模拟电路复习题原
模拟电路期末复习试卷及答案(十套)
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。
A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电路考试题及答案
模拟电路考试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在理想运算放大器中，输入电阻是：A. 有限的B. 无穷大C. 0欧姆D. 1欧姆答案：B2. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可重复性C. 时变性D. 可量化性答案：D3. 一个电路的频率响应是其在不同频率下的：A. 电压增益B. 功率消耗C. 电流大小D. 电阻值答案：A4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减少噪声C. 降低稳定性D. 增加失真答案：B5. 一个理想的二极管具有以下哪个特性？A. 正向电阻无穷大B. 反向电阻无穷小C. 正向电阻无穷小D. 反向电阻无穷大答案：D6. 一个RC低通滤波器的截止频率由以下哪个参数决定？A. 电阻值B. 电容值C. 电阻值和电容值的乘积D. 电阻值和电容值的比值答案：D7. 一个理想的电压源具有以下哪个特性？A. 内阻为零B. 内阻无穷大C. 电压恒定D. 电流恒定答案：C8. 一个电路的增益是指：A. 输出电压与输入电压的比值B. 输出电流与输入电流的比值C. 输出功率与输入功率的比值D. 所有以上答案：A9. 一个电路的相位裕度越大，其稳定性：A. 越差B. 越好C. 不变D. 无法判断答案：B10. 一个电路的带宽是指：A. 最大频率B. 最小频率C. 频率范围D. 频率的一半答案：C二、简答题（每题10分，共30分）1. 解释什么是超前相位和滞后相位，并给出它们在电路分析中的意义。
答案：超前相位是指信号的相位角为正值，表示信号的波形在时间上提前于参考信号。
滞后相位是指信号的相位角为负值，表示信号的波形在时间上落后于参考信号。
在电路分析中，超前和滞后相位可以用来描述信号在传输过程中的时延特性，对于理解信号的传输和处理非常重要。
2. 什么是共模抑制比（CMRR），它在放大器设计中的重要性是什么？答案：共模抑制比（CMRR）是差分放大器抑制共模信号的能力，即差模增益与共模增益的比值。
模拟电路课程复习考试试题及答案B
《模拟电路》复习纲要B一、单项选择题1．在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（）。
A、输入电阻小，输出电阻大B、输入电阻小，输出电阻小C、输入电阻大，输出电阻小D、输入电阻大，输出电阻大2．如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。
A、阻挡层（耗尽层）不变，反向电流基本不变B、阻挡层（耗尽层）变厚，反向电流基本不变C、阻挡层（耗尽层）变窄，反向电流增大D、阻挡层（耗尽层）变厚，反向电流减小3．理想运放的两个重要结论是（）。
A、虚地与反相B、虚短与虚地C、虚短与虚断D、断路与短路4．直接耦合多级放大电路（）。
A、只能放大直流信号B、只能放大交流信号C、既能放大直流信号也能放大交流信号D、既不能放大直流信号也不能放大交流信号5．N沟道结型场效应管中的载流子是（）。
A、自由电子B、空穴C、电子和空穴D、带电离子6．对滞回比较器的叙述正确的是（）。
A、滞回比较器有一个阈值电压B、滞回比较器具有滞回特性，且有一个阈值电压C、滞回比较器有两个阈值电压，输入电压向单一方向变化时，输出电压跃变两次D、滞回比较器有两个阈值电压，输入电压向单一方向变化时，输出电压跃变一次7．在基本共射极放大电路中，若适当增加R C,则电压放大倍数和输出电阻将分别变化为（）。
A、放大倍数变大，输出电阻变大B、放大倍数变大，输出电阻不变C、放大倍数变小，输出电阻变大D、放大倍数变小，输出电阻变小8．以下对场效应管放大电路的叙述正确的是（）。
A、场效应管是电流型控制器件，组成放大电路时其输入电阻大B、场效应管是电压型控制器件，组成放大电路时，其输入电阻小C、场效应管放大电路的放大倍数比晶体管组成的放大电路小D、场效应管组成放大电路时电压放大系数大9．通用型集成运放输入极通常采用（）电路。
