LDK单晶炉热场结构介绍
单晶炉加热器工作原理

01单晶炉的构成
单晶硅炉,也称全自动直拉单晶生长炉,是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备,由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。
单晶硅炉型号有两种命名方式,一种为投料量,一种为炉室直径,比如120、150 等型号是由投料量决定,85 炉则是指主炉筒的直径大小。
02单晶炉工作原理
将多晶硅原料放在炉体的石英坩埚内进行高温熔化(1450℃以上),在低真空度和氩气保护下,通过紫晶插入多晶硅熔体后,在紫晶周围形成过冷态并进行有规律生长,形成一根单晶棒体。
单晶生产基本流程是:将多晶硅原料放入单晶炉,加热融化,逐步分别进行缩颈生长、放肩生长、等径生长和尾部生长,然后开炉取料,进行晶体测试,最后进行包装、入库,再发货。
直拉单晶炉热系统

直拉单晶炉热系统单晶炉是一种用于制备单晶材料的设备,它的热系统是整个设备的核心组成部分。
热系统主要由加热元件、温度控制系统和气体流动系统组成。
本文将对单晶炉的热系统进行详细介绍。
首先,加热元件是单晶炉热系统的重要组成部分。
单晶炉加热元件通常采用的是电阻丝或者是电磁线圈。
其中,电阻丝是通过通电使其发热,从而对单晶炉进行加热。
这种加热方式相对简单,但是能耗较高。
而电磁线圈则是通过交变电磁场的感应效应对单晶炉进行加热,这种加热方式能耗较低,且对单晶炉中的单晶材料质量影响较小。
其次,温度控制系统是单晶炉热系统的重要组成部分。
温度控制系统主要包括温度传感器、温度调节器和温度控制器。
温度传感器用于感知单晶炉中的温度变化,常见的传感器有热电偶、热电阻等。
温度传感器将感知到的温度信号传输给温度调节器,温度调节器根据预设的温度范围进行温度调节,通过控制加热元件的功率大小来实现对单晶炉温度的控制。
温度控制器则是对温度传感器和温度调节器进行整合和控制的设备。
最后,气体流动系统是单晶炉热系统的另一个重要组成部分。
单晶炉中的单晶生长过程通常需要在特定的气氛环境下进行,因此需要通过气体流动系统来控制单晶炉内的气氛。
气体流动系统通常由气源、气体槽和气体调节装置组成。
气体源可以是气瓶或者气体发生器,气体槽用于储存气体,气体调节装置则用于调节气体的流量以及气体的组成。
综上所述,单晶炉的热系统是单晶炉设备中至关重要的组成部分。
加热元件、温度控制系统和气体流动系统是构成热系统的三个主要组成部分。
通过合理地设计和控制热系统,可以确保单晶炉能够提供稳定的温度和气氛环境,从而实现高质量的单晶材料的生长。
《单晶炉热场结构》课件

温度梯度对单晶生长的影响:温度梯度是热场结构中的关键参数,对单晶生长的晶体取向、缺陷形成、应力分布等方面有决定性作用。
热场稳定性对单晶生长的影响:热场稳定性对单晶生长的均匀性和一致性有重要影响,是保证单晶生长质量的关键因素。
热场调控对单晶生长的影响:通过对热场的调控,可以实现对单晶生长过程的精确控制,提高单晶生长的效率和品质。
热场:指单晶炉内部的温度和热梯度分布
热场优化:指通过调整单晶炉的热场结构,提高单晶生长质量和效率的过程
热场分析:指对单晶炉热场进行建模、仿真和实验研究,以了解热场的分布和变化规律
热场结构对单晶生长的影响
