单晶炉设备
单晶炉加热器工作原理
01单晶炉的构成
单晶硅炉，也称全自动直拉单晶生长炉，是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备，由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。
单晶硅炉型号有两种命名方式，一种为投料量，一种为炉室直径，比如120、150 等型号是由投料量决定，85 炉则是指主炉筒的直径大小。
02单晶炉工作原理
将多晶硅原料放在炉体的石英坩埚内进行高温熔化（1450℃以上），在低真空度和氩气保护下，通过紫晶插入多晶硅熔体后，在紫晶周围形成过冷态并进行有规律生长，形成一根单晶棒体。
单晶生产基本流程是：将多晶硅原料放入单晶炉，加热融化，逐步分别进行缩颈生长、放肩生长、等径生长和尾部生长，然后开炉取料，进行晶体测试，最后进行包装、入库，再发货。
晶盛160单晶炉结构
晶盛160单晶炉结构晶盛160单晶炉是一种应用于半导体材料生长过程中的设备。
本文将对晶盛160单晶炉的结构进行详细介绍。
晶盛160单晶炉的结构主要包括炉体、加热装置、控制系统和气体供应系统。
炉体是晶盛160单晶炉的主要组成部分，它通常由高温材料制成，如石墨。
炉体的内部有一个容纳材料生长的腔室，通常为圆柱形。
腔室的上部有一个开口，用于放置生长介质和种子晶体。
炉体的底部有一个出料口，用于取出生长的单晶材料。
加热装置是晶盛160单晶炉的关键组件之一。
它通常由电热丝或电磁线圈组成，用于提供必要的热能以使生长介质熔化并促进单晶生长过程。
加热装置可以通过外部的电源进行控制，以调节温度和热能输入量，从而实现对单晶生长过程的精确控制。
控制系统是晶盛160单晶炉的另一个重要部分。
它通常由温度控制器、时间控制器和其他相关仪器组成。
温度控制器用于监测和调节炉体内的温度，以确保生长过程中的温度稳定性。
时间控制器用于设置和控制生长时间，以确保生长过程的持续性和一致性。
其他相关仪器如压力传感器和流量计等，用于监测和调节生长过程中的气体供应和压力。
气体供应系统是晶盛160单晶炉中的重要组成部分。
它通常包括气体源、气体流量控制器和气体分配装置。
气体源提供所需的生长气体，如氩气、氧气和氮气等。
气体流量控制器用于调节和控制气体的供应量，以确保生长过程中的气氛稳定。
气体分配装置用于将气体分配到炉体内的适当位置，以实现均匀的气氛分布。
晶盛160单晶炉的结构主要包括炉体、加热装置、控制系统和气体供应系统。
这些组成部分共同作用，实现对半导体材料生长过程的精确控制，从而获得高质量的单晶材料。
晶盛单晶炉作业指导书
晶盛单晶炉作业指导书晶盛单晶炉是一种高温熔炼设备，主要用于实验室、研究机构以及一些小规模生产场所进行单晶材料的制备。
本作业指导书旨在为操作人员提供详细的操作步骤和注意事项，以确保安全可靠地操作晶盛单晶炉。
一、设备准备1. 确保晶盛单晶炉设备完好无损，并检查电源是否正常。
2. 将晶盛炉设备放置在通风良好、防火安全的场所，并确保离其他设备和易燃物距离足够。
3. 准备好所需的单晶生长设备、单晶种子、熔化样品以及其他实验所需材料和工具。
二、操作步骤1. 插入晶盛并连接电源。
首先将晶盛轻轻插入炉内，并确保与电源连接牢固。
注意避免触碰炉体，以免烫伤。
2. 打开电源开关，并调整炉体温度。
根据实验需求设定炉温，并通过控制面板进行温度调节。
3. 温度上升阶段。
将炉温缓慢升高，避免温差过大引起晶体结构异常。
4. 投入单晶种子并开始熔化。
待炉温达到要求后，将单晶种子放置在炉内，观察熔化过程，确保样品均匀熔融。
5. 单晶生长阶段。
根据所需单晶材料的要求，保持恒定的温度和熔融状态，稳定地进行单晶生长。
6. 单晶生长完成。
待单晶生长完毕，将电源关闭，并等待炉温降至安全温度后，方可取出单晶。
三、注意事项1. 操作前检查设备及电源连接是否正常，确保操作安全。
