CSF101技术说明书V2.46
系列泄漏电流测试仪V101
使用说明书CS2675系列泄漏电流测试仪本系列测试仪最高输出电压可达250V。
* 任何不正确的操作都可能引起死亡事故的发生。
* 在使用测试仪之前请详细阅读第2章“使用注意事项”。
* 本使用说明书应当放在操作者的旁边，以便在需要时可以阅读。
说明书的使用说明：* 在操作测试仪前请仔细阅读并理解说明书所描述的内容。
阅读后，请把说明书放在操作人员附近以便在需要时进行阅读。
当把测试仪从一个工作场所搬运到另外一个工作场所，请把说明书随仪器一起搬运，以免遗失。
* 如果发现说明书缺页或者说明书被污染，请立即与长盛公司的经销商联系进行购买。
* 随着仪器功能的改进、软件的升级，使用说明书也将不断被完善、升级。
请注意测试仪器说明书的版本。
CS2675系列泄漏电流测试仪使用说明书 Ver:1.0---------------------2012.12* 在测试过程中，操作人员请不要触摸以下所述的位置或区域；否则会造成触电事故的发生。
（1）测试仪的电压输出端口。
（2）与测试仪连接的测试线。
（3）被测试产品。
（4）和测试仪输出端连接的任何物体。
* 为防止触电事故的发生，请遵循下面的安全操作步骤：（1）安全可靠的接地：本系列测试仪的后面板上有一接地端子，请将此端子接地。
如果没有可靠的接地，只要任何人接触外壳，都有可能造成触电的发生，因此必须将此接地端子可靠的与大地连接。
（2）在测试仪的电源开关打开后，请不要触摸和电压输出端口有连接的任何物品。
* 下列情况是非常危险的：（1）按下“STOP”键后，测试指示灯仍然亮着。
（2）显示器显示的电压值不在变动而测试指示灯仍然亮着。
遇到上面的情况，立即关闭电源开关并拔掉电源插头，不要再使用；请立即与长盛仪器或指定的经销商联系。
目录测试仪的开箱及安装21.1 接收到仪器的检查31.2 仪器的开箱检查31.3 包装箱及包装材料31.4 使用仪器的安全规则31.5 操作人员的规定41.6 检查电源电压41.7 检查并更换保险丝41.8 接地5操作注意事项52.1 禁止的操作52.2 紧急情况的处理62.3 测试过程中的预防措施6面板说明63.1 前面板说明73.2 后面板说明12仪器功能概述144.1 概述154.2功能介绍15技术参数155.1 机型功能对照表155.2技术规格16PLC接口176.1 PLC接口的输入、输出信号176.2 接线176.3 远控输入信号和输出信号接线说明176.4 PLC接口的电气特性18仪器参数设置187.1 CS2675AX/BX/CX/CX-1参数设置187.2 CS2675FX/FX-1/FX-2参数设置19仪器测试功能208.1 测试说明208.2 测试步骤208.3 GB9706.1规定的测试图23附件及保修289.1附件289.2保修291测试仪的开箱及安装本章介绍用户收到测试仪后所进行的检查及在安装测试仪前所必须的一些基本条件。
CS101说明书(V2 00)
目录手册使用说明（必读）--------------------------------------------------------------- 3 第一章概述 ------------------------------------------------------------------------ 4 第二章主要参数 ------------------------------------------------------------------- 5 第三章安装、接口与数据格式---------------------------------------------------- 6一、仪表前、后功能示意图 -------------------------------------------------- 6二、传感器与仪表的连接 ----------------------------------------------------- 8三、输入输出接口--------------------------------------------------------------- 9四、大屏幕显示接口 ----------------------------------------------------------- 9五、串行通讯接口-------------------------------------------------------------- 10六、模拟量输出----------------------------------------------------------------- 11七、打印与存储----------------------------------------------------------------- 13 第四章标定---------------------------------------------------------------------------- 14 第五章参数设置 --------------------------------------------------------------------- 16一、【SEt 0】查询类参数 ------------------------------------------------- 16二、【SEt 1】一般类参数 ------------------------------------------------- 19三、【SEt 2】控制参数 ---------------------------------------------------- 21四、【SEt 3】记录打印 ---------------------------------------------------- 26 第六章操作说明 --------------------------------------------------------------------- 28一、开机及开机置零 ---------------------------------------------------------- 28二、手动置零-------------------------------------------------------------------- 28三、除皮 -------------------------------------------------------------------------- 28四、日期与时间的设置 ------------------------------------------------------- 28五、启动/停止 ------------------------------------------------------------------- 28六、峰值保持-------------------------------------------------------------------- 29七、输入输出功能-------------------------------------------------------------- 29八、常用参数快速设置 ------------------------------------------------------- 29 第七章控制过程详解-------------------------------------------------------------- 30一、模式0（1种配料的加法模式） -------------------------------------- 30二、模式1（1种配料的减法模式） -------------------------------------- 32三、模式2（两种料加法秤）----------------------------------------------- 34四、模式3（分选模式） ----------------------------------------------------- 36第八章维护保养及注意事项 ----------------------------------------------------41 附录一出错信息提示--------------------------------------------------------------43 附录二大屏幕数据波形图及格式------------------------------------------------44 附录三串行通信－指令应答方式的数据格式 --------------------------------45 附录四常见问题处理方法 ---------------------------------------------------------47亲爱的用户：在使用仪表前，敬请仔细阅读说明书!- 2 -手册使用说明（必读）为客户能正确使用仪表，用户必须了解本手册中相关内容。
