模拟电路部分习题答案
模电习题库答案
模电习题库答案⼀、填空题1、P型半导体多数载流⼦为空⽳，⽽N型半导体的多数载流⼦为电⼦。
2、为了使三极管具有放⼤作⽤，要求外加电压保证发射结正偏，集电结反偏。
3、甲类功放电路管⼦的导通⾓为2π，⼄类功放电路管⼦的导通⾓为π。
4、同相⽐例运算电路可实现Au>1的放⼤器；反相⽐例运算电路可实现Au<0的放⼤器。
5、差分放⼤电路能够放⼤差模信号，⽽抑制共模信号。
6、在具有反馈的放⼤电路中，如果令输出电压0u，反馈信号消失，说明它o的反馈类型属于电压反馈，否则就是电流反馈。
KH信号通过，应该选7、在某个信号处理系统中，要求让输⼊信号中的10～15ZKH的⼲扰信号，不使其通过可采⽤带通滤波器，如果要抑制20～30Z⽤带阻滤波器。
8、振荡电路的⾃激振荡条件中，幅值平衡条件为AF=1，相位平衡条件为：ψa+ψf=2nπ。
9、当静态⼯作点Q的位置偏低，⽽输⼊电压u的幅值⼜相对较⼤，则很容易引i起截⽌失真，当静态⼯作点Q的位置偏⾼，⽽输⼊电压u的幅值⼜i相对较⼤，则很容易引起饱和失真。
10、正弦波振荡电路由放⼤器、正反馈⽹络和选频⽹络和稳幅环节四部分构成。
11、PN结外加正向偏置电压时，在外电场的作⽤下，空间电荷区的宽度要变窄，于是多⼦的扩散运动将增强。
12、当三极管⼯作在放⼤区（线性区）时，集电极电流的变化基本与Uce⽆关，⽽主要受 Ib 的控制。
13、半导体中的载流⼦为电⼦和空⽳。
14、三极管根据结构不同可分成PNP型和NPN 型。
15、共模抑制⽐K等于差模放⼤倍数与共模放⼤倍数之⽐的绝对值，CMRK值越⼤，表明电路抑制共模信号的能⼒越强。
CMR16、在对放⼤电路的输⼊、输出电阻的影响中，串联负反馈的影响是使输⼊电阻的阻值增⼤，⽽电压负反馈的影响是使得输出电阻的阻值减⼩。
17、在某个信号处理系统中，为了获得输⼊电压中的低频信号，应该选⽤低通滤波器，为了避免50HZ电⽹电压的⼲扰进⼊放⼤器，应该选⽤带阻滤波器。
电路基础模拟习题与参考答案
电路基础模拟习题与参考答案一、单选题（共60题，每题1分，共60分）1、大功率、高压缩比、高转速的发动机应选用的火花塞是()。
A、温型B、中型C、热型D、冷型正确答案：D2、导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为()。
A、导体B、绝缘体C、半导体D、以上皆正确正确答案：C3、下列说法中,正确的是()。
A、一段通电导线在磁场某处受到的力大,该处的磁感应强度就大B、在磁感应强度为B的匀强磁场中,放入一面积为S的线框,通过线框的磁通一定为Φ=BSC、磁力线密处的磁感应强度大D、通电导线在磁场中受力为零,磁感应强度一定为零正确答案：A4、两只额定电压相同的电阻串联接在电路中,其阻值较大的电阻发热()。
A、较小B、较大C、相同正确答案：B5、电流的单位是()(填空题)A、AB、VC、ΩD、以上皆正确；正确答案：A6、电场力在单位时间内所做的功称为()。
A、耗电量C、功耗D、电功率正确答案：D7、人体可长时间承受多少毫安以下工作电流()。
A、30B、20C、50D、以上皆正确正确答案：A8、指出下面正确的句子是()。
A、变压器可以改变交流电的电压B、变压器可以改变直流电的电压C、变压器可以改变交流电压,也可以改变直流电压D、以上皆正确正确答案：B9、如果两个正弦交流电的相位差为π那么两者称为()。
A、反相B、正交C、同相D、以上皆正确正确答案：A10、理想电容上的电流与电压的关系()。
A、电流滞后电压450B、电流超前电压450C、电流超前电压900D、电流滞后电压900正确答案：C11、频率是反映交流电变化的()。
A、大小B、快慢C、位置正确答案：B12、并联电路中,电流的分配与电阻成()。
B、反比C、2:1D、正比正确答案：B13、随时间变化的电流电压和功率的瞬时值分别用()。
A、i、u、pB、I、u、pC、I、U、PD、以上皆正确正确答案：A14、在纯电容电路中电流超前电压()。
A、1π/5B、3π/2C、π/2D、以上皆正确正确答案：A15、一个电热器从220V的电源取用的功率为1000W,如将它接到110V的电源上,则取用的功率为()W。
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模拟电路部分习题答案第二章晶体二极管及应用电路2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会增大。
（3）PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。
（4）晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。
在放大电路中，晶体管通常工作在放大区区。
（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该反偏。
（正偏、反偏）2-2．判断下列说法正确与否。
（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
（）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
（）（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。
（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。
