SP5630_V2.3中文资料
SP5630 高性能、低功耗开关电源控制芯片
DATA SHEET
SP5630
高性能、低功耗开关电源控制芯片
版本号：V2.3
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3 -1-
SP5630 高性能、低功耗开关电源控制芯片
一、概述
SP5630 是一颗电流模式 PWM 控制芯片，专为低待机功耗、高性价比开关电源系统设计，用于功率在 40W 以内的方案。 SP5630 的工作频率可以由外部设定， 在空载或者轻载状态下可以工作于跳频模式， 由此取得低待机功 耗与高转换效率。SP5630 在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个大阻值的电阻， 以此来进一步减小待机时的功耗。 芯片内置有斜坡补偿电路， 当电路工作于大占空比时， 避免了次谐波振荡的发生， 改善系统的稳定性。 同时电路内置有前沿消隐时间（Leading-edge blanking time） ，消除缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电 路的影响。SP5630 采用了抖频技术，并且在栅驱动电路中使用了软开关技术，能够有效改善系统的 EMI 性能。 SP5630 内置多种保护，包括逐周期过流保护（OCP） ，过载保护（OLP） ，过压保护（OVP） ，VDD 过 压箝位，欠压保护（UVLO）等。此外，电路的栅极驱动被箝位在最大 18V，防止损坏外置功率管。
六、产品信息
产品型号 5630 SP5630F SP5630P 封装 SOT23-6，无卤、无铅 SOP8，无铅 DIP8，无铅
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3 -3-
SP5630 高性能、低功耗开关电源控制芯片
七、IC 内部框图
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3 -4-
SP5630 高性能、低功耗开关电源控制芯片
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3 -2-
SP5630 高性能、低功耗开关电源控制芯片
四、极限参数
符号 VDD VDD 箝位电压 VDD 箝位电流 VFB VRI TSTORAGE TLEAD 描述 VDD 输入电压 VDD 齐纳管击穿电压 VDD 齐纳管反向击穿电流 FB 输入电压 RI 脚输入电压 存储温度范围 焊接温度 范围 30 34 10 -0.3~7 -0.3~7 -55 to 160 245（10S） 单位 V V mA V V ℃ ℃
符号 D E E1 e h L L1 θ
最小 4.70 5.80 3.70
典型 4.90 6.00 3.90 1.27BSC
最大 5.10 6.20 4.10
0.25 0.50
_ _ 1.05BSC
0.50 0.80
0
_
8°
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3 -9-
SP5630 高性能、低功耗开关电源控制芯片
SP5630F（SOP8）
单位：mm
符号 A A1 A2 A3 b b1 c c1
最小 _ 0.05 1.30 0.60 0.39 0.38 0.21 0.19
典型 _ _ 1.40 0.65 _ 0.41 _ 0.20
最大 1.75 0.15 1.50 0.70 0.48 0.43 0.26 0.21
注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数仅仅是工作条件的极 限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能 受到影响。
五、推荐工作条件
符号 VDD TA 描述 VDD 脚电压 工作环境温度 范围 10~25 -20~85 单位 V ℃
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3 -11-
SP5630 高性能、低功耗开关电源控制芯片
干扰。 SP5630 通过内部的图腾柱驱动结构、 适当的栅极驱动能力和死区时间控制， 对上述问题取得了很好的 平衡。通过这个专门设计的电路结构，可以更好地减小系统的损耗和改善系统 EMI 特性。在 GATE 脚内置 一个 18V 的箝位管，当 VDD 高于预设电平时，可以保护 GATE 脚及外部功率管。 保护功能 一个好的电源系统必须具有完善的保护功能，包括逐周期过流保护（OCP） 、过载保护（OLP） 、VDD 电压箝位以及欠压保护（UVLO） 。 SP5630 内置了限流点线电压补偿功能，通过专门设计的电路结构，电路的过流保护阈值随 PWM 占空 比变化，可以保证电路在全工作电压范围（85Vac~265Vac）内限流点恒定，也就保证了功率的恒定。 当过载发生时，FB 电压会上升至超过 VTH_PL（过载保护 FB 阈值） ，当 FB 电压维持在 VTH_PL 之上达 到 TD_PL（过载保护延迟时间） ，芯片的过载保护电路开始动作，芯片将会关断功率管，并且只有在下一次 重启后，电路才可以恢复正常工作。 当电路启动后，VDD 主要依靠变压器的辅助线圈来提供能量。当 VDD 电压超过内部齐纳管击穿电压 VDD_CLAMP 时，内部的稳压管会将 VDD 电位箝位，防止损坏电路。 当 VDD 电压下降至低于 VUVLO 时，芯片的欠压保护（UVLO）电路动作，将芯片关断，SP5630 重新 开始启动过程。
