电路与模拟电子技术复习题

合集下载

模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)

模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)

《模拟电子技术》复习试题一一、填空(每空1分,共20分)1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。

2. 放大器级间耦合方式有三种:直接耦合;阻容耦合;变压器耦合;在集成电路中通常采用直接耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真,要消除此失真,应改用甲乙类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用阻容耦合方式,T接成共基1组态,T接成共集组态,1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。

6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值增大。

7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πωϕ±=T 。

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分)1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示(1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分)(2)估算(b)图晶体管的β和α值。

601.06===B C I I β, 985.01≈+=ββα (各1分,共2分)2.电路如图3所示,试回答下列问题(1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈?R应如何接入?(在图中连接)f答:应接入电压串联负反馈(1分)R接法如图(1分)f(2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。

答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分)3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。

答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。

模拟电子技术综合复习

模拟电子技术综合复习
电。
4.放大电路的输入电压 Ui=10mV,输出电压 UO=1V,该放大电路的电压放大倍数为 -100 , 电压增益为 40 dB。
5.集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端,前者的极性与输
出端 相同 ,后者的极性与输出端 相反 。 6.理想运算放大电器工作在线性状态时,两输入端电压近似相等,称为
2. 在单相桥式整流电路中,若将 4 只二极管全部反接,试分析对输出有何影响?若将其中的 1 只二极管反接,对输出有何影响?
VT1 VT2
V1
VT4
V2
VT3
+
R uo
-
六、计算题
= 100,RS= 1 k,RB1= 62 k,RB2= 20 k, RC= 3 k,RE = 1.5 k,RL= 5.6 k,VCC = 15 V。 求:“Q”,Au,Ri,Ro。
(√ )
10.乙类互补对称功率放大电路产生的失真是交越失真。
( √)
四、判断三极管工作状态(每小题 4 分,共 12 分)
-5V
-1.7 V
3.3V 3.7V
6V 2V
-2V
3V
a.(截止
) b.( 饱和 )
3V
c.( 截止

五、分析题(每小题 9 分,共 18 分)
1. 试分析图示电路中,级间交流反馈 是正反馈还是负反馈,是电压反馈还是电 流反馈,是串联反馈还是并联反馈?
( ×)
2.二极管在工作电流大于最大整流电流 IF 时会损坏。 3.三极管基极为高于发射极电位,三极管一定处于放大状态。
(√ ) ( ×)
4.放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关,而与输入信号源内阻无关。( × )

模拟电子技术基础复习资料

模拟电子技术基础复习资料

模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是(空隙), 而少数载流子是(自由电子)。

2. 在N型半导体中, 多数载流子是(电子), 而少数载流子是(空隙)。

3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接( N )区, 电源的负极应接( P )区。

4.当PN结正向偏置时, 电源的正极应接( P )区, 电源的负极应接( N )区。

5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结(正向)偏置, 集电结(反向)偏置。

6.根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为(反向饱和)电流, 在室温下约等于( 26mV )。

7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极(漏极)、(栅极)和(源极)与之相应。

8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用(电压取样)负反馈, 为稳定输出电流, 应采用(电流取样)负反馈。

9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用(串联-电压求和)负反馈, 为减少输出电阻, 应采用(电压取样)负反馈。

10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. )。

11. 在BJT放大电路的三种组态中, (共集电极)组态输入电阻最大, 输出电阻最小。

(共射)组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。

12.在BJT放大电路的三种组态中,.共集电. )组态的电压放大倍数小于1,.共.)组态的电流放大倍数小于1。

13. 差分放大电路的共模克制比KCMR=(), 通常希望差分放大电路的共模克制比越(大)越好。

14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区(高掺杂), 二是基区很(薄)并掺杂浓度(最低)。

15.在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将(不变), 而共模放大倍数将(减小), 共模克制比将(增大)。

16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有(阻容), (变压器)和(直接)耦合三种。

17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是(零点漂移)。

模拟电子技术》复习题

模拟电子技术》复习题

《模拟电子技术》复习一、选择题:1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V,则该BJT三个电极分别是 C 。

