放大电路的频率响应题解
放大电路的频率响应和噪声

为新电路设计提供指导。
03
技术发展
随着电子技术的不断发展,对放大电路的性能要求也越来越高。理解频
率响应和噪声有助于推动相关技术的进步,促进电子工程领域的发展。
对未来研究的展望
新材料与新工艺
随着新材料和纳米技术的发展,未来研究可以探索如何将这些新技术 应用于放大电路中,以提高其频率响应和降低噪声。
系统集成
噪声的来源
01
02
03
04
热噪声
由于电子的热运动产生的随机 波动。
散粒噪声
由于电子的随机发射和吸收产 生的噪声。
闪烁噪声
由于半导体表面不平整或缺陷 引起的噪声。
爆米花噪声
由于材料的不完美性或晶体缺 陷引起的噪声。
噪声的分类
宽带噪声
在整个频率范围内具有均匀的 功率谱密度。
窄带噪声
在特定频率范围内具有较高的 功率谱密度。
抗干扰能力
放大电路的噪声也会影响通信系统的抗干扰能力。低噪声放 大电路有助于提高通信系统的抗干扰性能,确保信号传输的 稳定性。
在音频处理系统中的应用
音质
音频处理系统中,放大电路的频率响应和噪声对音质有重要影响。好的频率响 应能够保证音频信号的真实还原,而低噪声放大电路则有助于减少背景噪声, 提高音频清晰度。
宽频带型
在较宽的频率范围内具有较为平坦的放大倍 数。
频率响应的分析方法
解析法
通过电路理论中的传递函数和频率函数等概念, 推导放大电路的频率响应。
实验法
通过实际测量不同频率下的电压放大倍数,绘制 频率响应曲线。
计算机仿真法
利用电路仿真软件,模拟和分析放大电路在不同 频率下的性能表现。
03 放大电路的噪声
第9章 放大电路的频率响应

第9章放大电路的频率响应1.已知某放大电路电压放大倍数的频率特性表达式为:式中f单位Hz,表明其下限频率为;上限频率为;中频电压增益为dB,输出电压与输入电压中频段的相位差为。
2.幅度失真和相位失真统称为失真,它属于失真,在出现这类失真时,若u i为正弦波,则u o为波,若u i为非正弦波,则u o与u i的频率成分,但不同频率成分的幅度变化。
3.饱和失真,截止失真都属于失真,在出殃这类失真时,若u i为正弦波,则u o为波。
u o与u i的频率成分。
4.多级放大电路的通频带比组成它的各个单级放大电路的通频带。
5.多级放大电路在高频时产生的附加相移比组成它的各个单级放大电路在相同频率产生的附加相移。
6.多级放大电路放大倍数的波特图是各级波特图的。
7.在三级放大电路中,已知|A u1|=50,|A u2|=80,|A u3|=25,则其总电压放大倍数|A u|= ,折合为 dB。
8.在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的,而前级的输出电阻则也可视为后级的;前级对后级而言又是。
9.为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用 ______耦合方式。
10.为了使放大电路的信号与负载间有良好的匹配,以使输出功率尽可能加大,放大电路应采用耦合方式。
11.电路图所示:其中V cc=6.7V,R b=300kΩ,R c=2 kΩ,晶体管的β=100,r bb’=300Ω,U BE=0.7V,电容C1=C2=5μF,R L=。
①求中频电压放大倍数A u②求下限频率f L③若信号频率f=10Hz,希望放大倍数 |A u|仍不低于0.7|A um|则应更换哪个元件?其值为多少?12.某放大电路的电压放大倍数复数表达式为:f的单位为Hz①求中频电压放大倍数A um②画出A u幅频特性波特图③求上限截止频率f H和下限截止频率f L13.图示电路中的T1,T2均为硅管,U BE=0.7V,两管间为直接耦合方式,已知β1=β2=50,r bb’1= r bb’2=300Ω,电容器C1、C2、C3、C4的容量足够大。
模拟电路典型例题讲解

态范围,所以,不会出现非线性失真。 (5)输入信号的两个频率分量为 f1=1kHz,f2=10MHz,fL<f1<fH ,f2>fH,所以,放
大后会出现高频频率失真。又由于输入信号幅度较小(0.01V),叠加后也未超出线性 动态范围,所以,不会出现非线性失真。
【3-7】分相器电路如题图 3.5 所示。该电路的特点是 RC=RE,在集电极和发射极可输 出一对等值反相的信号。现如今有一容性负载 CL,若将 CL 分别接到集电极和发射极, 则由 CL 引入的上限频率各为多少?不考虑晶体管内部电容的影响。
相应的上限频率为
ωH
fH =
=
106
≈159.2kHz
2π 2×3.14