FOSC
6500 ( KHz ) RI ( K )
电流取样与前沿消隐 SP5630 采用电流模式 PWM 控制方式，提供逐周期限流保护。功率管电流由连接在 SENSE 脚上的取 样电阻探测。内部功率管刚打开时，缓冲网络中二极管的反向恢复电流和功率管漏源电容的放电电流在取 样电阻上会造成很高的电压尖峰，引起芯片的误判断，而 SP5630 在 SENSE 脚上设置有前沿消隐时间，可 以屏蔽这个尖峰对芯片的影响，因此 SENSE 脚的外部无需 RC 滤波网络。在前沿消隐时间内，限流比较器 不起作用，不能关闭功率管。芯片的 PWM 占空比由取样电阻上的电压与 FB 上的电压共同决定。 内部同步斜坡补偿 内建的同步斜坡补偿电路增加了电流取样脚上电压的斜率，可以确保当芯片工作在 CCM 模式下，尤 其是占空比大于 50%时环路的稳定性，避免次谐波振荡的出现。 功率管驱动 SP5630 的 GATE 脚连接至外部功率管的栅极，以此来控制外置功率管。对于一般的电源控制电路， 当栅极驱动能力不足时，会导致开关时更大的系统损耗，而当栅极驱动能力过强时，会导致很强的 EMI
二、应用范围
充电器 PDA、数码相机电源适配器 机顶盒电源 开放框架式开关电源
三、特点
应用于小于 40W 的方案 抖频功能，改善 EMI 性能 跳频功能，改善轻载效率，减小待机功耗 无噪声工作 工作频率可外部设置 内置同步斜坡补偿 低启动电流，低工作电流 内置前沿消隐(LEB)功能 过载保护（OLP） ，逐周期过流保护（OCP） 欠压保护（UVLO） ，VDD 电压箝位 栅驱动最大电平箝位 18V SOT23-6、SOP8、DIP8 无铅封装
九、电气参数
测试条件：TA=25℃，VDD=16V。 有特别说明除外。 符号 IDD_ST IOP VDD_ST VUVLO VOVP VDD_CLAMP VFB_OPEN IFB_SHORT VTH_0D VTH_PL TLEB ZSENSE_IN VTH_OC TD_OC FOSC DMAX FBURST ΔFOSC RIRANGE VRI_OPEN VOL VOH Tr Tf 启动电流 工作电流 启动电压 欠压保护 过压保护 VDD 箝位电压 FB 开环电压 FB 短路电流 零占空比 FB 阈值 过载保护 FB 阈值 前沿消隐时间 SENSE 脚输入阻抗 SENSE 脚过流保护阈值 过流保护延迟时间 振荡频率 最大占空比 跳频频率 抖频范围 RI 取值范围 RI 脚开环电压 GATE 输出低电平 GATE 输出高电平 GATE 输出上升时间 GATE 输出下降时间 VDD=16V，IO=-20mA VDD=16V，IO=20mA VDD=16V，CLOAD=1nF VDD=16V，CLOAD=1nF 10 220 70 RI=100KΩ -3 50 100 2 0.8 VDD=16V ，RI=100KΩ，SENSE 脚上升至关断功率管 VDD=16V ，VFB=3.0V， VCS> VTH_OC，RI=100KΩ VDD=16V ，VFB=3.0V，VCS=0V， RI=100KΩ VDD=16V ，VFB=3.0V，VCS=0V， RI=100KΩ 60 0.70 描述 条件 VDD=12.5V，RI=100KΩ，测试 VDD 端电流 VDD=16V ，VFB=3V，RI=100KΩ VDD 上升至 IC 工作 VDD 下降至 IC 关闭 VDD 上升至功率管关闭 IDD=10mA VDD=16V VDD=16V，FB 短路到地电流 VDD=16V，RI=100KΩ，FB 下降至 关断功率管 VDD=16V，RI=100KΩ，FB 下降至 关断功率管 VDD=16V，RI=100KΩ，FB 上升至 关断功率管 3.7 300 40 0.75 75 65 75 22 3 150 70 0.80 13 7.8 26.5 范围 最小 典型 3 1.4 14 8.8 27.5 33 4.8 1.2 0.75 15 9.8 28.5 最大 20 单位 uA mA V V V V V mA V V nS KΩ V nS KHz % KHz % KΩ V V V nS nS
最小 0.04 1.00 0.55 2.72 2.60 1.40
典型 1.10 0.65 2.92 2.80 1.60 0.95BSC 1.90BSC -
最大 1.35 0.15 1.20 0.75 3.12 3.0 1.80
0.30 0
0.60 8°
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3 -8-
SP5630 高性能、低功耗开关电源控制芯片
SP5630P（DIP8）
单位：mm
符号 A B C D F G J K L M N
最小 9.05 6.15 3.6 0.44
DATA SHEET
SP5630
高性能、低功耗开关电源控制芯片
版本号：V2.3
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3 -1-
SP5630 高性能、低功耗开关电源控制芯片
一、概述
