模拟电子基础复习题与答案
模拟电子技术基础复习题
图1 图2
一、填空题
1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路
④共源放大电路
一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。
2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空：
（1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为
（2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为；
（3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。
A.增大
B.不变
C.减小
当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。
A.饱和
B.截止
3、如图1所示电路中，
（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。
（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。
（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、
电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。
5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和
电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。
6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。
7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。
8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电
路，而负载电流较大时应采用电感滤波电路。
9、为了使输出电压有比较大的调节范围，应采用串联型稳压电路。
二、判断题（下列各题是否正确，对者打“×√”错者打“×”）
1、半导体中的空穴带正电。（√）
2、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（√）
3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（×）
4、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（×）
5、稳压管工作在反向击穿状态时，其两端电压恒为U z。（）
6、若晶体管将集电极和发射极互换，则仍有较大的电流放大作用。（）
7、增强型场效应管当其栅-源电压为0时不存在导电沟道。（）
8、MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的大。（）
9、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）
10、对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中，射极电阻R E均可视为短路。（对）
11、只要将两个晶体管组成复合管就一定能提高管子的输入电阻。（）
12、作为输出级的互补电路常采用共射接法。（））
13、功率放大电路中，输出功率最大时功放管的管耗也最大。（ X ）
14、零点漂移就是静态工作点的漂移。（对）
15、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（对）
16、只有直接耦合放大电路才有温漂。（X ）
17、差模信号是差分放大电路两个输入端电位之差；（）共模信号是差分
放大电路两个输入端电位之和。（）
18、不管差分放大电路的参数是否理想对称，R E均有共模负反馈作用；（√）R E越大，抑制温漂能力越强；（）
因此，R E可想取多大就取多大。（）
19、差分放大电路采用恒流源代替R E是为了增大差模放大倍数。（X ）
20、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。（对）
21、利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP型管。（X ）
22、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。（对）
23、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。（对）
24、在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数；（√）
同时，也可增大共模抑制比。（√）
25、只有输出与输入反相的放大电路，才可能引入负反馈。（）
26、对交流信号有反馈作用的称为交流反馈，对直流信号有反馈作用的称为直流反馈。（）
27、电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。（对）
28、使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。（X ）
29、引入直流负反馈可以稳定静态工作点。（对）
30、负反馈越深，电路的性能越稳定。（X ）
31、实现运算电路不一定非引入负反馈。（X ）
32、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。（×）
33、在深度负反馈条件下，运算电路依靠反馈网络实现输出电压和输入电压
的某种运算。（）
34、由集成运放组成的有源滤波电路中一定引入深度负反馈。（）
35、电压比较器电路中集成运放的净输入电流为零。（对）
36、电压比较器将输入模拟信号转换为开关信号。（X）
37、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（对）
38、同相比例运算电路中的集成运放有共模信号输入，而反相比例运算电路中的集成运放无共模信号输入。（）
39、凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。（X ）
40、电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。（对）
41、电压比较器输出端限幅电路中的稳压管不一定非加限流电阻不可。（）
42、只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。（×）
43、具有选频网络的放大电路引入正反馈，就将产生正弦波振荡。（）
44、在组成正弦波振荡电路时，若没有稳幅环节，则输出电压幅值将为无穷大。（）
45、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与共射放大电路相接就将产生正弦波振荡。（）
46、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与共集放大电路相接就将产生正弦波振荡。（）
47、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与两级共射放大电路相接，并引入电压串联负反馈就将产生正弦波振荡。（）
48、只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。（x ）
49、在振荡频率特别高时，应考虑正弦波振荡电路中的放大电路采用共基接
法。（对）
50、正弦波振荡电路的振荡频率应决定于选频网络，而不应决定于晶体管的极间电容、分布电容等。（对）
51、桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路的唯一特点是以RC串并联网络作为选频网络。（）
52、直流稳压电源是能量转换电路，是将交流能量转换成直流能量。（对）
53、在输出电压平均值相同的情况下，单相半波整流电路和单相桥式整流电路中二极管的平均电流相同。（对）
54、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（对）
55、在电网电压波动和负载电阻变化时，稳压电路的输出电压绝对不变。（）
三、选择填空题
1、P型半导体中的多数载流子是 B ，N型半导体中的多数载流于是
A 。
A.电子
B.空穴
C.正离子
D.负离子
2、杂质半导体中少数载流子的浓度 C 本征半导体中载流子浓度。
A.大于
B.等于
C.小于
3、室温附近，当温度升高时，杂质半导体中 C 浓度明显增加。
A.载流子
B.多数载流子
C.少数载流子
4、硅二极管的正向导通压降比锗二极管 A ，反向饱和电流比锗二极管 B 。
A.大
B.小
C.相等
5、温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 B ，反向电流 A 。
A.增大
B.减小
C.不变
6、工作在放大状态的晶体管，流过发射结的是 A 电流，流过集电结的是
B 电流。
A.扩散
B.漂移
7、当晶体管工作在放大区时，PNP管的，各极电位关系为：
NPN管的u C＞u B＞u E，PNP管的u C＜u B＜u E；工作在饱和区时i C＜i B；工作在截止区时，若忽略I CBO和I CEO，
则i B＝0，i C＝0。
A.＞
B.＜
C.＝
8、晶体管通过改变A 来控制 C ；而场效应管是通过改变B 控制
D ，是一种 F 控制器件。
A.基极电流
B.栅-源电压
C.集电极电流
D.漏极电流
E.电压
F.电流
9、晶体管电流由 B 形成，而场效应管的电流由 A 形成。因此晶体管电流受温度的影响比场效应管 C 。
A.一种载流子
B.两种载流子
C.大
D.小
10、JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时 A 导电沟道，而增强型MOS管则 B 导电沟道。
A.存在
B.不存在
11、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越
A 。
A.严重
B.轻微
C.和放大倍数无关
12、电路的A d越大表示 C ，A c越大表示 A ，K CMR越大表示 B 。
A.温漂越大
B.抑制温漂能力越强
C.对差模信号的放大能力越强.