(A) B、C、E (B).C、B、E (C)E、C、B2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V,则该BJT三个电极分别是 B 。

(A) B、C、E (B).C、E、B (C)E、C、B3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC =6V,VB=0.7V,VE=0V,则该管子工作在A 。

(A)放大区(B)截止区(C)饱和区4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC =6V,VB=4V,VE=3.6V,则该管子工作在B 。

(A)放大区(B)截止区(C)饱和区5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。

(A)正向导通(B)反向截止(C)反向击穿6. 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。

(A)增大(B)减小(C)不变7. 工作在放大区的某三极管,如果当IB 从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β值约为 C 。

(A)83 (B)91 (C)1008. 三极管放大电路的三种组态中, B 组态的电压放大倍数总是略小于1。

(A)共射(B)共集(C)共基9. 共射极放大电路的交流输出波形正半周失真时为 B 。

(A)饱和失真(B)截止失真(C)交越失真10.共射极放大电路的交流输出波形负半周失真时为 A 。

(A)饱和失真(B)截止失真(C)交越失真11.差分式放大电路是为了 C 而设置的。

(A)稳定电压增益(B)放大信号(C)抑制零点漂移12.共模抑制比是差分式放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路 A 能力。

(A)放大差模抑制共模(B)输入电阻高(C)输出电阻低13.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的 B 。

(A)差模电压增益增大(B)抑制共模信号的能力增强(C)差模输入电阻增大14.差分式放大电路的共模信号是两个输入端信号的 C 。

模拟电子技术期末复习试题及答案

模拟电子技术期末复习试题及答案

《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题(每空1分,共32分)1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。

2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。

3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。

4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。

5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是()控制文件。

6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β()。

7、为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用()负反馈。

为了稳定输出电流,采用()负反馈。

8、负反馈使放大电路增益(),但()增益稳定性。

9、()称为负反馈深度,其中F=( ),称为()。

10、差模信号是大小(),极性(),差分电路不抑制()漂移。

11、甲乙类互补功率放大器,可以消除()类互补功率()失真。

12、用低频信号去改变高频信号的()称为调幅,高频信号称为()信号。

13、当频率升高时,晶体管电流放大系数()共基极电路比共射极电路的高频特性(),fδ=()fβ14、振荡电路的平衡条件是(),正反馈才能保证振荡电路的()。

15半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。

二、选择题(每空2分,共30分)1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是()A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是(),该管是()型。

A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。

共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。

A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了()而设置的。

A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路()能力。

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。

4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。

A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。

模拟电子技术复习题

模拟电子技术复习题

模拟电子技术复习题1、什么是N型半导体?P型半导体?2、在图示电路中,已知变压器副边电压有效值U2,变压器内阻和二极管导通电压均可忽略不计,R << R L(R为电感线圈电阻),u D波形如图所示,试述下图的工作原理已经U2,UD,UO间的关系。

3功率放大电路的分类?给出OCL,OTL的电路图及工作原理。

乙类功放有什么缺点,如何改进,给出改进后电路图及原理。

5、图中VT为小功率硅晶体管,当R b不同,VT可能处于放大、饱和、截止状态,把不同状态下基射极电压U BE、集射极电压U CE的大致数值范围填入表内。

晶6、差分放大电路如图所示。

各晶体管参数相同,当环境温度(T)变化,如温度升高(用T表示),在分析该电路抑制温漂,稳定工作电流原理后,用箭头(增大用表示,减小用 表示)填画下列各电量后的括号:T()→I=I C2()→U B4=U B5()→U B3()→I E3()→I C1=I C2 C1()。