A、差分放大B、互补推挽C、基本共射极放大D、电流源10．功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是（）。
A、都使输出电压大于输入电压B、都使输出电流大于输入电流C、都使输出功率大于信号源提供的输入功率D、以上三点都正确二、填空题1．共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率______共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于______电路。
模电复习题答案
模电复习题答案一、选择题1. 在模拟电路中，运算放大器的基本工作模式包括：A. 非线性区B. 线性区C. 饱和区D. 所有以上答案：B. 线性区2. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限的B. 无穷大C. 零D. 1欧姆答案：B. 无穷大3. 一个理想的运算放大器的输出阻抗是：A. 无穷大B. 零C. 有限的D. 1欧姆答案：B. 零4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减少增益C. 提高稳定性D. 降低噪声答案：B、C、D5. 差分放大器的主要优点是：A. 提高增益B. 抑制共模信号C. 减少噪声D. 降低功耗答案：B. 抑制共模信号二、填空题1. 运算放大器的________特性使其在模拟电路设计中得到广泛应用。
答案：高输入阻抗，低输出阻抗2. 在设计放大器时，通常使用________来提高电路的稳定性和增益。
答案：负反馈3. 差分放大器能够有效地放大两个输入端之间的________，而抑制两个输入端共同的信号。
答案：差模信号4. 理想运算放大器的开环增益是一个非常大的数值，通常表示为________。
答案：无穷大5. 在模拟电路中，________是用来描述电路对信号进行线性或非线性处理的能力。
答案：放大能力三、简答题1. 简述运算放大器的基本组成及其工作原理。
答案：运算放大器通常由输入级、中间级和输出级组成。
输入级通常为差分放大器，用于接收两个输入信号并放大它们之间的差异。
中间级通常由多级放大器构成，用于提供增益。
输出级则将信号转换为适合负载的电压或电流。
运算放大器的工作原理基于负反馈原理，通过调整反馈网络，可以实现不同的放大功能。
2. 解释什么是负反馈，并说明它在放大器设计中的作用。
答案：负反馈是指将放大器的输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端的过程。
在放大器设计中，负反馈可以减少增益，但同时可以提高电路的稳定性和线性度，降低非线性失真和噪声，改善频率响应。
四、计算题1. 假设有一个非理想的运算放大器，其开环增益为1000，输入阻抗为2MΩ，输出阻抗为100Ω。
模拟电路考试题及答案解析
模拟电路考试题及答案解析一、选择题（每题2分，共20分）1. 在理想运算放大器中，输入电阻是：A. 有限的B. 无穷大C. 零D. 1Ω答案：B解析：理想运算放大器的输入电阻是无穷大，意味着它不会从信号源吸取电流。
2. 一个基本的共射放大电路中，如果基极电流增加，集电极电流将：A. 增加B. 减少C. 不变D. 先增加后减少答案：A解析：在共射放大电路中，集电极电流与基极电流成正比，这是通过晶体管的电流放大作用实现的。
3. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可测量答案：B解析：模拟信号是连续的，可以模拟现实世界中的变化，并且可以测量，但不是可量化的，因为它们不是离散的数字值。
4. 一个理想的二极管在正向偏置时：A. 导通B. 截止C. 振荡D. 短路答案：A解析：理想二极管在正向偏置时导通，允许电流通过。
5. 一个RC低通滤波器的截止频率是：A. \( f_c = \frac{1}{2\pi RC} \)B. \( f_c = \frac{1}{RC} \)C. \( f_c = \frac{2\pi}{RC} \)D. \( f_c = \frac{RC}{2\pi} \)答案：A解析：RC低通滤波器的截止频率是信号频率下降到最大值的\( \frac{1}{\sqrt{2}} \)时的频率，公式为\( f_c =\frac{1}{2\pi RC} \)。
...（此处省略其他选择题）二、简答题（每题10分，共20分）1. 解释什么是负反馈，并说明其在放大电路中的作用。