SP5630 是一颗电流模式 PWM 控制芯片，专为低待机功耗、高性价比开关电源系统设计，用于功率在 40W 以内的方案。 SP5630 的工作频率可以由外部设定， 在空载或者轻载状态下可以工作于跳频模式， 由此取得低待机功 耗与高转换效率。SP5630 在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个大阻值的电阻， 以此来进一步减小待机时的功耗。 芯片内置有斜坡补偿电路， 当电路工作于大占空比时， 避免了次谐波振荡的发生， 改善系统的稳定性。 同时电路内置有前沿消隐时间（Leading-edge blanking time） ，消除缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电 路的影响。SP5630 采用了抖频技术，并且在栅驱动电路中使用了软开关技术，能够有效改善系统的 EMI 性能。 SP5630 内置多种保护，包括逐周期过流保护（OCP） ，过载保护（OLP） ，过压保护（OVP） ，VDD 过 压箝位，欠压保护（UVLO）等。此外，电路的栅极驱动被箝位在最大 18V，防止损坏外置功率管。
六、产品信息
产品型号 5630 SP5630F SP5630P 封装 SOT23-6，无卤、无铅 SOP8，无铅 DIP8，无铅
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3 -3-
SP5630 高性能、低功耗开关电源控制芯片
七、IC 内部框图
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3 -4-
SP5630 高性能、低功耗开关电源控制芯片
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3 -2-
SP5630 高性能、低功耗开关电源控制芯片
四、极限参数
符号 VDD VDD 箝位电压 VDD 箝位电流 VFB VRI TSTORAGE TLEAD 描述 VDD 输入电压 VDD 齐纳管击穿电压 VDD 齐纳管反向击穿电流 FB 输入电压 RI 脚输入电压 存储温度范围 焊接温度 范围 30 34 10 -0.3~7 -0.3~7 -55 to 160 245（10S） 单位 V V mA V V ℃ ℃
符号 D E E1 e h L L1 θ
最小 4.70 5.80 3.70
典型 4.90 6.00 3.90 1.27BSC
最大 5.10 6.20 4.10
0.25 0.50
_ _ 1.05BSC
0.50 0.80
0
_
8°
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3 -9-
SP5630 高性能、低功耗开关电源控制芯片
SP5630F（SOP8）
单位：mm
符号 A A1 A2 A3 b b1 c c1
最小 _ 0.05 1.30 0.60 0.39 0.38 0.21 0.19
典型 _ _ 1.40 0.65 _ 0.41 _ 0.20
最大 1.75 0.15 1.50 0.70 0.48 0.43 0.26 0.21
注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数仅仅是工作条件的极 限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能 受到影响。
五、推荐工作条件
符号 VDD TA 描述 VDD 脚电压 工作环境温度 范围 10~25 -20~85 单位 V ℃
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3 -11-
SP5630 高性能、低功耗开关电源控制芯片
干扰。 SP5630 通过内部的图腾柱驱动结构、 适当的栅极驱动能力和死区时间控制， 对上述问题取得了很好的 平衡。通过这个专门设计的电路结构，可以更好地减小系统的损耗和改善系统 EMI 特性。在 GATE 脚内置 一个 18V 的箝位管，当 VDD 高于预设电平时，可以保护 GATE 脚及外部功率管。 保护功能 一个好的电源系统必须具有完善的保护功能，包括逐周期过流保护（OCP） 、过载保护（OLP） 、VDD 电压箝位以及欠压保护（UVLO） 。 SP5630 内置了限流点线电压补偿功能，通过专门设计的电路结构，电路的过流保护阈值随 PWM 占空 比变化，可以保证电路在全工作电压范围（85Vac~265Vac）内限流点恒定，也就保证了功率的恒定。 当过载发生时，FB 电压会上升至超过 VTH_PL（过载保护 FB 阈值） ，当 FB 电压维持在 VTH_PL 之上达 到 TD_PL（过载保护延迟时间） ，芯片的过载保护电路开始动作，芯片将会关断功率管，并且只有在下一次 重启后，电路才可以恢复正常工作。 当电路启动后，VDD 主要依靠变压器的辅助线圈来提供能量。当 VDD 电压超过内部齐纳管击穿电压 VDD_CLAMP 时，内部的稳压管会将 VDD 电位箝位，防止损坏电路。 当 VDD 电压下降至低于 VUVLO 时，芯片的欠压保护（UVLO）电路动作，将芯片关断，SP5630 重新 开始启动过程。
FOSC
6500 ( KHz ) RI ( K )