热场结构对单晶生长的影响:热场结构是单晶炉的核心部分,对单晶生长的速度、质量、成本等方面都有重要影响。
保温层材料选择:采用高保温性能材料,减少热量损失
保温层厚度调整:根据热场结构需求,适当增加或减少保温层厚度
坩埚与支架改进案例
坩埚改进:采用新型材料,提高耐高温性能和热稳定性
支架改进:优化结构设计,提高支撑稳定性和散热效果
改进效果:提高单晶生长质量和效率,降低能耗和成本
案例分析:分析改进前后的效果对比,总结经验教训
保温层的结构:一般分为内外两层,中间填充保温材料
保温层的设计要求:既要保证热效率,又要防止热量过度集的容器
支架:用于支撑坩埚并保持其稳定性的结构
热场调控系统
热场调控系统的原理:通过加热器加热单晶炉内的硅料,同时控制气氛控制系统中的气体流量和成分,以及通过热场监测系统监测热场的温度分布和变化情况,实现单晶生长过程中的热场调控。
单晶炉热场结构设计原则
均匀性原则
稳定性原则
热场结构稳定:确保单晶炉热场结构稳定,避免热波动对单晶生长的影响
6直拉单晶炉及热系统

6直拉单晶炉及热系统直拉单晶炉及热系统是一种用于生产单晶材料的设备,它具有高温加热、单晶生长和热管冷却三个功能。
下面将详细介绍直拉单晶炉及热系统的工作原理和结构。
直拉单晶炉及热系统的工作原理是通过高温加热使原料溶解,然后通过单晶生长的方式逐渐冷却,最后形成一块完整的单晶材料。
整个过程需要精确控制温度、压力和速度等参数。
直拉单晶炉及热系统的主要结构包括炉体、加热设备、单晶生长设备和热管冷却设备等。
炉体是直拉单晶炉及热系统的基础部分,它由炉膛、炉管和炉盖等组成。
炉膛是用于容纳原料的部分,通常是一个圆柱形的容器,可以承受高温和高压。
炉管是连接炉膛和单晶生长设备的通道,它负责将原料输送到单晶生长区域。
炉盖则是覆盖在炉膛上的部分,主要用于调节炉内的压力和加热设备的接入口。
加热设备是直拉单晶炉及热系统的核心部分,它负责将炉膛中的原料加热到需要的温度。
常见的加热设备包括电阻加热、电子束加热和感应加热等。
电阻加热是通过将电流通过炉体内的电阻丝使之发热,从而加热炉膛。
电子束加热是利用高速电子束撞击原料的表面,将其加热至高温。
感应加热是通过电磁感应原理使炉膛中的原料发热,从而提高温度。
单晶生长设备是直拉单晶炉及热系统的关键部分,它负责将加热后的原料逐渐冷却形成单晶材料。
单晶生长设备通常由单晶生长炉、拉伸装置和控制系统组成。
单晶生长炉是用于控制温度和压力的设备,通常由石墨制成,具有很好的导热性和化学稳定性。
拉伸装置则是用于拉伸形成的单晶材料,使其保持一定的形状和尺寸。
控制系统则是用于监测和调节单晶生长过程中的温度、压力和速度等参数,保证单晶材料的质量。
热管冷却设备是直拉单晶炉及热系统的辅助部分,它负责冷却单晶生长设备和炉体。
热管冷却设备由热管、冷却介质和冷却系统组成。
热管是一种基于液-气相变原理的传热装置,具有高热传导性和低温度梯度的特点。
冷却介质通常是水或空气,通过与热管接触,将其中的热量带走。
冷却系统则是用于调节冷却介质的温度和流量等参数,保证热管冷却设备的正常工作。
《LDK单晶炉热场》课件

LDK单晶炉热场的未来发展趋势与挑战
01
技术创新
随着科技的不断进步,LDK单晶炉热场将进一步优化温度场分布、提高
生产效率和产品质量,推动单晶硅产业的发展。
02
环保要求
随着全球环保意识的提高,LDK单晶炉热场需要不断改进节能减排技术