（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。
（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
（8）错。
绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。
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第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
模拟电路答案解析(作者-郭东亮,黄元福,李宁)
1第一章习题及解答1.1选择题（1）在本征半导体中，空穴浓度____电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度____电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度____电子浓度。
A ．大于B ．小于C ．等于（2）杂质半导体中的少数载流子浓度_____本征载流子浓度。
A ．大于B ．小于C ．等于（3）随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____，而多数载流子的浓度____。
A ．明显增大B ．明显减小C ．变化较小（4）空穴 ，N 型半导体 。
A ．带正电B ．带负电C ．呈电中性（5）在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。
A ．温度B ．掺杂工艺C ．质量答：（1）C ，B ，A （2）B （3）A ，C （4）A ，C （5）B ，A1.2 一锯齿波电流如图P1.2所示，，写出其Fourier 级数，利用PSpice 的频谱（FFT ）分析， 验证你的结果。
t图P1.2解：任一周期为T 的周期函数可展开为Fourier 级数：)sin cos (2)(10t n b t n a a t f n n n ωω++=∑+∞=其中⎰-=220)(2TT dt t f T a⎰-=22cos )(2TT n tdt n t f T a ω⎰-=22sin )(2T T n tdt n t f T b ω ， T πω2=本题的周期性锯齿波电流的周期ωπ2=T ，在一个周期内的解析表达式为：⎪⎩⎪⎨⎧+=,5,510)(t t t i πωπω ωπωπ≤≤≤≤-t t 00 所以，105)510(000=++=⎰⎰-ωπωππωπωπωπωtdt dt t a0cos 5cos )510(00=++=⎰⎰-ωπωπωπωπωωπωπωtdt n t tdt n t a n ， 3,2,1=nπωπωπωωπωπωωπωπn tdt n t tdt n t b n 10sin 5sin )510(00-=++=⎰⎰- ， 3,2,1=n 于是)]sin 12sin 21(sin 105[)( +++-=t n nt t t i ωωωπ(A)1.3 填空题（1）放大电路的放大能力大小常用电压放大倍数为多少倍或电压增益为多少分贝（dB ）表示。
新版模拟电子技术 部分参考答案(二)
习 题 55.1 阻容耦合放大电路如图5.1所示，已知1250ββ==，BEQ 0.7V U =，指出每级各是什么组态的电路，并计算电路的输入电阻i R 。
u S图5.1 习题5.1电路图解： 第一级为共集放大电路，第二级为共射放大电路 (1) )μA (1.51551257.015BQ1=⨯+-=I )m (56.2BQ1CQ1A I I =⋅=β)V (2.2556.215e1CQ1CC CEQ1=⨯-=⋅-=R I V U)(81856.22651300be1Ω=⨯+=r (2) )V (5.215501010BQ2=⨯+=V )mA (64.111.07.05.2EQ CQ2=+-=≈I I)V (5)11.05(64.115CEQ2=++⨯-=U)k (1.164.12651300be2Ω=⨯+=r (3) )k (56.3])1(//['//'e222be b2b12i Ω=++=R r R R R β )k (26.20]//)1(//[2i e111be b1i Ω=++=R R r R R β5.2 电路如图5.2所示，设两管的β=100，U BEQ =0.7V ，求：（1）I CQ1、U CEQ1、I CQ2、U CEQ2；（2）A u1、A u2、A u 、R i 和R o 。
u s-+u o图5.2 习题5.2电路图 图5.3 习题5.3电路图解： (1) CQ1EQ1CQ2010.2mA I I I I ====CQ1BB BEQ EQ160.7 5.3V,0.7V U V U U =-=-==-CEQ1CQ1EQ1 5.3(0.7)6V U U U =-=--=CEQ2CQ2EQ2CC CQ2C2EQ21510.20.47 5.3 4.91(V)U U U V I R U =-=-⋅-=-⨯-=(2) be2i25505.511100r R β===Ω++,i2u1be1100 5.51550R A r β⨯=-=-=- C2u2be210047085.4550R A r β⨯===，u u1u2(1)85.485.4A A A =⨯=-⨯=-i be1550R r ≈=Ω,o o2c2470R R R ≈==Ω5.3 电路如图5.3所示，设VT 1与VT 2的小信号参数分别为β1、r be1和β2、r be2。