电流取样与前沿消隐 SP5630 采用电流模式 PWM 控制方式，提供逐周期限流保护。功率管电流由连接在 SENSE 脚上的取 样电阻探测。内部功率管刚打开时，缓冲网络中二极管的反向恢复电流和功率管漏源电容的放电电流在取 样电阻上会造成很高的电压尖峰，引起芯片的误判断，而 SP5630 在 SENSE 脚上设置有前沿消隐时间，可 以屏蔽这个尖峰对芯片的影响，因此 SENSE 脚的外部无需 RC 滤波网络。在前沿消隐时间内，限流比较器 不起作用，不能关闭功率管。芯片的 PWM 占空比由取样电阻上的电压与 FB 上的电压共同决定。 内部同步斜坡补偿 内建的同步斜坡补偿电路增加了电流取样脚上电压的斜率，可以确保当芯片工作在 CCM 模式下，尤 其是占空比大于 50%时环路的稳定性，避免次谐波振荡的出现。 功率管驱动 SP5630 的 GATE 脚连接至外部功率管的栅极，以此来控制外置功率管。对于一般的电源控制电路， 当栅极驱动能力不足时，会导致开关时更大的系统损耗，而当栅极驱动能力过强时，会导致很强的 EMI
二、应用范围
充电器 PDA、数码相机电源适配器 机顶盒电源 开放框架式开关电源
三、特点
应用于小于 40W 的方案 抖频功能，改善 EMI 性能 跳频功能，改善轻载效率，减小待机功耗 无噪声工作 工作频率可外部设置 内置同步斜坡补偿 低启动电流，低工作电流 内置前沿消隐(LEB)功能 过载保护（OLP） ，逐周期过流保护（OCP） 欠压保护（UVLO） ，VDD 电压箝位 栅驱动最大电平箝位 18V SOT23-6、SOP8、DIP8 无铅封装
九、电气参数
测试条件：TA=25℃，VDD=16V。 有特别说明除外。 符号 IDD_ST IOP VDD_ST VUVLO VOVP VDD_CLAMP VFB_OPEN IFB_SHORT VTH_0D VTH_PL TLEB ZSENSE_IN VTH_OC TD_OC FOSC DMAX FBURST ΔFOSC RIRANGE VRI_OPEN VOL VOH Tr Tf 启动电流 工作电流 启动电压 欠压保护 过压保护 VDD 箝位电压 FB 开环电压 FB 短路电流 零占空比 FB 阈值 过载保护 FB 阈值 前沿消隐时间 SENSE 脚输入阻抗 SENSE 脚过流保护阈值 过流保护延迟时间 振荡频率 最大占空比 跳频频率 抖频范围 RI 取值范围 RI 脚开环电压 GATE 输出低电平 GATE 输出高电平 GATE 输出上升时间 GATE 输出下降时间 VDD=16V，IO=-20mA VDD=16V，IO=20mA VDD=16V，CLOAD=1nF VDD=16V，CLOAD=1nF 10 220 70 RI=100KΩ -3 50 100 2 0.8 VDD=16V ，RI=100KΩ，SENSE 脚上升至关断功率管 VDD=16V ，VFB=3.0V， VCS> VTH_OC，RI=100KΩ VDD=16V ，VFB=3.0V，VCS=0V， RI=100KΩ VDD=16V ，VFB=3.0V，VCS=0V， RI=100KΩ 60 0.70 描述 条件 VDD=12.5V，RI=100KΩ，测试 VDD 端电流 VDD=16V ，VFB=3V，RI=100KΩ VDD 上升至 IC 工作 VDD 下降至 IC 关闭 VDD 上升至功率管关闭 IDD=10mA VDD=16V VDD=16V，FB 短路到地电流 VDD=16V，RI=100KΩ，FB 下降至 关断功率管 VDD=16V，RI=100KΩ，FB 下降至 关断功率管 VDD=16V，RI=100KΩ，FB 上升至 关断功率管 3.7 300 40 0.75 75 65 75 22 3 150 70 0.80 13 7.8 26.5 范围 最小 典型 3 1.4 14 8.8 27.5 33 4.8 1.2 0.75 15 9.8 28.5 最大 20 单位 uA mA V V V V V mA V V nS KΩ V nS KHz % KHz % KΩ V V V nS nS
最小 0.04 1.00 0.55 2.72 2.60 1.40
典型 1.10 0.65 2.92 2.80 1.60 0.95BSC 1.90BSC -
最大 1.35 0.15 1.20 0.75 3.12 3.0 1.80
0.30 0
0.60 8°
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3 -8-
SP5630 高性能、低功耗开关电源控制芯片
SP5630P（DIP8）
单位：mm
符号 A B C D F G J K L M N
最小 9.05 6.15 3.6 0.44
合集下载
SP5623_V2.3_CN-
符号
描述
IDD_ST
启动电流
IOP VDD_ST VUVLO VOVP VDD_CLAMP VFB_OPEN IFB_SHORT
工作电流 启动电压 欠压保护 过压保护 VDD 箝位电压 FB 开环电压 FB 短路电流
VTH_0D
零占空比 FB 阈值
TLEB ZSENSE_IN
前沿消隐时间 SENSE 脚输入阻抗
KHz %
KHz % Ω
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3
-6-
十一、典型应用
SP5623 高性能、低功耗开关电源控制芯片
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3
-7-
十二、封装外形 SOP8