答案：负反馈是指将放大电路的输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端。
负反馈可以提高放大电路的稳定性，减少非线性失真，增加带宽，并提高输入和输出阻抗。
2. 描述运算放大器的基本组成及其工作原理。
答案：运算放大器由两个输入端（一个反相输入端和一个非反相输入端）、一个输出端以及内部的差分放大器、电压放大器和输出级组成。
模拟电路笔试题及答案
模拟电路笔试题及答案一、选择题1. 在模拟电路中，基本的放大器类型是：A. 差分放大器B. 运算放大器C. 电流放大器D. 电压放大器答案：A2. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限的B. 无穷大C. 零D. 负无穷大答案：B3. 一个理想的二端口网络，其输出端口短路时，输入端口的输入阻抗称为：A. 短路阻抗B. 开路阻抗C. 负载阻抗D. 源阻抗答案：A二、简答题1. 简述什么是负反馈，并说明其在放大器中的作用。
答案：负反馈是指将放大器的输出信号的一部分或全部以相反的相位反馈到输入端。
在放大器中，负反馈可以提高放大器的稳定性，减小非线性失真，增加带宽，改善放大器的性能。
2. 解释什么是共模抑制比（CMRR）以及它在差分放大器中的重要性。
答案：共模抑制比（CMRR）是指差分放大器对共模信号的抑制能力，即差分放大器对共模信号的增益与差模信号增益的比值。
CMRR是衡量差分放大器性能的一个重要参数，高CMRR意味着差分放大器能更好地抑制共模干扰，从而提高信号的信噪比。
三、计算题1. 给定一个理想运算放大器电路，输入电压为\( V_{in} \)，反馈电阻\( R_f = 10k\Omega \)，输入电阻\( R_i = 1k\Omega \)，求输出电压\( V_{out} \)。
答案：由于理想运算放大器的输入阻抗为无穷大，所以输入电压\( V_{in} \)将完全施加在输入电阻\( R_i \)上。
根据电压跟随器的原理，输出电压\( V_{out} \)等于输入电压\( V_{in} \)。
2. 一个差分放大器，其差模增益为\( A_d = 10 \)，共模增益为\( A_c = 0.1 \)，求共模抑制比（CMRR）。
答案：共模抑制比（CMRR）可以通过差模增益与共模增益的比值来计算，即\( CMRR = A_d / A_c \)。
将给定的值代入公式，得到\( CMRR = 10 / 0.1 = 100 \)。
模拟电路课程复习考试试题及答案A
《模拟电路》复习纲要A一、单项选择题1．温度升高后，在纯净的半导体中（）。
A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B、空穴增多，自由电子数目不变C、自由电子增多，空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变2．场效应管的主要优点是（）。
A、输出电阻小B、输入电阻大C、是电流控制D、组成放大电路时电压放大倍数大3．在负反馈放大电路中，当要求放大电路的输入阻抗大，输出阻抗小时，应选用的反馈类型为（）。
A、串联电压负反馈B、串联电流负反馈C、并联电压负反馈D、并联电流负反馈4．二极管的正向电流在202mA的基础上增加一倍，它两端的压降（）。
A、也增加一倍B、增加一倍以上C、略有增加D、不变5．在一个由NPN型晶体管构成的放大电路中，关于晶体管三个电极的电位，下列说法正确的是（）。
A、集电极电位一定最高B、集电极电位一定最低C、发射极电位一定最高D、基极电位一定最低6．差分放大电路由双端输入变为单端输入，差模电压放大倍数（）。
A、增加一倍B、减小一半C、不变D、按指数规律变化7．电流负反馈在电路中的主要作用是（）。
A、提高输入电阻B、降低输出电阻C、增大电路增益D、稳定静态工作点8．为了稳定放大电路的输出电压，那么对于高内阻的信号源来说，放大电路应引入（）负反馈。
A、电流串联B、电流并联C、电压串联D、电压并联9．欲将正弦波电压移相＋90度，应选用（）。
A、反相比例运算电路B、同相比例运算电路C、积分运算电路D、微分运算电路10．放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。