由增益带宽积的定义可求得:GBW=│A(0)·fH│≈31.84MHz 思考:此题是否可用波特图求解? 【3-3】已知某晶体管电流放大倍数β的频率特性波特图如题图 3.2(a)所示,试写出 β的频率特性表达式,分别指出该管的 ωβ、ωT 各为多少?并画出其相频特性的渐近 波特图。
1
1
C2≈
=
≈2.12μF
2π(RC+RL) fL 2 2×3.14×(3+10)×103×5.77
1
C3≈ 2π RE∥
Rs+rbe 1+β
1
fL 3
= 2×3.14× 2∥1+2.6 1+100
≈766μF ×5.77
取 C1=10μF,C2=10μF,C3=1000μF。 【3-10】在题图 3.7 中,若下列参数变化,对放大器性能有何影响(指 ICQ、Avm、Ri、
真问题。但由于输入信号幅度较大(0.1V),经 100 倍的放大后峰峰值为 0.1×2× 100=20V,已大大超出输出不失真的动态范围为 Vopp=10V,故输出信号将产生严重的 非线性失真(波形出现限幅状态)。 (2)输入信号为一单一频率正弦波,f=1MHz,由于 fL<f<fH,所以,不存在频率失 真问题。又由于输入信号幅度较小(0.01V),经 100 倍的放大后峰峰值为 0.01×2× 100=2V<Vopp(10V),所以,也不会出现非线性失真。 (3)输入信号的两个频率分量为 f1=400Hz,f2=1MHz,均处在放大器的中频区,所以, 不存在频率失真问题。又由于输入信号幅度较小(0.01V),所以,也不会出现非线性 失真。 (4)输入信号的两个频率分量为 f1=10Hz,f2=50kHz,f1<fL,fL<f2<fH,所以,放大 后会出现低频频率失真。又由于输入信号幅度较小(0.01V),叠加后也未超出线性动
模拟电路5.习题解答

A u
第五章 放大电路的频率响应
5.4
已知某放大电路的幅频特性如图P5.4所示。试问:
(1)该电路的耦合方式;
(2)该电路由几级放大电路组成; (3)当f=104Hz时,附加相移为多少? 当f=105Hz时,附加相移以约为多少?
解: (1)直接耦合; (2)三级; (3)当f=104Hz时, φ’=-135o; 当f=105Hz时, φ ’=-270o 。
第五章 放大电路的频率响应
第五章 放大电路的频率响应
习题解答
第五章 放大电路的频率响应
5.2已知某放大电路的波特图如图P5.2所示,试写出AU的表达式。 解:设电路为基本共射放大电路, 其频率特性表达式如下:
32 (1
10 f )(1 j 5 ) jf 10 3.2j f 或Au f f (1 j )(1 j 5 ) 10 10
1 16 Hz 2 π Rs C s 1 1 1.1MHz ' ' 2 π(Rs ∥ RG )C GS 2 πRs C GS 12 .4 ( j
' ' C GS C GS (1 g m RL )C GD 72 pF
fH
f ) 16 A us f f (1 j )(1 j ) 6 16 1.1 10
(2)波特图如右图
第五章 放大电路的频率响应
5.14 电路如图P5.14所示,已知Cgs=Cgd=5pF, C1=C2=Cs=10μ F, gm=5mS,试求fH、、fL各约为多少,并写出Aus Ri ' ' ( g m RL ) g m RL 12 .4 Rs Ri
第五章 放大电路的频率响应
放大电路的频率响应解读

1 Av 1 ( f
f0 fH
fH
)2
1 2RC
• 由以上公式可做出如图所示的RC低通电路的近似频 |Au | 1 率特性曲线: 0.707
Av 1 1 ( f fH )
2
f arctg(
) fH
O O –45 –90
fH f
f
f 0 时, Au 1 ; 0
U be
(b)混合 模型
混合 模型的简化 (a)简化的混合 模型
Cμ 跨接在输入与输出回路之间,电路分析变得相当复杂。 常将Cμ 等效在输入回路和输出回路,称为单向化。单向 化靠等效变换实现。
因为Cπ >> Cu ,且一般情况下。 Cu 的容抗远大于集电 // 极总负载电阻R/L,Cu 中的电流可忽略不计,得简化模 型图(C)。
当 f =fH 时,相频特性将滞后45°,并具有 -45/dec的斜率。在0.1 fH 和10 fH处与实际的相频 特性有最大的误差,其值分别为+5.7°和-5.7°。 这种折线化画出的频率特性曲线称为波特图,是 分析放大电路频率响应的重要手段。
RC高通电路
RC高通电路如图所示。 & 为: 其电压放大倍数 A v • • Uo R 1 Au • U i R 1 / j C 1 1/j RC 式中
U be
混合π模型
(a)晶体管的结构示意图
I b0 ,这是因为β本身 这一模型中用 g m V b'代替 e 就与频率有关,而gm与频率无关。
.