SP5623 高性能、低功耗开关电源控制芯片
单位：mm
符号 A A1 A2 A3 b b1 c c1
最小 _
VDD 下降至 IC 关闭
8.7
IDD=10mA
VDD=16V
5.4
VDD=16V，FB 短路到地电流
VDD=16V,VCS=0V,FB 下降至
关断功率管
VDD=16V ,VFB=3V，SENSE 脚 0.72
上升至关断功率管
从过流保护至功率管开始关
断的延迟时间
VDD=16V ,VFB=3V,VCS=0V
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V 2.3
-11-
一个好的电源系统必须具有完善的保护功能，包括逐周期限流保护（OCP）、过载保护（OLP）、过压 保护（OVP）、VDD 电压箝位以及欠压保护（UVLO）。
SP5623 内置了限流点线电压补偿功能，通过专门设计的电路结构，可以保证电路在全工作电压范围
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开关电源IC芯片
QR控制芯片系列：RM6401S、RM6401D ；PFC+QR+PWM控制芯片系列：RM6901S、RM6901D
chiplink-semi南京芯联系列开关电源驱动芯片
AC/DC PSR：CL1132 、CL1128、CL1101、CL1100；PSR+MOS:CL1129、CL1112、CL1107、CL1103 ；PFC：CL6562； Flyback with MOSFET ：CL1152；Flyback：CL1156、CL1160 、CL1158
AC/DC PWM Power Switch：SF1532、SF1533、SF1536、SF1537、SF1538、SF1539、SF1539HT、SF1548、SF1549、SF5582H、SF5582、SF5590；
原边反馈控制器/功率开关IC：SFL628、SFL629、SFL900、SF5920S、SF5920、SF5922、SF5922T、SF5922S、SF5922SV、SF5926SV、SF5926、SF5928SV、SF5928S、SF5928、SF6010L、SF6010F、SF6018、SF6040、SF6070、SF6072、SF6771、SF6772、SF6778、SF6781、SF6782、SF6788
Voltage Mode PWM Controller：AZ494A、AZ494C、AZ7500B、AZ7500C、AZ7500E、AZ7500F
Green Mode PWM Controller：AP3101、AP3102/AP3102V/AP3102L、AP3103、AP3105/AP3105V/AP3105L/AP3105R、AP3106、AP3105/AP3105H；AP3700、AP3700A、AP3700E、AP3710
chiplink-semi南京芯联系列开关电源驱动芯片
AC/DC PSR：CL1132 、CL1128、CL1101、CL1100；PSR+MOS:CL1129、CL1112、CL1107、CL1103 ；PFC：CL6562； Flyback with MOSFET ：CL1152；Flyback：CL1156、CL1160 、CL1158
AC/DC PWM Power Switch：SF1532、SF1533、SF1536、SF1537、SF1538、SF1539、SF1539HT、SF1548、SF1549、SF5582H、SF5582、SF5590；
原边反馈控制器/功率开关IC：SFL628、SFL629、SFL900、SF5920S、SF5920、SF5922、SF5922T、SF5922S、SF5922SV、SF5926SV、SF5926、SF5928SV、SF5928S、SF5928、SF6010L、SF6010F、SF6018、SF6040、SF6070、SF6072、SF6771、SF6772、SF6778、SF6781、SF6782、SF6788
Voltage Mode PWM Controller：AZ494A、AZ494C、AZ7500B、AZ7500C、AZ7500E、AZ7500F
Green Mode PWM Controller：AP3101、AP3102/AP3102V/AP3102L、AP3103、AP3105/AP3105V/AP3105L/AP3105R、AP3106、AP3105/AP3105H；AP3700、AP3700A、AP3700E、AP3710
PBSS5630PA,115;中文规格书,Datasheet资料
[1] [2] [3] [4]
Min -
Typ -
Max 250 125 90 60
Unit K/W K/W K/W K/W
[1] [2] [3] [4]
PBSS5630PA_1
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint. Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm2. Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 6 cm2. Device mounted on a ceramic PCB, Al2O3, standard footprint.