CSF101技术说明书V2.46
目录第一章概述................................................................................................. 错误！未定义书签。
第二章技术特点................................................................................................. 错误！未定义书签。
第三章技术参数................................................................................................. 错误！未定义书签。
第四章硬件说明................................................................................................. 错误！未定义书签。
第五章基本功能说明 ..................................................................................... 错误！未定义书签。
第六章保护功能说明 ..................................................................................... 错误！未定义书签。
第七章信息汇总................................................................................................. 错误！未定义书签。
第八章调试大纲................................................................................................. 错误！未定义书签。
CSC101A(B)数字式超高压线路保护装置使用使用介绍(0SF.461.039)
CSC-101A/B、CSC-102A/B数字式超高压线路保护装置使用说明书…北京四方继保自动化股份有限公司BEIJING SIFANG AUTOMATION CO., LTD.CSC-101A/B、CSC-102A/B数字式超高压线路保护装置使用说明书&编制：王斌郝淑荣校核：赵志宏标准化审查：田蘅审定：黄少锋出版号：文件代号：出版日期：版权所有：北京四方继保自动化股份有限公司…注：本公司保留对此说明书修改的权利。
如果产品与说明书有不符之处，请以产品随机资料为准，欢迎您与我公司联系，我们将为您提供相应的服务。
技术支持电话：0 传真：0重要提示感谢您使用北京四方继保自动化股份有限公司的产品。
为了安全、正确、高效地使用本装置，请您务必注意以下重要提示：1)本说明书仅适用于CSC-101A、CSC-101B、CSC-102A、CSC-102B数字式超高压线路保护装置及以上版本的保护程序。
2)请仔细阅读本说明书，并按照说明书的规定调整、测试和操作。
如有随机资料，请以随机资料为准。
3)为防止装置损坏，严禁带电插拔装置各插件、触摸印制电路板上的芯片和器件。
4)…5)请使用合格的测试仪器和设备对装置进行试验和检测。
6)装置如出现异常或需维修，请及时与本公司服务热线联系。
7)本装置的出厂操作密码是：8888。
目录1 概述 (1)适用范围及功能配置 (1)产品主要特点 (1)产品安装开孔尺寸和外形图 (3)2 技术条件 (4)环境条件 (4)额定参数 (4)电气绝缘性能 (4)机械性能 (4)电磁兼容性 (5)安全性能 (5)热性能（过载能力） (5)功率消耗 (5)技术参数 (6)３保护功能说明 (8)保护程序整体简介 (8)保护功能元件 (8)检测功能和一些判别 (17)CSC-101A/B纵联距离保护功能说明 (20)CSC-102A/B纵联方向保护功能说明 (20)装置纵联保护其他一些逻辑说明 (21)装置与各种通道接口的配合及相关问题 (24)专用闭锁式纵联保护逻辑框图 (31)允许式纵联保护逻辑框图 (34)三段式距离保护功能说明 (37)距离保护逻辑框图 (39)零序保护功能说明 (41)零序保护的逻辑框图 (42)综合重合闸 (45)综合重合闸逻辑框图 (47)4 用户安装使用 (50)整定值及整定计算说明 (50)CSC-101A/102A按控制位显示的保护定值 (50)CSC-101A/102A按16进制控制字显示定值 (53)CSC-101B/102B按控制位显示的保护定值 (56)CSC-101B/102B按16进制控制字显示定值 (59)有关整定值说明 (62)控制字的说明 (64)通信参数 (67)装置硬件结构和特性 (67)装置端子及组屏说明 (70)人机接口及其操作 (79)装置安装调试 (84)各保护动作值检验和动作时间测量 (92)装置保护动作报告及分析 (95)故障录波报告调取及分析 (96)5 保护报文汇总 (100)事故报文 (100)告警报文 (101)6 维护运行注意事项 (103)装置投运前检查 (103)运行情况下注意事项 (103)设备更换软件或CPU后的操作 (104)设备更换软件或MMI板后的操作 (104)设备更换开入和开出插件后的操作 (104)设备更换交流插件后的操作 (104)几点说明 (104)7 运输及检查 (105)8 订货须知 (105)9 附录1 订制版本定值（） (106)CSC-101A/102A装置定值表 (106)CSC-101B/102B装置定值表 (109)10 附录2 CSC-101（2）A/B监控模板说明 (112)11 附录3 CSPC调试软件使用简介 (124)12 附图 (136)附图1交流插件原理图 (136)附图2CPU简化原理图 (137)附图3MASTER板简化原理图 (138)附图4A型装置开入插件X4电原理图 (139)附图5-1B型装置开入插件X4电原理图 (140)附图5-2B型装置开入插件X5电原理图 (141)附图6-1A型装置开出插件X6电原理图 (142)附图6-2A型装置开出插件X7电原理图 (143)附图6-3A型装置开出插件X8电原理图 (144)附图6-4A型装置开出插件X9电原理图 (145)附图7-1B型装置开出插件X7电原理图 (146)附图7-2B型装置开出插件X8电原理图 (147)附图7-3B型装置开出插件X9电原理图 (148)附图8电源插件原理 (149)附图9－1A型装置背板端子图 (150)附图9－2A型装置背板端子图 (151)附图10－1B型装置背板接线图 (152)附图10－2B型装置背板端子图 (153)1 概述适用范围及功能配置CSC-101A/B、CSC-102A/B数字式超高压线路保护装置（以下简称CSC-101、CSC-102、装置或产品），适用于220kV及以上电压等级的高压输电线路，其主要功能包括纵联距离保护、纵联方向保护、三段式距离保护、四段式零序保护、综合重合闸等，其具体功能配置如下表1所示。
变压器后备保护说明书
