三极管分类

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三极管分类

三极管分类
图3常见大功率三极管的外形
4.贴片式三极管的外形及特点
采用表面贴装技术SMT(Surface MountedTechnology)的三极管称为贴片式三极管。贴片式三极管有三个引脚的,也有四个引脚的。在四个引脚的三极管中,比较大的一个引脚是集电极,两个相通引脚是发射极,余下的一个引脚是基极。常见贴片式三极管的外形如图4所示。
1、电流放大:
三极管是一个电流控制器件,它用基极电流IB来控制集电极电流IC和发射极电流IE,没有IB就没有IC和IE,只要有一个很小的IB,就有一个很大的IC。在放大电路中,就是利用三极管的这一特性来放大信号的。
2、开关作用:
当三极管做开关时,工作在截止、饱和两个状态。
在三极管开关电路中,三极管的集电极和发射极之间相当于一个开关,当三极管截止时它的集电极和发射之间的内阻很大,相当于开关的断开状态;当三极管饱和时它的集电极和发射极之间内阻很小,相当于开关的接通状态。
贴片三极管测量:
正视,两脚左下脚为b极(基极),测量方法同上
2、好坏判断
按以上方法测量时两组读数在300--800为正常,如果有一组数值不正常三极管为坏,如果两组数值相差不大说明三极管性变劣。
测量ce两脚,如果读数为0,说明三极管ce之间短路或击穿,如果读数为1,说明三极管ce之间开路。
七、三极管的代换原则(只适合主板)
导通状态的工作条件:UB>UE,且UBE≥0.7V,CE结内阻很小,此时电流可以从集电极经CE结流向发射极。
截止状态的工作条件:UBE<0.7V,时,也就是基极没有电流时,CE结内阻很大,此时CE结没有电流流过。
硅三极管和锗三极管的导通、截止电压也是不同的:
硅三极管:导通电压UBE>0.7V,截止电压UBE<0.7V。

三极管种类

三极管种类

晶体三极管的电流放大作用
晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
半导体电子器件,有两个PN结组成,可以对电流起放大作用,有3个引脚,分别为集电极(c),基极(b),发射极(e).有PNP和NPN型两种,以材料分有硅材料和锗材料两种。
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三极管类型的判别: 三极管只有两种类型,即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。当用多用电表R×1k挡时,黑表笔代表电源正极,如果黑表笔接基极时导通,则说明三极管的基极为P型材料,三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导通,则说明三极管基极为N型材料,三极管即为PNP型。
三极管的封装形式和管脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律,
底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。

第二章半导体三极管与分立元件放大电路

第二章半导体三极管与分立元件放大电路
IE=IB+IC
IC IB
IE(1)IB
三、三极管的电流放大作用
(1)三极管的电流放大作用就是基极电流IB的微小变化控 制了集电极电流IC较大的变化。
(2)三极管放大电流时,被放大的IC是由电源VCC提供 的,并不是三极管自身生成的,放大的实质是小信号对大信 号的控制作用。
(3)三极管是一种电流控制器件。
UB
Rb 2V CC Rb1 Rb2
若电路满足I1≥(5~10)IB,UB≥(5~10)UBE由上式可知, UB由Rb1、Rb2分压而定,与温度变化基本无关。
如果温度升高使IC增大,则IE增大,发射极电位UE=IERe升 高,结果使UBE=UB-UE减小,IB相应减小,从而限制了IC的增 大,使IC基本保持不变。上述稳定工作点的过程可表示为
这个值时,放大性能下降或损坏管子。
(2)反向击穿电压(Reverse breakdown voltage) U(BR)CBO : 发射极开路时,集电极-基极之间允许施加的最高 反向电压,超过此值,集电结发生反向击穿。 U(BR)EBO : 集电极开路时,发射极-基极之间允许施加的最高反 向电压。 U(BR)CEO:基极开路时,集电极与发射极之间所能承受的最高反 向电压。为可靠工作,使用时VCC取U(BR)CEO的1/2或2/3。在输出特 性曲线中,iB=0的曲线开始急剧上翘所对应的电压即为U(BR)CEO , 其值比U(BR)CBO小。T↑,U(BR)↓。
图(b)的电路,由于C1的隔断直流作用,VCC不能通过Rb 使管子的发射结正偏即发射结零偏,因此三极管不工作在放大 区,无放大作用。
2.2.4 共射基本电路的静态工作点
一般,三极管的UBE可视为已知量,硅管│UBE│取0.7V, 锗管│UBE│取0.2V,VCC>>UBE。