4. Marking
Table 4. Marking codes Marking code AB Type number PBSS5630PA
5. Limiting values
Table 5. Limiting values In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Symbol VCBO VCEO VEBO IC ICM IB Ptot Parameter collector-base voltage collector-emitter voltage emitter-base voltage collector current peak collector current base current total power dissipation Tamb 25 C
Min -
Typ -
Max 250 125 90 60
Unit K/W K/W K/W K/W
[1] [2] [3] [4]
PBSS5630PA_1
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint. Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm2. Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 6 cm2. Device mounted on a ceramic PCB, Al2O3, standard footprint.
4. Marking
Table 4. Marking codes Marking code AB Type number PBSS5630PA
5. Limiting values
Table 5. Limiting values In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Symbol VCBO VCEO VEBO IC ICM IB Ptot Parameter collector-base voltage collector-emitter voltage emitter-base voltage collector current peak collector current base current total power dissipation Tamb 25 C
三星5630二代灯珠规格书
W1, W2, W3, W4, W5, W6, W7, W8, W9, WA, WB, WC, WD, WE, WF, WG
W5, W6, W7, W8, W9, WA, WB, WC
W6, W7, WA, WB
V1, V2, V3, V4, V5, V6, V7, V8, V9, VA, VB, VC, VD, VE, VF, VG
SAMSUNG ELECTRONICS
95, Samsung2-Ro, Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do 446-711, KOREA
1 / 48
Contents
1. Product Code Information 2. Characteristics 3. Typical Characteristics Graph 4. Outline Drawing & Dimension 5. Reliability Test Items & Conditions 6. Solder Conditions 7. Tape & Reel 8. Label Structure 9. Packing Structure 10. Precaution For Use 11. Hazard Substance Analysis Report Revision History
Q1, Q2, Q3, Q4, Q5 Q6, Q7, Q8, Q9, QA
Q1, Q2, Q3, Q4, Q5, Q6
P1, P2, P3, P4, P5 P6, P7, P8, P9, PA
P1, P2, P3, P4, P5, P6
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2) Chromaticity Region & Coordinates
Nokia_5630xm使用说明书
取出存储卡
.................................................................. 10
为电池充电
..................................................................... 10
LLC. See <>.
本产品已取得 MPEG-4 Visual Patent Portfolio License 的许可证授权，因此
(i) 当涉及由从事个人及非商业活动的用户以符合 MPEG-4视频标准的编码
方式编码的信息时，可将本产品用于相关的个人及非商业用途，且 (ii) 当
in a personal and noncommercial activity and (ii) for use in connection with
MPEG-4 video provided by a licensed video provider. No license is granted or
支持
................................................................ 8
帮助................................................................................... 8
PIN码........................................................................... 16
PUK码
......................................................................... 17
Nokia 5630 用戶指南
本產品包括獲 Symbian Software Ltd © 1998-2009 許可 的軟件。Symbian 及 Symbian OS 是 Symbian Ltd 的商 標。 美國專利號碼5818437，其他專利正在申請中。T9 文字輸入軟件 Copyright © 1997-2009。Tegic Communications, Inc. 版權所有。
離線操作模式............................................................ 16 指示符號....................................................................... 17
圖示............................................................................ 17
如您使用這些應用程式，表示您清楚知道應用程式以 「現有形式」提供， 不論明示或暗示及在法律覆蓋範圍下均沒有保證。您亦清楚無論諾基亞及 其附屬機構均沒有發表任何陳述或保證，不論明示或暗示，包括但不限於 標題的保證、能切合特定目的或達致特定目的的經營能力，或應用程式不 會侵犯第三者的專利、版權、商標或其他權利。
您的裝置 ..................................................... 15
按鍵及部件................................................................... 15 待機模式和主螢幕....................................................... 16
