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2SA719三极管参数 TO-92三极管2SA719规格书

2SA719三极管参数 TO-92三极管2SA719规格书

=25℃
=100℃
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
-10 -1
-0.1 -0.0
100
10
T a
T a
COMMON EMITTER VCE=-10V
-0.3
-0.6
-0.9
-1.2
BASE-EMMITER VOLTAGE VBE (V)
C / C —— V / V
ob ib
CB EB
0 ± 1.0 18.0 + 1.0, - 0.5
6.0 ± 0.5 9.0 ± 0.5 1.0 MAX. 19.0 ± 1.0 16.0 ± 0.5 2.5 MIN. 4.0 ± 0.2 0.4 ± 0.05 0.2 ± 0.05 3.85 ± 0.3 0 ± 1.0
Unit : mm
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
-10
-100
-500
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
V BEsat
—— I C
-100
-10 -0.3
-500 -100
Ta=100℃
Ta=25℃
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
I
C
—— V BE
β=10
-500
BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VBEsat (V)
120-240
Typ
Max Unit
V
V
V
-0.1
uA
-0.1
uA
340
-0.6
V
-1.5
V
200

BY719资料

BY719资料

Very fast high-voltage soft-recovery rectifiers
BY715 to BY724
SYMBOL IF(AV)
PARAMETER average forward current BY715 BY716 BY717 BY718 BY719 BY720 BY721 BY722 BY723 BY724
元器件交易网
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
handbook, 2 columns
M3D117
BY715 to BY724 Very fast high-voltage soft-recovery rectifiers
Product specification 2001 Sep 24
TYPE NUMBER BY715 BY716 BY717 BY718 BY719 BY720 BY721 BY722 BY723 BY724
2001 Sep 24
2
元器件交易网
Philips Semiconductors
Product specification
Very fast high-voltage soft-recorepetitive peak forward current storage temperature junction temperature
−65 −65
2001 Sep 24
4
元器件交易网
Philips Semiconductors
Product specification
10 12 14 17 19 22 24 30 5 6 10 12 14 17 19 22 24 30 4 5 9 10 12 14 16 18 20 24

肖特基二极管参数表

肖特基二极管参数表

肖特基二极管(Schottky Diode)是一种具有低功耗、大电流、超高速特性的半导体器件。

它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作的。

因此,SBD也称为金属半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。

肖特基二极管的参数表通常包括以下内容:1. VF(Forward Voltage Drop):正向压降。

这是肖特基二极管在正向导通时,从阳极到阴极的电压降。

通常情况下,VF的值较低,大约在0.4V到0.7V之间。

2. VFM(Maximum Forward Voltage Drop):最大正向压降。

这是设备在正向工作时所能承受的最大电压。

VFM决定了二极管是否能在特定电路中进行可靠的操作。

3. VBR(Reverse Breakdown Voltage):反向击穿电压。

这是肖特基二极管在反向偏置时,能够承受的最大电压,超过这个电压会导致器件损坏。

4. VRRM(Peak Reverse Voltage):峰值反向电压。

这是设备在反向工作时所能承受的最大电压。

VRRM通常高于VBR,以确保器件在正常操作中不会因反向电压而损坏。

5. VRsM(Non-Repetitive Peak Reverse Voltage):非反复峰值反向电压。

这是设备在非反复模式(如单次脉冲)下所能承受的最大反向电压。

6. VRwM(Reverse Working Voltage):反向工作电压。

这是设备在反向偏置时能够安全工作的电压。

7. Vpc(Maximum DC Blocking Voltage):最大直流截止电压。

这是肖特基二极管能够承受的最大直流电压,用于防止器件因过压而损坏。

8. Trr(Reverse Recovery Time):反向恢复时间。

这是肖特基二极管从反向偏置到正向偏置的恢复时间,通常很短,大约在几纳秒到几十纳秒之间。

TFC719中文资料(全电压8W)

TFC719中文资料(全电压8W)