三极管规格书

三极管规格书

三极管规格书摘要:1.三极管概述2.三极管的分类3.三极管的主要参数4.三极管的结构和工作原理5.三极管的应用领域正文:一、三极管概述三极管,又称双极型晶体管(BJT),是一种常见的半导体器件。

它具有放大和开关等功能,被广泛应用于放大器、振荡器、脉冲发生器等电子电路中。

根据电流放大系数不同,三极管可以分为两类:NPN 型和PNP 型。

二、三极管的分类1.按照结构分类,三极管可以分为三极管晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。

2.按照材料分类,三极管可以分为硅晶体管和锗晶体管。

3.按照电流放大系数分类,三极管可以分为NPN 型和PNP 型。

三、三极管的主要参数1.电流放大系数:三极管的电流放大系数是指在输入端施加微小信号时,输出端电流与输入端电流之比。

2.截止区:三极管的截止区是指当输入端电流为零时,输出端电流也等于零的区域。

3.放大区:三极管的放大区是指当输入端施加正向电压时,输出端电流正向增大的区域。

4.饱和区:三极管的饱和区是指当输入端施加足够大的正向电压时,输出端电流不再随输入端电压增大而增大的区域。

四、三极管的结构和工作原理三极管主要由三个区域组成:发射区、基区和集电区。

发射区和集电区由P 型半导体制成,基区由N 型半导体制成。

当在发射区施加正向电压时,电子和空穴分别从发射区和基区注入,形成电流。

这个电流经过基区后,再流入集电区,从而实现信号的放大。

五、三极管的应用领域1.信号放大:三极管在信号放大器中具有广泛应用,可以实现微小信号的放大。

2.开关控制:由于三极管具有高速开关特性,所以在脉冲电路、振荡器和开关电源等领域具有重要应用。

3.振荡和脉冲发生:三极管可以用于制作振荡器和脉冲发生器,实现特定频率的信号产生。

概述三极管的分类、符号、识别和检测方法等内容

概述三极管的分类、符号、识别和检测方法等内容

概述三极管的分类、符号、识别和检测方法等内容三极管是一种重要的电子元件,广泛应用于各种电子设备中。

它是由三个掺杂不同材料的半导体层组成的,具有放大电流、开关控制等功能。

根据不同的工作原理和结构,三极管可以分为晶体管、双极型三极管、场效应管等几种类型。

本文将对三极管的分类、符号、识别和检测方法等内容进行详细介绍。

一、三极管的分类1. 晶体管晶体管是最早被发明的一种三极管,通常由P型半导体和N型半导体组成。

晶体管分为NPN型和PNP型两种,其中NPN型的结构是先N材料后P材料,PNP型的结构则是先P材料后N材料。

晶体管主要用于放大电路中,可以通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流。

2. 双极型三极管双极型三极管是一种特殊的晶体管,其结构和工作原理与晶体管类似,但是其基极、发射极和集电极之间的结构略有不同。

双极型三极管主要包括晶体管、功率三极管、双极锁相环等几种类型,广泛应用于各种机电设备中。

3. 场效应管场效应管是一种应用最为广泛的三极管,其结构包括栅极、漏极和源极三个部分。

场效应管主要包括MOS场效应管、JFET场效应管等几种类型,其工作原理是通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流。

以上是三极管的主要分类,不同类型的三极管在电子设备中具有不同的应用场景和性能特点,了解各种类型的三极管对于电子工程师来说是十分重要的。

二、三极管的符号三极管的符号通常由一个三角形和三根线组成,分别代表基极、发射极和集电极。

对于NPN型的晶体管,三角形的底边为一个实线,表示N型材料,细线表示P型材料,而对于PNP型的晶体管,则相反。

在电路图中,三极管通常使用符号来表示其类型和连接方式,方便工程师们快速识别和设计电路。

三、三极管的识别方法1. 外观识别三极管的外观通常是一个黑色的小型元件,表面标有型号、生产厂商等信息,通过这些信息可以初步确定其类型和参数。

此外,三极管的引脚也是区分不同类型的关键因素之一,一般来说,晶体管的引脚排列为基、发、集的顺序,而场效应管则为栅、漏、源的顺序。

三极管

三极管
1、温度每增加10C,ICBO增大 一倍。硅管优于锗管。 2、温度每升高 1C,UBE将减 小 –(2~2.5)mV,即晶体管具有
I / mA
600 0 20
60
40 20
0 0.4 0.8 U / V
iC
温度对输入特性的影响 600 200
负温度系数。
3、温度每升高 1C, 增 加 0.5%~1.0%。
结论:温度升高,三极 管输入特性曲线左移, 输出特性曲线上移且间 距增大。
iB
O
温度对输出特性的影
uCE
六、三极管的命名方法
三极管的命名由5部分组成,如图1.21所示。其中第二、三 部分各字母含义如表1.10所示。
表1.10 第 二 部 分
第二、三部分各字母含义 第 三 部 分

