4.1静态存储器扩展实验
硬件实验四 存储器扩展
实验四存储器
实验要求:
用所给的1*1bit存储器的电路,构成一个2*4bit的存储器电路。
其中输入数据用开关，输出用指示灯（或发光二极管）。
验证实验结果，需记录实验结果。
叙述字扩展和位扩展的基本原理。
注意：实际的存储器一般是输入输出数据线是合用的。
R/W端高电平为读操作,低电平为写操作。
片选信号为高电平即为选中。
实验报告要求
1．实验目的
2．实验原理（详细说明什么是字扩展，什么是位扩展，本实验应用的是什么扩展。
实验逻辑图）
3．实验结果记录和分析：参考电路图
4．实验心得
5．思考题
a.本实验存储器电路的寻址范围是多少？容量是多少？
b.实验存储器电路中哪些线可作为地址线？共几位？为什么？
c.如果用本实验构成的2*4bit存储器电路作为一个存储器单元，再构成一4*8bit
的存储器电路，应该如何连接？请画出逻辑框图。
静态存储器 实验报告
静态存储器实验报告静态存储器实验报告引言：静态存储器（Static Random Access Memory，简称SRAM）是一种常见的存储器类型，具有快速读写速度和稳定性等优点。
在本次实验中，我们将对SRAM 进行测试和分析，以评估其性能和可靠性。
实验目的：1. 了解静态存储器的基本原理和工作方式；2. 测试SRAM的读写速度和稳定性；3. 分析SRAM的性能特点和应用范围。
实验步骤：1. 准备工作：搭建SRAM测试平台，包括电源、控制电路和数据输入输出接口等；2. 读写速度测试：通过控制电路发送读写指令，并记录SRAM的读写时间；3. 稳定性测试：连续进行大量的读写操作，并观察SRAM的稳定性表现；4. 性能分析：根据测试结果，分析SRAM的读写速度、稳定性和功耗等性能指标。
实验结果：1. 读写速度：经过多次测试，我们得出了SRAM的平均读写速度为XX ns。
这一速度相对较快，适用于对存储器响应速度要求较高的应用场景。
2. 稳定性：在连续读写测试中，SRAM表现出了较好的稳定性，未出现数据丢失或错误的情况。
这证明了SRAM在数据存储和传输过程中的可靠性。
3. 功耗：SRAM在读写操作时会消耗一定的功耗，但相对于动态存储器（DRAM）而言，SRAM的功耗较低。
这使得SRAM在低功耗要求的电子设备中具有一定的优势。
讨论与分析：1. SRAM的优点：相对于动态存储器，SRAM具有读写速度快、稳定性高和功耗低等优点。
这使得SRAM在高性能计算机、嵌入式系统和高速缓存等领域得到广泛应用。
2. SRAM的缺点：与之相对应的是，SRAM的成本较高。
由于SRAM采用了更复杂的电路结构，导致其制造成本较高。
这使得SRAM在大容量存储器领域的应用受到一定的限制。
3. SRAM的应用范围：由于SRAM的快速读写速度和稳定性，它在高性能计算领域得到了广泛应用。
同时，由于SRAM的低功耗特性，它也适用于移动设备、物联网和嵌入式系统等低功耗要求的场景。
存储器扩展实验｜计算机原理存储器扩展实验word版
存储器扩展实验
一、实验目的
掌握单片机系统中存储器扩展方式。
二、实验设备
TDN86/51教学实验系统一台
三、实验内容及步骤
1、实验电路如图所示，扩展的外部数据存储器6264的地址范围为
6000H-7FFFH,共8K字节。
将片内
RAM40H-4FH单元中的6个数据，传送到外部RAM7000H-7FFFH单元中，然后翻读到片内RAM的50H-5FH单元中。
2、实验程序如下
ORG 0000H
LJMP MAIN
ORG 1000H MAIN: MOV R0, #40H MOV R2, #10H MOV DPTR, #7000H L1: MOV A, @R0 MOVX @DPTR, A INC R0
INC DPTR
DJNZ R2, L1
MOV R0, #50H
MOV DPTR, #7000H MOV R2, #10H
L2: MOVX A, @DPTR MOV @R0, A
INC R0
INC DPTR
DJNZ R2, L2
L3: SJMP L3
END
实验步骤
（1）按图接线。
（2）输入程序检查无错误，经汇编、连接后装入系统。
（3）在101AH处设断点。
（4）用R07**命令在40H-4FH单元中送入16个数。
（5）GB=0000运行程序。
（6）用R07**命令检查50H-5FH单元中的内容是否与40H-4FH单元一致。
实验四 存储器扩展实验
实验四存储器扩展实验一、实验目的1．掌握存储器扩展的基本方法及存储器接口地址的设置。
2．了解80X86微型机计算机的存储空间分配。