,降低能耗和污染物排放,以符合日益严格的环保法规。
03
市场拓展
随着光伏、半导体等产业的快速发展,LDK单晶炉热场的市场需求将持
。
热场常见故障及排除方法
故障分类
将常见故障分为机械故障、电气故障、温度异常 等类别。
排除方法
针对不同故障类别,提供相应的排除方法和操作 步骤。
注意事项
在排除故障时,需遵循安全操作规程,确保人员 和设备安全。
04
CHAPTER
LDK单晶炉热场的应用与发 展趋势
LDK单晶炉热场在光伏产业中的应用
高效生产
LDK单晶炉热场的工作原理
温度控制
通过加热系统控制炉体内 的温度分布,以实现所需 的温度梯度。
压力控制
通过压力控制系统调节炉 体内的压力,以优化单晶 生长条件。
化学组分控制
通过精确控制原料的组成 和流量,实现化学组分的 梯度分布,从而调控单晶 的化学成分。
02
CHAPTER
LDK单晶炉热场的设计与优 化
调试内容
对热场的温度、压力等参数进行调 试,确保热场性能达到最佳状态。
调试注意事项
在调试过程中,需注意安全操作, 避免因操作不当导致设备损坏或人 员伤亡。
热场的日常维护与保养
日常检查
定期对热场进行检查,确保热场 无异常情况。
保养内容
对热场进行清洁、润滑等保养工 作,延长热场的使用寿命。
直拉单晶炉设备简介结构

直拉单晶炉设备简介结构单晶炉设备,也称为单晶生长炉,是一种用于生产高质量单晶材料的先进设备。
单晶材料在电子、光电子、光学和磁学等领域有着广泛的应用。
单晶炉设备通过熔融法或气相沉积法进行单晶生长,其结构一般包括炉体、加热元件、温度控制装置、控制系统和附件等部分。
一、炉体炉体是单晶炉设备的主体部分,一般由炉罐和炉盖两部分组成。
炉罐通常由耐高温、高膨胀系数的材料制成,如石墨、石英等。
炉罐的内部需要保持一定的真空度,以防止杂质的污染。
炉盖通常是一个单向旋转的结构,方便单晶生长过程中的试样的进出。
二、加热元件加热元件是单晶炉设备中起到加热作用的部分,一般由电阻丝、电阻板等构成。
加热元件的作用是提供足够的热量使试样内部达到熔点并保持一定的熔化状态。
加热元件通常布置在炉罐的外侧,通过电源供电控制加热温度。
三、温度控制装置温度控制装置是保证单晶生长过程中温度的稳定性和精确性的关键部分。
一般由温度传感器、温控仪和加热控制系统组成。
温度传感器通过测量试样的温度信号反馈给温控仪,温控仪根据设定的温度范围和精度,调节加热控制系统提供的热量,以实现稳定的温度控制。
四、控制系统控制系统是单晶炉设备的核心部分,主要包括温度控制系统、真空控制系统、气体流量控制系统和运行状态监测系统等。
温度控制系统通过控制加热元件的供电功率,实现对温度的控制。
真空控制系统通过控制抽气装置的工作状态,实现对炉罐内真空度的控制。
气体流量控制系统用于控制与单晶生长过程相关的气体的输入和排出。
运行状态监测系统可根据实际需要监测单晶炉设备的工作状态和性能,以提供参考和保障设备的正常运行。
五、附件单晶炉设备的附件包括保护屏、加热瓶、真空泵等。
保护屏是一种用于保护实验人员免受高温辐射的屏障。
加热瓶是单晶生长过程中用来加热试样的容器。
真空泵是单晶炉设备用于维持炉罐内真空度的设备,通常由机械泵和分子泵组成。
总结起来,单晶炉设备是一种结构复杂、功能完善的高精度设备,用于生产高质量单晶材料。
单晶炉热场结构