2. 晶盛单晶炉高温，操作人员应穿戴防热手套和保护眼镜，避免烫伤和灼伤。
3. 遵循操作规程，严格按照制定的温度曲线进行操作，避免过大的温差影响晶体质量。
4. 炉体外部温度高，禁止操作人员触碰，以免烫伤。
5. 单晶材料、单晶种子等操作材料应储存妥善，避免受潮或污染。
6. 操作过程中要保持炉外环境干燥洁净，避免灰尘和异物进入炉内影响单晶生长。
7. 操作结束后，及时关闭电源，并等待炉温降至安全温度后取出单晶。
四、常见故障处理1. 温度控制失常。
检查温度控制仪表及传感器是否正常，排除故障后重新操作。
2. 单晶材料熔融异常。
检查材料质量和配比是否准确，避免杂质或空气进入熔融材料，影响单晶质量。
直拉单晶炉设备简介结构
直拉单晶炉设备简介结构单晶炉设备，也称为单晶生长炉，是一种用于生产高质量单晶材料的先进设备。
单晶材料在电子、光电子、光学和磁学等领域有着广泛的应用。
单晶炉设备通过熔融法或气相沉积法进行单晶生长，其结构一般包括炉体、加热元件、温度控制装置、控制系统和附件等部分。
一、炉体炉体是单晶炉设备的主体部分，一般由炉罐和炉盖两部分组成。
炉罐通常由耐高温、高膨胀系数的材料制成，如石墨、石英等。
炉罐的内部需要保持一定的真空度，以防止杂质的污染。
炉盖通常是一个单向旋转的结构，方便单晶生长过程中的试样的进出。
二、加热元件加热元件是单晶炉设备中起到加热作用的部分，一般由电阻丝、电阻板等构成。
加热元件的作用是提供足够的热量使试样内部达到熔点并保持一定的熔化状态。
加热元件通常布置在炉罐的外侧，通过电源供电控制加热温度。
三、温度控制装置温度控制装置是保证单晶生长过程中温度的稳定性和精确性的关键部分。
一般由温度传感器、温控仪和加热控制系统组成。
温度传感器通过测量试样的温度信号反馈给温控仪，温控仪根据设定的温度范围和精度，调节加热控制系统提供的热量，以实现稳定的温度控制。
四、控制系统控制系统是单晶炉设备的核心部分，主要包括温度控制系统、真空控制系统、气体流量控制系统和运行状态监测系统等。
温度控制系统通过控制加热元件的供电功率，实现对温度的控制。
真空控制系统通过控制抽气装置的工作状态，实现对炉罐内真空度的控制。
气体流量控制系统用于控制与单晶生长过程相关的气体的输入和排出。
运行状态监测系统可根据实际需要监测单晶炉设备的工作状态和性能，以提供参考和保障设备的正常运行。
五、附件单晶炉设备的附件包括保护屏、加热瓶、真空泵等。
保护屏是一种用于保护实验人员免受高温辐射的屏障。
加热瓶是单晶生长过程中用来加热试样的容器。
真空泵是单晶炉设备用于维持炉罐内真空度的设备，通常由机械泵和分子泵组成。
总结起来，单晶炉设备是一种结构复杂、功能完善的高精度设备，用于生产高质量单晶材料。
直拉单晶炉设备简介结构课件
直拉单晶炉的改良
1.为了缩小设备高度、增加稳定 性, 目前普遍采用软轴代替原来的硬 轴；
2.为了实现重复加料及重复拉晶, 都采用一下一上两个炉室（主室和副 室）；
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直拉单晶炉的改良
3.为了确保真空度和转动的稳定性, 大 都在上、下轴的旋转部分安装磁流体密封。
4.为了加大了投料量, 在电源、水冷及 炉压监控上, 采用了多种安全保障措施和安 全装置, 电气上做到了全程自动控制和数据 交换, 温度自控、等径自控和安全报警等。
以供拉晶用
2
直拉单晶炉的需求
为了提高生产效率, 降低成本, 也为了保证器件参数的 一致性、可靠性, 都希望直拉单晶大直径化, 设备控制高度 自动化。目前世界上已制造出了装料量达400kg以上, 单晶 直径达300mm以上, 从抽空到拉晶结束全部自动化控制, 且 稳定性、可靠性极好的大型直拉单晶设备。为了提高单晶 的内在质量或者某方面参数的特殊要求, 也出现了磁场法 直拉单晶炉和具有两个主炉室的连续加料直拉单晶炉等。