7、图(a)所示为某电路的方框图,已知u I、u O1~u O3的波形如图(b)所示。

将各电路的名称分别填入空内:1.电路1为;2.电路2为;3.电路3为。

8、图(a)所示电路中,A为理想运算放大器,其输出电压的最大幅度为V;输入信号、的波形如图(b)所示。

试画出的波形。

9、已知图示电路中晶体管的=120,,U=0.7V,电容的容量足够大,对交流信号可视为短路。

1.若要求静态电流=1.5mA,估算的值;2.求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。

10、某放大电路的低频段交流等效电路如图所示,求放大电路的下限截止频率f L。

11、某放大电路电的折线近似波特图如图所示,试问该放大电路是同相放大电路还是反向放大电路,它的上限截止频率、下限截止频率和通频带宽度各为多少?12、反馈放大电路如图所示,设电容器对交流信号均可视为短路。

1.指出级间交流反馈支路、极性和组态及其对输入电阻、输出电阻的影响;2.写出深度负反馈条件下、、的表达式。

《模拟电子技术》复习题

《模拟电子技术》复习题

《模拟电子技术》复习一、选择题:1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V,则该BJT三个电极分别是 C 。

(A)B、C、E (B).C、B、E (C)E、C、B2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V,则该BJT三个电极分别是 B 。

(A)B、C、E (B).C、E、B (C)E、C、B3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V,V B=0.7V,V E=0V,则该管子工作在A 。

(A)放大区(B)截止区(C)饱和区4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V,V B=4V,V E=3.6V,则该管子工作在B 。

(A)放大区(B)截止区(C)饱和区5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。

(A)正向导通(B)反向截止(C)反向击穿6. 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。

(A)增大(B)减小(C)不变7. 工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β值约为 C 。

(A)83 (B)91 (C)1008. 三极管放大电路的三种组态中, B 组态的电压放大倍数总是略小于1。

(A)共射(B)共集(C)共基9. 共射极放大电路的交流输出波形正半周失真时为 B 。

(A)饱和失真(B)截止失真(C)交越失真10.共射极放大电路的交流输出波形负半周失真时为 A 。

(A)饱和失真(B)截止失真(C)交越失真11.差分式放大电路是为了 C 而设置的。

(A)稳定电压增益(B)放大信号(C)抑制零点漂移12.共模抑制比是差分式放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路 A 能力。

(A)放大差模抑制共模(B)输入电阻高(C)输出电阻低13.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的 B 。

(A)差模电压增益增大(B)抑制共模信号的能力增强(C)差模输入电阻增大14.差分式放大电路的共模信号是两个输入端信号的 C 。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

一、基本概念
1. 当把电流为1A 的理想电流源与电压为100V 的理想电压源相并联时,电流源两端的电压是(D )。

A 、1V ;
B 、10V ;
C 、50V ;
D 、100V 。

2. 当把电流为1A 的理想电流源与电压为100V 的理想电压源相串联时,流过电压源的电流是(A )。

A 、1A ;
B 、10A ;
C 、50A ;
D 、100A 。

3. 一个电感线圈在下列哪种频率条件下,其对电流呈现的感抗较大?( C )正比,wL
A 、f =100Hz ;
B 、f =200Hz ;
C 、f =300Hz ;
D 、f =1Hz 。

4. 一个电容器在下列哪种频率条件下,其对电流呈现的容抗较大?( D )反比,1/wC
A 、f =100Hz ;
B 、f =200Hz ;
C 、f =300Hz ;
D 、f =1Hz 。

5. 对于纯电容性负载,其电压与电流的相位关系是( C )。

-90
A 、电压与电流同相位;
B 、电压超前电流90°;
C 、电流超前电压90°。

6. 对于纯电感性负载,其电压与电流的相位关系是( B )。

U-i ,90
A 、电压与电流同相位;
B 、电压超前电流90°;
C 、电流超前电压90°。

7. 在计算戴维南电路的等效电阻时,将原电路的电源置零意味着( B )。

A 、电压源开路、电流源短路;
B 、 电压源短路、电流源开路;
B 、电压源开路、电流源开路; D 、 电压源短路、电流源短路。

8. 当理想二极管外加正向电压时,其电流为( C ),其正向压降为( B )。

A 、0=I ;
B 、0=U ;
C 、=I 常数;
D 、=U 常数。

9. 测得某无源一端口网络的电压u=100sin (2t+60°)V ,电流i=5sin (2t-30°)A ,则该网络的等效阻抗是多少?它是电阻性、电感性还是电容性的网络?( B )。