離線操作模式............................................................ 16 指示符號....................................................................... 17
圖示............................................................................ 17
如您使用這些應用程式，表示您清楚知道應用程式以 「現有形式」提供， 不論明示或暗示及在法律覆蓋範圍下均沒有保證。您亦清楚無論諾基亞及 其附屬機構均沒有發表任何陳述或保證，不論明示或暗示，包括但不限於 標題的保證、能切合特定目的或達致特定目的的經營能力，或應用程式不 會侵犯第三者的專利、版權、商標或其他權利。
您的裝置 ..................................................... 15
按鍵及部件................................................................... 15 待機模式和主螢幕....................................................... 16
三星GT-S5630s说明书
网址中国印刷编码：GH68-24083A 中文 08/2009 版本 1.1GT-S5630C 使用说明书使用本说明书感谢您购买三星手机。
本手机基于三星高科技和高标准，为您提供高品质的移动沟通和娱乐。
本使用说明书专门用于指导您使用手机的功能。
如欲迅速使用手机，请参阅“手机简介”、“手机的安装和准备”以及“使用基本功能”。
•使用手机之前，请先仔细阅读本使用说明书，以确保安全和正确使用。
•本使用说明书中的描述基于手机的默认设置。
指示图标在开始使用前，请先熟悉本使用说明书中的图标：警告-可能伤及自己或他人。
小心-可能损坏手机或其它设备。
注意-注释、使用提示或附加信息。
X参阅-具有相关信息的页面。
例如：X第 12 页（表示“参阅第 12 页”）。
警告小心ii使用本说明书iii版权信息本手机所采用的全部技术和产品的所有权归各自的所有人所有：•Bluetooth ® 是全球各地 Bluetooth SIG 公司的注册商标——蓝牙 QD ID ： B015423。
•Windows Media Player ® 是 MicrosoftCorporation 的注册商标。
→下一步-为执行步骤必须选择的选项或功能表的次序。
例如：在功能表模式下，选择信息 → 新建信息（表示信息，下一步新建信息）。
[]方括号-手机按键。
例如：[]（表示电源开/关/结束键）。
iv目录安全和使用信息 (2)安全警告 .......................................2安全注意事项 ..................................4重要使用信息 . (6)手机简介 .....................................10配件介绍 .....................................10手机部位图 ..................................11按键 ...........................................12图标 ...........................................12手机的安装和准备 ..........................14安装 SIM 或 USIM 卡以及电池 ..........14电池充电 .....................................16插入存储卡（选配） .. (17)使用基本功能 ................................18开机和关机 ..................................18使用触摸屏 ..................................19使用功能表 . (19)目录v切换应用程序 .................................20使用小组件 ...................................20自定义手机 ...................................21使用基本通话功能 ...........................22发送和查看信息 ..............................23添加和查找联系人 ...........................27使用基本照相机功能 ........................28收听音乐 ......................................29浏览 WAP ....................................30使用中国移动通信服务 . (31)使用高级功能 ...............................34使用高级通话功能 ...........................34使用高级电话簿功能 ........................37使用高级信息功能 ...........................38使用高级照相机功能 ........................39使用高级音乐功能 (41)使用工具和应用程序 .......................44使用蓝牙无线功能 (44)启动手机追踪 .................................46录制和播放语音备忘录 ......................46编辑图片 ......................................47打印图片 ......................................49创建和查看世界时间 ........................49设定和使用闹钟 ..............................50使用计算器 ...................................51货币或测量单位换算 ........................51设定倒计时计时器 ...........................51使用秒表 ......................................51新建任务 ......................................52创建文本备忘录 ..............................52管理日历 .. (52)功能表功能概述 ...............................a 故障排除 .......................................b安全和使用信息请遵守下列注意事项，以免出现危险或非法情况，并确保手机性能最佳。
DSP56300中文资料
Freescale Semiconductor, Inc...