3．熟悉静态存储器6264的使用方法。
4．掌握存储器的读写原理。
二、实验任务1．在80X86微型计算机上扩展8K字节的RAM。
编制存储器的测试程序，从0单元开始写入数据，首先写0，然后地址每增1，数据都加1，当数据加到FFH后再从0开始，直到存储器的8K字节写满为止；每写入一个数据读出比较一次，若写入的数据与读出的数据相等，则继续；否则显示出错信息。
2．利用DEBUG调试程序中的F命令，将“FFH”填充到6264RAM中C000段的0000H～0FFFH单元中，而将“00H”填充到同一段的1000H～1FFFH单元中，再检查该段0000H～1FFFH单元的内容。
三、实验设备器材1．80X86系列微型计算机一台。
2．微机硬件实验平台。
3．存储器芯片6264及基本门电路若干。
四、实验准备1．预习存储器6264芯片的使用方法。
2．预习存储器扩展的方法，了解80X86系列微型计算机的内存空间分配。
3．设计存储器扩展的接口电路，画出连线图。
4．根据实验任务要求，编写源程序。
五、实验原理提示1．对于存储器的扩展设计，首先要确定存储器的结构和存储器芯片。
本实验扩展8KB RAM，可以采用单存储体结构；选用6264芯片。
6264芯片的管脚图如图1所示。
6264的引脚分为以下三部分：①地址线A0～A12，可访问213个存储单元②数据线D0～D7②控制线：片选信号CE、写信号WE、输出允许信号OE接着进行存储器接口电路的设计。
这也是扩展存储器设计的关键。
在80286以上微型计算机中，用户可用的内存空间为0C0000H～0DFFFFH（可查附录2内存分配表）128KB。
扩展的8KB内存可以从C0000H开始。
设地址范围为C0000H～C1FFFH，可写出地址位图如下。
A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A01 1 0 0 0 0 0高位地址译码选片低位地址直接相连那么对高位地址总线的译码，产生存储器的片选信号；低位地址直接与芯片的地址线相连，实验电路可参考框图2。
微机原理实验---存储器的扩展实验
深圳大学实验报告课程名称：_____________ 微机计算机设计__________________实验项目名称：静态存储器扩展实验______________学院：_________________ 信息工程学院____________________专业：_________________ 电子信息工程____________________指导教师：____________________________________________报告人：________ 学号：2009100000班级：＜1＞班实验时间：_______ 2011.05. 05实验报告提交时间：2011. 05. 31教务处制一、实验目的1. 了解存储器扩展的方法和存储器的读/ 写。
2. 掌握CPU寸16位存储器的访问方法。
二、实验要求编写实验程序，将OOOOH H OOOFH共16个数写入SRAM的从0000H起始的一段空间中，然后通过系统命令查看该存储空间，检测写入数据是否正确。
三、实验设备PC 机一台，TD-PITE 实验装置或TD-PITC 实验装置一套。
四、实验原理1、存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1 位信息。
只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。
此，静态RAM工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。
2、本实验使用两片的62256芯片，共64K字节。
本系统采用准32位CPU具有16 位外部数据总线，即D0 D1、…、D15,地址总线为BHE^(#表示该信号低电平有效)、BLE#、A1、A2、…、A20。
存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BH四和BLE#选通。
存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。
处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BH即和BLE #同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。
存储器扩展实验.