.
2、简化的混合 模型 通常情况下, rce远大于 c--e 间所接的负载 电阻,而 rb/c也远大于Cμ 的容抗,因而可 认为rce和rb/c开路。
频率响应

1.一个同相放大电路当输入一个正弦信号时,若输出电压顶部削平了,说明该放大电路出现了____;如输出电压的相位与输入不同相,说明该放大电路出现了____。
A 、饱和或截止失真, B 、交越失真, C 、频率失真 答案:A|C2.在双极型晶体管三种基本接法中高频响应特性最好的是______,最差的是____。
A 、共射接法, B 、共集接法, C 、共基接法 答案:C|A3.已知图(a )所示电路的幅频响应特性如图(b )所示。
影响f L 大小的因素是____,影响f H 大小的因素是____。
从括号中选择正确答案,用A 、B 、C 填空。
A 、晶体管极间电容,B 、晶体管的非线性特性,C 、耦合电容HLV CC( a )( b )答案:C|A4.某放大电路电压放大倍数uA 的折线近似幅频特性如图所示。
由此可知中频电压放大倍数mu A 为____(A 、40, B 、100, C 、10000)倍,下限截止频率为____(A 、10Hz , B 、100Hz , C 、1000Hz ),上限截止频率为____(A 、100kHz ,B 、1MHz ,C 、10MHz )。
当信号频率恰好等于上限截止频率或下限截止频率时,该电路的实际电压增益约为____(A 、40dB , B 、-3dB , C 、37dB)。
0101010答案:B|B|B|C5.由两个频率特性相同的单级直接耦合放大电路组成的两级放大电路的上限截止频率____,下限截止频率____。
A 、变高,B 、变低,C 、不变 答案:B|C6.上限截止频率为1.5MHz ,下限截止频率为100Hz ,的两个相同的单级放大电路组成一个两级放大电路,这个两级放大电路的上限截止频率约为____。
(A 、1MHz , B 、1.5MHz , C 、2MHz ),下限截止频率约为____(A 、70Hz , B 、100Hz , C 、150Hz )。
模电第四习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零,则其输入电阻会明显变GS小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
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2.场效应管的高频等效模型
(a)场效应管的高频等效模型
(b)简化模型 图 5.6 场效应管的高频等效模型
三、单管放大电路的频率响应 1.单管共射放大电路的频率响应 (1)中频电压放大倍数:
其中,
。
(2)低频电压放大倍数:
其中,fL 为下限频率,
fbw fH fL
3.波特图 (1)横坐标取频率,幅频纵轴取 20 lg | Au | dB ,相频纵轴取度数(°)。 (2)高通电路波特图,如图 5.3 所示。
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对数幅频特性:
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相频特性:f ? fL 时, =0°;f=fL 时, =+45°;f = fL 时, =+90°。
f fL
为 A&u 的相频特性。可知,当 f ?
