川大《电子技术基础(1)(下)1346》15秋在线作业1满分答案
（完整版）电子技术基础习题答案
（完整版）电子技术基础习题答案三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。
A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。
川大《电子技术基础(1)(下)1346》21春在线作业2答案
《电子技术基础（1）（下）1346》21春在线作业2
试卷总分:100 得分:92
一、单选题 (共 15 道试题,共 60 分)
1.若译码/驱动器输出为低电平时，显示器发光则显示器应选用
A.共阴极显示器
B.共阳极显示器
C.共阳共阴极显示器都可以
D.不能确定
答案:B
2.
A.
B.
C.
D.
答案:D
3.三位二进制数码可以表示的状态有
A.4种
B.8种
C.16种
D.2种
答案:B
4.用3线-8线译码器74LS138和辅助门电路实现逻辑函数{图}，应（）。
A.用与非门，Y={图}
B.用与门，Y={图}
C.用或门，Y={图}
D.用或门，Y={图}
答案:A
5.石英晶体多谐振荡器的突出优点是（）。
A.速度高
B.振荡频率稳定
C.电路简单
D.输出波形边沿陡峭
答案:B
6.函数{图}的反函数为 ( ) 。
A.{图}
B.{图}
C.{图}
D.{图}
答案:。
电子技术基础(含答案).docx
精品文档《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为 08001）共有单选题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。
一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（）B E C状态。
A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是（）。
A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中（）。
A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于（）状态。
精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
电子技术基础习题答案解析
电子技术基础习题答案解析第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N 沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
川大《电工原理（1）1344》15春在线作业1答案
川大《电工原理（1）1344》15春在线作业1答案
《电工原理(1)1344》15春在线作业1
一、单选题（共50 道试题，共100 分。
）
1. 在R,L串联正弦交流电路中，计算公式正确的是
A.
B.
C.
正确答案：B
2.
A. 0度
B. +30度
C. -30度
正确答案：C
3.
A.
B.
C.
正确答案：B
4. 在图示电路中，当开关S 断开时，电压U = 10 V ，当S 闭合后，电流I = 1 ，则该有源二端线性网络的等效电压源的内阻值为
A. 16欧?
B. 8欧
C. 4欧
正确答案：C
5. 三相电源对称，三相负载不对称，当负载星形连接有中线时，各负载相电流不相等，中线中（）电流
A. 无法知道
B. 没有
C. 有
正确答案：C
6. 处于谐振状态的R，L，C 并联电路若增大L 值，则电路将呈现
A. 电阻性
B. 电感性
C. 电容性
正确答案：C
7. 供电电路采取提高功率因数措施的目的在于
A. 减少用电设备的有功功率。
电子技术基础作业答案
《电子技术基础》习题答案（模拟部分）第一章半导体二极管
第二章半导体三极管
第三章：放大电路基础
第三章负反馈放大电路与基本运算电路
第四章线性集成电路的应用
第五章集成模拟乘法器及其应用
第六章信号产生电路
第七章直流稳压电源
《电子技术基础》习题（数字部分）第一章绪论
第二章逻辑代数基础
第三章逻辑门电路
第四章集成触发器
第五章脉冲信号的产生和整形
第六章组合逻辑电路
第七章时序逻辑电路
第八章数模和模数转换器。
电子科技大学15春《模拟电路基础》在线作业1满分答案
电子科技大学15春《模拟电路基础》在线作业1满分答案
15春《模拟电路基础》在线作业1
一,单选题
1. 希望抑制50Hz的交流电源干扰，可选用（）滤波电路
A. 低通
B. 高通
C. 带通
D. 带阻
正确答案：D
2. 稳压管是利用二极管（）特性工作的。
A. 正向导通
B. 反向阻断
C. 反向击穿
正确答案：C
3. 在绝对零度时，本征半导体中（）载流子
A. 有
B. 没有
C. 少数
D. 多数
正确答案：B
4. 半导体中的载流子为（）
A. 电子
B. 空穴
C. 正离子
D. 电子和空穴
正确答案：D
5. 电流求和负反馈使输人电阻减少；电压求和负反馈使输人电阻（）
A. 增加
B. 不变
C. 减少
正确答案：A
6. 为了提高输入电阻，减小温漂，集成运放的输入级大多采用（）电路
A. 共射或共源。
20秋学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线平时作业1[附答案]
![20秋学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线平时作业1[附答案]](https://img.taocdn.com/s3/m/31c49639d0d233d4b04e6904.png)
[东北大学]20秋学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线平时作业1
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 15 道试题,共 60 分)
1.作幅值为1μV以下微弱信号的量测放大器，集成运放应选用（）。
A.通用型
B.高阻型
C.高速型
D.高精度型
[正确选择是]:D
2.选用差分放大电路的原因是（）。
A.克服温漂
B.提高输入电阻
C.稳定放入倍数
[正确选择是]:A
3.LC并联网络在谐振时呈
A.容性
B.阻性
C.感性
[正确选择是]:B
4.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈。
A.输入电阻增大
B.输出量增大
C.净输入量增大
D.净输入量减小
[正确选择是]:D
5.为了稳定放大电路的输出电压，应引入（）负反馈
A.电压
B.电流
C.串联
D.并联
[正确选择是]:A
6.欲将正弦波电压移相＋90O，应选用
A.反相比例运算电路
B.同相比例运算电路
C.积分运算电路
D.微分运算电路
[正确选择是]:C
7.在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的。
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《电子技术基础(1)(下)1346》15秋在线作业1
一、单选题（共 15 道试题，共 60 分。）
1. 与或表达式 等于
A.
B. A+B
C.
D.
正确答案：B
2. 清零后的四位移位寄存器，如果要将四位数码全部串行输入，需配合的CP脉冲个数为
A. 1个
B. 2个
C. 4个
D. 8个
正确答案：C
3. A/D转换过程四个步骤的顺序是
A. 编码、量化、保持、采样
B. 编码、量化、保持、采样
C. 采样、编码、量化、保持
D. 采样、保持、量化、编码
正确答案：D
4.
A. 00
B. 01
C. 10
D. 11
正确答案：D
5.
A.
B.
C.
D.
正确答案：D
6.
A. 6进制
B. 7进制
C. 8进制
D. 9进制