电子元器件基本知识 ppt课件
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电子元器件基础知识(共59张PPT)
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电子组件基础知识
(1)排阻有两种类型： 双列、单列直插和贴片排阻 直插排阻类似直插IC。
第一号管脚由小圆点或小凹槽来表示。
插第一号管脚的孔通常在电路板上用方或带尖角的焊盘标识。 插电阻网络时第一号管脚必须插入电路板上带有标明第一号管脚
的孔。
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电子组件基础知识
8．电位器
电位器是一种可调电阻，可通过调整其组件体上的旋扭或螺钉 改变其阻值。
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电子组件基础知识
值得注意的是:第四环的位置国内外的标法有异,国外有此厂家把第四 环也标在另一端的金属帽上,遇此情况切记:金色或银色的一端不是
第一环。第一环是离组件体端部最近的一环。
例：某电阻的色环依次为“黄、紫、红、银”，则该电阻的阻值为 4700Ω=4.7KΩ，误差为±10%。
附表：电阻器用色环标志的种类及含义(附表见下页).
一个正号“ ，就表示该脚是正极。有的电容器没有极性，但 +” ２、对于误差小于±2%的电阻，阻值用四位数字表示，前三位数字代表重要数据，最后一位表示加零的个数。
现在有些高亮LED可发作照明用灯，如 显示屏背光源，某些装饰灯等。
稳压二极有的电时路符为号是了“VR外”、“观ZD”或的“Z”，整稳压齐二极一管致，也有规定有字的一面必须朝着一个
1微法=（ ）皮法，
0.47μF=( )pF,
33μF=( )pF,
68000PF=( ) μF,
1000PF=( ) μF,
36000000PF=( ) μF,
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电子组件基础知识
三、根据色环标志含义表,写出下列名项的阻值和精度:
１．红-黑-棕-金
9.灰-红-黑-金
２．棕-棕-红-银
10.棕-黑-蓝-银
电子元器件基本知识介绍ppt课件
数 字 环
数数 字字 环环
0 的 个
误 差
数
五环电阻：精密电阻， 误差≤2%，多为金属 膜电阻〔RJ）；
五环电阻读取时色环 密集一方放置左端， 右端误差环一般为棕、
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☆.根据电阻值和误差值找色环
一旦知道了色环的含义，就可以通过色环知道阻值，但要记住进行单位换算！ （如：75K =75 000 ）
2
常用术语
1. PTH：穿孔元件〔引脚能穿过PCB板的元 件）
SMD：表面贴装元件 SIP：单列直插〔一排引脚） DIP：双列直插〔两排引脚） 轴向元件：元件两引脚从元件两端伸出 径向元件：元件引脚从元件同一端伸出 PCB：印刷电路板 PCBA : 印刷電路板組裝 (區別於PCB是板
常用术语
2. 单面板：电路板上只有一面用金属处理； 双面板：上下两面都有线路的电路板；
常用术语 4.元件符号：Ｒ、Ｃ、Ｌ` 极性元件：有些元件，插
入电路板时必需定向；
极性标志：印刷电路板上，极性元件的位置印有极性 标志；
错件：零件放置之规格或种类与作业规定不符；
缺件：应放置零件之位置，因不正常之缘故而产生空 缺；
跪脚：零件引脚打折形成跪脚
AC : 電流大小,方向隨時間的變化而產生變化, 稱交流 電.
