～0.3µm）、电子束正负胶（聚甲基丙烯酸甲酯一甲基丙烯酸缩水甘油酯一丙烯酸乙酯共聚）（分辨率0.25～0.1µm）、X 射线正胶（聚丁烯砜聚1，2一二氯丙烯酸，分辨率0.2µm），可提供少量产品，用于IC制造的高档次正型胶仍全部依赖进口。
光刻胶目前国产能力约为100多吨。
据国家有关部门预测，到2005年微电子用光刻胶将超过200吨。
国内光刻胶主要研制生产单位有北京化学试剂所、北京化工厂、上海试剂一厂、苏州瑞红电子化学品公司、黄岩有机化工厂、无锡化工研究设计院、北师大、上海交大等。
近年来，北京化学试剂所和苏州瑞红电子化学品公司等单位在平板显示器（FPD）用光刻胶方面进行了大量工作，已研制成功并规模生产出液晶显示器（LCD）专用正型光刻胶，如北京化学试剂所的BP218系列正型光刻胶适用于TN／STNLCD的光刻制作。
北京化学试剂研究所一直是国家重点科技攻关课题——光刻胶研究的组长单位。
“十五”期间，科技部为了尽快缩小光刻技术配套用材料与国际先进水平的差距，将新型高性能光刻胶列入了“863”重大专项计划之中，并且跨过0.35µm和0.25µm工艺用i线正型光刻胶和248nm深紫外光刻胶两个台阶，直接开展0.1µm～0.13µm工艺用193nm光刻胶的研究。
苏州瑞红则是微电子化学品行业中惟一一家中外合资生产企业，曾经作为国家“八五”科研攻关“南方基地”的组长单位，其光刻胶产品以用于LCD的正胶为主，负胶为辅。
为加快发展光刻胶产业的步伐，北京化学试剂研究所的上级单位——北京化工集团有限责任公司正在做相关规划，争取在“十五”期间，在大兴区兴建的化工基地实现年产光刻胶80吨至100吨的规模。
在此规划中，化工基地前期以生产紫外负型光刻胶及0.8µm～1.2µm技术用紫外正胶为主，之后还要相继生产i线正胶、248nm深紫外光刻胶及0.1µm～0.13µm技术用的193nm高性能光刻胶。
而苏州瑞红也正积极地与国外著名的光刻胶厂商合作，进行248nm深紫外光刻胶的产业化工作，争取使其产品打入国内合资或独资的集成电路生产企业。
4 前途无量近年来，光刻胶在微电子行业中不断开发出新的用途，如采用光敏性介质材料制作多芯片组件(MCM)。
MCM技术可大幅度缩小电子系统体积，减轻其质量，并提高其可靠性。
近年来国外在高级军事电子和宇航电子装备中，已广泛地应用MCM技术。
可以预见，发展微电子信息产业及光电产业中不可缺少的基础工艺材料——光刻胶产品在21世纪的应用将更广泛、更深入。
光刻胶的定义及主要作用光刻胶是一种有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。
一般光刻胶以液态涂覆在硅片表面上，曝光后烘烤成固态。
光刻胶的作用：a、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中；b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。
光刻胶起源光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。
图形能被映射到光刻胶上，然后用一个developer就能做出需要的模板图案。
光刻胶溶液通常被旋转式滴入wafer。
如图wafer被装到一个每分钟能转几千转的转盘上。
几滴光刻胶溶液就被滴到旋转中的wafer的中心，离心力把溶液甩到表面的所有地方。
光刻胶溶液黏着在wafer上形成一层均匀的薄膜。
多余的溶液从旋转中的wafer上被甩掉。
薄膜在几秒钟之内就缩到它最终的厚度，溶剂很快就蒸发掉了，wafer上就留下了一薄层光刻胶。
最后通过烘焙去掉最后剩下的溶剂并使光刻胶变硬以便后续处理。
镀过膜的wafer对特定波成的光线很敏感，特别是紫外（UV）线。
相对来说他们仍旧对其他波长的，包括红，橙和黄光不太敏感。
所以大多数光刻车间有特殊的黄光系统。
光刻胶的主要技术参数a、分辨率（resolution）。
区别硅片表面相邻图形特征的能力。
一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。
形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
b、对比度（Contrast）。
指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。
对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。
c、敏感度（Sensitivity）。
光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值（或最小曝光量）。
单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。
d、粘滞性/黏度（Viscosity）。
衡量光刻胶流动特性的参数。
粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。
光刻胶的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻胶的密度的指标。
它与光刻胶中的固体含量有关。
较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。
粘度的单位：泊（poise），光刻胶一般用厘泊（cps，厘泊为1%泊）来度量。
百分泊即厘泊为绝对粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=绝对粘滞率/比重。
单位：百分斯托克斯（cs）＝cps/SG。
e、粘附性（Adherence）。
表征光刻胶粘着于衬底的强度。
光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。
光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等）。
f、抗蚀性（Anti-etching）。
光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。
耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
g、表面张力（Surface Tension）。
液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。
光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
h、存储和传送（Storage and Transmission）。
能量（光和热）可以激活光刻胶。
应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。
同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。
一旦超过存储时间或较高的温度范围，负胶会发生交联，正胶会发生感光延迟。
光刻胶的分类a、根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类：负性光刻胶和正性光刻胶。
负性光刻胶（Negative Photo Resist）。
最早使用，一直到20世纪70年代。
曝光区域发生交联，难溶于显影液。
特性：良好的粘附能力、良好的阻挡作用、感光速度快；显影时发生变形和膨胀。
所以只能用于2μm的分辨率。
正性光刻胶（Positive Photo Resist）。
20世纪70年代，有负性转用正性。
正性光刻胶的曝光区域更加容易溶解于显影液。
特性：分辨率高、台阶覆盖好、对比度好；粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。
b、根据光刻胶能形成图形的最小光刻尺寸来分：传统光刻胶和化学放大光刻胶。
传统光刻胶。
适用于I线（365nm）、H线（405nm）和G线（436nm），关键尺寸在0.35μm及其以上。
化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）。
适用于深紫外线（DUV）波长的光刻胶。
KrF（248nm）和ArF（193nm）。
光刻胶的化学性质a、传统光刻胶：正胶和负胶。
光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent），保持光刻胶的液体状态，使之具有良好的流动性；添加剂（Additive），用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。