CSF106VB22微机变压器保护装置技术说明书四方华能电网控制系统有限公司2001年北京目录第一章概述--------------------------------------3 第二章技术参数----------------------------------4 第三章硬件说明----------------------------------6 第四章软件说明----------------------------------8 第五章装臵的整定和保护信息说明------------------11第六章装臵的外部接线说明-----------------------14 第七章装臵调试---------------------------------14 第八章面板操作说明-----------------------------16 第九章维护及运行-------------------------------18第一章概述本装臵适用于110KV及以下各种电压等级的变电站及厂站变压器后备保护。
装臵包含复合电压闭锁三段过流保护，可选经方向判别；零序过流三段保护；零序过压保护；充电保护；PT断线检测等功能。
装臵设有RS232、RS485、接口可与监控系统连接,便于实现四遥及远方通讯。
实时全面的自检系统大大提高了保护的可靠性。
同时，本装臵支持GPS（全球卫星定位系统）对时。
其主要的技术特点如下：1）以工业级32位MPU单片机系统为核心部件，采用内部总线方式，芯片内设有ADC、32位CPU、QSM、SRAM、TPURAM、TPU、FLASH EEPROM，总线不出芯片，外围电路全部光藕隔离，采集8路模拟量，占用CPU时间不超过1us，高精度、高速率，可扩展到16路模拟量，在线程序写入FLASH芯片（ISP），方便软件修改、升级。
2）128×64点大液晶全汉字显示，调试全部为汉字菜单结构，使用方便、直观、信息详尽丰富。
EDCS-7080 使用说明书V1.00(081231)
产品使用说明书
重庆新世纪电气有限公司
版本声明
版权所有：重庆新世纪电气有限公司 本技术说明书适用于以下版本的保护程序： EDCS-7080 微机小电流接地选线装置版本 V1.00。
序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
片和器件。 请使用合格的测试仪器和设备对装置进行试验和检测。 装置如出现异常或需维修，请及时与本公司服务热线联系。
NEW CENTURY-RELAYS
EDCS-7080 微机小电流接地选线装置使用说明书
目录
第一篇 装置技术说明................................................................................................................................ 1 1 概述 ..................................................................................................................................................... 1 1.1 应用范围 ............................................................................................................................................. 1 1.2 主要特点 ..................................................
CSF306TB技术说明书(V2.00-0000-3)
四方华能电网控制系统有限公司目录公司简介 (5)概述 (6)主要技术参数 (8)硬件结构 (9)测控功能 (12)保护功能 (14)人机交互 (21)外部接线说明 (24)运行注意事项 (24)附录1 CSF306TB变压器后备保护装置压板、定值、控制字 (25)附录2 CSF306TB变压器后备保护装置信息汇总 (32)附录3 CSF306TB变压器后备保护装置电气件原理图（1） (45)附录4 CSF306TB变压器后备保护装置电气原理图（2） (46)附录5 CSF306TB变压器后备保护装置电气原理图（3） (47)附录6 CSF306TB变压器后备保护装置端子图 (48)附录7 CSF306TB变压器后备保护装置液晶操作菜单 (49)附录8 CSF306TB变压器后备保护装置开孔图 (50)本说明书仅适用于CSF306TB变压器后备保护装置。
请仔细阅读本说明书，并按照说明书的规定调整、测试和操作。
如有随机资料，请以随机资料为准。
公司简介概述CSF306TB变压器后备保护系列适用于110kV及以下电压等级变压器的后备保护。
应用范围应用范围◆110kV及以下电压等级变压器的后备保护主要特点主要特点保护测控功能◆ 保护功能精确可靠并可灵活配置。
◆ 精确测量一侧三相电流、三相电压。
◆ 准确计算功率、频率◆ 遥测、遥信、遥控、遥脉功能。
人机交互人机交互◆128×64点大液晶全汉字显示。
◆良好的中文视窗界面。
◆简洁方便的四方键盘。
◆4只LED指示灯分别表明4个典型运行状态。
运行运行◆实时显示电流、电压、功率、频率等的测量值。
◆显示典型遥信值。
◆可就地或通过LonWorks网络远程存取测量值、整定值、运行报告等信息。
◆可用于综合自动化和非综合自动化系统。
◆可录入5套保护定值。
◆记录故障数据，掉电不丢失。
通讯通讯◆标准RS232串口通讯，前面板232串口带光电隔离，可在现场实现通讯。
◆LonWorks现场总线接口。
MRF101BN和MRF101AN RF 设备数据手册说明书
MRF101BN MRF101ANMRF101AN MRF101BN1RF Power LDMOS TransistorsHigh Ruggedness N--ChannelEnhancement--Mode Lateral MOSFETsThese devices are designed for use in VHF/UHF communications,VHF TV broadcast and aerospaceapplications as well as industrial,scientific and medical applications.The devices are exceptionally rugged and exhibit high performance up to 250MHz.Typical Performance:V DD =50VdcFrequency (MHz)Signal TypeP out (W)G ps (dB)ηD (%)13.56CW 130CW 27.179.627CW 130CW 24.081.540.68(1)CW 120CW 23.881.550CW 115CW 23.079.581.36CW 130CW 23.280.887.5–108CW 110CW 21.377.1136–174(2,3)CW104CW 21.276.5230(4)Pulse(100μsec,20%Duty Cycle)115Peak21.176.7Load Mismatch/RuggednessFrequency (MHz)Signal TypeVSWR P in (W)Test Voltage Result 40.68CW>65:1at all Phase Angles 0.64Peak (3dB Overdrive)50No Device Degradation 230Pulse(100μsec,20%Duty Cycle)>65:1at all Phase Angles1.8Peak (3dB Overdrive)50No Device Degradation1.Measured in 40.68MHz reference circuit (page 5).2.Measured in 136–174MHz VHF broadband reference circuit (page3.The values shown are the center band performance numbers across the indicated frequency range.4.Measured in 230MHz fixture (page 13).Features ∙Mirror pinout versions (A and B)to simplify use in a push--pull,two--up configuration∙Characterized