存储器扩展实验

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实验内容（ 实验内容（续）
命令编写一段程序， 3．用监控程序的 A命令编写一段程序，对 RAM（6116）进行读写， RAM（6116）进行读写，用 D 命令查看 结果是否正确； 结果是否正确； 命令编写一段程序， 4．用监控程序的 A命令编写一段程序，对 EEPROM（ 系列芯片） 扩展存储器 EEPROM（28 系列芯片）进 行读写， 命令查看结果是否正确； 行读写，用D命令查看结果是否正确；如 不正确，分析原因，改写程序， 不正确，分析原因，改写程序，重新运 行。
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实验操作（ 实验操作（续）
断电后重新启动教学实验机， 断电后重新启动教学实验机，用 D 命令观察内 存 2020~2023的值 的值。 单元 2020~2023的值。会发现原来置入到这几个 内存单元的值已经改变，用户在使用 RAM 时， 内存单元的值已经改变， 必 须每次断电重启后都要重新输入程序或修改内存 单元的值。 单元的值。
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TEC-XP实验存储系统 TEC-XP实验存储系统
0000H-1FFFH： 0000H-1FFFH： 监控程序 教学机的RAM地址范围是2000h RAM地址范围是2000h教学机的RAM地址范围是2000h-27FFh 2600H 27FFH 2600H-27FFH：工作区 2000H 25FFH 用户区， 2000H-25FFH：用户区，可存放用户的程序 和数据 4000H-FFFFH：用户扩展区， 4000H-FFFFH：用户扩展区，可存放用户的 程序和数据（但是要注意读写方法） 程序和数据（但是要理扩展， 1．完成存储芯片的物理扩展，相应位置插 上相应的HN58c65p芯片（EEPROM芯片 HN58c65p芯片 芯片）； 上相应的HN58c65p芯片（EEPROM芯片）； 左边， 注意：必须保证缺口朝向左边 注意：必须保证缺口朝向左边，否则将烧 毁芯片。 毁芯片。 2．用监控程序的 D、E命令对存储器进行 读写， RAM（6116）、EEPROM（ ）、EEPROM 读写，比较 RAM（6116）、EEPROM（28 系列芯片）在读写上的异同； 系列芯片）在读写上的异同；
实验操作（ 实验操作（续）
断电后重新启动， 5000~5003的 断电后重新启动，用 D 命令察看内存单元 5000~5003的 值，会发现这几个单元的值没有发生改变，说明EEPROM的 会发现这几个单元的值没有发生改变，说明EEPROM的 EEPROM 内容断电后可保存。 内容断电后可保存。
<2>存储器不能直接用 A 命令输入程序，单字节的指令可 命令输入程序， <2>存储器不能直接用 能会写进去，双字节指令的低位会出错（ 能会写进去，双字节指令的低位会出错（建议试一 ），可将编写好的程序用编程器写入片内 可将编写好的程序用编程器写入片内； 试），可将编写好的程序用编程器写入片内；也可
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实验准备步骤（ 实验准备步骤（续）
3．在第四步中用户可以将右侧标有 TEC”“/CS”“FPGA” ”“/CS”“FPGA “TEC”“/CS”“FPGA”的三个插针左 边两个短接这表示扩展的 ROM 的内存地 址是从4000H开始， 4000H开始 址是从4000H开始，可用空间是 4000H~5FFFH， 4000H~5FFFH，用户可在这个范围内输入 程序或改变内存单元的值。 程序或改变内存单元的值。也可以将这 个插针断开，将标有/CS 个插针断开，将标有/CS 的圆孔针与标 有 MEM /CS 的一排圆孔针中的任意一个 用导线相连； 用导线相连；注意连接的地址范围是多 用户可用的地址空间就是多少。 少，用户可用的地址空间就是多少。
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实验准备步骤（ 实验准备步骤（续）
2．将扩展芯片右边的插针按下列方式短接： 将扩展芯片右边的插针按下列方式短接： 芯片右上方的标有“WE” 将 EXTROML 芯片右上方的标有“WE”和 A11”的插针下面两个短接， “A11”的插针下面两个短接，将它右边 标有“TEC”“/CS”“FPGA” ”“/CS”“FPGA 标有“TEC”“/CS”“FPGA”的三个插 针左边两个短接，标有XTROMLCS XTROMLCS的插针 针左边两个短接，标有XTROMLCS的插针 短接， 短接，标有 TEC”“OE”“GND”“ FPGA” ”“OE”“GND “TEC”“OE”“GND”“ FPGA”的四个 插针上边一排左边的两个短接； 插针上边一排左边的两个短接；
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思考完成
要求在2000-25FF地址范围内编写程序， 要求在2000-25FF地址范围内编写程序， 2000 地址范围内编写程序 实现把从键盘接收到的数值到000FH 000FH写入 实现把从键盘接收到的数值到000FH写入 到扩展之后的5000 5000起始起始的存储器单元 到扩展之后的5000起始起始的存储器单元 中。 注意：58c65p写入存在延时问题 写入存在延时问题， 注意：58c65p写入存在延时问题，所以程 序在写入的过程中需要自定义延时。 序在写入的过程中需要自定义延时。
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实验操作