13、复合管组成的电路可以 B 。
A.展宽频带
B.提高电流放大系数
C.减小温漂
D.改变管子类型
14、由于恒流源的电流恒定，因此等效的交流电阻 A ，而等效的直流电阻 B 。
A.很大
B.很小
C.不太大
D.等于零
15、集成运放有 B 个输入端和 A 个输出端。
A.1
B.2
C.3
16、集成运放正常工作时，当其共模输入电压超过U Icmax时，集成运放将
A ，当其差模输入电压超过U Idmax时，集成运放
B 。
A.不能正常放大差模信号
B.输入级放大管将击穿
17、直接耦合放大电路输入级采用差分放大电路是为了 C 。
A.放大变化缓慢信号
B.放大共模信号
C.抑制温漂
18、对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中，射极电阻R E可视为
B 。
A.开路
B.短路
C.2R E
19、两个相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 C 。
A. B.2 C.
20、OCL电路中，输出功率最大时 A 。
A.输出电压幅值最大
B.功放管管耗最大
C.电源提供的功率最大
21、通用型集成运放的输入级多采用 B ，中间级多采用 A ，输出级
多采用 C 。
A.共射放大电路
B.差分放大电路
C.OCL电路
D.OTL电路
22、集成运放的互补输出级采用 C 。
A.共射接法
B.共基接法
C.共集接法
D.差分电路
其原因是 C 。
A.频带宽
B.放大电压的能力强
C.带负载能力强
D.输入电阻大
23、集成运放的A od越大，表示 D ；K CMR越大，表示 B 。
A.最大共模输入电压越大
B.抑制温漂能力越强
C.最大差模输入电压越大
D.对差模信号的放大能力越强
24、集成运放的输入失调电压U IO是，失调电流I IO是；
A.使输出电压为零在输入端所加补偿电压
B.两个输入端电位之差
C.两个输入端静态电流之和
D.两个输入端静成电流之差
它们的数值越大，说明集成运放。
A.输入级参数对称性差
B.放大差模信号能力差
C.高频特性差
D.最大共模输入电压大
25、通用型集成运放上限截止频率很低的原因是。
A.结电容很多
B.大阻值电阻很多
C.没有耦合电容
D.没有电感
26、选择合适的交流负反馈组态（即反馈方式）满足放大电路性能要求。
交流负反馈的四种组态为：
A.电压串联
B.电压并联
C.电流串联
D.电流并联
（1）为了增大输入电阻、减小输出电阻，应在放大电路中引入交流负反馈。
（2）为了获得稳定的电流放大倍数，应在放大电路中引入交流负反馈。
（3）为了减小从信号源索取的电流，并得到稳定的输出电流，应在放大电路中引入交流负反馈。
（4）为了实现电流-电压的转换，应在放大电路中引入交流负反馈。27、A.直流负反馈 B.交流负反馈 C.电压负反馈 D.电流负反馈 E.串联负反馈 F.并联负反馈