A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适二、填空题1. 差分放大器的基本特点是放大______、抑制______。
2. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结______、集电结______。
3. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值______。
模拟电子技术复习题
模拟电子技术复习题1、什么是N型半导体？P型半导体？2、在图示电路中，已知变压器副边电压有效值U2，变压器内阻和二极管导通电压均可忽略不计，R << R L（R为电感线圈电阻），u D波形如图所示，试述下图的工作原理已经U2,UD,UO间的关系。
3功率放大电路的分类？给出OCL,OTL的电路图及工作原理。
乙类功放有什么缺点，如何改进，给出改进后电路图及原理。
5、图中VT为小功率硅晶体管，当R b不同，VT可能处于放大、饱和、截止状态，把不同状态下基射极电压U BE、集射极电压U CE的大致数值范围填入表内。
晶6、差分放大电路如图所示。
各晶体管参数相同，当环境温度（T）变化，如温度升高（用T表示），在分析该电路抑制温漂，稳定工作电流原理后，用箭头（增大用表示，减小用 表示）填画下列各电量后的括号：T（）→I＝I C2（）→U B4＝U B5（）→U B3（）→I E3（）→I C1＝I C2 C1（）。
7、图（a）所示为某电路的方框图，已知u I、u O1～u O3的波形如图（b）所示。
将各电路的名称分别填入空内：1．电路1为；2．电路2为；3．电路3为。
8、图（a）所示电路中，A为理想运算放大器，其输出电压的最大幅度为V；输入信号、的波形如图（b）所示。
试画出的波形。
9、已知图示电路中晶体管的＝120，，U＝0.7V，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。
1．若要求静态电流＝1.5mA，估算的值；2．求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。
10、某放大电路的低频段交流等效电路如图所示，求放大电路的下限截止频率f L。
11、某放大电路电的折线近似波特图如图所示，试问该放大电路是同相放大电路还是反向放大电路，它的上限截止频率、下限截止频率和通频带宽度各为多少？12、反馈放大电路如图所示，设电容器对交流信号均可视为短路。
1．指出级间交流反馈支路、极性和组态及其对输入电阻、输出电阻的影响；2．写出深度负反馈条件下、、的表达式。
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一、单选题(每题1分，共30分)1. 半导体的导电阻率为。
A ρ<10-6Ω·mB ρ>108Ω·mC ρ介于10-6～108Ω·mD ρ >1010Ω·m2. 本征激发是指现象。
A 价电子从外界获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的∨B 价电子依靠本身的运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的C 价电子依靠互相的碰撞增加运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的3. 空穴的导电机理是。
A 电子的接力运动B 空穴在电场作用下的定向运动C 空穴的接力运动D 杂质粒子在电场作用下的定向运动4. P(N)型半导体是在本征半导体硅(或锗)中掺入少量的而获得的杂质半导体。
A 二价元素B 三价元素C 四价元素D 五价元素5. 模拟信号是指的信号。
A 时间连续B 数值连续，C 时间和数值都连续D 时间和数值都不连续6. 放大电路放大倍数是指。
A 输出信号与输入信号的比值B 输入信号与输出信号的比值C 输出电压与输入电流的比值D 输出电流与输入电压的比值7. 某放大电路的电压增益为60dB，则该电路的电压放大倍数为倍。
A 10B 102C 103D 1048. 放大电路中的非线性失真是有引起的。
A 电抗元件B 放大元器件的非线性C 非电抗元件D 输入信号的失真9. PN结雪崩击穿主要主要发生在情况下。
A PN结反偏较低B PN结正偏电压较高C PN结反偏较高D PN结正偏电压较低10. PN结齐纳击穿主要主要发生在情况下。