from 30to 50V ∙Suitable for linear application∙Integrated ESD protection with greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation∙Included in NXP product longevity program with assured supply for a minimum of 15years after launchTypical Applications∙Industrial,scientific,medical (ISM)–Laser generation –Plasma etching –Particle accelerators–MRI and other medical applications–Industrial heating,welding and drying systems∙Radio and VHF TV broadcast ∙HF and VHF communications ∙Switch mode power supplies Document Number:MRF101ANRev.0,11/2018Technical Data1.8–250MHz,100W CW,50VWIDEBANDRF POWER LDMOS TRANSISTORSMRF101AN MRF101BNTO--220--3LMRF101BNTO--220--3LMRF101ANGSDDS GNote:Exposed backside of the packageand tab also serves as a source terminal for the transistor.BacksideSS2RF Device Data NXP SemiconductorsMRF101AN MRF101BN Table 1.Maximum RatingsRatingSymbol Value Unit Drain--Source Voltage V DSS –0.5,+133Vdc Gate--Source Voltage V GS –6.0,+10Vdc Operating VoltageV DD 50Vdc Storage Temperature Range T stg –65to +150︒C Case Operating Temperature Range T C –40to +150︒C Operating Junction Temperature Range (1,2)T J –40to +175︒C Total Device Dissipation @T C =25︒C Derate above 25︒CP D1820.91W W/︒CTable 2.Thermal CharacteristicsCharacteristicSymbol Value (2,3)Unit Thermal Resistance,Junction to CaseCW:Case Temperature 77︒C,150W CW,50Vdc,I DQ =100mA,40.68MHz R θJC 1.1︒C/W Thermal Impedance,Junction to CasePulse:Case Temperature 73︒C,113W Peak,100μsec Pulse Width,20%Duty Cycle,50Vdc,I DQ =100mA,230MHzZ θJC0.37︒C/WTable 3.ESD Protection CharacteristicsTest MethodologyClass Human Body Model (per JS--001--2017)1B,passes 1000V Charge Device Model (per JS--002--2014)C3,passes 1200VTable 4.Electrical Characteristics (T A =25︒C unless otherwise noted)CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitOff CharacteristicsGate--Source Leakage Current (V GS =5Vdc,V DS =0Vdc)I GSS ——1μAdc Drain--Source Breakdown Voltage (V GS =0Vdc,I D =50mAdc)V (BR)DSS 133——Vdc Zero Gate Voltage Drain Leakage Current (V DS =100Vdc,V GS =0Vdc)I DSS——10μAdcOn CharacteristicsGate Threshold Voltage(V DS =10Vdc,I D =290μAdc)V GS(th) 1.7 2.2 2.7Vdc Gate Quiescent Voltage(V DS =50Vdc,I D =100mAdc)V GS(Q)— 2.5—Vdc Drain--Source On--Voltage (V GS =10Vdc,I D =1Adc)V DS(on)—0.45—Vdc Forward Transconductance (V DS =10Vdc,I D =8.8Adc)g fs—7.1—S1.Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.2.MTTF calculator available at /RF/calculators .3.Refer to AN1955,Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers.Go to /RF and search for AN1955.(continued)MRF101AN MRF101BN3RF Device DataNXP SemiconductorsTable 4.Electrical Characteristics (T A =25︒C unless otherwise noted)(continued)CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitDynamic CharacteristicsReverse Transfer Capacitance(V DS =50Vdc ±30mV(rms)ac @1MHz,V GS =0Vdc)C rss —0.96—pF Output Capacitance(V DS =50Vdc ±30mV(rms)ac @1MHz,V GS =0Vdc)C oss —43.4—pF Input Capacitance(V DS =50Vdc,V GS =0Vdc ±30mV(rms)ac @1MHz)C iss—149—pFTypical Performance —230MHz (In NXP 230MHz Fixture,50ohm system)V DD =50Vdc,I DQ =100mA,P in =0.9W,f =230MHz,100μsec Pulse Width,20%Duty Cycle Common--Source Amplifier Output Power P out —115—W Power Gain G ps —21.1—dB Drain EfficiencyηD—76.7—%Table 5.Load Mismatch/Ruggedness (In NXP 230MHz Fixture,50ohm system)I DQ =100mAFrequency (MHz)Signal TypeVSWR P in (W)Test Voltage,V DDResult230Pulse(100μsec,20%Duty Cycle)>65:1at all Phase Angles1.8Peak (3dB Overdrive)50No Device DegradationTable 6.Ordering InformationDeviceShipping InformationPackageMRF101AN MPQ =250devices (50devices per tube,5tubes per box)TO--220--3L (Pin 1:Gate,Pin 2:Source,Pin 3:Drain)MRF101BNTO--220--3L (Pin 1:Drain,Pin 2:Source,Pin 3:Gate)4RF Device Data NXP SemiconductorsMRF101AN MRF101BNTYPICAL CHARACTERISTICS1100V DS,DRAIN--SOURCE VOLTAGE(VOLTS)Figure1.Capacitance versus Drain--Source Voltage C,CAPACITANCE(pF)1010000.1MRF101AN MRF101BN5RF Device DataNXP Semiconductors40.68MHz COMPACT REFERENCE CIRCUIT (MRF101AN)—0.7"⨯2.0"(1.8cm ⨯5.0cm)Table 7.40.68MHz Performance (In NXP Reference Circuit,50ohm system)V DD =50Vdc,I DQ =100mA,P in =0.50W,CWFrequency (MHz)P out (W)G ps (dB)ηD (%)40.6812023.881.56RF Device Data NXP SemiconductorsMRF101AN MRF101BN 40.68MHz COMPACT REFERENCE CIRCUIT (MRF101AN)—0.7"⨯2.0"(1.8cm ⨯5.0cm)Figure 2.MRF101AN Compact Reference Circuit Component Layout and Assembly Example —40.68MHzFigure 3.MRF101AN Compact Reference CircuitBoardaaa--032274Table 8.MRF101AN Compact Reference Circuit Component Designations and Values —40.68MHzPartDescriptionPart NumberManufacturer B1Short RF Bead 2743019447Fair-Rite C1,C582pF Chip Capacitor GQM2195C2E820GB12D Murata C2,C4200pF Chip Capacitor GQM2195C2A201GB12D Murata C333pF Chip Capacitor GQM2195C2E330GB12D Murata C6,C7,C8,C9,C101000pF Chip Capacitor GRM2165C2A102JA01D Murata C111μF Chip Capacitor GJ821BR71H105KA12L Murata C12,C1310nF Chip Capacitor GRM21BR72A103KA01B Murata C141μF Chip Capacitor C3216X7R2A105K160AA TDK L1150nH Chip Inductor 0805WL151JT ATC L217.5nH,4Turn Inductor GA3095-ACL Coilcraft L3160nH Square Air Core Inductor 2222SQ-161JEC Coilcraft L4110nH Square Air Core Inductor 2222SQ-111JEB Coilcraft Q1RF Power LDMOS Transistor MRF101ANNXP R175Ω,1/4W Chip Resistor SG73P2ATTD75R0F KOA Speer PCBFR40.09",εr =4.8,2oz.CopperD113958MTLMRF101AN MRF101BN7RF Device DataNXP SemiconductorsTYPICAL CHARACTERISTICS —40.68MHz COMPACT REFERENCE CIRCUIT (MRF101AN)V GS ,GATE--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)8060P o u t ,O U T P U T P O W E R (W A T T S )40 3.52.51.51100120014020Figure 4.CW Output Power versus Gate--SourceVoltage at a Constant Input PowerP in ,INPUT POWER (WATTS)8060P o u t ,O U T P U T P O W E R (W A T T S )40010012001402040.68101121f (MHz)P1dB (W)P3dB (W)Figure 5.CW Output Power versus Input PowerP out ,OUTPUT POWER (WATTS)Figure 6.Power Gain and Drain Efficiencyversus CW Output PowerG p s ,P O W E R G A I N (d B )ηD ,D R A I N E F F I C I E N C Y (%)25242802090705030302223262729806040201004060801001201400.5230.10.20.30.40.50.60.721201008RF Device Data NXP SemiconductorsMRF101AN MRF101BN40.68MHz COMPACT REFERENCE CIRCUIT(MRF101AN)fMHzZ sourceΩZ loadΩ40.6824.0+j12.614.2–j2.5Z source=Testcircuit impedance as measured fromgate to ground.Z load=Test circuit impedance as measuredfromdrain toground.Figure7.Series Equivalent Source and Load Impedance—40.68MHzZ source Z load50Ω50ΩMRF101AN MRF101BN9RF Device DataNXP Semiconductors136–174MHz COMPACT VHF BROADBAND REFERENCE CIRCUIT (MRF101AN)—0.7"⨯2.0"(1.8cm ⨯5.0cm)Table 9.136–174MHz VHF Broadband Performance (In NXP Reference Circuit,50ohm system)V DD =50Vdc,I DQ =100mA,P in =0.79W,CWFrequency (MHz)P out (W)G ps (dB)ηD (%)13511721.780.015510421.276.517510721.375.4136–174MHz COMPACT VHF BROADBAND REFERENCE CIRCUIT(MRF101AN)—0.7"⨯2.0"(1.8cm⨯5.0cm)Figure8.MRF101AN Compact Reference Circuit Component Layout and Assembly Example—136–174MHzFigure9.MRF101AN Compact Reference Circuit BoardTable10.MRF101AN Compact VHF Broadband Reference Circuit Component Designations and Values—136–174MHz Part Description Part Number ManufacturerB1Short RF Bead2743019447Fair-RiteC139pF Chip Capacitor GQM2195C2E390GB12D