模拟电路课后习题答案
模拟电路课后习题答案 Final approval draft on November 22, 2020第七章 习题与思考题◆◆ 习题 7-1 在图P7-1所示的放大电路中，已知R 1=R 2=R 5=R 7=R 8=10k Ω，R 6=R 9=R 10=20k Ω：① 试问R 3和R 4分别应选用多大的电阻； ② 列出u o1、u o2和u o 的表达式；③ 设u I1=3V ，u I2=1V ，则输出电压u o ＝解：① Ω=Ω==k k R R R 5)10//10(//213，Ω≈Ω==k k R R R 67.6)20//10(//654 ② 1111211010I I I o u u u R R u -=-=-=，2226525.1)20101()1(I I I o u u u R R u =+=+=， ③ V V u u u I I o 9)1332(3221=⨯+⨯=+=本题的意图是掌握反相输入、同相输入、差分输入比例运算电路的工作原理，估算三种比例电路的输入输出关系。
◆◆ 习题 7-2 在图P7-2所示电路中，写出其输出电压u O 的表达式。
解：本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例 电路的输入、输出关系。
◆◆ 习题 7-3 试证明图P7-3中，)(11221I I o u u R R u -=）＋（解：◆◆ 解：◆◆ 解：◆◆ 习题 7-6 试设计一个比例运算放大器，实现以下运算关系：u O =。
请要求画出电路原理图，并估算各电阻的阻值。
希望所用电阻的阻抗在20k Ω至200k Ω的范围内。
解：上图为实现本题目要求的一种设计方案，使5.0)1()5.0(21=-⨯-=⋅=uf uf uf A A A ，即I O u u 5.0=。
本题的意图是在深入掌握各种比例运算电路性能的基础上，采用适当电路实现给定的运算关系。
以上只是设计方案之一。
◆◆ 习题 7-71为阻值在1k Ω~10k Ω之间可调的电位器，R 2=R 3=20k Ω，R 4=R 5=33k Ω，R 6=R 7=100k Ω，试估算电路的输出电压与输入电压之间的比例系数的可调范围。
电路基础模拟练习题含参考答案
电路基础模拟练习题含参考答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、由欧姆定律R=U/I可知,以下正确的是( )。
A、导体的电阻与电压成正比,与电流成反比B、家在导体两端的电压和流过的电流的比值为常数C、通过电阻的电流越小则电阻越大D、加在导体两端的电压越大，则电阻越大正确答案：A2、电流的单位是( )(填空题)A、AB、VC、ΩD、以上皆正确；正确答案：A3、人体电阻是3000-4000Ω ,流过人体的电流是5mA,问人体电压不能大于()。
A、15VB、18VC、20VD、25V正确答案：C4、节点电位法是以( )为求解对象。
A、节点电位B、支路电阻C、支路电流正确答案：A5、晶体三极管工作在放大状态的条件是( )。
A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结反偏D、以上皆正确正确答案：A6、如果两个正弦交流电的相位差为π那么两者称为( )。
A、反相B、正交C、同相D、以上皆正确E、314tF、100G、sinH、以上皆正确正确答案：A7、电路中主要物理量是( )。
A、电流，电压，电功率B、电压，电功率C、电流，电功率D、以上皆正确正确答案：A8、相位是反映交流电A、快慢B、大小C、位置正确答案：C9、电容器在直流稳态电路中相当于( )。
A、低通滤波器B、高通滤波器C、开路D、短路正确答案：C10、正弦交流电的幅值就是( )。
A、正弦交流电最大值的2倍B、正弦交流电最大值C、正弦交流电最大值的倍D、正弦交流电波形正负之和正确答案：B11、汽车上常用的发电机是( )。
A、单相交流发电机B、三相同步硅整流交流发电机C、直流发电机D、以上皆正确正确答案：B12、在正弦交流电中最大值是有效值的( )倍。
A、√2B、2C、√3D、以上皆正确正确答案：A13、不同标称电压的继电器是否可换用( )。
A、不一定B、可短时C、不可以D、可以正确答案：D14、已知正弦电压在t =0时为220V,其\bM-(?}?j??e?\bI它的有效值为( )。
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第二章晶体二极管及应用电路
2-1．填空
（1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会增大。
（3）PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。
（4）晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。在放大电路中，晶体管通常工作在放大区区。
2-7、2-8、2-9略
2-10．电路及二极管伏安特性如图所示，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路，ui为正弦波，有效值为10mV，问
（1）二极管在输入电压为零时的电流和电压各为多少？
（2）二极管中流过的交流电流有效值为多少？
解：在分析这类电路时，应首先分析静态电流和电压，即静态工作点Q，然后求出在Q点下的动态电阻，再分析动态信号的作用。