（1）为了稳定输出电压，应在放大电路中引入。
（2）为了稳定输出电流，应在放大电路中引入。
（3）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 C 。
（4）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入。
（5）信号源为近似电压源时，应在放大电路中引入。
（6）信号源为近似电流源时，应在放大电路中引入。
（7）为了展宽频带，应在放大电路中引入。
（8）为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 A 。
28、负反馈放大电路的自激振荡产生在B。
A.中频段
B.高频段或低频段
29、负反馈放大电路产生自激振荡的原因是B。
A. B.＞1 C.
30、放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路越 A ；
A.容易产生自激振荡
B.稳定
因此，实用放大电路多采用 C 。
A.一级
B.三级
C.三级以上
31、阻容耦合放大电路和耦合电容和旁路电容越多，电路越容易产生 B 。
A.高频振
B.低频振荡
32、现有电路：
A.反相比例运算电路
B.同相比例运算电路
C.积分运算电路
D.微分运算电路
E.过零比较器
F.滞回比较器
G.低通滤波器
H.高通滤波器
I.带通滤波器
J.带阻滤波器
根据下列要求，分别选择一个电路填入空内。
（1）为了得到电压放大倍数为100的放大电路，应选用。
（2）为了得到电压放大倍数为-50的放大电路，应选用。
（3）为了将正弦波电压变换为相位与之相对应的方波电压，应选用。（4）为了将方波电压变换为三角波电压，应选用 C 。
（5）为了将三角波电压变换为方波电压，应选用。
（6）为了防止50H z的电网电压干扰，应在电路中加。
（7）为了使10kH z~15kH z信号顺利放大，应在放大电路中加。
（8）为了在信号电压中提取直流分量，应选用。
33、现有电路：
A、RC正弦波振荡电路
B、LC正弦波振荡电路
C、石英晶体正弦波振荡电路
（1）为了获得频率为10kH z的正弦波电压，应选用。
（2）为了获得频率为2MH z的正弦波电压，应选用。
（3）为了获得频率极其稳定的正弦波电压，应选用。
34、RC串并联网络在时呈。
A.感性
B.阻性
C.容性
35、在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中，。
A. B. C.
36、LC并联选频网络在产生谐振时呈 B 。
A.感性
B.阻性
C.容性
37、理想的LC并联选频网络在产生谐振时电抗为。
A.零
B.不能确定
C.无穷大
38、在忽略石英晶体振荡器自身损耗时，在其产生串联谐振或并联谐振时呈。
A.感性
B.阻性
C.容性
且在产生串联谐振时电抗为，在产生并联谐振时电抗为。
A.零
B.不能确定
C.无穷大
四、问答题
1、什么是零点漂移？产生零点漂移的原因是什么？
答：由于集成运放的级间采用直接耦合方式，各级的静态工作点相互影响，前一级的静态工作点的变化将会影响到后面各级的静态工作点，由于各级的放大作用，第一级的微弱信号变化，经多级放大后在输出端也会产生很大变化。当输入电压为零时，输出电压偏离零的变化称为“零点漂移”。产生“零点漂移”的原因主要是因为晶体三极管的参数受温度的影响。
2、什么是差模信号？什么是共模信号？
3、差分放大电路抑制温漂的原理是什么？
4、差分放大器采用恒流代替R E的原因是什么？
5、电流源有哪些用途？
电流源电路特点：输出电流稳定，输出交流电阻大。
主要用途：作为有源集电极负载，提高运放的单级增益；作为输入差分放大器的射极电阻以提高集成运放的共模抑制比；用来对电路进行偏置，稳定电路的工作点。
6、乙类互补电路产生交越失真的原因是什么？消除交越失真的方法有哪些？
7、什么是反馈？什么是正反馈和负反馈？什么是直流反馈和交流反馈？
8、如何判断电路是否引入了反馈和反馈的极性？
9、为什么下列说法均是错误的？分别简述理由。
（1）使放大电路的输出量变小的反馈称为负反馈。
（2）只有在阻容耦合放大电路中才可能引入交流反馈。
（3）只有在输入信号为正弦波时，交流负反馈才稳定放大电路的输出量。（4）直接耦合放大电路中只能引入直流反馈。
（5）反馈网络中的电流或电压仅仅决定于输出量。
（6）电压负反馈既然稳定输出电压，当然也稳定输出电流。
五、计算题
图1
1、在图1所示电路中，已知：V CC=15V，R B=750kΩ，R C=R L=5.1kΩ，C1与
C 2对交流信号可视为短路；晶体管的，r bb′=100Ω。试求解：
（1）静态工作点Q；
（2）电压放大倍数、输入电阻R i和输出电阻R o。
2、在图1所示电路中，已知V CC=15V，R L=10kΩ，，r be=1 kΩ；测得静态U CEQ=5V，I CQ=1mA。
（1）求解R B和R C；
（2）估算；
（3）若测得输出电压有效值等于300mV，则输入电压有效值U i约等于多少？
U i约为多少毫伏时电路会产生失真？