fL 时,
| A&u | ,≈00;当 f=fL 时, | A&u | ,≈450;当 f = fL 时,| A&u | f / fL ,表示
f 每下降 10 倍, | A&u | 降低 10 倍;当 f 趋于零时, | A&u | 趋于零, 趋于+900。
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台
设一个N级放大电路各级的下限频率分别为
,上限频率分别为
,通频带分别为 率、上限频率和通频带分别为
,则该放大电路的下限频
2.截止频率的估算 (1)下限截止fL:
(2)上限截止fH:
5.2 课后习题详解
5.1 在图 5.1 所示电路中,已知晶体管的 rbb’、Cμ、Cπ,Ri≈rbe。
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5.5 若 某 电 路 的 幅 频 特 性 如 图 P5 .4 所 示 , 试 写 出 Ȧu 的 表 达 式 , 并 近 似 估
算 该 电 路 的 上 限 频 率 fH。
解 : Ȧu 的 表 达 式 和 上 限 频 率 分 别 为
Ȧ u
=
± 103 f
(1 + j
)3
10 4
fH
≈
f
' H
1.1 3
1
。①;①。
2π (Rs + Rb ∥ rbe ) C1
( 2)
1
;①;①,①,③。
2π [rb'e ∥ (rbb' + Rb ∥ Rs )]Cπ'
第五章题解-5
5 .2 已 知 某 电 路 的 波 特 图 如 图 P5 .2 所 示 , 试 写 出 Ȧu 的 表 达 式 。
图 P5.2
解: 设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。
f
−100 ⋅ j
Ȧu =
10
f
f
(1 + j )(1 + j )
10
105
Ȧum = −100
fL = 10Hz
fH = 105 Hz
( 2) 波 特 图 如 解 图 P5.6 所 示 。
解 图 P5.6
5.7 已 知 两 级 共 射 放 大 电 路 的 电 压 放 大 倍 数
第五章题解-8
Ȧ u
f L1
=
f L2
=
1 2π τ
≈ 6.4Hz
fL ≈ 1.1 2 fL1 ≈ 10Hz
5.11 在 图 P5.8( a)所 示 电 路 中 ,若 Ce 突 然 开 路 ,则 中 频 电 压 放 大 倍 数
Ȧusm 、 fH 和 f L 各 产 生 什 么 变 化 ( 是 增 大 、 减 小 、 还 是 基 本 不 变 )? 为 什 么 ? 解 : Ȧusm 将 减 小 , 因 为 在 同 样 幅 值 的 U̇ i 作 用 下 , İb 将 减 小 , İc 随 之
f j 2.5 ×105
)
5.4 已 知 某 电 路 的 幅 频 特 性 如 图 P5.4 所 示 , 试 问 :
( 1)该电路的耦合方式;
( 2)该电路由几级放大电路组成 ;
( 3)当 f = 10 4H z 时 ,附 加 相 移 为 多 少 ? 当 f = 10 5 时 ,附 加 相 移 又 约 为 多 少?
的 容 量 均 相 等 ,静 态 时 所 有 电 路 中 晶 体 管 的 发 射 极 电 流 I EQ 均 相 等 。定 性 分 析 各电路,将结论填入空内。
图 P5.8
( 1)低频特性最差即下限频率最高的电路是
;
( 2)低频特性最好即下限频率最低的电路是
;
( 3)高频特性最差即上限频率最低的电路是
103 ⋅ j f
Ȧu =
f
5
f
f
(1 + j )(1+ j )(1 + j
)
5
10 4
2.5 ×105
Ȧum = 103
fL = 5Hz
fH ≈ 104 Hz
( 2) 波 特 图 如 解 图 P5.7 所 示 。
解 图 P5.7
第五章题解-9
5 .8 电 路 如 图 P5 .8 所 示 。 已 知 : 晶 体 管 的 β、 rbb' 、 C μ 均 相 等 , 所 有 电 容
解 :( 1 ) 求 解 C 1 :C 2
因为
C1( Rs+ Ri) = C2( Rc+ RL)
将电阻值代入上式,求出
C1 : C2=5 : 1。 ( 2) 求 解 C1、 C2 的 容 量 和 下 限 频 率
τ C1 = Rs + Ri ≈ 12.5μ F
τ C2 = Rc + RL ≈ 2.5μ F
≈
5.2kHz
第五章题解-7
5.6 已 知 某 电 路 电 压 放 大 倍 数
Ȧu =
−10 jf
fLeabharlann f(1 + j )(1 + j )
10
105
试求解:
( 1 ) Ȧum = ? f L= ? fH = ?
( 2)画出波特图。
解 :( 1 ) 变 换 电 压 放 大 倍 数 的 表 达 式 , 求 出 Ȧum 、 fL、 f H。
解 :下 限 频 率 决 定 于
Ce 所在回路的时间常数 ,
解 :( 1) 因 为 下 限 截 止 频 率 为 0, 所以电路为直接耦合电路;
( 2)因为在高频段幅频特性为
图 P5.4
- 60dB/十 倍 频 , 所 以 电 路 为 三 级 放 大 电 路 ;
( 3) 当 f = 104Hz 时 , φ '= - 135o; 当 f = 105Hz 时 , φ '≈ - 270o 。
第五章题解-3
( 1) 电 路 的 中 频 电 压 增 益 20lg| Ȧu m | =
dB , Ȧu m =
( 2) 电 路 的 下 限 频 率 fL≈
Hz, 上 限 频 率 fH≈
( 3) 电 路 的 电 压 放 大 倍 数 的 表 达 式 Ȧu =
。 kHz.