TFC719高性能电流模式PWM 开关电源控制器DataSheetTFC719【开关电源控制器集成电路】辰蕊微电子发行日期:2008.12.20R i c h S k y版本:B全电压8W目录 (2)概述、特点、应用领域 (3)内部电路参考框图 (4)引脚功能描述 (4)极限参数 (5)推荐工作条件 (5)电气参数 (6)原理描述 (7)电参数定义 (9)应用信息 (9)典型应用电路 (13)元器件清单 (15)变压器绕制 (16)测试数据 (17)主要测试点波形 (18)热阻与结温参数 (20)封装尺寸图 (21)联系信息 (22)概述高性能电流模式PWM控制器。

专为高性价比AC/DC转换器设计.在85V-265V的宽电压范围内提供高达5W的连续输出功率,峰值输出功率更可达8W。

优化的高合理性的电路设计结合高性能价格比的双极型制作工艺,最大程度上节约了产品的整体成本。

该电源控制器可工作于典型的反激电路拓扑中,构成简洁的AC/DC转换器。

IC内部的启动电路可利用功率开关管本身的放大作用完成启动,很大程度地降低了启动电阻的功率消耗;而在输出功率较小时IC将自动降低工作频率,从而实现了极低的待机功耗。

在功率管截止时,内部电路将功率管BE反向偏置,直接利用了双极性晶体管的CB高耐压特性,大幅提高功率管的耐电压能力,达到800V的高压,这保证了功率管的耐压裕度。

IC内部还提供了完善的防过载防饱和功能,可实时防范过载、变压器饱和、输出短路等异常状况,提高了电源的可靠性。

IC内部还集成了一个2.5V的电压基准,为时钟电路提供精确的供电电压,而时钟频率则可由外部定时电容进行设定。

现可提供DIP8的标准封装和满足欧洲标准的环保无铅封装。

特点●内置800V高压功率开关管●锁存脉宽调制,逐脉冲限流检测●低输出降频功能,待机功耗低于0.25W●内建比例驱动与反馈补偿功能●独立上限电流检测控制器,实时处理控制器的过流、过载●关断周期发射极偏压输出,提高了功率管的耐压●内置具有温度补偿的电流限制电阻,精确电流限制●内置热保护电路●利用开关功率管的放大作用完成启动,减少启动电阻的功耗●极少的外围元器件●低启动电流和低工作电流●VCC过压自动限制●宽电压连续输出功率可达5W,峰值输出功率可达8W应用领域●适配器ADAPTOR(如旅行充电器、外置电源盒等)●绿色节能型家电内部电源(如电磁炉、微波炉等)内部电路参考框图图1.内部电路方框图引脚功能描述*:PCB Layout 时应将Pin6悬空处理,并与Pin7之间保留1mm 以上的安全距离,避免产生放电现象。

数控刀柄知识

数控刀柄知识

数控刀具中刀柄的应用知识加工中心的主轴锥孔通常分为两大类,即锥度为7:24的通用系统和1:10的HSK真空系统。

一、7:24锥度的通用刀柄7:24锥度的通用刀柄锥度为7:24的通用刀柄通常有五种标准和规格,即NT (传统型)、DIN 69871(德国标准)、IS0 7388/1 (国际标准)、MAS BT(日本标准)以及ANSI/ASME(美国标准)。

NT型刀柄德国标准为DIN 2080,是在传统型机床上通过拉杆将刀柄拉紧,国内也称为ST;其它四种刀柄均是在加工中心上通过刀柄尾部的拉钉将刀柄拉紧。

目前国内使用最多的是DIN 69871型(即JT)和MAS BT 型两种刀柄。

DIN 69871型的刀柄可以安装在DIN 69871型和ANSI/ASME主轴锥孔的机床上, IS0 7388/1型的刀柄可以安装在DIN 69871型、IS0 7388/1 和ANSI/ASME主轴锥孔的机床上,所以就通用性而言,IS0 7388/1型的刀柄是最好的。

(1)DIN 2080型(简称 NT或ST)DIN 2080是德国标准,即国际标准ISO 2583 ,是我们通常所说NT型刀柄,不能用机床的机械手装刀而用手动装刀。