A PN结反偏较低B PN结正偏电压较高C PN结反偏较高D PN结正偏电压较低11. 锗(硅)晶体二极管的正常工作电压约为。
A 0.7VB 0.5VC 0.1VD 0.2V12. 晶体三极管工作在放大(饱和、截止)状态的外部条件为。
A. 发射结正偏，集电结反偏B. 发射结反偏，集电结正偏C. 发射结正偏，集电结正偏D. 发射结反偏，集电结反偏13. PNJ雪崩击穿和齐纳击穿同时出现在反偏电压为。
A 5V以下B 8~1000VC 5~8VD 10~500V14. 硅(锗)晶体二极管的门坎电压(又称为死区电压)为。
A 0.7VB 0.5VC 0.1VD 0.2V15. 对于低频小功率晶体管的基区体电阻rb，通常情况下为。
A. 200ΩB. 100ΩC. 150ΩD. 300Ω16. 当温度升高1oC时，晶体管的参数UBE将增大。
A. －(2~2.5)mVB. (2~2.5)mVC. (1~1.5)mVD. －(1~1.5)mV17. 当温度升高1oC时，晶体管的参数β将增大。
A. 0.5%B. 0.5%~1.0%C. 0.5%~2.0%D. 1.0%~2.0%18. 三极管的电流分配关系为。
A. IE＝IC+I BB. IE＝IC－IBC. IC＝IB－IED. IB＝IC－IE19. 晶体三极管放大作用的实质是。
A. 把微弱的电信号加以放大B. 以弱电流控制强电流C. 以强电流控制弱电流D. 以弱电流控制强电流，把直流电能转换为交流电能。
20. 多级放大电路总的放大倍数等于各级放大倍数。
A. 的乘积B. 的和C. 的差D. 相除的商21. 多级放大电路的频率特性(响应)随着级数的增加而。
A. 变宽B. 变窄C. 变大D. 变小22. fH (fL)称为放大电路的。
A. 截止频率B. 上限频率C. 下限频率D. 特征频率23. fβ(fT)称为共发射极。
A. 截止频率B. 上限频率C. 下限频率D. 特征频率24. BJT(FET)又称为。
A.单极型晶体管B.双极型晶体管C.电子型晶体管D.空穴型晶体管25. 互补对称功率放大电路工作在乙类、负载电阻为理想值，忽略UCES时的效率为。
A. 30%B. 78.5%C. 60%D. 85%26. 互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值，忽略UCES时的效率约为。
A. 30%B. 78.5%C. 60%D. 85%27. 甲乙类互补对称功率放大电路当工作点不合适时，将产生。
A. 交越失真B. 线性失真C. 频率失真D. 相位失真28. 甲乙(甲、乙)类功放电路晶体管的导通角为。
A. θ= 2πB. θ= πC. π<θ<2πD. θ<π29. 乙类双电源互补对称功率放大电路实际上是。
A. 由两个不同类型晶体管构成的共发射极放大电路组成B. 由两个不同类型晶体管构成的共基极放大电路组成C. 由两个不同类型晶体管构成的射极输出器组成D. 由两个相同类型晶体管构成的射极输出器组成30. 大规模集成电路在一个硅片上可集中制作。
A. 十～几十个元件B. 几十个～几百个元件C. 几百个～几千个元件D. 几千个以上元件31. 三点式振荡电路的相位平衡条件为。
A. 基(集同)射反B. 射同基(集)反C. 基同射反D. 集同射反32. 正弦振荡的起振(平衡)条件为 。
A. AF >1B. AF <1C. AF ＝1D. AF < 033. 在电源电压不变的情况下，提高OTL 功率放大电路输出功率的有效方法是 。
A. 加接自举电路B. 改变工作状态C. 降低静态工作点D. 提高静态工作点34. 正弦波电压信号的数学表达式是 。
A u(t)＝C ，B C D35. 如图所示，设二极管是理想二极管，该电路 。
A . UAO ＝－6V ，二极管处于正偏导通状态B. UAO ＝－12V ，二极管处于反偏截止状态C. UAO ＝－6V ，二极管处于反偏截止状态D. UAO ＝－12V ，二极管处于正偏导通状态)sin()()1(2/)12(2/)12()(5sin 513sin 31(sin 22)(000θt ωU t u T n t T n T n t nT U t u t ωt ωt ωπU U t u +=⎩⎨⎧+<≤++<≤=⋅⋅⋅++++=m ss s 时０ 当 时 当 36. 如图所示，设二极管是理想二极管，该电路。
A. UAO＝－15V，二极管处于正偏导通状态。
B. UAO＝－12V，二极管处于反偏截止状态。