（4）若电路的信号源有内阻，如图所示，且R S=1 kΩ，则为多少？
3、电路如图1所示，晶体管的U BE=0.7V, , r bb′=100Ω；R C=5kΩ，R L=5 kΩ,V CC=12V；静态时测得管压降U CEQ=6V。
（1）R B约等于多少？
（2）求解电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
4、在图1所示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数数为
，r be=1.2kΩ；R B=500 kΩ，R C=R L=5kΩ，V CC=12V。
（1）求解静态工作点；
（2）求解电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（3）若要增大电压放大倍数的数值，可采用哪些措施？
5、在图1所示电路中，参数如上题所述。
（1）在晶体管的输出特性坐标系中近似画出i B=I BQ的特性曲线，并利用图解法求出I CQ和U CEQ；
（2）画出交流负载线；
（3）说明该电路若产生失真，则首先产生哪种失真，简述理由。
6、现有基本放大电路：①共射电路，②共集电路；③共源电路。分别按下列要求选择合适电路形成组成两级放大电路。
（1）电压放大倍数≥4000；
（2）输入电阻R i≥5MΩ，电压放大倍数≥400；
（3）输入电阻R i≥5MΩ，输出电阻Ro≤200Ω，电压放大倍数≥10；（4）输入电阻R i≥100kΩ，电压放大倍数≥100。
7、在图2所示电路中，设T1和T2管的2V，电源电压±V CC为±12V，R L=8Ω。试求该电路的最大不失真输出功率、效率、最大管耗。
图2
8、某电子设备要求15V直流电压，负载电阻R L=50Ω，试问：
（1）若选用单相桥式整流电路，则电源变压器副边电压有效值U2应为多少？整流二极管正向平均电流I D
和最大反向电压U RM各为多少？
（A V）
和U RM各为多少？
（2）若改用单相半波整流电路，则U2、I D
（A V）
模拟电子技术试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等 效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相 反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输 入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为 （）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）它的稳压值Uz 才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（） 型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
模拟电子技术基础考试试题答案-(1)
第1页 共5页 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的 视为开路， 视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是 相输入端，否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的， 越大越好， 越小越好。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将 。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管 7V 0.7V 0V ① ② ③
模拟电子基础复习题与答案
模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。
A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电
模拟电子技术基础试题汇总
模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小
模拟电子线路习题习题答案(DOC)
第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =?214 10cm 3 -。 （1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =?31410cm 3 -，重复（1）。 （3）若D N =A N =1510cm 3 -,，重复（1）。 （4）若D N =16 10cm 3 -，A N =14 10cm 3 -，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -，施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 （2）因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 （3）因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 （4）因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 （cm 3 -）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104（cm 3 -）