Silicon Errata Errata Number Errata Description Description (added 8/16/2001): Some K30A devices shipped under an XC part number are subject to a problem if operated in DMA mode 5. The problem occurs if two consecutive host commands are sent to the DSP. The second host command is received, the corresponding answer message is composed, and the DMA channel is set up correctly to transmit the message to the host. However, the message is never sent. The host port status register shows a host transmit data request (bit HTRQ in HSTR is set.) DTDn is never set, indicating there has been no terminated transfer. Sequences of: 1. data, 2. host command to terminate the transfer, and 3. acknowledgement from the host work properly and can be repeated as often as needed. If a second host command is sent to the DSP, without first sending data, the DMA channel locks up. This problem has proven to be low level to date, occurring at a rate of about 350 ppm. The product’s performance regarding this issue does not drift over time; that is, it is noห้องสมุดไป่ตู้ a reliability risk. The problem can also be manifested in other modes when more than one DMA channel is operating, with two or more channels moving data while one is servicing the PCI FIFO. In this case, the channel servicing the PCI FIFO stalls and the PCI bus enters an endless state of retries. Applies to Mask 2K30A
SP5623_V2.3_CN中文
一个好的电源系统必须具有完善的保护功能，包括逐周期限流保护（OCP）、过载保护（OLP）、过压 保护（OVP）、VDD 电压箝位以及欠压保护（UVLO）。
SP5623 内置了限流点线电压补偿功能，通过专门设计的电路结构，可以保证电路在全工作电压范围
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3
-10-
SP5623 高性能、低功耗开关电源控制芯片
（85Vac~265Vac）内限流点恒定，也就保证了功率的恒定。 当过载发生时，FB 电压会上升至超过 VTH_PL（过载保护 FB 阈值），当 FB 电压维持在 VTH_PL 之上达
到 TD_PL（过载保护延迟时间），芯片的过载保护电路开始动作，芯片将会关断功率管，并且只有在下一次 重启后，电路才可以恢复正常工作。
SP5623 的开关频率由内部设置为 50KHz。外部无需元件来设置工作频率。 电流取样与前沿消隐
SP5623 采用电流模式 PWM 控制方式，提供逐周期限流保护。功率管电流由连接在 SENSE 脚上的取 样电阻探测。内部功率管刚打开时，缓冲网络中二极管的反向恢复电流和功率管漏源电容的放电电流在取 样电阻上会造成很高的电压尖峰，引起芯片的误判断，而 SP5623 在 SENSE 脚上设置有 270ns 的前沿消隐 时间，可以屏蔽这个尖峰对芯片的影响，因此 SENSE 脚的外部无需 RC 滤波网络。在前沿消隐时间内，限 流比较器不起作用，不能关闭功率管。芯片的 PWM 占空比由取样电阻上的电压与 FB 上的电压共同决定。 内部同步斜坡补偿
VTH_OC
SENSE 脚过流保护阈值
TD_OC
FOSC DMAX FBURST ΔFOSC RDS(ON)
过流保护延迟时间
振荡频率 最大占空比 跳频频率 抖频范围 功率管导通电阻
SP5623 内置了限流点线电压补偿功能，通过专门设计的电路结构，可以保证电路在全工作电压范围
无锡硅动力微电子股份有限公司
V 2.3
-10-
SP5623 高性能、低功耗开关电源控制芯片
（85Vac~265Vac）内限流点恒定，也就保证了功率的恒定。 当过载发生时，FB 电压会上升至超过 VTH_PL（过载保护 FB 阈值），当 FB 电压维持在 VTH_PL 之上达
到 TD_PL（过载保护延迟时间），芯片的过载保护电路开始动作，芯片将会关断功率管，并且只有在下一次 重启后，电路才可以恢复正常工作。
SP5623 的开关频率由内部设置为 50KHz。外部无需元件来设置工作频率。 电流取样与前沿消隐
SP5623 采用电流模式 PWM 控制方式，提供逐周期限流保护。功率管电流由连接在 SENSE 脚上的取 样电阻探测。内部功率管刚打开时，缓冲网络中二极管的反向恢复电流和功率管漏源电容的放电电流在取 样电阻上会造成很高的电压尖峰，引起芯片的误判断，而 SP5623 在 SENSE 脚上设置有 270ns 的前沿消隐 时间，可以屏蔽这个尖峰对芯片的影响，因此 SENSE 脚的外部无需 RC 滤波网络。在前沿消隐时间内，限 流比较器不起作用，不能关闭功率管。芯片的 PWM 占空比由取样电阻上的电压与 FB 上的电压共同决定。 内部同步斜坡补偿
VTH_OC
SENSE 脚过流保护阈值
TD_OC
FOSC DMAX FBURST ΔFOSC RDS(ON)
过流保护延迟时间
振荡频率 最大占空比 跳频频率 抖频范围 功率管导通电阻
sp 中文资料说明书
15 R1OUT 10 R2OUT
1 EN
R1IN 16 5k
R2IN 9 5k
SHDN 20
GND *
18
RS-232 VCC 或 GND
图 6 SP3222E 典型工作电路
6
图 7 SP3232E 典型工作电路
描述
SP3222E/3232E 接收器满足 EIA/TIA-232 和 V.28/V.24 通信协议，能应用于用电池供电，便携的手持式 设备（如笔记本或掌上型电脑）。SP3222E/3232E 器件都包含 Sipex 系列特有的片内电荷泵电路，可从+3.0V～ +5.5V 的电源电压产生 2×Vcc 的 RS-232 电压电平。该系列适用于+3.3V 系统，混合的+3.3V～+5.5V 系统 或需要 RS-232 性能的+5.0V 系统。SP3220E 器件的驱动器满载工作时典型的数据速率为 235Kbps。
10KHz
40
35
30
25
20
15
10
5
图3
0
0
500
1000
1500
2000
2330
负载电容 [pF]
SP3220E 传输数据时的电源电流和负载电容
4
表 1 器件管脚描述
管脚号
管脚名
用途
SP3222E DIP/SO SSOP/
TSSO
SP3232E
P
EN
接收器使能控制。正常工作模式下管脚为低电平。该管脚
Vcc…………………………………………………………………………………………………-0.3V~+6.0V V+(注释 1)…………………………………………………………………………………………-0.3V~+7.0V V-（注释 1）………………………………………………………………………………………. +0.3V~-7.0V V++|V-|(注释 1)…………………………………………………..………………………………………….13V ICC(DCVCC 或 GND 电流)………………………….…………………………………………………±100mA 输入电压