其中静态工作电流IB、IC的实际方向如图中箭头所示，静态电压UBE<-0.7V、UCE<-0.3V。
用NPN型三极管组成的单管共射放大电路的原理图如题3-4图(b)所示。
其中静态工作电流IB、IC的实际方向如图中箭头所示，静态电压UBE>0.7V、UCE>0.3V。
3-2电路如图3-5所示。说明这些电路能否对交流电压信号进行线性放大，为什么？
2-6．如题2-12图所示，电路中两只稳压管完全相同，UZ=8V， ，试画出输出uo的波形。
解：如图所示。三角波正半周时，当电压幅值小于稳压管的稳压值时，下面一只稳压管截止，当等于大于稳压值时，稳压管反向击穿，输出电压为稳压管稳压值；三角波负半周时，上面一只稳压管截止，当等于大于稳压值时，稳压管反向击穿，输出电压为稳压管稳压值。
（1）利用图解法可以方便地求出二极管的Q点。在动态信号为零时，二极管导通，电阻R中电流与二极管电流相等。因此，二极管的端电压可写为
，在二极管的伏安特性坐标系中作直线，与伏安特性曲线的交点就是Q点，如图所示。读出Q点的坐标值，即为二极管的直流电流和电压，约为
（2）根据二极管动态电阻的定义，Q点小信号情况下的动态电阻为
答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。
（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。
（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点。
（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
（8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？
（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（）
（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（）
（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）
（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）
（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，则其输入电阻会明显减小。（）
（d）根据前面分析方法，可知D1、D3截止，D2、D4导通。
2-5．电路如题2-11图所示，稳压管的稳定电压UZ=8V，设输入信号为峰值15V三角波，试画出输出uo的波形。
解：如图所示。三角波正半周时，当电压幅值小于稳压管的稳压值时，稳压管截止，当等于大于稳压值时，稳压管反向击穿，输出电压为稳压管稳压值；三角波负半周时，稳压管正向导通，假设正向电阻为0，则输出电压为零。
（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该反偏。（正偏、反偏）
2-2．判断下列说法正确与否。
（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（）
（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）
（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点。（）
答：可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻，正向时电阻很小，反向时电阻很大。
2-4．二极管电路如题2-4图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止？输出电压为多少？
本题可以通过二极管端电压的极性判断其工作状态。一般方法是断开二极管，并以它的两个极作为端口，利用戴维南定理求解端口电压，若该电压是二极管正偏，则导通，若反偏则截止。
（a）图将二极管断开，从二极管的两个极为端口向外看，如题2-1解（a）图所示，则A-B间电压为12-6=6V，二极管处于正偏，导通。
（b）图将二极管断开，从二极管的两个极为端口向外看，如题2-1解（b）图所示，则A-B间电压为3-2=1V，二极管处于正偏，导通。
（如题2-1解（c）图所示首先断开上面二极管D1，则下面二极管D2截止，所以D1两端电压为正偏导通；然后再断开下面二极管D2，如题2-1解（d）图则D1两端电压为正偏导通，则D2两端电压为负截止，综上所述，D1导通、D2截止。
根据已知条件，二极管上的交流电压有效值为10mV，故流过的交流电流有效值为
第三章晶体三极管及其应用电路
3-1试画出用PNP、NPN型三极管组成的单管共射放大电路的原理图，标出电源电压的极性，静态工作电流IB、IC的实际方向及静态电压UBE、UCE的实际极性。
解：用PNP型三极管组成的单管共射放大电路的原理图如题3-4图(a)所示。
分析：解决此问题需要进行以下几个方面的判断。
1．判别三极管是否满足发射结正偏、集电结反偏的条件，具备合适的静态工作点。
2．判断有无完善的直流通路。
3．判断有无完善的交流通路。
4．在前三个条件满足的条件下，最后根据电路给出的参数进行计算，根据计算结果判断三极管是否工作在放大区。但是如果电路没有给出电路参数，该步骤可以省略。默认电路参数取值合适。