该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载L R 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ，试问流过负载L R 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ，()Ω=20on D r ，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压E ，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ 解：（1）100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3
模拟电路基础知识大全
模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。
模拟电子技术基础考试试题答案
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
模拟电子技术复习试题及答案解析
一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。
模拟电子电路基础答案第四章答案
简述耗尽型和增强型HOS场效应管结构的区别：对于适当的电压偏置(Es>OV,仏>%), 画出P沟道增强型HOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽熨场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压入产生沟道。 氧化层 源极(S稠极(G) /涌极(D) 甘底WB) (a) 随着役逐渐增人，栅极下面的衬底农闻会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到?定时, 栅极下闻的衬底农闻空穴浓度会超过电犷浓度,从而形成了?个''新的P型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上?个负电压bs，那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为当咲?定，而l，SD持续增人时，则相应的1&；减小，近漏极端的沟道深度进-步减小，直至沟道预夹断，进入饱和区。电流咕不再随的变化而变化，而是?个恒定值。 考虑?个N沟道MOSFET,其监二50 u A/V\ K = IV,以及疗Z = 10。求下列情况下的漏极电流： (1)Ks = 5V且仏二IV： (2)= 2V 且仏二： (3)Vis = J L =: (4)Ks = ^ = 5Vo (1)根据条件v GS^V；, v DS<(v GS-V,),该场效应管工作在变阻区。 Z D = K 7；［(V GS _V t)V DS - | V DS = (2)根据条件v GS^V；, v IJS>(y GS-V l),该场效应管工作在饱和区。 (3)根据条件该场效应管工作在截止区，咕=0 (4)根据条件匕2?，%>(沧一?)，该场效应管工作在饱和区B =4；学(心 -％)SmA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确宦夹断电压或开启电压值。
模拟电子技术期末试题及答案
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1
电路与模拟电子技术基础(第2版)-习题解答-第8章习题解答
第8章 滤波电路及放大电路的频率响应 习 题 8 8.1 设运放为理想器件。在下列几种情况下，他们分别属于哪种类型的滤波电路（低通、高通、带通、带阻）？并定性画出其幅频特性。 （1）理想情况下，当0f =和f →∞时的电压增益相等，且不为零； （2）直流电压增益就是它的通带电压增益； （3）理想情况下，当f →∞时的电压增益就是它的通带电压增益； （4）在0f =和f →∞时，电压增益都等于零。 解：（1）带阻 （2）低通 （3）高通 （4）带通 V A (2)理理理理 (3)理理理理 (4)理理理理 (1)理理理理 H A A A A V A V A V A 8.2 在下列各种情况下，应分别采用哪种类型（低通、高通、带通、带阻）的滤波电路。 （1）希望抑制50Hz 交流电源的干扰； （2）希望抑制500Hz 以下的信号； （3）有用信号频率低于500Hz ； （4）有用信号频率为500 Hz 。 解：（1）带阻 （2）高通 （3）低通（4）带通 8.3 一个具有一阶低通特性的电压放大器，它的直流电压增益为60dB ，3dB 频率为1000Hz 。分别求频率为100Hz ，10KHz ，100KHz 和1MHz 时的增益。 解：H Z o 100H ,60dB f A ==，其幅频特性如图所示