。
图 T5.3
解 :( 1) 60
。当 Rs 减小时 ,
fL 将 ; 当 带 上 负 载 电 阻 后 , fL 将
。
( 2) 在 空 载 情 况 下 , 若 b-e 间 等 效 电 容 为 Cπ' ,
则上限频率的表达
式 fH =
;当 R s 为 零 时 ,f H 将
;当 Rb 减 小 时 ,g m 将
, Cπ' 将
,
fH 将 。
解 :( 1)
R = Re ∥ rbe
+ Rs ∥ Rb 1+ β
≈
rbe + Rs 1+ β
≈ 20Ω
fL
≈
2π
1 RCe
≈ 80Hz
第五章题解-10
5.10 在 图 P5.8( b)所 示 电 路 中 ,若 要 求 C1 与 C2 所 在 回 路 的 时 间 常 数 相 等 ,且 已 知 r be =1 k Ω ,则 C 1 :C 2= ? 若 C 1 与 C 2 所 在 回 路 的 时 间 常 数 均 为 25 ms , 则 C1、 C2 各 为 多 少 ? 下 限 频 率 fL≈ ?
=
⎜⎛1 + ⎝
j
f 5
⎟⎞⎜⎛1 + ⎠⎝
200 ⋅ jf
f j 10 4
⎟⎞⎜⎛1 ⎠⎝
+
f j 2.5 ×105
⎞ ⎟ ⎠
( 1 ) Ȧu m = ? f L= ? f H = ?
( 2)画出波特图。
解 :( 1 ) 变 换 电 压 放 大 倍 数 的 表 达 式 , 求 出 Ȧu m 、 f L、 f H。
fH = 2π RCπ' ≈ 175kHz 1
fL = 2π (Rs + Ri )C ≈ 14Hz
( 4) 在 中 频 段 的 增 益 为
20 lg Ȧusm ≈ 45dB
频 率 特 性 曲 线 如 解 图 T5.2 所 示 。
解 图 T5.2
三 、 已 知 某 放 大 电 路 的 波 特 图 如 图 T5.3 所 示 , 填 空 :
。
A.- 45˚
B.- 135˚
C.- 225˚
解 :( 1) A ( 2) B , A ( 3) B A ( 4) C C
第五章题解-1
二 、电 路 如 图 T 5. 2 所 示 。已 知 :VCC = 12 V ;晶 体 管 的 C μ = 4p F ,f T = 50 M H z,
rbb' = 10 0 Ω , β0 = 8 0 。 试 求 解 : ( 1 ) 中 频 电 压 放 大 倍 数 Ȧusm ; ( 2 ) Cπ' ;
;
解 :( 1)( a)
( 2)( c)
( 3)( c)
5.9 在 图 P5.8( a) 所 示 电 路 中 , 若 β = 100, rbe= 1kΩ , C1= C2= Ce = 100μ F, 则 下 限 频 率 fL≈ ?
解 :由 于 所 有 电 容 容 量 相 同 ,而 Ce 所 在 回 路 等 效 电 阻 最 小 ,所 以 下 限 频 率决定于 Ce 所在回路的时间常数。
减 小 , U̇ o 必 然 减 小 。
fL 减小,因为少了一个影响低频特性的电容。
f H 增 大 。因 为 Cπ' 会 因 电 压 放 大 倍 数 数 值 的 减 小 而 大 大 减 小 ,所 以 虽 然 Cπ'
所在回落的等效电阻有所增大,但时间常数仍会减小很多,故 fH 增大。
5.12 在 图 P5.8( a) 所 示 电 路 中 , 若 C1> Ce, C2> Ce, β = 100, rbe= 1kΩ , 欲 使 fL = 60Hz, 则 Ce 应 选 多 少 微 法 ?
104
( 2) 10
10
( 3)
± 103
或
± 100 jf
10
f
f
f
f
f
(1 + )(1 + j )(1 + j ) (1 + j )(1+ j )(1 + j )
jf
104
105
10
104
105
说 明 : 该 放 大 电 路 的 中 频 放 大 倍 数 可 能 为 “ + ”, 也 可 能 为 “ - ”。