C. UAO＝－15V，二极管处于反偏截止状态。
D. UAO＝－12V，二极管处于正偏导通状态。
37. 如图所示，设二极管是理想二极管，该电路。
A. UAO＝－12V，D1正偏导通， D2反偏截止B. UAO＝－15V，D1反偏截止， D2正偏导通C. UAO＝0V，D1正偏导通， D2反偏截止D. UAO＝0V，。
D2正偏导通， D1反偏截止38. 如图所示，设二极管是理想二极管，该电路。
A. UAO＝－12V，D1正偏导通， D2反偏截止B. UAO＝－12V，D1反偏截止， D2正偏导通C. UAO＝—6V ，D1正偏导通， D2反偏截止D. UAO＝—6V， D1反偏截止， D2正偏导通39. 有两个BJT，其中一个管子的β＝150，ICEO＝200μ A,另一个管子的β＝50，ICEO＝10 μA，其它参数一样，你选。
A. β＝150，ICEO＝200μ A的管子B. β＝50，ICEO＝10 μA的管子二、多选题(每空1分，共20分)40. 桥式整流输出电压与电源变压器次级电压的关系为，电容滤波电路输出电压与电源变压器次级电压的关系为。
A. UL＝0.9U2B. UL＝1.0U2C. UL＝1.2U2D. UL＝1.4U241. 给乙类互补对称功率放大电路，可消除。
A. 加一放大电路B. 加一很大的集电极电流C. 加一衰减电路D. 加一合适的静态工作点E. 交越失真F. 线性失真G. 频率失真 H. 相位失真42. 晶体三极管内部载流子的运动规律为_______、_______、_______A. 基区向发射区注入载流子B. 发射区向基区注入载流子C. 集电区收集载流子D. 非平衡载流子在基区的扩散与复合E. 发射区收集载流子F. 载流子在发射区的扩散与复合43. BJT的制造工艺特点为:______、________、________A. e区掺杂浓度最高B. e区掺杂浓度最低C. c区掺杂浓度适中D. b区掺杂浓度最低且最薄E. c区掺杂浓度最高F. b区掺杂浓度最高且最薄44. PNJ的单向导电性表现为:_______、________A PNJ反偏导通B PNJ正偏导通C PNJ反偏截止D PNJ正偏截止45. PN结又称为______、________、______A 空间电荷区B 电阻层，C 耗尽层D 电位区，E 势垒区F 扩散区。
46. PN结的形成过程是:________、_________、________。
A. 少子的漂移运动B. 多子的扩散运动C. 多子与少子的相互作用D. 少子的扩散运动E. 多子的漂移运动，F. 多子的扩散与少子的漂移运动达到动态平衡。
G. 多子的漂移与少子的扩散运动达到动态平衡。
47. 一般情况下，当信号源内阻远远小于放大电路输入电阻(即Rs<<Ri )时，信号源使用 _______更为有利；当信号源内阻远远大于放大电路输入电阻(即Rs>>Ri )时，信号源_______使用更为有利。
A. 电压源B. 分压电路C. 电流源D. 集成运放48. 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电压分别为UA＝－9V，UB＝－6V，UC＝－6.2V，则______，该管________。
A. A为集电极，B为发射极，C基极B. A为发射极，B为集电极，C基极C. A为集电极，B基极；C为发射极D. 为PNP管E. 为NPN管49. 某放大电路中BJT三个电极A、B、C的电流如图所示，用万用表电流档测得IA ＝－2mA，IB＝－0.04mA，IC＝+2.04mA，该管为________，其中_________。
A. 为PNP管B. 为NPN管C. A为集电极，B为发射极，C基极D. A为发射极，B为集电极，C基极E. A为集电极，B基极；C为发射极三、判断题(每题2分，共20分)50.晶体二极管正向工作时也具有稳压作用。
(∨)51.晶体二极管正向工作时没有稳压作用。
(×)52.图a所示电路对正弦交流信号有放大作用。
(×)53.图a所示电路对正弦交流信号无放大作用。
(∨)54.图b所示电路对正弦交流信号有放大作用。
(×)55. 图b所示电路对正弦交流信号无放大作用。
(∨)56.晶体三极管发生电击穿，当把电源关闭后不可以恢复。
(×)57.晶体三极管发生电击穿，当把电源关闭后可以恢复。
(∨)58.微变等效电路即可以分析放大电路的静态,也可以分析动态。
(×)59.微变等效电路仅能分析放大电路的动态，不可以分析静态。