三、热场的温度梯度
(3)静态热场的温度分布 下图为静态热场的温度分布状况:沿着加热器中心轴线 测量温度的变化发现加热器的中心温度最高,向上向下 dT 都是逐渐降低的,它的变化率称为纵向温度梯度,用 dy 表示。
三、热场的温度梯度
然后沿着轴线上某点沿着径向测量,发现温度是 逐渐上升的,加热器中心温度最低,加热器温度 最高,成抛物线变化,它的变化率称为径向温度 梯度,用
右上图为石墨电极示意图、右 下图为连接石墨电极和加热器 的石墨螺栓。
电 极 图
石 墨 螺 栓
石墨坩埚、坩埚托杆和坩埚托盘
石墨坩埚,也就是所谓的三瓣 埚,主要是用来盛放石英坩埚 。它的内径加工尺寸与石英坩 埚的外形尺寸相配合,同时, 石墨坩埚本身也需要具有一定 的强度,来承受硅料和坩埚的 重量。 石墨坩埚,有单体,两瓣合体 ,以及CZ1#所使用的三瓣合体 等不同形状。它们从节约成本 、使用方便来比较各有所长。 右图为三瓣埚的实物图。
dT 0 dy S
散掉,保持界面温度稳定。
dT ②如果 较小:晶体生长产生的结晶潜热不能及时散掉,单晶硅温 dy S
度增高,结晶界面温度随着增高,熔体表面的过冷度减少,单晶硅的 正常生长就会受到影响。
dT ③但是,如果 过大:则可能产生新的不规则晶核,使单晶变成 dy S
石墨坩埚、坩埚托杆和坩埚托盘
坩埚托杆、坩埚托盘共同构成了 石墨坩埚的支撑体,要求和下轴 结合牢固,对中性良好,在下轴 转动时,托杆及托盘的偏摆度 ≤0.5mm。
支撑体的高度是可以调节的,这 样可以保证熔料时,坩埚有合适 的低埚位,而拉晶时,有足够的 埚跟随动行程。
保温罩
保温罩分为上保温罩、中保 温罩和下保温罩。
单晶炉热场结构

石墨坩埚、坩埚托杆和坩埚托盘
坩埚托杆、坩埚托盘共同构成了 石墨坩埚的支撑体,要求和下轴 结合牢固,对中性良好,在下轴 转动时,托杆及托盘的偏摆度 ≤0.5mm。
支撑体的高度是可以调节的,这 样可以保证熔料时,坩埚有合适 的低埚位,而拉晶时,有足够的 埚跟随动行程。
保温罩
保温罩分为上保温罩、中保 温罩和下保温罩。
一、热场结构
直拉单晶炉的热系统,也就是所谓的热场,是指为了 熔化硅料,并使单晶生长保持在一定温度下进行的整 个系统。
热场一般包括压环、保温盖、上中下保温罩、石墨坩 埚(三瓣埚)、坩埚托杆、坩埚托盘、电极、加热器、导 流筒、石墨螺栓,且为了防止漏硅,炉底、金属电极 、托杆、都设置了保护板、保护套。
热 场 示 意 图
dT dy
S
和径向温度梯度
dT dr
S
。
熔体中的纵向温度梯度
dT dy
L
和径向温度梯度
dT dr
L
。
这是两种完全不同的温度分布,但是最能影响结晶状
态的生长界面处的温度梯度
dT dy
S
。
L
三、热场的温度梯度
晶体生长时,单晶硅的纵向温度梯度粗略的讲:离生长界面越远,温
保温罩是由一个保温筒外面 包裹石墨碳毡而成。石墨碳 毡的包裹层数视情况而定。
下保温罩组成了底部的保温 系统,它的作用是加强埚底 保温,提高埚底温度,减少 热量损失。
保温罩
中、上保温罩的作用也是为了减 少热量的损失。只不过保温罩外 面的石墨碳毡的层数不一样,这 样使得温度梯度不一样。
排气的方式有上排气和下排气。 CZ1#厂房现在使用的比较多的是 上排气。这样,上保温罩上面就 存在几个排气孔,这些排气孔保 证在高温下蒸发的气体的排出。