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此外国内还有北京、常州、宁夏等地生产 直拉单晶炉。很多炉型都采用了磁场装置, 大 大地提高了单晶硅的质量。
宁夏日晶新能源装备股份有限公司是专业 的直拉式单晶硅直拉炉生产厂家, 目前主要产品 有单晶炉、铸锭炉、石英坩埚、其他半导体相 关设备, 公司技术力量雄厚, 研制开发技术支持 能力强大, 并在上海同时设有销售及售后服务中 心。
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作为全自动炉子来说, 现在上虞晶盛于去年成 立, 其设备已经卖到了有色院、峨嵋等半导体厂家、 其控股公司杭州慧祥（专门做电控部分）由中标了 宁夏隆基320台单晶炉电控部分。上海汉虹在常州天 合40台、上海卡姆丹克40台, 最近有签单昱辉120台。 至于KAYEX则重点是半导体企业。华德在这里就不 用说了。
单晶炉构造
单晶炉构造单晶炉构造单晶炉是材料科学领域用于制备高纯度单晶的重要设备，它主要由加热室、降温室、气体处理系统和控制系统等部分组成。
其构造精密、操作复杂，下面将从构造的各个方面进行介绍。
一、加热室加热室是单晶炉的核心部件，主要由炉体、加热器和保温材料组成。
炉体是单晶炉承受外部温度变化和内部高温作用的主要承载部件，由石墨、石英和陶瓷等耐高温材料制成。
加热器则是将电能转化为热能的关键部件，常用的有电阻丝和感应加热等方式，能够提供长时间、稳定地加热环境。
保温材料则主要用于隔离炉体和加热器的高温区域与外部温度差异较大的区域，通常采用氧化铝陶瓷等材料。
二、降温室降温室具有使晶体逐渐冷却的作用，主要由冷却器、炉心支架、石英管和封接材料等组成。
封接材料通常为高纯度石英或高温聚合材料，能够承受高温和氧化介质的腐蚀。
石英管则是传导与将炉内高热量储存压载晶体移动到降温室的重要渠道。
炉心支架则承担着晶体和石英管的固定和支撑作用，通常采用陶瓷和石墨混合材料，具有高强度和低热膨胀系数的优点。
三、气体处理系统气体处理系统主要作用是保障单晶炉内部气氛稳定和纯净。
它通常有气体进口、循环处理、尾气处理、真空开关等组成。
气体进口要求高纯度，通常采用氢气、氮气、氩气等惰性气体，以及少量的有机气体。
循环处理需要对炉体、石英管等部件进行不断清洗、抽真空、注入惰性气体等操作，以维持高纯度氛围。
尾气处理则主要是将炉内产生的废气处理成无害物质进行排放。
四、控制系统单晶炉在生产加工过程中需要进行精确的控制操作，以保障晶体生长过程中的稳定性，控制系统是实现这些操作的关键。
它主要由计算机控制系统、数据采集与传输系统、传感器、操作界面等组成。
计算机控制系统是单晶炉生产的大脑所在，通过精准的算法来控制炉内各个参数，并实时反馈数据给操作员进行分析和调整。
数据采集与传输系统则负责将炉内参数传输到计算机系统中，采集形式多样，常用的有温度传感器、压力传感器、流量计等。
单晶硅生长炉详细介绍
单晶硅生长炉详细介绍单晶硅生长炉是用于生产单晶硅的设备，它是半导体材料工业中最重要的设备之一。
单晶硅是制造半导体器件和太阳能电池的基础材料，具有非常高的纯度和晶格完整性。
单晶硅生长炉采用了多次熔融和凝固的过程，通过控制温度和气氛条件，使硅材料逐渐形成单晶结构。
以下是单晶硅生长炉的详细介绍：1. 炉体结构：单晶硅生长炉通常由炉体、加热器、温度控制系统、气氛控制系统和旋转机构组成。
炉体通常由石英材料制成，因为石英具有良好的耐高温性能和化学稳定性。
2. 加热器：炉体内部的加热器用于提供高温条件，以使硅材料熔融并形成单晶结构。
常用的加热方式包括电阻加热和感应加热。
3. 温度控制系统：温度控制系统用于确保炉体内部的温度稳定和均匀。
它通常包括温度传感器、温度控制器和加热功率调节器。
温度控制系统可以根据需要自动调节加热功率，以实现精确的温度控制。
4. 气氛控制系统：气氛控制系统用于控制炉体内的气氛条件，以确保单晶硅的质量。
