模拟电子基础复习题与答案
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术期末复习题及答案
《电子技术基础2》复习题一、判断题（本大题共10个小题，每小题2分，共20分）1、N型半导体的多数载流子是空穴。
（）2、P型半导体的多数载流子是空穴。
（）3、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量相同。
（）4、运算电路中一般引入负反馈。
（）5、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
（）6、在放大电路中引入正反馈，主要目的是改善放大电路的性能。
（）7、在放大电路中引入负反馈，主要目的是改善放大电路的性能。
（）8、若放大电路的放大倍数为零，则引入的反馈一定是负反馈。
（）9、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
（）10、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。
（）11、阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。
（）12、直接耦合可以放大缓慢变化的信号。
（）13、只有电路既放大电流又放大电压，才算其有放大作用。
（）14、共发射极放大电路输出与输入反相。
（）15、共基极放大电路输出与输入反相。
（）16、共集电极放大电路输出与输入反相。
（）17、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
（）18、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）19、在运算电路中，集成运放的输入端均可采用虚短和虚断。
（）20、运放的共模抑制比K CMR越大越好。
（）21、运放的共模抑制比K CMR越小越好。
（）22、运放的共模放大倍数越小越好。
（）23、运放的差模放大倍数越小越好。
（）24、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（）25、当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。
（）26、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。
（）27、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
（）28、半波整流输出电压平均值是全波整流的一半。
（）29、用于滤波的电容通常串联连接。
模拟电子技术基本概念复习题与答案
《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。
×4、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。
×5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
×6、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。
√7、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。
√8、 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
×9、 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
×10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
√ 11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。
× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
×13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。
√ 14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
× 16、 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
×17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
√ 18、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。
√ 19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
× 20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。
× 22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图1图2一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ②共基放大电路 ③共集放大电路 ④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是 ③ ，输入电阻最小的电路是 ② ，输出电阻最小的电路是 ③ ，频带最宽的电路是 ② ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 ① ；只能放大电流，不能放大电压的电路是 ③ ；只能放大电压，不能放大电流的电路是 ② 。
2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B -E 间电压为U BEQ ，电流放大系数为β，B -E 间动态电阻为r be 。
填空：（1）静态时，I BQ 的表达式为 B BEQCC BQ R U V I -= ，I CQ 的表达式为BQ CQ I I β=； ，U CEQ 的表达式为 C CQ CC CEQ R I V U -=（2）电压放大倍数的表达式为 beL u r R A '-=β ，输入电阻的表达式为 be B i r R R //= ，输出电阻的表达式为 C R R =0；（3）若减小R B ，则I CQ 将 A ，r bc 将 C ，uA 将 C ，R i 将 C ，R o 将B 。
A.增大B.不变C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。
A.饱和B.截止3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数A = 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻u为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。
（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。
（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。
《模拟电子技术基础》复习资料
成考复习资料《模拟电子技术基础》复习资料1一、单选题1. 用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb＝－12.3Ｖ，Ve ＝－12Ｖ，Vc＝－18Ｖ。
则三极管的工作状态为（）。
A. 放大B. 饱和C. 截止2. 某仪表放大电路，要求R i大，输出电流稳定，应选（）。
A. 电流串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压串联负反馈3. 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）。
A. 差B. 好C. 差不多4. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）Uz。
A. 0. 45B. 0. 9C. 1. 25. 某场效应管的转移特性如图2所示，该管为（）。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道结型场效应管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管6. 某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（）。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道耗尽型MOS 管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管7. 在如图2所示电路中，电阻RE的主要作用是（）。