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二、热场的安装与煅烧
(4)煅烧 煅烧 新的热场需要在真空下煅烧,煅烧时间约 小时 新的热场需要在真空下煅烧,煅烧时间约10小时 左右,煅烧3~5次,方能投入使用。使用后,每 左右,煅烧 ~ 次 方能投入使用。使用后, 拉晶4~ 炉后也要煅烧一次 炉后也要煅烧一次。 拉晶 ~8炉后也要煅烧一次。 煅烧功率,不同的热场不一样, 煅烧功率,不同的热场不一样,一般要比引晶温 度高,CZ1#炉子煅烧最高功率一般在 度高, 炉子煅烧最高功率一般在110KW。 。 炉子煅烧最高功率一般在
压环
压环, 压环,由几截弧形环构成的 一个圆形环状石墨件, 一个圆形环状石墨件,它放 置在盖板与炉壁接触处, 置在盖板与炉壁接触处,是 为了防止热量和气体从炉壁 与盖板的缝隙间通过。 与盖板的缝隙间通过。 右上图是压环, 右上图是压环,右下图为安 装后的效果图。 装后的效果图。
二、热场的安装与煅烧
石墨电极
石墨电极的作用, 石墨电极的作用,一是平稳的 加热器, 固定加热器 固定加热器,二是通过它对加 热器输送电流 输送电流, 热器输送电流,因此要求电极 厚重,结实耐用, 厚重,结实耐用,它与金属电 极和加热器的接触面要光滑、 极和加热器的接触面要光滑、 平稳,保证接触良好, 平稳,保证接触良好,通电时 不打火。 不打火。石墨电极也是有高纯 石墨加工而成。 石墨加工而成。 右上图为石墨电极示意图、 右上图为石墨电极示意图、右 下图为连接石墨电极和加热器 石墨螺栓。 的石墨螺栓。
热 场 示 意 图
加热器
加热器是热场中很重要的部件 加热器是热场中很重要的部件 是直接的发热体, ,是直接的发热体,温度最高 的时候可以达到1600℃以上。 的时候可以达到 ℃以上。 常见的加热器有三种形状,筒 常见的加热器有三种形状, 杯状、螺旋状。 状、杯状、螺旋状。目前绝大 多数加热器为筒状, 多数加热器为筒状,硅单晶分 厂房使用的是直筒式 厂CZ1#厂房使用的是直筒式形 厂房使用的是直筒式形 状的加热器。右图为加热器。 状的加热器。右图为加热器。
培训对象: 培训对象:硅单晶制取工 培训讲师: 培训讲师:詹文平 硅单晶分厂
内容
1.热场结构 热场结构
热场的结构示意图; 热场的结构示意图;各部件介绍
2.热场的安装和煅烧 热场的安装和煅烧
热场的安装;热场水平与中心调整;热场的煅烧 热场的安装;热场水平与中心调整;
3.热场的温度梯度 热场的温度梯度
二、热场的安装与煅烧
③保温罩和加热器对中:调整保温罩位置,做到保 保温罩和加热器对中:调整保温罩位置, 温罩内壁与加热器外壁之间四周间隙一致。 温罩内壁与加热器外壁之间四周间隙一致。注意 可径向移动,不得转动, 可径向移动,不得转动,否则测温孔就对不准了 。 ④保温盖和加热器对中:升起托杆,让三瓣锅其与 保温盖和加热器对中:升起托杆, 保温盖水平,调整保温盖的位置, 保温盖水平,调整保温盖的位置,使得四周间隙 一致。 一致。 此外: 此外 ⑤下保温罩和电极之间的间隙前后一致,切不可大 下保温罩和电极之间的间隙前后一致, 意造成短路打火。 意造成短路打火。 ⑥测温孔对一致。 测温孔对一致。
保温罩