RAM（6116）支持即时读写， RAM（6116）支持即时读写，可直接用 A、E 命 令 向扩展的存储器输入程序或改变内存单元的值。 向扩展的存储器输入程序或改变内存单元的值。 中的内容在断电后会消失， RAM 中的内容在断电后会消失，重新启动实验机 后会发现内存单元的值发生了改变。 后会发现内存单元的值发生了改变。 在命令行提示符状态下输入： <1> 在命令行提示符状态下输入： 2020↙ E 2020↙ 屏幕将显示： 内存单元原值: 屏幕将显示： 2020 内存单元原值: 按如下形式键入： 按如下形式键入： 原值： 空格）原值：3333（空格） 2020 原值：2222 （空格）原值：3333（空格） 原值：4444（空格）原值：5555↙ 原值：4444（空格）原值：5555↙
实验三
存储器扩展实 验
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实验目的
通过看懂教学计算机中已经使用的几个 存储器芯片的逻辑连接关系和用于完成存 储器容量扩展的几个存储器芯片的布线安 排，在教学计算机上设计、实现并调试出 在教学计算机上设计、 存储器容量扩展的实验内容。 存储器容量扩展的实验内容。
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实验目的（ 实验目的（续）
其最终要达到的目的是： 其最终要达到的目的是： 深入理解计算机内存储器的功能、 1．深入理解计算机内存储器的功能、组成 知识； 知识； 2．深入地学懂静态存储器芯片的读写原理 和用他们组成教学计算机存储器系统的 方法（即字、位扩展技术）， ），控制其运 方法（即字、位扩展技术），控制其运 行的方式； 行的方式； 思考并对比静态和动态存储器芯片在特 性和使用场合等方面的同异之处。 性和使用场合等方面的同异之处。
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实验准备步骤（ 实验准备步骤（续）
将标有“ 15－ 4．将标有“DataBus 15－8”和“DataBus 7－0”的数据总线的指示灯下方的插针 短接； 短接； 将标有“ 155．将标有“AdressBus 15-8”和 7“AdressBus 7-0”的地址总线的指示灯 下方的插针短接； 下方的插针短接；
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实验说明
教学计算机存储器系统由ROM RAM两个 教学计算机存储器系统由ROM 和RAM两个 存储区组成， 芯片（ 存储区组成，分别由 EPROM 芯片（或 EEPROM芯片 芯片） RAM芯片构成 TEC芯片构成。 EEPROM芯片）和 RAM芯片构成。TEC-XP 教学计算机中还安排了另外几个存储器 器件插座， 器件插座，可以插上相应存储器芯片以 完成存储器容量扩展的教学实验。 完成存储器容量扩展的教学实验。
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实验准备步骤（ 实验准备步骤（续）
TEC-XP实验系统左下方的五个黑色的控 将 TEC-XP实验系统左下方的五个黑色的控 制机器运行状态的开关置于正确的位置， 制机器运行状态的开关置于正确的位置， 在找个实验中开关应置为00110 连续、 00110（ 在找个实验中开关应置为00110（连续、内 存读指令、组合逻辑、联机、16位），控 存读指令、组合逻辑、联机、16位），控 制开关的功能在开关上、下方有标识； 制开关的功能在开关上、下方有标识；开 关拨向上方表示“ 关拨向上方表示“1”，拨向下方表示 “ 0 ”， 表示任意，其它实验相同； “X”表示任意，其它实验相同；
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总结
58c65p（EEPROM） 58c65p（EEPROM）芯片在读写的过程中 需要一定的时间大约为1ms 不能够采用A 1ms， 需要一定的时间大约为1ms，不能够采用A 命令在其上编写程序（ 命令在其上编写程序（A命令写入的指令可 能占有多个存储单元写入），但可以通过D 能占有多个存储单元写入），但可以通过D ），但可以通过 命令写入内容（ 命令为字写入）。 ）。但是该 命令写入内容（D命令为字写入）。但是该 芯片能够在断电重启后仍能保存数据。 芯片能够在断电重启后仍能保存数据。
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实验准备步骤
FPGA下方的插针要按下列要求短 1．检查 FPGA下方的插针要按下列要求短 标有“/MWR”“RD” ”“RD 接：标有“/MWR”“RD”的插针左边两 个短接，标有“/MRD”“GND” ”“GND 个短接，标有“/MRD”“GND”的插针右 边两个短接， ROMLCS和 RAMLCS的 边两个短接，标有 ROMLCS和 RAMLCS的 插针短接。 插针短接。
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实验操作（ 实验操作（续）
芯片（EEPROM） 58C65 芯片（EEPROM） AT28C64B的读操作和一般的 RAM一样，而其写操作，需 AT28C64B的读操作和一般的 RAM一样，而其写操作， 一样 要 一定的时间， 毫秒。因此，需要编写一延迟子 一定的时间，大约为 1 毫秒。因此，需要编写一延迟子 程序， 进行写操作时，调用该子程序， 程序，在对 EEPROM 进行写操作时，调用该子程序，以 完 成正确的读写。 成正确的读写。 1）用 E 命令改变内存单元的值并用 D 命令观察结果。 命令观察结果。 在命令行提示符状态下输入： <1> 在命令行提示符状态下输入： 5000↙ E 5000↙ 屏幕将显示： 内存单元原值： 屏幕将显示： 5000 内存单元原值： 按如下形式键入： 按如下形式键入： 16 原值：2424（按空格）原值：3636（按空格）原值： 5000 原值：2424（按空格）原值：3636（按空格）原值：