MurataC2,C5,C6,C7,C8,C12510pF Chip Capacitor GRM2165C2A511JA01D MurataC368pF Chip Capacitor GQM2195C2E680GB12D MurataC427pF Chip Capacitor GQM2195C2E270GB12D MurataC910pF Chip Capacitor GQM2195C2E100FB12D MurataC111μF Chip Capacitor GJ821BR71H105KA12L MurataC1310nF Chip Capacitor GRM21BR72A103KA01B MurataC141μF Chip Capacitor C3216X7R2A105K160AA TDKL122nH Chip Inductor0805WL220JT ATCL212nH Chip Inductor0805WL120JT ATCL3,L4,L668nH Air Core Inductor1812SMS-68NJLC CoilcraftL512nH,3Turn Inductor GA3094-ALC CoilcraftQ1RF Power LDMOS Transistor MRF101AN NXPR175Ω,1/4W Chip Resistor SG73P2ATTD75R0F KOA SpeerPCB FR40.09",εr=4.8,2oz.Copper D113958MTLTYPICAL CHARACTERISTICS —136–174MHzCOMPACT VHF BROADBAND REFERENCE CIRCUIT (MRF101AN)20150f,FREQUENCY (MHz)26259085807565130120ηD ,D R A I N E F F I C I E N C Y (%)G p s ,P O W E R G A I N (d B )242322211715516016517070110P o u t ,O U T P U T P O W E R (W A T T S )14514017513519100180P in,INPUT POWER (WATTS)0P o u t ,O U T P U T P O W E R (W A T T S )806040200.40.61201000.20.8140 1.027202422807570G p s ,P O W E R G A I N (d B )20406026858025232110012014065605550ηD ,D R A I N E F F I C I E N C Y (%)Figure 10.Power Gain,Drain Efficiency and CW Output Power versus Frequency at a Constant Input PowerFigure 11.CW Output Power versus Input Power and FrequencyP out ,OUTPUT POWER (WATTS)Figure 12.Power Gain and Drain Efficiency versusCW Output Power and Frequency191817454035136–174MHz COMPACT VHF BROADBAND REFERENCE CIRCUIT(MRF101AN)f MHz Z sourceΩZ loadΩ135 6.8+j10.29.5+j5.2145 6.2+j10.29.9+j5.9155 5.3+j10.810.2+j6.2165 4.4+j11.910.0+j5.9175 3.9+j13.48.8+j5.0Z source=Test circuit impedance as measured fromgate to ground.Z load=Test circuit impedance as measured fromdrain to ground.Figure13.Series Equivalent Source and Load Impedance—136–174MHzZ source Z load50Ω50Ω230MHz FIXTURE(MRF101AN)—4.0"⨯5.0"(10.2cm⨯12.7cm)aaa--031939Figure14.MRF101AN Fixture Component Layout—230MHzTable11.MRF101AN Fixture Component Designations and Values—230MHzPart Description Part Number Manufacturer B1Long Ferrite Bead2743021447Fair-RiteC1,C2,C1018pF Chip Capacitor ATC100B180JT500XT ATCC343pF Chip Capacitor ATC100B430JT500XT ATCC4,C131000pF Chip Capacitor ATC800B102JT50XT ATCC50.1μF Chip Capacitor GRM319R72A104KA01D MurataC610nF Chip Capacitor C1210C103J5GACTU KemetC7 2.2μF Chip Capacitor C3225X7R1H225K TDKC847μF,16V Tantalum Capacitor T491D476K016AT KemetC951pF Chip Capacitor ATC100B510JT500XT ATCC1116pF Chip Capacitor ATC100B160JT500XT ATCC12470pF Chip Capacitor ATC800B471JW50XT ATCC140.1μF Chip Capacitor C1812104K1RACTU KemetC15 2.2μF Chip Capacitor C3225X7R2A225K TDKC16 2.2μF Chip Capacitor HMK432B7225KM-T Taiyo YudenC17220μF,100V Electrolytic Capacitor MCGPR100V227M16X26MulticompL139nH Chip Inductor1812SMS-39NJLC CoilcraftL246nH Chip Inductor1010VS-46NME CoilcraftL317.5nH,4Turn Inductor GA3095-ALC CoilcraftR1470Ω,1/4W Chip Resistor CRCW1206470RFKEA VishayPCB Rogers AD255C,0.030",εr=2.55,2oz.Copper D113651MTLTYPICAL CHARACTERISTICS —230MHz FIXTURE,T C =25_C (MRF101AN)0V GS ,GATE--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)Figure 15.Output Power versus Gate--SourceVoltage at a Constant Input PowerP o u t ,O U T P U T P O W E R (W A T T S )P E A K755025 1.52 2.531251000.51P in ,INPUT POWER (dBm)PEAK 514943P o u t ,O U T P U T P O W E R (d B m )P E A K4733302127245318230110128f (MHz)P1dB (W)P3dB (W)Figure 16.Output Power versus Input PowerP out ,OUTPUT POWER(WATTS)PEAKFigure 17.Power Gain and Drain Efficiency versus Output Power and Quiescent CurrentG p s ,P O W E R G A I N (d B )ηD ,D R A I N E F F I C I E N C Y (%)3300806040203301080706050403020P out ,OUTPUT POWER (WATTS)PEAKFigure 18.Power Gain and Drain Efficiencyversus Output PowerG p s ,P O W E R G A I N (d B )ηD ,D R A I N E F F I C I E N C Y (%)0P out ,OUTPUT POWER (WATTS)PEAKFigure 19.Power Gain versus Output Powerand Drain--Source Voltage20G p s ,P O W E R G A I N (d B )16145075100182522150451001251503003002441393715230MHz FIXTURE (MRF101AN)f MHz Z sourceΩZ load Ω2302.1+j5.95.5+j3.2Z source =Test circuitimpedance as measured fromgate to ground.Z load=Test circuit impedance asmeasured from drain toground.Figure 20.Series Equivalent Source and Load Impedance —230MHzZ source Z load50Ω50ΩPACKAGE DIMENSIONSPRODUCT DOCUMENTATION,SOFTWARE AND TOOLS Refer to the following resources to aid your design process.Application Notes∙AN1955:Thermal Measurement Methodology of RF Power AmplifiersEngineering Bulletins∙EB212:Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS DevicesSoftware∙Electromigration MTTF Calculator∙RF High Power Model∙.s2p FileDevelopment Tools∙Printed Circuit BoardsTo Download Resources Specific to a Given Part Number:1.Go to /RF2.Search by part number3.Click part number link4.Choose the desired resource from the drop down menuREVISION HISTORYThe following table summarizes revisions to this document.Revision Date Description 0Nov.2018∙Initial release of data sheetRF Device DataNXP Semiconductors How to Reach Us:Home Page: Web Support:/support Information in this document is provided solely to enable system and software implementers to use NXP products.There are no express or implied copyright licenses granted hereunder to design or fabricate any integrated circuits based on the information in this document.NXP reserves the right to make changes without further notice to any products herein.NXP makes no warranty,representation,or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose,nor does NXP assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit,and specifically disclaims any and all liability,including without limitation consequential or incidental damages.“Typical”parameters that may be provided in NXP data sheets and/or specifications can and do vary in different applications,and actual performance may vary over time.All operating parameters,including “typicals,”must be validated for each customer application by customer’s technical experts.NXP does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.NXP sells products pursuant to standard terms and conditions of sale,which can be found at the following address:/SalesTermsandConditions .NXP and the NXP logo are trademarks of NXP B.V.All other product or service names are the property of their respective owners.E 2018NXP B.V.MRF101BN MRF101AN。
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目录第一章概述 (3)第二章技术特点 (3)第三章技术参数 (4)第四章硬件说明 (7)第五章基本功能说明 (9)第六章保护功能说明 (11)第七章信息汇总 (22)第八章调试大纲 (27)第九章设置说明 (28)第十章外部接线说明 (28)第十一章测控板程序简介 (32)CSF101配电自动化远方终端技术说明书(V2.46版)版权声明本说明书系由北京四方华能电网控制系统有限公司、北京哈德威四方保护及控制设备有限公司联合出版，并具有对所示产品的最终解释权。
其它任何单位或个人未经本公司书面许可，不得拷贝或翻版。
用户如果对本公司产品有特殊要求，请和四方华能公司联系。
本说明书为装置技术说明，此版本以前的有关本装置的说明如与本说明不符，一律以本说明书为准。
北京四方华能电网控制系统有限公司2004年11月公司简介北京四方华能电网控制系统有限公司成立于一九九九年十一月，由哈德威四方保护与控制设备公司和华能公司强强联手组办,集开发、生产、销售、服务为一体的高新技术企业，是一家顺应国家电力发展，特别是城乡电网改造的需要而异军突起的企业。
四方华能主要从事配电管理系统的开发及其配套设备的研制生产，主要系列产品CSDA2000（DMS）,包括先进可靠的CSF100系列FTU、载波机、耦合装置、智能馈线监控系统、配电SCADA、配电GIS、配电高级应用软件包和CSMR电能量自动抄表计费系统，广泛适用于城市配电网的改造工程，是增强配网可靠性，提高配网自动化程度和供电可靠性的强大工具。
同时公司还生产VEC－DP－9000系列高频开关直流电源及MRT系列微机型多功能继电保护测试装置。
四方华能还从事电力市场（如发电厂竞价上网等辅助决策系统）、电力企业ERP、电力行业Internet/Intranet等前沿领域的研究、开发。
四方华能长期以来一直致力配电自动化的基础理论研究，同时开发相关的配电自动化高新技术产品，尤其是配电载波通信系统、远方馈线自动化终端（FTU）和配电综合保护测控装置。
