三极管等

《1》、三极管开关原理与场效应管开关原理(看过就全懂了）BJT的开关工作原理：形象记忆法：对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。

它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。

但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。

假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。

小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。

所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。

如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。

在这里，Ube就是小水流，Uce就是大水流，人就是输入信号。

当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。

如果水流处于可调节的状态，这种情况就是三极管中的线性放大区。

如果那个小的阀门开启的还不够，不能打开大阀门，这种情况就是三极管中的截止区。

如果小的阀门开启的太大了，以至于大阀门里放出的水流已经到了它极限的流量，这种情况就是三极管中的饱和区。

但是你关小小阀门的话，可以让三极管工作状态从饱和区返回到线性区。

如果有水流存在一个水库中，水位太高（相应与Uce太大），导致不开阀门江水就自己冲开了，这就是二极管的反向击穿。

PN 结的击穿又有热击穿和电击穿。

当反向电流和反向电压的乘积超过PN结容许的耗散功率，直至PN结过热而烧毁，这种现象就是热击穿。

电击穿的过程是可逆的，当加在PN结两端的反向电压降低后，管子仍可以恢复原来的状态。

电击穿又分为雪崩击穿和齐纳击穿两类，一般两种击穿同时存在。

电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主。

电压在5－6V之间的稳压管，两种击穿程度相近，温度系数最好，这就是为什么许多电路使用5－6V稳压管的原因。

在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。

没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候，也会有功耗。

而在数字电路中，阀门则处于开或是关两个状态。

当不工作的时候，阀门是完全关闭的，没有功耗。

比如用单片机外界三极管驱动数码管时，确实会对单片机管脚输出电流进行一定程度的放大，从而使电流足够大到可以驱动数码管。

但此时三极管并不工作在其特性曲线的放大区，而是工作在开关状态（饱和区）。

当单片机管脚没有输出时，三极管工作在截止区，输出电流约等于0。

在制造三极管时，要把发射区的N型半导体电子浓度做的很大，基区P型半导体做的很薄，当基极的电压大于发射极电压（硅管要大0.7V，锗管要大0.3V）而小于集电极电压时，这时发射区的电子进入基区，进行复合，形成Ie；但由于发射区的电子浓度很大，基区又很薄，电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的N型半导体里，形成Ic；基区的空穴被复合后，基极的电压又会进行补给，形成Ib。

理论记忆法：当BJT的发射结和集电结均为反向偏置（VBE＜0，VBC＜0），只有很小的反向漏电流IEBO和ICBO分别流过两个结，故iB≈ 0，iC≈ 0，VCE ≈ V CC，对应于下图中的Ａ点。

这时集电极回路中的c、e极之间近似于开路，相当于开关断开一样。

BJT的这种工作状态称为截止。

当发射结和集电结均为正向偏置（VBE＞0，VBC＞0）时，调节RB，使IB=VCC / RC，则BJT工作在上图中的C点，集电极电流iC已接近于最大值VCC / RC，由于iC受到RC 的限制，它已不可能像放大区那样随着iB的增加而成比例地增加了，此时集电极电流达到饱和，对应的基极电流称为基极临界饱和电流IBS（），而集电极电流称为集电极饱和电流ICS（VCC / RC）。

此后，如果再增加基极电流，则饱和程度加深，但集电极电流基本上保持在ICS不再增加，集电极电压VCE=VCC-ICSRC=VCES=2.0-0.3V。

这个电压称为BJT的饱和压降，它也基本上不随iB增加而改变。

由于VCES很小，集电极回路中的c、e极之间近似于短路，相当于开关闭合一样。

BJT的这种工作状态称为饱和。

由于BJT饱和后管压降均为0.3V，而发射结偏压为0.7V，因此饱和后集电结为正向偏置，即BJT 饱和时集电结和发射结均处于正向偏置，这是判断BJT工作在饱和状态的重要依据。

下图示出了ＮＰＮ型BJT饱和时各电极电压的典型数据。

由此可见BJT相当于一个由基极电流所控制的无触点开关。

三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的电流Ib （偏流），随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变。

BJT截止时相当于开关“断开”，而饱和时相当于开关“闭合”。

ＮＰＮ型BJT截止、放大、饱和三种工作状态的特点列于下表中。

结型场效应管（N沟道JFET）工作原理：可将N沟道JFET看作带“人工智能开关”的水龙头。

这就有三部分：进水、人工智能开关、出水，可以分别看成是JFET 的 d极、g 极、s极。

“人工”体现了开关的“控制”作用即vGS。

JFET工作时，在栅极与源极之间需加一负电压（vGS<0），使栅极、沟道间的PN结反偏，栅极电流iG≈0，场效应管呈现高达107Ω以上的输入电阻。

在漏极与源极之间加一正电压（vDS>0），使N沟道中的多数载流子（电子）在电场作用下由源极向漏极运动，形成电流iD。

iD的大小受“人工开关”vGS的控制，vGS由零往负向增大时，PN 结的耗尽层将加宽，导电沟道变窄，vGS绝对值越大则人工开关越接近于关上，流出的水（iD）肯定越来越小了，当你把开关关到一定程度的时候水就不流了。