(2) DIN 69871 型(简称JT、 DIN、DAT或DV)DIN 69871 型分两种,即DIN 69871 A/AD型和 DIN 69871 B型,前者是中心内冷,后者是法兰盘内冷,其它尺寸相同。

(3) ISO 7388/1 型(简称 IV或IT)其刀柄安装尺寸与DIN 69871 型没有区别,但由于ISO 7388/1 型刀柄的D4值小于DIN 69871 型刀柄的D4值,所以将ISO 7388/1型刀柄安装在DIN 69871型锥孔的机床上是没有问题的,但将DIN 69871 型刀柄安装在ISO 7388/1型机床上则有可能会发生干涉。

(4) MAS BT 型(简称 BT)BT型是日本标准,安装尺寸与 DIN 69871、IS0 7388/1 及ANSI 完全不同,不能换用。

MAX7219的PROTEUS仿真

MAX7219的PROTEUS仿真

MAX7219的PROTEUS仿真MAX7219是美国MAXIM(美信)公司生产的串行输入/输出共阴极显示驱动器。

它采用了3线串行接口,传送速率达10M数据,能驱动8位七段数字型LED或条形显示器或64只独立的LED。

MAX7219内置BCD码译码器、多路扫描电路、段和数字驱动器和存储每一位的8*8静态RAM。

能方便的用模拟或数字方法控制段电流的大小,改变显示器的数量;能进入低功耗的关断模式(仅消耗150uA电流,数据保留);能方便地进行级联。

可广泛用于条形图显示、七段显示、工业控制、仪器仪表面板等领域。

而且其最重要的一点是,每个显示位都能个别寻址和刷新,而不需要重写其他的显示位,这使得软件编程十分简单且灵活。

MAX719后缀表示其封装方式和工作温度,如表所示:后缀封装工作温度CNG 窄24脚0----70℃CWG SO24脚0----70℃ENG 窄24脚-40---85℃EWG SO24脚-40---85℃一. MAX7219的结构和功能1.引脚说明MAX7219的引脚排列如图所示,各引脚功能叙述如下:(1)脚:DIN,串行数据输入。

在CLK的上升沿到来时,数据被移入到内部的16位移位寄存器中。

(2)、(3)、(5)~(8)、(10)、(11)脚:DIG0—DIG7,输入。

8位数字位位选线,从共阴极显示器吸收电流。

(4)、(9)脚:GND,地。

两个引脚必须连接在一起。

(12)脚:LOAD,数据装载输入端。

在LOAD上升沿,移位寄存器接受的数据被锁存。

(13)脚:CLK,时钟输入端,最高时钟频率10MHz。

在CLK的上升沿,数据被移入到内部的16位移位寄存器中。

在CLK的下降沿,数据从DOUT脚输出。

(14)~(15)、(20)~(23)脚:输出。

七段驱动器和小数点驱动器。

它供给显示器电流。

(18)脚:ISET,电流调节端。

通过一个电阻和VCC相连,来调节最大段电流。

(19)脚:VCC。

电源输入端。

CBMG719 操作手册说明书

CBMG719 操作手册说明书

专芯发展•用芯服务•创芯未来产品特点●单电源:1.8V to 5.5V ●导通电阻:2.5Ω(典型值)●导通电阻平坦度0.75Ω(典型值)●−3dB 带宽大于200MHz ●轨到轨工作●6引脚SOT-23封装和8引脚MSOP 封装●快速开关时间:接通时间t ON =12ns 断开时间t OFF =6ns ●典型功耗<0.01μW ●TTL/CMOS 兼容型产品应用●电池供电系统●通讯系统●采样保持系统●音频信号路由●视频开关●机械式舌簧继电器的替代产品产品描述CBMG719是单芯片CMOS 单刀双掷(SPDT)开关。