A B C D

在以后的计算中,一般作近似处理: = 。
2.集-基极反向截止电流 ICBO
ICBO –
A
+
EC
ICBO是由少数载流子的 漂移运动所形成的电流, 受温度的影响大。 温度ICBO
3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO – A + IB=0 ICEO ICEO受温度的影响大。 温度ICEO,所以IC 也相应增加。三极管的 温度特性较差。
截止
反偏 反偏
放大
正偏 反偏
饱和
正偏 正偏
解:
对NPN管而言,放大时VC > VB > VE 对PNP管而言,放大时VC < VB <VE (1)放大区 (2)截止区 (3)饱和区
五、 主要参数
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数,晶体管的参 数也是设计电路、选用晶体管的依据。
1. 电流放大系数,

三极管的分类形式

三极管的分类形式

三极管的分类形式三极管是一种半导体元件,主要用于电子电路中的放大和开关控制。

根据其电极组合方式和工作方式,三极管可以分为多种分类形式。

1.按照电极类型分类三极管的三个电极分别为发射极、基极和集电极。

按照不同电极类型的排列方式,可以将三极管分为以下几种类型。

(1)NPN三极管NPN三极管的结构是将一块P 型半导体材料(基底)夹在两块N 型半导体材料(发射极、集电极)之间,其中基极连接P 型半导体材料。

在NPN 三极管中,左边的区域为发射区,右边的区域为集电区,中间的区域为基区。

由于NPN 三极管中的电子流是从发射区(N 型材料)流到基区(P 型材料),再从基区流到集电区(N 型材料),因此NPN 三极管的电流流向与普通电路中电流的流向相同。

(2)PNP三极管PNP 三极管的结构是将一块N 型半导体材料(基底)夹在两块P 型半导体材料(发射极、集电极)之间,其中基极连接N 型半导体材料。

在PNP 三极管中,左边的区域为集电区,右边的区域为发射区,中间的区域为基区。

由于PNP 三极管中的电子流是从集电区(P 型材料)流到基区(N 型材料),再从基区流到发射区(P 型材料),因此PNP 三极管的电流流向与普通电路中电流的流向相反。

2.按照工作方式分类三极管在电路中具有放大信号和控制电流的功能,根据不同工作方式,可以将三极管分为以下几种类型。

(1)共射极电路共射极电路是最常见的三极管电路,也是三极管电路中使用最广泛的一种。

在共射极电路中,三极管的集电极作为输出端,基极接输入信号源,而发射极则接地。

共射极电路中,输入信号被放大,输出信号为反相信号。

同时,由于三极管的放大作用,输出信号的幅度可以被控制。

(2)共集极电路共集极电路是另一种常见的三极管电路。

在共集极电路中,三极管的发射极作为输出端,集电极接电源,而基极则接输入信号源。

共集极电路中,输入信号被放大,输出信号为同相信号。

同时,由于三极管的缓冲作用,输出信号的幅度不容易受到负载等因素的影响。

三极管分类

三极管分类

一、三极管的类型及材料初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。

常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。

由于这两类三极管工作(工作总结)时对电压的极性要求不同,所以它们是不能相互代换的。

三极管的材料有锗材料和硅材料。

它们之间最大的差异就是起始电压不一样。

锗管PN结的导通电压为0.2V左右,而硅管P N结的导通电压为 0.6~0.7V。

在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管,或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的,但都要在基极偏置电压上进行必要的调整,因为它们的起始电压不一样。