保温罩分为上保温罩、 保温罩分为上保温罩、中保 温罩和下保温罩。 温罩和下保温罩。 保温罩是由一个保温筒外面 包裹石墨碳毡而成。 石墨碳毡而成 包裹石墨碳毡而成。石墨碳 毡的包裹层数视情况而定。 毡的包裹层数视情况而定。 下保温罩组成了底部的保温 系统, 系统,它的作用是加强埚底 保温,提高埚底温度, 保温,提高埚底温度,减少 热量损失。 热量损失。
三、热场的温度梯度
如下图所示, 点到 点的温度变化为T 点到B点的温度变化为 如下图所示,A点到 点的温度变化为 1-T2 ,距离变化为 r1-r2 。那么 点到 点的温度梯度是: 那么A点到 点的温度梯度是: 点到B点的温度梯度是
∆T T1 − T2 = ∆r r1 − r2
dT 方向上的变化率。 通常用 表示在 r 方向上的变化率。 dr
一、热场结构
直拉单晶炉的热系统,也就是所谓的热场, 直拉单晶炉的热系统,也就是所谓的热场,是指为了 熔化硅料, 熔化硅料,并使单晶生长保持在一定温度下进行的整 个系统。 个系统。 热场一般包括压环、保温盖、上中下保温罩、 热场一般包括压环、保温盖、上中下保温罩、石墨坩 三瓣埚)、 埚(三瓣埚 、坩埚托杆、坩埚托盘、电极、加热器、导 三瓣埚 坩埚托杆、坩埚托盘、电极、加热器、 流筒、石墨螺栓,且为了防止漏硅,炉底、金属电极 流筒、石墨螺栓,且为了防止漏硅,炉底、 托杆、都设置了保护板、保护套。 、托杆、都设置了保护板、保护套。
电 极 图
石 墨 螺 栓
石墨坩埚、坩埚托杆和坩埚托盘 石墨坩埚、
石墨坩埚,也就是所谓的三瓣 石墨坩埚,也就是所谓的三瓣 埚,主要是用来盛放石英坩埚 。它的内径加工尺寸与石英坩 埚的外形尺寸相配合,同时, 埚的外形尺寸相配合,同时, 石墨坩埚本身也需要具有一定 的强度, 的强度,来承受硅料和坩埚的 重量。 重量。 石墨坩埚,有单体, 石墨坩埚,有单体,两瓣合体 以及CZ1#所使用的三瓣合体 ,以及 所使用的三瓣合体 等不同形状。 等不同形状。它们从节约成本 使用方便来比较各有所长。 、使用方便来比较各有所长。 右图为三瓣埚的实物图。 右图为三瓣埚的实物图。
(1)安装前 安装前 安装热场前,尤其是新热场,应仔细擦拭干净, 安装热场前,尤其是新热场,应仔细擦拭干净,去除 表面浮尘土,检查部件的质量, 表面浮尘土,检查部件的质量,整个炉室在进行安装 热场前也必须擦拭完毕。 热场前也必须擦拭完毕。 (2)安装 安装 安装顺序一般是由下而上,由内到外。 安装顺序一般是由下而上,由内到外。 由下而上 石墨电极安装时,左右对齐,处在同一水平面上, 石墨电极安装时,左右对齐,处在同一水平面上,不 可倾斜,同时要和托杆对中。 可倾斜,同时要和托杆对中。 放上加热器之后, 放上加热器之后,加热器的电极孔要与下面的电极板 的两孔对准。 的两孔对准。
保温盖、 保温盖、导流筒
保温盖由保温上盖、 保温盖由保温上盖、保温碳 毡和保温下盖组成。 毡和保温下盖组成。即两层 环状石墨之间夹一层石墨碳 毡组成, 毡组成,其内径的大小与导 流筒外径相匹配, 流筒外径相匹配,平稳的放 在保温罩面板上。 在保温罩面板上。 导流筒, 导流筒,由内外筒之间夹一 层石墨碳毡组成。 层石墨碳毡组成。导流筒主 要是为了控制热场的温度梯 度和引导氩气流。 度和引导氩气流。
保温罩
中、上保温罩的作用也是为了减 少热量的损失。 少热量的损失。只不过保温罩外 面的石墨碳毡的层数不一样,这 面的石墨碳毡的层数不一样, 样使得温度梯度不一样。 样使得温度梯度不一样。