该开关具有功耗低,开关速度快,导通电阻低,漏电流小等特性。

CBMG719可在1.8V 至5.5V 的单电源范围内工作,非常适合用于电池供电的仪器以及模拟设备公司的新一代DAC 和ADC。

CBMG719的每个开关在接通时在两个方向上的导电性能相同。

CBMG719为先开后合式开关。

另外,该器件可实现大于200MHz 的−3dB 带宽。

CBMG719支持8脚MSOP 封装和SOT23封装。

来目录产品特点 (1)产品应用 (1)产品描述 (1)目录 (2)引脚分配 (3)绝对最大额定值(1) (4)电气特性 (5)典型特性 (6)封装尺寸及结构 (7)MSOP-8 (7)SOT23-5 (7)包装/订购信息 (8) 专芯发展•用芯服务•创芯未专芯发展•用芯服务•创芯未来引脚配置MSOP8引脚配置SOT-23引脚配置引脚定义引脚编号引脚名称描述MSOP SOT-2315D 漏极端。

可以用作输入或输出。

24S1源终端。

可以用作输入或输出。

33GND 电源地,0V。

42VDD 正极电源引脚。

5-NC 没有内部连接。

61IN 数字开关控制7-NC 没有内部连接。

86S2源终端。

可以用作输入或输出。

结构图真值表IN S1S20ON OFF 1OFFON专芯发展•用芯服务•创芯未来绝对最大额定值(1)●V DD to GND :−0.3V to +7V●模拟信号输入1:−0.3V to VDD +0.3V or 30mA,以先发生为主●漏电流,S or D :100mA ●持续电流,S or D :30mA●工作温度范围:−40°C to +125°C ●储存温度范围:−65°C to +150°C ●结温:150°C●MSOP 封装,功耗:315mW ●θJA 热阻抗:206°C/W●θJC 热阻抗:44°C/W●SOT-23封装,功耗:282mW ●θJA 热阻抗:229.6°C/W ●θJC 热阻抗:91.99°C/W ●引脚温度,(焊接(10sec):300°C ●红外回流焊接(<20sec):220°C●焊接(无铅)回流焊,峰值温度:260(+0/−5)°C●峰值温度时间:20sec to 40sec ●ESD :1kV专芯发展•用芯服务•创芯未来电气特性(V DD =3V ±10%,GND =0V.)专芯发展•用芯服务•创芯未来典型特性图1.单电源导通电阻vs.VD(vs)图2.不同温度下的导通电阻与VD(vs),VDD=3V图3.不同温度下的导通电阻与VD(vs),VDD=5V专芯发展•用芯服务•创芯未来封装尺寸及结构MSOP-8SOT23-6专芯发展•用芯服务•创芯未来包装/订购信息。

STR7系列微控制器复习课程

STR7系列微控制器复习课程

S T R7系列微控制器第二章 STR7系列微控制器 (3)2.1STR71X系列微控制器 (3)2.1.1 特点 (4)2.1.2 总体结构 (6)2.1.3 引脚描述 (11)2.1.4 电气特性 (23)2.2STR73X系列微控制器 (29)2.2.1 特点 (30)2.2.2 总体结构 (32)2.2.3 引脚描述 (36)2.2.4 电气特性 (44)第二章 STR7系列微控制器意法半导体(ST)的STR7系列微控制器基于16/32位 ARM7TDMI RISC CPU,该系列种类齐全,用户可以根据不同的应用需求选择合适的芯片。

根据内核类型、片内Flash和片内RAM的容量,以及片上外设资源种类和数量的不同,STR7系列微控制器主要分成如下几类:STR71x系列、STR73x系列以及STR75x系列。

本章将对它们的硬件特性、结构和电气特性作一介绍,更详细的交、直流特性可参考ST的相关数据手册。

片内外设的详细描述可参考本书的第三章。

2.1 STR71x系列微控制器STR71x系列是片上集成Flash和RAM的微控制器系列。

它基于高性能的ARM7TDMI内核,拥有丰富的外设和增强的I/O功能。

该系列中的所有器件都包含片上高速单电压Flash存储器和高速RAM存储器。

由于内嵌ARM内核,所以STR71x与所有的ARM工具和软件兼容。

表2.1-1是STR71x系列微控制器器件型号总览,可作为选型参考。

表2.1-1 STR71x器件总表2.1.1 特点1.存储器✓片内集成最高达256+16k字节的flash存储器(代码FLASH可反复擦写10,000次,数据FLASH可反复擦写100,000次,存储信息最长可以保持20年),可加密保护;✓片内集成最高达64k字节的RAM存储器;✓拥有可以寻址4个存储器段的外部存储器接口(EMI),支持SRAM、Flash 以及ROM等存储器类型;✓支持多种启动方式。