常用的气氛包括惰性气体（如氩气）和氢气。
气氛控制系统可以实现气氛的流动和交换，并根据需要添加其他气体或化学物质。
5. 旋转机构：单晶硅生长炉通常采用旋转机构来实现硅材料的均匀熔融和凝固。
旋转机构可以使炉体内的硅材料均匀受热，并通过旋转来形成单晶结构。
单晶硅生长炉的工作过程通常包括以下步骤：首先，将多晶硅块放入炉体中，并加热到足够高的温度，使硅材料熔化。
然后，通过旋转机构和温度控制系统的控制，使熔融的硅材料逐渐冷却凝固，形成单晶硅结构。
在整个过程中，温度和气氛条件需要精确地控制，以确保单晶硅的高纯度和晶格完整性。
单晶硅生长炉是一种关键的设备，用于生产高纯度的单晶硅材料。
它通过控制温度、气氛和旋转等参数，实现硅材料的熔融和凝固，最终形成单晶结构。
单晶硅生长炉在半导体材料工业和太阳能电池制造领域具有广泛的应用。
单晶炉操作说明
单晶炉操作说明单晶炉操作说明1.介绍本文档为单晶炉操作说明，旨在提供操作指南，确保正确、安全地操作单晶炉。
本文涵盖了单晶炉的基本知识、操作步骤以及相应的安全注意事项。
2.单晶炉基本知识2.1 单晶炉简介单晶炉是一种用于生产单晶材料的设备，通过控制温度和环境条件来实现单晶材料的生长过程。
2.2 单晶炉组成单晶炉主要由以下组件组成：- 加热器：提供所需的加热能量，通常使用电阻加热方式。
- 容纳腔体：用于放置单晶材料和控制生长环境的空间。
- 控制系统：用于监测和控制加热器温度、生长环境等参数的设备。
3.操作步骤3.1 准备工作3.1.1 确保单晶炉设备处于正常工作状态。
3.1.2 检查加热器和温度控制系统的连接情况，确保正常工作。
3.1.3 准备好所需的单晶材料和其他辅助材料。
3.2 开始操作3.2.1 打开单晶炉的电源开关，启动加热器。
3.2.2 设置所需的生长温度，并等待温度达到设定值。
3.2.3 打开单晶材料放置腔体，并将单晶材料小心放置在适当的位置上。
3.2.4 根据需要，设置生长环境（如气体流量、气氛组成等）。
3.2.5 监测生长过程中的温度和其他关键参数，确保生长条件的稳定性。
3.2.6 根据所需的生长时间，保持稳定的生长条件，并监控生长过程。
4.安全注意事项4.1 在操作单晶炉前，确保已经了解并理解相关的安全规定和标准。
4.2 操作单晶炉时，穿戴适当的个人防护装备，如防护服、护目镜等。
4.3 注意避免在单晶炉周围堆放易燃和易爆物品。
4.4 在操作过程中，遵循设备制造商提供的操作指南和注意事项。
5.附件本文档涉及的附件包括：- 单晶炉设备操作手册- 单晶材料生长参数记录表6.法律名词及注释- 单晶材料：具有一个无缺陷晶体结构的材料，通常用于电子器件制造等领域。
- 加热器：一种用电阻加热的设备，用于提供加热能量。
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热场一般包括压环、保温盖、上中下保温罩、石墨坩埚(三瓣埚)、坩埚托杆、坩埚 托盘、电极、加热器、导流筒、石墨螺栓，且为了防止漏硅，炉底、金属电极、托 杆、都设置了保护板、保护套。
加热器是热场中很重要的部件， 是直接的发热体，温度最高的 时候可以达到1600℃以上。 常见的加热器有三种形状，筒 状、杯状、螺旋状。目前绝大 多数加热器为筒状，硅单晶厂 房使用的是直筒式形状的加热 器。右图为加热器。
压环，由几截弧形环构成的 一个圆形环状石墨件，它放 置在盖板与炉壁接触处，是 为了防止热量和气体从炉壁 与盖板的缝隙间通过。 右上图是压环，右下图为安 装后的效果图。
安装电极→炉底碳毡→反射底板→下保温罩→石墨环、石英环→加热器
→中保温罩→石墨托杆→石墨托盘→装三瓣埚→下降主炉室→上保温罩 →导气孔→保温盖板→装导流筒→压环
副室作用：拉晶过程中，已拉出的单晶棒存放的位置。 主室作用：容纳加热器，石英坩埚，导流罩等，用于硅料 融化的容器。
炉盖：