排气的方式有上排气和下排气。 排气的方式有上排气和下排气。 CZ1#厂房现在使用的比较多的是 厂房现在使用的比较多的是 上排气。这样, 上排气。这样,上保温罩上面就 存在几个排气孔,这些排气孔保 存在几个排气孔, 证在高温下蒸发的气体的排出。 证在高温下蒸发的气体的排出。
热场的概念;温度梯度的概念; 热场的概念;温度梯度的概念; 静态热场的温度分布; 静态热场的温度分布;动平衡态热场的分布 晶体生长的温度梯度:径向温度梯度与纵向温度梯度 晶体生长的温度梯度:
一、热场结构
热场的优劣对单晶硅的质量有很大影响。 热场的优劣对单晶硅的质量有很大影响。合适的热场 能够生长出高质量的单晶。 ,能够生长出高质量的单晶。不好的热场容易使单晶 变成多晶,或者根本无法引晶。 变成多晶,或者根本无法引晶。有的热场虽然能够生 长单晶,但质量较差,有位错和其它结构缺陷。 长单晶,但质量较差,有位错和其它结构缺陷。因此 找到较好的热场条件,配置最佳的热场, ,找到较好的热场条件,配置最佳的热场,是非常重 要的直拉单晶工艺技术。 要的直拉单晶工艺技术。 热场有大有小, 热场有大有小,它是按照所用的石英坩埚的直径大小 来划分的,目前国内热场从¢ 都有, 来划分的,目前国内热场从¢12″~ ¢28 ″都有,但 ~ 都有 居多。 以¢18″~ ¢22″居多。 ~ 居多
三、热场的温度梯度
(1)热场的概念 热场的概念 热场也称温度场。热系统内的温度分布状态叫热场。 热场 热场也称温度场。热系统内的温度分布状态叫热场。 煅烧时,热系统内的温度分布相对稳定,称为静态 煅烧时,热系统内的温度分布相对稳定,称为静态 热场。在单晶生长过程中,热场是会发生变化, 热场。在单晶生长过程中,热场是会发生变化,称 动态热场。 为动态热场。 单晶生长时,由于不断发生物相的转化 液相转化为 单晶生长时,由于不断发生物相的转化(液相转化为 固相),不断放出固相潜热,同时,晶体越拉越长, 固相 ,不断放出固相潜热,同时,晶体越拉越长, 熔体液面不断下降,热量的传导、 熔体液面不断下降,热量的传导、辐射等情况都在 发生变化,所以热场是变化的,称为动态热场。 发生变化,所以热场是变化的,称为动态热场。
三、热场的温度梯度
显然两点间的温度差越大, 越大, 显然两点间的温度差越大,则 越大,则温度梯度越 反之,两点间温度差越小, 大,反之,两点间温度差越小,则 dT 越小,则温度梯 dr 度越小, 度越小,器与石墨坩埚的对中 转动托碗,调整埚位, :转动托碗,调整埚位, 让石墨坩埚与加热器口水 平(此时的埚位成为平口 埚位), ),再稍许移动加热 埚位),再稍许移动加热 器电极,与托碗对中, 器电极,与托碗对中,这 时石墨坩埚和加热器口之 间的间隙四周都一致。 间的间隙四周都一致。
石墨坩埚、坩埚托杆和坩埚托盘 石墨坩埚、
坩埚托杆、坩埚托盘共同构成了 坩埚托杆、坩埚托盘共同构成了 石墨坩埚的支撑体, 石墨坩埚的支撑体,要求和下轴 结合牢固,对中性良好, 结合牢固,对中性良好,在下轴 转动时, 转动时,托杆及托盘的偏摆度 ≤0.5mm。 。
支撑体的高度是可以调节的, 支撑体的高度是可以调节的,这 样可以保证熔料时, 样可以保证熔料时,坩埚有合适 的低埚位,而拉晶时, 的低埚位,而拉晶时,有足够的 埚跟随动行程。 埚跟随动行程。