3dB -20dB/理 理理理 20 40 60 f/Hz Z v 20lg /dB A ? ??(a)理理理理 u 100Hz,60dB f A == u H 10KHz,6020lg 40,40dB f f A f =-== u H 100KHz,6020lg 20,20dB f f A f =-== u H 10MHz,6020lg 0,0dB f f A f =-== 8.4 电路如图8.1所示的，图中C=0.1μF ，R=5K Ω。 （1）确定其截止频率； （2）画出幅频响应的渐进线和－3dB 点。 图8.1 习题8.4电路图 解：L 36 11 318.3(Hz)225100.110 f RC ππ--= ==????
模拟电路基础知识大全
一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。
模拟电子电路基础答案(胡飞跃)第四章答案
4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '= 50μA/V 2，V t = 1V ，以及W /L = 10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS = 5V 且V DS = 1V ； （2）V GS = 2V 且V DS = 1.2V ； （3）V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ； （4）V GS = V DS = 5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 1W i k v V v v ??'=--???? =1.75mA (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 1W i k v V '=-=4mA 4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。
模拟电路基础 教案
教师教案（2011—2012学年第一学期) 课程名称：模拟电路基础 授课学时：64学时 授课班级：20XX级光电2-4专业任课教师：钟建 教师职称：副教授 教师所在学院：光电信息学院 电子科技大学教务处
第1章半导体材料及二极管(讲授8学时+综合训练2学时) 一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等） 1.1 半导体材料及其特性：理解并掌握本征半导体与杂质半导体（P型与N 型）的导电原理，本征激发与复合、多子与少子、漂移电流与扩散电流的区别；理解并掌握PN结的形成原理（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；理解PN 结的单向导电特性与电容效应。（2学时） 1.2 PN结原理：PN结的形成：耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。（2学时） 1.3 晶体二极管及应用：理解并掌握二极管单向导电原理及二极管伏安特性方程；理解二极管特性随温度变化的机理；理解并掌握二极管的四种等效电路及选用原则与区别；理解并掌握二极管主要参数；了解不同种类二极管区别（原理），了解硅管与锗管的区别；理解稳压二极管的工作原理。（4学时） 二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教 学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等） 重点：半导体材料及导电特性，PN结原理，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性。 难点：晶体二极管及应用，PN结的反向击穿及应用。 三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思） 重点讲解二极管的单向导电性，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻。反向击穿应用：设计基本稳压管及电路。
模拟电子电路基础答案第四章答案