整体锻造，超低碳不锈钢法兰
CCD测径仪
水路接头
观察窗
主室内部：
籽晶夹
单晶棒 三瓣埚 石棉碳粘 石英坩埚 加热器
籽晶
目录：
1.硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分
石墨电极的作用，一是平稳的 固定加热器，二是通过它对加 热器输送电流，因此要求电极 厚重，结实耐用，它与金属电 极和加热器的接触面要光滑、 平稳，保证接触良好，通电时 不打火。石墨电极也是有高纯 石墨加工而成。 右上图为石墨电极示意图、右 下图为连接石墨电极和加热器 的石墨螺栓。
坩埚托杆、坩埚托盘共同构成 了石墨坩埚的支撑体，要求和 下轴结合牢固，对中性良好， 在下轴转动时，托杆及托盘的 偏摆度≤0.5mm。 支撑体的高度是可以调节的， 这样可以保证熔料时，坩埚有 合适的低埚位，而拉晶时，有 足够的埚跟随动行程。
煅烧 新的热场需要在真空下煅烧，煅烧时间约10小时 左右，煅烧3～5次，方能投入使用。使用后， 每拉晶4～8炉后也要煅烧一次。 煅烧功率，不同的热场不一样，一般要比引晶温 度高，炉子煅烧最高功率一般在110KW。
3.取单晶和籽晶：关闭2个速度，关闭氩气。打开翻板阀，将单晶替
升至副室，慢慢旋转出副室，用晶快降下降单晶，在 地面放木板，使单晶尖头垂直接触到木板，剪短籽晶 连接，将单晶放入专用小车上。
4.石墨件取出冷却：升炉盖，取出导流罩，保温盖。石英坩埚等放在指定位置。
5.真空过滤器清洗：用 洗尘管清理各个真空管道，并将真空过滤箱中的过滤器取出
对中顺序 在整个安装过程中，要求整个热系统对中良好，同心度高， 需要严格对中：
① 坩埚轴与加热器的对中。将托杆稳 定的装在下轴上，将下轴转动，目 测是否偏摆。然后将钢板尺平放在 坩埚轴上，观察两者之间的间隙， 间隙是否保持不变，加热器圆心是 否对中。接着装托盘，托盘的中心 也要跟加热器对中。
②加热器与石墨坩埚的对 中：转动托碗，调整埚 位，让石墨坩埚与加热 器口水平（此时的埚位 成为平口埚位），再稍 许移动加热器电极，与 托碗对中，这时石墨坩 埚和加热器口之间的间 隙热态检漏 取单晶和籽晶 石墨件取出冷却 石墨件清洗 装硅料 籽晶安装 单晶炉室清洗 抽空，检漏
真空过滤器清洗 石墨件安装
真空泵油检查更换 石英坩埚安装
充氩气，升功率，融料
收尾 降功率 停炉冷却
引晶，放大，放肩，转肩
等径生长
详细介绍：
1.准备作业：穿戴好洁净工作服，鞋，带好一次性手套，耐高温手套，
线切割原理：
12.清洗：
13.单晶硅片检测：
目录
1.硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分
目录
1.硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分
3.单晶硅料烘干：去除水分。
4.挑料：区分P型，N型硅料。 5.配料：对拉晶的硅料型号进行匹配。
6.单晶炉拉晶：
7.硅棒检测：检查有无位错，棱线断等现象。
8.开断：将单晶硅棒用带锯条切割成四方体。
9.包装：将开断后的单晶硅棒进行包装，送至下一道工序
10.磨圆：将单晶硅棒四个直角进行磨圆。
11.多线切割：瑞士的264，265。日本的PV800,MDM442DM设备进行切割。 0.33mm。
目录
1.硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分
单晶硅片工艺流程：
1.酸洗：使用稀硝酸HNO3,进行清洗，去除表面杂质及提炼时产生的四氯化硅。
2.清洗：清洗硅料经过酸洗后的残留杂质。
1.提拉头：
提拉头：晶升电机，晶转电机，离合器，钢丝绳，光感 限位，磁流体等部件组成。 作用 ：在拉晶过程中，提供晶升与晶转速度，通过PCC控 制模块 的开关量变化，来控制晶体直径。
2.副室，翻板阀，主室：