J=90
A 、20、阻性;
B 、j20、感性;
C 、-j20、容性;
D 、20+j20、感性。

10. 某网络的端口电压和电流分别为u=40sin (10t+60°)V ,i=8sin (10t+90°)A ,则该网络的功率因数cos ϕ为( B )。

U-i
A 、21;
B 、2
3; C 、0.9; D 、1。

11. 在集成运算放大器的分析计算中,虚短的概念是指( C )。

A 、0=+U ;
B 、0=-U ;
C 、-+=U U 。

D 、0==-+I I 。

12. 在集成运算放大器的分析计算中,虚断的概念是指( D )。

A 、0=+U ;
B 、0=-U ;
C 、-+=U U 。

D 、0==-+I I 。

13. 设R u 、C u 、L u 分别表示一阶动态电路中的电阻、电容、电感两端的电压,根据换路定
则,以下哪个等式是正确的?( B )。

A 、)0()0(-+=R R u u ;
B 、)0()0(-+=
C C u u ; C 、)0()0(-+=L L u u 。

14. 设R i 、C i 、L i 分别表示一阶动态电路中通过电阻、电容、电感的电流,根据换路定则,
以下哪个等式是正确的?( C )。

A 、)0()0(-+=R R i i ;
B 、)0()0(-+=
C C i i ; C 、)0()0(-+=L L i i 。

15. 对称三相交流电源为星形联结时,其线电压等于相电压的( B )。

A 、3倍;
B 、3倍;
C 、3
1倍; D 、2倍。

16. 对称三相交流负载为三角形联结时,其相电流等于线电流的( C )。

A 、3倍; B 、3倍; C 、
31倍; D 、2倍。

17. 当晶体管处于相当于开关的断开状态时,其工作于( D )。

A 、过渡区;
B 、饱和区;
C 、放大区;
D 、截止区。

18. 当晶体管处于相当于开关的接通状态时,其工作于(B )。

A 、过渡区;
B 、饱和区;
C 、放大区;
D 、截止区。

19. 为稳定电压且要求输入阻抗较高,应采用( A )负反馈。

阻抗高串联,阻抗低并联
A 、电压串联;
B 、电压并联;
C 、电流串联;
D 、电流并联。

20. 为稳定电流且要求输入阻抗较低,应采用(D )负反馈。

A 、电压串联;
B 、电压并联;
C 、电流串联;
D 、电流并联。

二、分析计算
1. 电路如下图所示,求图中V 1=S U 时的电压U 。

2. 在下图电路中,试求电压U 。

3. 试求图所示电路的ab U 。

4. 在下图电路中,试求a 点的电位a U 。

5. 在下图电路中,开关闭合前电感、电容均无储能,0=t 时开关闭合。

求0>t 后的C τ和L τ以及?)(=∞u
6. 已知V )60 4sin(23o 1+=t u ,写出其有效值向量,画出向量图。

7. 已知V )75 4cos(52︒-=t u ,写出其有效值向量,画出向量图。

8. 在下图电路中,求电流表A 和电压表V 的读数。

9. 在下图电路中,求电流表A 和电压表V 的读数。

10. 在下图所示电路中,已知t u R R o 314sin ,K 121===,则?21=+i i u u
11. 在图示电路中,已知21R R =,110R R f =,V 10=o u ,则21i i u u +为多少?
12. 在下图所示理想二极管电路中,试判断二极管是导通还是截止,并计算ab U 。

13.在下图所示理想二极管电路中,试判断二极管是导通还是截止,并计算
U
ab
14.测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如下图所示,判断三极管的类型(NPN或
PNP)及三个电极,并分别说明它们是硅管还是锗管。

相关文档
最新文档