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1/10November 2004sHIGH SPEED:t PD = 0.3ns (TYP.) at V CC = 5V t PD = 0.4ns (TYP.) at V CC = 3.3V sLOW POWER DISSIPATION:I CC = 1µA(MAX.) at T A =25°C sLOW "ON" RESISTANCE:R ON = 4Ω (MAX. T A =25°C) AT V CC = 5V R ON = 6Ω (TYP .) AT V CC = 3VsWIDE OPERATING VOLTAGE RANGE:V CC (OPR) = 1.8V TO 5.5V SINGLE SUPPLYDESCRIPTIONThe STG719 is an high-speed S.P.D.T. (Single Pole Double Throw) SWITCH fabricated in silicon gate C 2MOS technology. It designed to operate from 1.8V to 5.5V, making this device ideal for portable applications, audio signal routing, video switching, mobile and communication systems. It offers 4Ω ON-Resistance Max at 5V 25°C and very low ON-Resistance Flatness. Additional key features are fast switching speed (t ON =7ns,t OFF =4.5ns), Break Before Make Delay Time and Low Power Consumption.All inputs and outputs are equipped with protection circuits against static discharge, giving them ESD immunity and transient excess voltage.It’s available in the commercial and extended temperature range.STG719LOW VOLTAGE 4Ω SPDT SWITCHFigure 1: Pin Connection And IEC Logic SymbolsTable 1: Order CodesPACKAGET & R SOT23-6LSTG719STRSTG7192/10Figure 2: Input Equivalent CircuitTable 2: Pin DescriptionTRUTH TABLETable 3: Absolute Maximum RatingsAbsolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Functional operation under these conditions is not impliedTable 4: Recommended Operating Conditions1) Truth Table guaranteed: 1.2V to 6V 2) V IN from 30% to 70% of VCCPIN N°SYMBOL NAME AND FUNCTION 1IN Control4, 6S1, S2Independent Channel 5D Common Channel 2V CC Positive Supply Voltage 3GNDGround (0V)IN SWITCH S1SWITCH S2L ON OFF HOFFONSymbol ParameterValue Unit V CC Supply Voltage -0.5 to +7.0V V I DC Input Voltage -0.5 to V CC + 0.5V V IC DC Control Input Voltage -0.5 to V CC + 0.5V V O DC Output Voltage -0.5 to V CC + 0.5V I IK DC Input Diode Current ± 20mA I OK DC Output Diode Current ± 20mA I O DC Output Current ± 50mA I CC or I GND DC V CC or Ground Current± 50mA T stg Storage Temperature -65 to +150°C T LLead Temperature (10 sec)300°CSymbol ParameterValue Unit V CC Supply Voltage (note 1) 1.8 to 5.5V V I Input Voltage 0 to V CC V V IC Control Input Voltage 0 to V CC V V O Output Voltage 0 to V CC V T op Operating Temperature-55 to 125°C dt/dv Input Rise and Fall Time on control pin (note 2)0 to 10ns/V dt/dvInput Rise and Fall Time on I/O pins0 to DCns/VSTG7193/10Table 5: DC Specifications(*) Voltage range is 3.3V ± 0.3V (**) Voltage range is 5V ± 0.5VSymbolParameterTest ConditionValueUnitV CC (V)T A = 25°C -40 to 85°C -55 to 125°C Min.Typ.Max.Min.Max.Min.Max.V IHC High Level Control Input