翻板阀作用：在拉晶过程中，对于提纯，拉ABCD段时，用 于隔离主室与副室，使主室温度，压力一定。
保温罩分为上保温罩、中保 温罩和下保温罩。 保温罩是由一个保温筒外面 包裹石墨碳毡而成。石墨碳 毡的包裹层数视情况而定。 下保温罩组成了底部的保温 系统，它的作用是加强埚底 保温，提高埚底温度，减少 热量损失。
中、上保温罩的作用也是为了 减少热量的损失。只不过保温 罩外面的石墨碳毡的层数不一 样，这样使得温度梯度不一样。
排气的方式有上排气和下排气。 厂房现在使用的比较多的是上 排气。这样，上保温罩上面就 存在几个排气孔，这些排气孔 保证在高温下蒸发的气体的排 出。
保温盖由保温上盖、保温碳 毡和保温下盖组成。即两层 环状石墨之间夹一层石墨碳 毡组成，其内径的大小与导 流筒外径相匹配，平稳的放 在保温罩面板上。 导流筒，由内外筒之间夹一 层石墨碳毡组成。导流筒主 要是为了控制热场的温度梯 度和引导氩气流。
清理完毕后，按原位置安装。
6.真空泵注油：当油标高于1/2时，禁止注油。
7.单晶炉室清洗：
8.石墨件安装：
9.硅料安装：
10.籽晶安装：将副室旋出，重锤安装后，将籽晶安装，插好销头。
钢丝绳 重锤
籽晶
11.抽空检漏：先用副泵抽到2700帕以下后，关闭副室球阀和副泵电源
打开真空泵球阀，打开真空主泵。炉压达到<20帕时， 冲氩气，打开主，副室流量计，调节到30L/min，过5分钟后， 关闭氩气，流量计仍保持原来的位置，待炉压<5帕时关闭主室 球阀，关闭真空泵电源。在流量计调节阀保持原来位置时，漏速 <0.34帕/分。如达不到，需重复上述操作。
晶体速度控制界面：
目录
1.硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分
直拉单晶炉的热系统，也就是所谓的热场，是指为了熔化硅料，并使单晶生长保 持在一定温度下进行的整个系统。
晶升，晶转：
SL控制示意图：
SL自动等径原理：
晶升伺服电机：
晶升系统调试详解：1.将引晶器归0。
2.给定速度0.5，等待2—3分钟，观察平均拉速值，如果不同， 调节Z (SL A/D)，使数值一样。 3.给定数值2，等待1—2分钟，观察平均拉速值，如果不同， 调节F (SL A/D) ，使数值一样。 4.重复2.3步骤，使给定0.5和2时，都于平均拉速相同。 5.给定0.5，调节Z (SL SP) ，使之相等。 6.给定2，调节Z (SL SP) ，使之相等。 7.调节DIS，调节引晶器数值。
研磨巾，酒精，吸尘器，防尘口罩。准备好扳手等各类 工具。准备好取晶和放石墨件的小车。并确认水，电， 气等正常。
2.热态检漏：检查上一炉功率关闭时间，在停炉冷却2小时后，关闭
氩气总阀，开始愁高空，并记录时间。炉压到3帕 以下， 关闭主室球阀和真空泵电源。如0.5小时不到3帕，需 通知维修人员处理。
目录
1.硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分
单晶炉种类：
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单晶炉，目前可以分为：小松炉；642炉；70炉；莱宝炉；80炉；85 炉；90炉；95炉；97炉。 目前现在国内普遍使用的单晶炉型号为80炉；85炉；90炉。 各个单晶炉的工作原理相同，都是根据4的速度进行晶体直径控制及 可控硅整流提供50V直流电源，进行加热。 小松炉；642炉；70炉，电气控制部分为按钮式；莱宝炉产生后，以 后的单晶炉都采用触摸屏式。
12.冲氩气，升功率，融料：打开主室阀，打开氩气流量阀，使氩气流量在20-30L/mi
使炉内压力在1000—1500帕。功率每0.5小时加一次。
13.引晶，放大，放肩，转肩，等径：
引晶
放大
放肩
转肩
等径
收尾
取硅棒
目录
1.硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分