但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析,不能盲目代换。

二、三极管的主要参数选用三极管需要了解三极管的主要参数。

若手中有一本晶体管特性手册最好。

三极管的参数很多,根据实践经验,我认为主要了解三极管的四个极限参数:ICM、BVCEO、PCM及fT即可满足95%以上的使用需要。

1. ICM是集电极最大允许电流。

三极管工作(工作总结)时当它的集电极电流超过一定数值时,它的电流放大系数β将下降。

为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。

所以在使用中当集电极电流IC超过I CM时不至于损坏三极管,但会使β值减小,影响电路的工作(工作总结)性能。

2. BVCEO是三极管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压。

如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时,将可能使三极管产生很大的集电极电流,这种现象叫击穿。

三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。

3. PCM是集电极最大允许耗散功率。

三极管在工作(工作总结)时,集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。

若耗散功率过大,三极管将烧坏。

在使用中如果三极管在大于PCM 下长时间工作(工作总结),将会损坏三极管。

需要注意的是大功率三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。

使用中一定要注意这一点。

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三极管分类
三极管根据其主要用途分为大功率管、小功率管、高频管、低频管、放大管、开关管、差分对管、达林顿管、光电管。

(1)低频小功率三极管
一般用于工作频率较低,功率在1W以下的电压放大电路、功率放大电路。

常用的国产低频小功率三极管型号有:3AX系列、3DX系列等。

进口的有:2SA940、2SC2462、2N2944等。

(2)低频大功率三极管
一般用作电视机、音响等家电的电源调整管或功率输出管,也可以用于汽车点火电路、逆变器、不间断电源(UPS)等。

常用国产型号:3DD系列、3AD系列。

进口型号:2SA670、2SB337、2AC1827、BD201等。

(3)高频小功率三极管
一般用于工作频率较高、功率不大于1W的放大、震荡、开关控制等电路。

常用国产型号:3AG系列、3DG系列。

进口型号:2SA1015、2SC1815、S90XX系列、BC148、BC158等。

(4)高频大功率三极管
一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路、电视机行输出电路等。

常用国产型号有:3DA系列、3CA系列。

进口型号:2SA634、2SC2068、2SD966、BD135等。

(5)超高频三极管
又称微波三极管,其频率特性一般高于500MHz,主要在雷达、通
信、导航等领域用于处理微波信号。

常用国产型号有:3AG95、
3DG145~3DG156、3DA819~3DA823。

进口型号:2SA1300、2SC1360、
BF769。

(6)开关三极管
是一种饱和与截止状态。

变换速度较快的三极管,可分为小功率
开关三极管和高反压大功率开关三极管等。

小功率开关三极管一般
用于高频放大电路、脉冲电路、开关电路、同步分离电路等。

常用
国产型号有:3AK系列、3DK系列等。

高反压大功率开关三极管
通常都是硅PNP型三极管,主要在彩色电视机、电脑显示器中用
作电源开关、行输出管,也可用于汽车点火电路、电子整流器、逆变器、不间断电源(UPS)等。

常用型号有:2SC1942、2SD820、2SD1431~2SD1433等。

(7)差分对管
是将两只性能参数相同的三极管封装在一起的电子器件,一般在音频放大器、仪器、仪表中用作差分输入放大管。

常用国产型号有:3DG06A~3DG06D、3CSG3等。

进口型号有:2SC1583(NPN)、2SA798(PNP)型。

(8)达林顿管
又称复合三极管,具有较大的电流放大系数,其外形与普通三极管相同,分为普通达林顿管和大功率达林顿管两种。

普通达林顿管主要用于高增益放大电路、继电器驱动电路等。

大功率达林顿管主要用于音频放大电路、电源稳压电路、大电流驱动电路、开关控制电路等。

常用型号:PN020、3DD30LA~3DD30LE、2SD628、2SD638等。

(9)光电三极管
又称光敏三极管,一般是NPN 型硅管,广泛用于光信号检测和
光电信号转换电路、光电三极管应用时,应正接在电路中,即C
极接电源的正极,E 极接电源的负极。

光电三极管电流与外加电
压关系不大,主要取决于入射光的强度。

常用国产型号有:
3DU11~3DU13、3DU51~3DU54等。

在实际应用中,光电三极管通常与发光二极管组合在一起构成光电耦合器,当输入端有电信号输入时,发光二极管发光,光电三极管受到光照后产生光电流,由输出电信号,实现以光为媒介的电—--光—--电信号的传输,而器件的输入端和输出端在电气上是隔离的。

光电耦合器是较理想的信号耦合器件,具有响应快、可靠性高、功耗低和体积小、信噪比高、抗干扰强等优点,广泛应用于电信号耦合、电平匹配和电位隔离等多种模拟、数字、接口电路中。

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