简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '=?50μA/V 2，V t ?=?1V ，以及W /L ?=?10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS?=?5V 且V DS?=?1V ； （2）V GS?=?2V 且V DS?=?； （3）V GS?=?且V DS?=?； （4）V GS?=?V DS?=?5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 12W i k v V v v L ??'=--???? = (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-= (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=4mA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。 图题 图（a ）P 沟道耗尽型 图 (b) P 沟道增强型 一个NMOS 晶体管有V t?=?1V 。当V GS?=?2V 时，求得电阻r DS 为1k?。为了使r DS?=?500?，则V GS 为多少？当晶体管的W 为原W 的二分之一时，求其相应的电阻值。 解：由题目可知，该晶体管工作在变阻区，则有()D n GS t DS W i k v V v L '≈- ()n GS t 1DS DS D v r i W k v V L =≈'-
模拟电路数字电路基础期末考试题
计算机电子技术电气专业模拟试卷 考试时间为90分钟出题人： 一、选择题：（每空1分，共15分） 1，半导体稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。 A、PN结的单向导电性 B、PN结的反向截止特性 C、PN结的正向导电特性 D、PN结的反向击穿特性。 2，为了使三极管可靠地截止，电路必须满足（）。 A、发射结正偏 B、发射结反偏 C、发射结和集电结均反偏 D、发射结和集电结均正偏 3，硅二极管的起始导通电压为（）。 A、0.2V B 0.3V C 0.5V D 0.7V 4，对于三极管的放大作用的实质，下列说法正确的是（）。 A、三极管可把小能量放大成大能量 B、三要管把小电流放大成大电流 B、三极管可把小电压放大成大电压D、三极管用较小的电流控制较大的电流 5，某三极管放大器。每级的电压放大倍数是A V，则总的电压放大倍数是（）。 Ａ、３A V B、A V/3 C 、A V D、A V3 6，对于分压式偏置电路，当三极管的放大倍数rbe=1千欧时，AV为-50，若调换成rbe=2千欧时，其电压放大倍数近似等于（）。 A、-100 B、-25 C、-50 D、-80 7，共模抑制比是（）之比。 A、差模输入信号与共模输入信号 B、输出量中差模成份与共模成分 B、差模放大倍数共模放大倍数D、交流放大倍数与直流放大倍数 8，已经Ai=1000，则Gi =( ). A、30DB B、60DB C、40DB D、60 9，在晶体三极管放大电路中，若电路的静态工作点太低，将会发生（）。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、不产生失真 10，将二进制数转换成十进制数，结果正确的是（）。 Ａ、11000=25 B、11110=27 C、10111=23 D、10101=21 11，组合电路的特点是（）。 A、输出信号仅取决于该时刻的输入信号 B、输出与输入间含有记忆单元 B、输出与输入间不含任何记忆单元和反馈单元D、输出信号和电路的原状态有关。 12，已知电压放大倍数是1000，则电压增益是（）。 A、20DB B、30DB C、40DB D、60DB 13，只有高低电平的矩形脉冲信号属于（）。 Ａ、模拟信号B、直流信号 C、数字信号 D、以上答案都不对 14，有0出1，全1出0是（）。 A、与逻辑 B、或逻辑 C、非逻辑 D、与非逻辑 15，八位二进制数所能表示的十进制数的最大值是（）。 A、248 B、192 C、255 D、512 二、填空题：（每空1分，共30分） 1，在N型半导体中，（）为多数载流子，（）为少数载流子。 2，二极管的单相整流电路一般有（），（）和（）。 3，晶体三极管的三种联接方式分别是（），（）和（）。 4，绝缘栅型场效应管有N沟道和P沟道两种，每一类又分为（）和（）。 ５，耦合电容的作用是隔（）通（）。 6，反馈是指放大器的输出端把输出信号的（）或者全部通过一定方式送回到放大器的（）的过程。 7，集成运算放大器的两种基本比例运算放大电路是（）和（）两种。 8，反相比例运放当R1=RF时，称作（）器，当同相比例运放中RF=0或R1=正无穷大时，称为（）器。 ９，数字电路研究的是电路的输出与输入之间的（）关系。且在数字电路中，半导体三极管工作在（）状态和（）状态。 10，为了使放大器不失真地放大信号，放大器必须建立合适的（）11，逻辑代数的变量为逻辑变量，逻辑变量只有（）和（）两种取值。 12，逻辑函数可以用（），（）和（）等形式来表示。 13，带有放大环节的串联型晶体管稳压电源由（），（），取样部分和（）四部分组成。 一、简答题：（每题5分，共20分） 1，说明分压式偏置放大电路如何稳定静态工作点？