实验一存储器扩展实验一、实验目的1、学习掌握存储器扩展方法和存储器读/写。
2、掌握存储器地址译码方法。
3、了解6264RAM特性。
二、实验设备1、TDN86/51或TDN86/88教学实验系统一套2、排线、导线若干三、实验内容及步骤（共2个实验）1、扩展存储器的地址编码2、存储器扩展实验（1）、按实验（1）线路图所示编写程序，通过8255产生适当的时序对6264RAM进行读/写。
实验程序如下：STACK SEGMENT STACK DW 64 DUP(?) STACK ENDSCODE SEGMENTASSUME CS:CODESTART: MOV BX,3000H MOV DX,0E010HMOV CX,0010HMOV AL,80HOUT 63H,ALA1: MOV AL,DHOUT 62H,ALMOV AL,DLOUT 61H,ALMOV AL,[BX]OUT 60H,ALMOV AL,0CHOUT 63H,ALMOV AL,0DHOUT 63H,ALINC BXINC DXLOOP A1MOV AL,90HOUT 63H,ALMOV BX,3000HMOV CX,0010HMOV DX,0E010HMOV SI,4000HA2: MOV AL,DHOUT 62H,ALMOV AL,DLOUT 61H,ALMOV AL,0EHOUT 63H,ALIN AL,60HMOV [SI],ALCMP AL,[BX]JNZ A4MOV AL,0FHOUT 63H,ALINC SIINC BXINC DXLOOP A2MOV AX,014FHINT 10HMOV AX,014BHINT 10HA3: JMP A3A4: MOV AX,0145HINT 10HA5: JMP A5CODE ENDSEND START实验步骤：①分析线路图，画出参考程序流程图；②按图（1）连接实验线路；③输入程序并检查无误，经汇编、连接后装入系统；④在3000～300FH单元中填入16个数；⑤运行程序，在“OK”（正确）或“E”（错误）提示出现后，用CTRL＋C来终止程序运行；⑥用D命令检查4000～400FH单元中的内容和3000～300FH中的数据是否一致。
静态随机存储器实验实验报告
静态随机存储器实验实验报告摘要：本实验通过对静态随机存储器(SRAM)的实验研究，详细介绍了SRAM的工作原理、性能指标、应用领域以及实验过程和结果。
实验使用了仿真软件，搭建了SRAM电路，通过对不同读写操作的观察和分析，验证了SRAM的可靠性和高速性。
一、引言静态随机存储器(SRAM)是一种常用的存储器类型，被广泛应用于计算机系统和其他电子设备中。
它具有存储速度快、数据可随机访问、易于控制等优点，适用于高速缓存、寄存器堆以及其他要求高速读写和保持稳定状态的场景。
本实验旨在通过设计和搭建SRAM电路，深入理解SRAM的工作原理和性能指标，并通过实验验证SRAM的可靠性和高速性。
二、实验设备和原理1. 实验设备本实验使用了以下实验设备和工具：- 电脑- 仿真软件- SRAM电路模块2. SRAM原理SRAM是由静态触发器构成的存储器，它的存储单元是由一对交叉耦合的反相放大器构成。
每个存储单元由6个晶体管组成，分别是两个传输门、两个控制门和两个负反馈门。
传输门被用于读写操作，控制门用于对传输门的控制，负反馈门用于保持数据的稳定状态。
SRAM的读操作是通过将存储单元的控制门输入高电平，将读取数据恢复到输出端。
写操作是通过将数据线连接到存储单元的传输门，将写入数据传输到存储单元。
三、实验过程和结果1. 设计电路根据SRAM的原理和电路结构，我们设计了一个8位的SRAM 电路。
电路中包括8个存储单元和相应的读写控制线。
2. 搭建电路通过仿真软件，我们将SRAM电路搭建起来，连接好各个线路和电源。
确保电路连接正确无误。
3. 进行实验使用仿真软件中提供的读写操作指令，分别进行读操作和写操作。
观察每个存储单元的输出情况，并记录数据稳定的时间。
4. 分析实验结果根据实验结果，我们可以得出以下结论：- SRAM的读操作速度较快，可以满足高速读取的需求。
- SRAM的写操作也较快，但需要保证写入数据的稳定性和正确性。
静态存储器扩展实验报告记录
静态存储器扩展实验报告记录————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：深圳大学实验报告课程名称：微机原理与接口技术实验项目名称：静态存储器扩展实验学院：信息工程学院专业：电子信息工程指导教师：周建华报告人：洪燕学号：2012130334 班级：电子3班实验时间：2014/5/21实验报告提交时间：2014/5/26教务部制一．实验目的与要求：1. 了解存储器扩展的方法和存储器的读/写。
2. 掌握CPU 对16位存储器的访问方法。
二．实验设备PC 机一台，TD-PITE 实验装置或TD-PITC 实验装置一套，示波器一台。
三．实验原理存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM 是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1位信息。
只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。
因此，静态RAM 工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。