A. 提高放大倍数B. 稳定直流静态工作点C. 稳定交流输出D. 提高输入电阻8. 利用二极管的（）组成整流电路。
A. 正向特性B. 单向导电性C. 反向击穿特性9. 根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。
A. 可能B. 不能10. 带射极电阻Re的共射放大电路，在Re上并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（）。
A. 减小；B. 增大；C. 不变；D. 变为零。
二、判断题1. ( )功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
2. ( )反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
3. （）负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
4. （）任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。
《模拟电子技术基础》复习资料及答案.doc
《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。
2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。
3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。
4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。
7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。
8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。
9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。
10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。
11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。
P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。
12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是一单向导电性。
14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。
15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。
16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。
18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。
19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。
20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200, /CEO=200M A； B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。
模电复习有答案
A．微分运算 B．积分运算 C．同相比例
2、为了获得输入电压中的低频信号，应选用
B 电路。
A．HPF B．LPF C．BPF D．BEF
3、某滤波电路的传递函数为
请问该滤波电路是 C
A（ u s） 132sss2
。
，
A．HPF B．LPF C．BPF D．BEF
精选课件
21
例题
4、某滤波电路的传递函数为
A．—3V
B．3V C．12V
精选课件
4
例题
7、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为
5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电
路的输出电压Vo为____C_____。
A．4.3V B. 8V C. 5V
D. 0.7V
精选课件
5
半导体三极管及其放大电路基础
放大电路的组成原则与工作特点 用估算法计算放大电路的静态工作点 工作点合理的设置对实现不失真放大的影响 用小信号模型分析法计算放大电路的增益、输
RC正弦波振荡电路的组成及起振、稳幅条 件、振荡频率的计算
LC正弦波振荡的相位条件、振荡频率的计 算
单门限电压比较器、滞回比较器工作原理及 应用
精选课件
24
例题
1、正弦波振荡器的振荡条件为 A
A．A•
•
F
1
B．A• F• 1
C．A•
•
F
0
2、石英晶体发生串联谐振时，呈现
。
D．A•
•
F
1
B。
A．电感性
8
例题
8、放大电路如图所示。已知Rb1=10kΩ，Rb2=2.5kΩ， Rc=2kΩ，Re=750Ω，RL=1.5kΩ，Rs=10kΩ，VCC=15V， β =150，rbb′=200Ω。设C1、C2、C3都可视为交流短路，用
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模拟电子技术基础复习题图1 图2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。
2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。
填空：（1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为（2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为；（3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。
A.增大B.不变C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。
A.饱和B.截止3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。
（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。
（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。
5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。
6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。
7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。
8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电路，而负载电流较大时应采用电感滤波电路。
9、为了使输出电压有比较大的调节范围，应采用串联型稳压电路。
二、判断题（下列各题是否正确，对者打“×√”错者打“×”）1、半导体中的空穴带正电。
（√）2、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（√）3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（×）4、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。
（×）5、稳压管工作在反向击穿状态时，其两端电压恒为U z。
（）6、若晶体管将集电极和发射极互换，则仍有较大的电流放大作用。
（）7、增强型场效应管当其栅-源电压为0时不存在导电沟道。
（）8、MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的大。
（）9、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。
（）10、对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中，射极电阻R E均可视为短路。
（对）11、只要将两个晶体管组成复合管就一定能提高管子的输入电阻。
（）12、作为输出级的互补电路常采用共射接法。
（））13、功率放大电路中，输出功率最大时功放管的管耗也最大。
（ X ）14、零点漂移就是静态工作点的漂移。