Voltage 3.3(*) 2.0 2.0 2.0V 5.0(**) 2.42.42.4V ILC Low Level Control Input Voltage 3.3(*)0.40.40.4V 5.0(**)0.80.80.8R ONON Resistance3.3(*)V S = 0 to V CC I S = 10mA 671012Ω5.0(**)456∆R ONON Resistance3.3(*)V S = 0 to V CC I S = 10mA 0.10.4Ω5.0(**)0.10.4R FLATON ON ResistancefLATNESS 3.3(*)V S = 0 to V CC I S = 10mA2.5Ω5.0(**)0.75I SOFFSource OFF Leakage 3.3(*)V S =1V or V CC V DD = V CC or 1VV IN = V CC or GND ±0.01±0.25± 0.35± 3.5nA 5.0(**)±0.01±0.25± 0.35± 3.5I SON Channel ON Leakage 3.3(*)V S =V D =1V to V CC -2.5VV IN = V IHC±0.01±0.25± 0.35± 3.5nA 5.0(**)±0.01±0.25± 0.35± 3.5I IN Control Input Leakage Current 3.3(*)V I = V IH or V IL 0.005±0.1±1µA 5.0(**)0.005±0.1±1I CCQuiescent Supply Current3.3(*)V I = V CC or GND0.001112µA5.0(**)0.00112STG7194/10Table 6: AC Electrical Characteristics (C L = 35pF, R L = 300Ω)(*) Voltage range is 3.3V ± 0.3V (**) Voltage range is 5.0V ± 0.5VTable 7: Analog Switch Characteristics (GND = 0V; T A = 25°C)(*)Voltage range is 3.3V ± 0.3V (**) Voltage range is 5.0V ± 0.5VSymbolParameterTest ConditionValue UnitV CC (V)T A = 25°C -40 to 85°C -55 to 125°C Min.Typ.Max.Min.Max.Min.Max.t PDDelay Time3.3(*)V S = 3V square wave f = 1MHz t r = t f = 6ns0.40.8 1.2 2.4ns 5.0(**)0.30.61.02.0t ON ON Channel Time3.3(*)V S = 2V 101619ns 5.0(**)V S = 3V 71113t OFF OFF Channel Time3.3(*)V S = 2V 5.578.5ns 5.0(**)V S = 3V 4.567.5t DBreak Before Make Time Delay3.3(*)V S = 2V 14ns 5.0(**)V S = 3V14C SOFF OFF Channel Capacitance 19pF C SONON Channel Capacitance33pFSymbol ParameterTest ConditionValue UnitV CC (V)Typ.f MAXFrequency Response (Switch ON)3.3(*)Bandwidth at -3dB 200MHz5.0(**)200Feed through Attenuation (SwitchOFF)3.3(*)f IN = 10MHz sine wave -40dB 3.3(*)f IN = 1MHz sine wave -745.0(**)f IN = 10MHz sine wave -405.0(**)f IN = 1MHz sine wave -74Crosstalk (Control Input to Signal Output)3.3(*)f IN = 10MHz sine wave -39dB 3.3(*)f IN = 1MHz sine wave -525.0(**)f IN = 10MHz sine wave -395.0(**)f IN = 1MHz sine wave-52STG7195/10TEST CIRCUITSFigure 3: On ResistanceFigure 4: On Leakage Figure 5: Off Leakage Figure 6: Off IsolationFigure 7: BandwidthFigure 8: Channel To Channel CrosstalkSTG719Figure 9: Switching TimesTable 8: Break Before Make Time Delay6/10STG7197/10DIM.mm.milsMIN.TYPMAX.MIN.TYP.MAX.A 0.90 1.4535.457.1A10.000.150.0 5.9A20.90 1.3035.451.2b 0.350.5013.719.7C 0.090.20 3.57.8D 2.80 3.00110.2118.1E 2.60 3.00102.3118.1E1 1.501.7559.068.8e .9537.4e1 1.974.8L0.350.5513.721.6SOT23-6L MECHANICAL DATASTG7198/10STG719 Table 9: Revision HistoryDate Revision Description of Changes 25-Nov-20048Mistake on Figure 1.9/10STG719Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. 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