但一般SRAM 的每一个触发器是由6个晶体管组成，SRAM 芯片的集成度不会太高，目前较常用的有6116（2K ×8位）， 图4.1 62256引脚图 6264（8K ×8位）和62256（32K ×8位）。
本实验平台上选 用的是62256，两片组成32K ×16位的形式，共64K 字节。
62256的外部引脚图如图4.1所示。
本系统采用准32位CPU ，具有16位外部数据总线，即D0、D1、…、D15，地址总线为BHE ＃（＃表示该信号低电平有效）、BLE ＃、A1、A2、…、A20。
存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BHE ＃和BLE ＃选通。
存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。
处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BHE ＃和BLE ＃同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。
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课程名称：微型计算机技术与应用
实验项目名称：静态存储器扩展实验
学院：信息工程学院
专业：电子信息工程
指导教师：
报告人：学号：班级：
实验时间：
实验报告提交时间：
教务处制
实验目的：
1.了解存储器扩展的方法和存储器的读/写。
2.掌握CPU对16位存储器的访问方法。
实验设备：
PC机一台，TD-PITE实验装置或TD-PITC实验装置一套，示波器一台。
本系统采用准32位CPU，具有16位外部数据总线，即D0、D1、…、D15，地址总线为BHE＃（＃表示该信号低电平有效）、BLE＃、A1、A2、…、A20。存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BHE＃和BLE＃选通。
存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BHE＃和BLE＃同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。处理器访问非规则字却需要两个时钟周期，第一个时钟周期BHE＃有效，访问奇字节；第二个时钟周期BLE＃有效，访问偶字节。处理器访问字节只需要一个时钟周期，视其存放单元为奇或偶，而BHE＃或BLE＃有效，从而选通奇体或偶体。写规则字和非规则字的简单时序图如图4.2所示。
方法、步骤：
存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM是由MOS管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1位信息。只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。因此，静态RAM工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。但一般SRAM的每一个触发器是由6个晶体管组成，SRAM芯片的集成度不会太高，目前较常用的有6116（2K×8位），6264（8K×8位）和62256（32K×8位）。本实验平台上选用的是62256，两片组成32K×16位的形式，共64K字节。62256的外部引脚图如图4.1所示。图4.1 62256引脚图
图4.2写规则字（左）和非规则字（右）简单时序图
实验单元电路图
图4.3 SRAM单元电路图
实验过程及内容：
编写实验程序，将0000H～000FH共16个数写入SRAM的从0000H起始的一段空间中，然后通过系统命令查看该存储空间，检测写入数据是否正确。
SSTACKSEGMENT STACK
DW 32 DUP(?)
从该实验了解规则字与非规则字的存储方法的汇编代码的编写，以及存储方式字节型或者字型存储方式的不同实现方法。
指导教师批阅意见：
成绩评定：
指导教师签字：
年月日
备注：
INC SI
INC SI
LOOPAA1
图4.4 SRAM实验接线图
MOV AX,4C00H
INT 21H;程序终止
STARTENDP
CODEENDS
END START
1.实验接线图如图4.4所示，按图接线。
2.编写实验程序，经编译、链接无误后装入系统。
3.先运行程序，Βιβλιοθήκη 程序运行停止。4.通过D命令查看写入存储器中的数据：
SSTACKENDS
CODESEGMENT
STARTPROC FAR
ASSUME CS:CODE
MOV AX, 8000H;存储器扩展空间段地址
MOV DS, AX
AA0:MOV SI, 0000H;数据首地址
MOV CX, 0010H
MOV AX, 0000H
AA1:MOV [SI], AX
INC AX
D8000：0000回车，即可看到存储器中的数据，应为0001、0002、…、000F共16个字。
5.改变实验程序，按非规则字写存储器，观察实验结果。
运行结束后，使用D命令查看写入存储器的数据为
6.改变实验程序，按字节方式写存储器，观察实验现象。
运行结束后，使用D命令查看写入存储器的数据为
实验结论：