（对）15、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
（对）16、只有直接耦合放大电路才有温漂。
（X ）17、差模信号是差分放大电路两个输入端电位之差；（）共模信号是差分放大电路两个输入端电位之和。
（）18、不管差分放大电路的参数是否理想对称，R E均有共模负反馈作用；（√）R E越大，抑制温漂能力越强；（）因此，R E可想取多大就取多大。
（）19、差分放大电路采用恒流源代替R E是为了增大差模放大倍数。
（X ）20、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
（对）21、利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP型管。
（X ）22、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
（对）23、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
（对）24、在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数；（√）同时，也可增大共模抑制比。
（√）25、只有输出与输入反相的放大电路，才可能引入负反馈。
（）26、对交流信号有反馈作用的称为交流反馈，对直流信号有反馈作用的称为直流反馈。
（）27、电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。
（对）28、使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。
（X ）29、引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
（对）30、负反馈越深，电路的性能越稳定。
（X ）31、实现运算电路不一定非引入负反馈。
（X ）32、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
（×）33、在深度负反馈条件下，运算电路依靠反馈网络实现输出电压和输入电压的某种运算。
（）34、由集成运放组成的有源滤波电路中一定引入深度负反馈。
（）35、电压比较器电路中集成运放的净输入电流为零。
（对）36、电压比较器将输入模拟信号转换为开关信号。
（X）37、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（对）38、同相比例运算电路中的集成运放有共模信号输入，而反相比例运算电路中的集成运放无共模信号输入。
（）39、凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。
（X ）40、电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。
（对）41、电压比较器输出端限幅电路中的稳压管不一定非加限流电阻不可。
（）42、只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。
（×）43、具有选频网络的放大电路引入正反馈，就将产生正弦波振荡。
（）44、在组成正弦波振荡电路时，若没有稳幅环节，则输出电压幅值将为无穷大。
（）45、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与共射放大电路相接就将产生正弦波振荡。
（）46、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与共集放大电路相接就将产生正弦波振荡。
（）47、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与两级共射放大电路相接，并引入电压串联负反馈就将产生正弦波振荡。
（）48、只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。
（x ）49、在振荡频率特别高时，应考虑正弦波振荡电路中的放大电路采用共基接法。
（对）50、正弦波振荡电路的振荡频率应决定于选频网络，而不应决定于晶体管的极间电容、分布电容等。
（对）51、桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路的唯一特点是以RC串并联网络作为选频网络。
（）52、直流稳压电源是能量转换电路，是将交流能量转换成直流能量。
（对）53、在输出电压平均值相同的情况下，单相半波整流电路和单相桥式整流电路中二极管的平均电流相同。
（对）54、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
（对）55、在电网电压波动和负载电阻变化时，稳压电路的输出电压绝对不变。
（）三、选择填空题1、P型半导体中的多数载流子是 B ，N型半导体中的多数载流于是A 。
A.电子B.空穴C.正离子D.负离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度 C 本征半导体中载流子浓度。
A.大于B.等于C.小于3、室温附近，当温度升高时，杂质半导体中 C 浓度明显增加。
A.载流子B.多数载流子C.少数载流子4、硅二极管的正向导通压降比锗二极管 A ，反向饱和电流比锗二极管 B 。
A.大B.小C.相等5、温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 B ，反向电流 A 。
A.增大B.减小C.不变6、工作在放大状态的晶体管，流过发射结的是 A 电流，流过集电结的是B 电流。
A.扩散B.漂移7、当晶体管工作在放大区时，PNP管的，各极电位关系为：NPN管的u C＞u B＞u E，PNP管的u C＜u B＜u E；工作在饱和区时i C＜i B；工作在截止区时，若忽略I CBO和I CEO，则i B＝0，i C＝0。
A.＞B.＜C.＝8、晶体管通过改变A 来控制 C ；而场效应管是通过改变B 控制D ，是一种 F 控制器件。
A.基极电流B.栅-源电压C.集电极电流D.漏极电流E.电压F.电流9、晶体管电流由 B 形成，而场效应管的电流由 A 形成。
因此晶体管电流受温度的影响比场效应管 C 。
A.一种载流子B.两种载流子C.大D.小10、JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时 A 导电沟道，而增强型MOS管则 B 导电沟道。
A.存在B.不存在11、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越A 。
A.严重B.轻微C.和放大倍数无关12、电路的A d越大表示 C ，A c越大表示 A ，K CMR越大表示 B 。
A.温漂越大B.抑制温漂能力越强C.对差模信号的放大能力越强.13、复合管组成的电路可以 B 。
A.展宽频带B.提高电流放大系数C.减小温漂D.改变管子类型14、由于恒流源的电流恒定，因此等效的交流电阻 A ，而等效的直流电阻 B 。
A.很大B.很小C.不太大D.等于零15、集成运放有 B 个输入端和 A 个输出端。
A.1B.2C.316、集成运放正常工作时，当其共模输入电压超过U Icmax时，集成运放将A ，当其差模输入电压超过U Idmax时，集成运放B 。
A.不能正常放大差模信号B.输入级放大管将击穿17、直接耦合放大电路输入级采用差分放大电路是为了 C 。
A.放大变化缓慢信号B.放大共模信号C.抑制温漂18、对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中，射极电阻R E可视为B 。
A.开路B.短路C.2R E19、两个相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 C 。
A. B.2 C.20、OCL电路中，输出功率最大时 A 。
A.输出电压幅值最大B.功放管管耗最大C.电源提供的功率最大21、通用型集成运放的输入级多采用 B ，中间级多采用 A ，输出级多采用 C 。
A.共射放大电路B.差分放大电路C.OCL电路D.OTL电路22、集成运放的互补输出级采用 C 。
A.共射接法B.共基接法C.共集接法D.差分电路其原因是 C 。
A.频带宽B.放大电压的能力强C.带负载能力强D.输入电阻大23、集成运放的A od越大，表示 D ；K CMR越大，表示 B 。
A.最大共模输入电压越大B.抑制温漂能力越强C.最大差模输入电压越大D.对差模信号的放大能力越强24、集成运放的输入失调电压U IO是，失调电流I IO是；A.使输出电压为零在输入端所加补偿电压B.两个输入端电位之差C.两个输入端静态电流之和D.两个输入端静成电流之差它们的数值越大，说明集成运放。
A.输入级参数对称性差B.放大差模信号能力差C.高频特性差D.最大共模输入电压大25、通用型集成运放上限截止频率很低的原因是。