“智能”体现了开关的“影响”作用，当水龙头两端压力差（vDS）越大时，则人工开关自动智能“生长”。

vDS值越大则人工开关生长越快，流水沟道越接近于关上，流出的水（iD）肯定越小了，当人工开关生长到一定程度的时候水也就不流了。

理论上，随着vDS逐渐增加，一方面沟道电场强度加大，有利于漏极电流iD增加；另一方面，有了vDS，就在由源极经沟道到漏极组成的N 型半导体区域中，产生了一个沿沟道的电位梯度。

由于N沟道的电位从源端到漏端是逐渐升高的，所以在从源端到漏端的不同位置上，漏极与沟道之间的电位差是不相等的，离源极越远，电位差越大，加到该处PN结的反向电压也越大，耗尽层也越向N型半导体中心扩展，使靠近漏极处的导电沟道比靠近源极要窄，导电沟道呈楔形。

所以形象地比喻为当水龙头两端压力差（vDS）越大，则人工开关自动智能“生长”。

当开关第一次相碰时，就是预夹断状态，预夹断之后id趋于饱和。

当vGS>0时，将使PN结处于正向偏置而产生较大的栅流，破坏了它对漏极电流iD的控制作用，即将人工开关拔出来，在开关处又加了一根进水水管，对水龙头就没有控制作用了。

绝缘栅场效应管(N沟道增强型MOSFET)工作原理：可将N沟道MOSFET看作带“人工智能开关”的水龙头。

相对应情况同JFET。

与JFET 不同的的是，MOSFET刚开始人工开关是关着的，水流流不出来。

当在栅源之间加vGS>0，N型感生沟道（反型层）产生后，人工开关逐渐打开，水流（iD）也就越来越大。

iD的大小受“人工开关”vGS的控制，vGS由零往正向增大时，则栅极和P型硅片相当于以二氧化硅为介质的平板电容器，在正的栅源电压作用下，介质中便产生了一个垂直于半导体表面的由栅极指向P型衬底的电场，这个电场排斥空穴而吸引电子，P型衬底中的少子电子被吸引到衬底表面，这些电子在栅极附近的P型硅表面便形成了一个N型薄层，即导通源极和漏极间的N型导电沟道。

栅源电压vGS越大则半导体表面的电场就越强，吸引到P型硅表面的电子就越多，感生沟道将越厚，沟道电阻将越小。

相当于人工开关越接近于打开，流出的水（iD）肯定越来越多了，当你把开关开到一定程度的时候水流就达到最大了。

MOSFET的“智能”性与JFET 原理相同，参上。

绝缘栅场效应管(N沟道耗尽型MOSFET)工作原理：基本上与N沟道JFET一样，只是当vGS>0时，N沟道耗尽型MOSFET由于绝缘层的存在，并不会产生PN结的正向电流，而是在沟道中感应出更多的负电荷，使人工智能开关的控制作用更明显。

《2》、三极管放大原理正解随着科学技的发展，电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。

晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件，其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点。

三极管原理的关键是要说明以下三点:1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic，这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。

2、放大状态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关；即：Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。

虽然基区较薄，但只要Ib为零，则Ic即为零。

3、饱和状态下，Vc电位很弱的情况下，仍然会有反向大电流Ic的产生。

很多教科书对于这部分内容，在讲解方法上处理得并不适当。

特别是针对初、中级学者的普及性教科书，大多采用了回避的方法，只给出结论却不讲原因。

即使专业性很强的教科书，采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题。

这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当，使讲解内容前后矛盾，甚至造成讲还不如不讲的效果，使初学者看后容易产生一头雾水的感觉。

笔者根据多年的总结思考与教学实践，对于这部分内容摸索出了一个适合于自己教学的新讲解方法，并通过具体的教学实践收到了一定效果。

虽然新的讲解方法肯定会有所欠缺，但本人还是怀着与同行共同探讨的愿望不揣冒昧把它写出来，以期能通过同行朋友的批评指正来加以完善。

一、传统讲法及问题：传统讲法一般分三步，以NPN型为例（以下所有讨论皆以NPN型硅管为例），如示意图A。

1.发射区向基区注入电子；2.电子在基区的扩散与复合；3.集电区收集由基区扩散过来的电子。

”（注1）问题1：这种讲解方法在第3步中，讲解集电极电流Ic的形成原因时，不是着重地从载流子的性质方面说明集电结的反偏导通，从而产生了Ic，而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用，同时又强调基区的薄。

这种强调很容易使人产生误解。

以为只要Vc足够大基区足够薄，集电结就可以反向导通，PN结的单向导电性就会失效。

其实这正好与三极管的电流放大原理相矛盾。

三极管的电流放大原理恰恰要求在放大状态下Ic与Vc在数量上必须无关，Ic只能受控于Ib。

问题2：不能很好地说明三极管的饱和状态。

当三极管工作在饱和区时，Vc的值很小甚至还会低于Vb，此时仍然出现了很大的反向饱和电流Ic，也就是说在Vc很小时，集电结仍然会出现反向导通的现象。

这很明显地与强调Vc的高电位作用相矛盾。