可靠适用的NDLC技术采用了国际先进的DSP技术，FTU 和配电综合保护测控装置继承发扬了四方公司第三代微机保护性能率先通过了国家电力公司权威机构严格测试和电力部门、国家经贸委入网许可。
四方华能有很强的科研实力，不仅集成了四方和华能的技术优势，而且拥有一支具有团队合作精神的高层次计算机开发和电力系统专业人才队伍，研究开发人员均有硕士以上学历。
技术和人才的优势为开发优秀的产品提供了有力的保障。
我们将胸怀坚定不移的信念，秉承高度敬业的传统精神，锻造时代精品，服务于社会。
汲取多年电力自动化开发经验，依托强大的技术研发实力，采用最先进的计算机技术，并发挥多年积累的行业领先优势，四方华能将不断创新，勇攀行业高峰，提供全国最优秀的配电管理系统（DMS），为客户提供软、硬件完美集成的全面解决方案。
第一章概述配电自动化系统主要由主站系统、数据通讯系统和馈线自动化终端三部分组成，馈线自动化终端是自动化系统与一次设备的接口。
CSF101配电自动化远动终端作为CSDA2000配电自动化系统的核心单元，在系统中主要实现的功能是采集就地的交流测量量（如电压、电流、功率等）和状态量（如开关位置、储能情况等），以及执行遥控命令（如跳合开关）。
该配电自动化远动终端广泛适用于10KV配电线路中，可对负荷开关、分段器、环网联络开关、无功补偿电容器进行监控。
CSF101配电自动化远动终端采用四方公司第三代微机保护硬件的设计原则，应用多种新技术进一步提高硬件可靠性。
整个装置还具有功耗低、占地省、安装方便、匹配方式灵活多样，适宜多种运行及环境场所等特点。
CSF101配电自动化远动终端提供RS232串行通讯方式和RS485、电力线载波、LONWORKS网络通讯方式。
其中电力线载波方式采用先进的NDLC电力线载波技术，在国内处于领先地位。
RS232、485串行通讯方式除可支持双绞线、同轴电缆外，还可以利用光MODEM与光纤配合进行通讯。
结合通讯部分，该装置可与SCADA主站通信，完成对配电线路的各种监控功能。
第二章技术特点2.1 CSF101型配电自动化远动终端采用四方公司第三代微机保护硬件的设计原则，应用多种新技术进一步提高硬件可靠性。
2.2 采用高速、高精度的14位模数转换(A/D)。
2.3 对于任何出口信号均采用双重监控，确保出口信号的可靠性。
2.4 CSF101型配电自动化远动终端与外联系的部分均采用多种信号隔离措施——如电磁隔离、光电隔离等，以提高装置的抗干扰能力。
2.5 采用专用数据采集环节，使CSF101型配电自动化远动终端同时具有高精度的测量功能和保护功能。
2.6 输入信号在45－55Hz之间变化，均可正常实现数据采集功能。
2.7 CSF101型配电自动化远动终端的监控软件中含有多种智能算法，使得本装置能够在其失去通信能力后，延时实现故障隔离、网络重构、自动恢复供电等功能。
2.8 可存储多达3套定值；采用灵活的下定值方法，方便、可靠。
2.9 CSF101型配电自动化远动终端的典型配置可按一回或两回出线考虑，可根据用户要求灵活扩展。
2.10 整个装置还具有功耗低、占地省、安装方便、匹配方式灵活多样，适宜多种运行及环境场所等特点。
第三章技术参数3. 1 额定数据∙直流电压：+24V（工作电压）∙交流电压：100V或220V（订货时需说明）∙工作电压：220V（取自PT二次侧）∙交流电流：1A∙频率：50Hz3. 2 蓄电池组∙电压： +24V （两个+12V直流蓄电池串联）∙容量： 6.5AH3. 3 功率消耗∙装置功率消耗(含电力载波发信功率)：≤ 5W∙整机功耗：≤ 7W∙交流电压回路：≤ 0.03VA/相∙交流电流回路：≤ 0.7VA/相3. 4 交流回路过载能力∙交流电压：连续工作1.2Un∙交流电流：连续工作1.2In，持续1s可达20In。
3. 5 装置的精度∙电流、电压：＜±0.5％∙有功功率、无功功率：＜±0.5％∙频率：＜±0.02Hz本装置的精度均是在以下条件下加以检测的：♦电压范围：0-100V/相♦电流范围：0-5A/相♦功率因数：1-0.5L、1-0.5C♦频率变化：45Hz-55Hz♦电源电压变化时：180V-260V♦三相不平衡时：不同相施以不同的负荷电流♦计及谐波影响时：叠加3-13次谐波，大小为基波的20%♦考虑高频干扰的影响：串模1250V，共模2500V♦快速瞬变脉冲群：4级♦静电放电干扰：直接放电8000V♦超量限的影响：120%的电压、电流额定值条件下运行♦工频磁场的影响：水平及垂直方向400A/M♦高低温的影响：-40C︒-+85C︒♦测量线路间的影响：不同相间的电压或电流之间♦电源加高频干扰的影响：串模1250V，共模2500V♦电源加快速瞬变的影响：共模4000V♦自热的影响：100%、20%额定值、30分钟3. 6 装置检测故障电流的精度♦故障电流精度：3级♦电流检测范围：5A-100A3. 7 事件顺序纪录♦ SOE分辨率: ≤5ms♦两次事件处理能力: ≤25ms3. 8 绝缘性能3. 8.1 绝缘电阻各带电的导电电路分别对地用开路电压为2000V的测试仪器测定，其绝缘电阻不小于500MΩ。
3.8.2耐压3. 9冲击电压各输入、输出带电端子分别对地、交流回路与直流回路之间、交流直流回路与交流电压回路之间，能承受5KV、1.2/50sμ的雷电波的冲击。
3. 10抗电磁干扰性能3. 10. 1脉冲干扰试验能承受频率为1MHz及100KHz衰减振荡波(第一半波电压幅值共模2.5KV, 差模1KV)的脉冲干扰试验。
3. 10. 2快速瞬变干扰试验能承受IEC 61000-4-4：1995标准规定的4级快速瞬变脉冲群抗扰度试验。
3. 11 环境条件♦保存温度：-40C︒- +85C︒♦工作温度：-40C︒- +85C︒♦相对湿度：最大不超过100%♦大气压力：70KPa – 106KPa3. 12 机械性能a)工作条件：能承受严酷等级为1级的振动响应、冲击响应检验。
b)运输条件：能承受严酷等级为1级的振动耐久、冲击耐久及碰撞检验。
3. 13 通信规约a)IEC870-5-101(选配)b)CSC2000 （四方华能公司内部规约）c)DNP3.0(选配)3. 14 其它装置整体重量： 37.5kg装置整体尺寸： 600x380x210 （mm）装置配套电缆： 15-20米 (订货时说明)本部分的引用标准本说明书中所示产品均符合以下标准及规范：DL/T 配电自动化系统远动终端技术条件（1999年11月送审稿）GB/T 13729-1992 远动终端通用技术条件GB/T 15153.2 远动设备及系统工作条件环境条(气候机械和其他非电影响因素) (idt IEC 870-2-2：1996)GB/T 15153.1-1998 远动设备及系统第2部分：工作条件第1篇：电源和电磁兼容性 (idt IEC 870-2-1：1995)GB/T 4208-1993 外壳防护等级DL/T 630-1997 交流采样远动终端技术条件DL/T 634-1997 远动设备及系统第5部分传输规约第101篇基本远动任务的配套标准(neq IEC 870-5-101：1995)GB/T 17626.4—1998 电磁兼容：试验和测量技术、快速瞬变脉冲群抗扰度试验(idt IEC 61000-4-4：1995)IEC 61334-5-1：1999 Distribution Automation using distribution line carrier systems Communication Protocols.注意:考虑到所有标准都会被修订，因此在使用本说明书的各方应讨论使用本说明书中所参考使用的标准及条件最新版本的可能性。
第四章硬件说明CSF101型配电自动化远动终端是由配电自动化监控单元（FTU）、智能型电源模块、蓄电池组、主体机箱、就地控制面板、交流继电器以及附属接线端子所组成的。
其中配电自动化监控单元（FTU）是由SDC插件（可选）、SDM插件、跳闸插件、交流插件四部分所组成。
4.1结构CSF101型配电自动化远动终端核心单元采用19/2英寸机箱，前面板，嵌入式安装，后接线，外形尺寸及插件顺序参见图一。
图一 CSF101核心单元外形尺寸及各插件位置4.1.1SDC插件SDC在硬件具有如下特点：∙采用以DSP技术为核心的九十年代最新的电力线载波技术。
∙设有主通信口，用于与馈线自动化监视器通信。
∙备用通信口，可用于连接其他需要借用馈线自动化载波通道传送数据的装置，如智能电度表、配变监视器等。