层 板：除上、下两面都有线路外，在电 路板内层也有线路；
元件面：电路板上插元件的一面； 焊接面：电路板中元件面的反面，有许多
焊盘提供焊接用； 焊 盘：ＰＣＢ板上用来焊接元件引脚或
金属端的金属部分；
常用术语
3.金属化孔(PTH) :一般用来插元件和布明线的金属化 孔； 连接孔: （相对与金属化孔〕一般不用来插元件和布 明线的金属化孔 ； 空焊: 零件脚或引线脚与锡垫间没有锡或其它因素造 成没有接合。 冷焊: 锡或锡膏在回风炉气化后，在锡垫上仍有模糊 的粒状附着物。 桥接: 有脚零件脚与脚之间焊锡联接短路
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• 仙董公司（硅谷）的诺伊斯也试制硅晶片集成电 路，采用平面工艺。
• 2000年，基尔比退体多年后，获诺贝尔 奖
• IC的第一个商品是助听器，1963年12月。
• 1958 年 德 州 仪 器 (TI) 公 司 的 Jack Kilby 发明了第一个集成电路，但那
仅是一个用独立晶体管精密焊接而
成却无法量产的集成电路理论模型。 1959 年，当时身在仙童公司的Bob Noyce 发明了第一个真正意义上的 平面集成电路，并于1961年实现量 产。
巴丁、肖克莱、布拉顿
•1945年开始， 贝尔实验室， 攻关小组。肖 克莱（组长）、 巴丁、布拉顿。
•1947.12.23发现 三极管放大作 用。1948年专 利，1956年诺 贝尔奖
巴丁、肖克莱、布拉顿
沃尔特·布拉顿也是美国人，1902年 2月10日出生 在中国南方美丽的城市厦门， 当时他父亲受聘在中国任教。布拉顿是实验专家， 1929 年获得明尼苏达大学的博士学位后，
杰克·基尔比（Jack kilby）
杰克·基尔比的IC
第一个基于锗的IC
诺伊斯发明的基于硅的IC
Intel创始人诺伊思（中）、摩尔（右）
第一台集成电路电子计算机 IBM360
四 大规模，超大规模集成电路
• 1960年代平面工艺。1970年，通用微电子 与 通 用 仪 器 公 司 ， 开 发 MOS 集 成 电 路 。 （MOS—金属，氧化物，半导体。）集成 度高，低功耗，制作简单，成为IC发展方 向。1965年 摩尔（Gordon Moore）总结出 “ 摩 尔 定 律 ” ， 每 18 个 月 集 成 度 提 高 一 倍.1971年11月，第一个微处理器（CPU） Intel 4004，含3300个晶体管，1990年。奔 腾ⅢCPU，含14万以上。
爱迪生效应
弗莱明与真空二极管
这项发明称为“阀”
真空二极管（实物）
管内存在稀薄的 空气，工作时发 出蓝色辉光。
德福雷斯特
德福雷斯特与肖克莱
真空三极管
真空三极管应用
第 一 代 电 子 计 算 机
二、半导体晶体管
• 1835年，麦克思发现“不对称导电现象”。 • 1874年，布拉温，硫化物有单向导电现象。 • 1880年，硒整流器。硒（Se）也是半导体。 • 后来发现更多天然或人制矿物有单向导电性。 • 1906年前后，辉铅矿或金刚砂；晶体加金属丝成
集电极
发射极
C NP N E
C IC B
基极 B
• 2．三极管
IB E
IE
• （1）放大：IB小变化，引起IC大变化。 • 以小控大。放大系数
IC IB
• 小信号放大：中频、高频、低频信出；
• （2）振荡：产生各种频率的正弦波信号，收音机、 电视机的变频。作信号源，测试仪器用。LC振荡 器，RC振荡器。
二、三极管的应用：
• 1． 二极管 • 单向导电性
P 阳极
N 阴极
• P正N负：导通（开关通） ； P负N正：截止（开关断） • （1）整流—低频，检波—高频，开关作用（2）特殊二
极管：
i
整流前
整流后
• 稳压二极管：；发光二极管LED：光敏二极管：光照敏 感，电阻变小，电流变大，有可见，红外光敏；激光二 极管：发射激光。
第三讲 电子元器件基本知识
• 电子元件发展经历了四个阶段（代）：电子管、 晶体管、集成电路、大规模集成电路。简单介绍 发展进程及应用。
一、电子管（真空管）
• 1883年，爱迪生为延长白炽灯的寿命，无意中发现了 热电子发射现象—爱迪生效应。
• （1903年，英国理查逊证实了电子的存在，1928年获 诺贝尔奖。）
二极管，用作检波，矿石收音机 • 1940年，人工纯锗、硅晶体出现，晶体二极管应
用。
• 半导体的三个物理效应，光电导效应、光生伏打 效应、整流效应
• 1873年，英国物理学家施密斯发现晶体硒在光照 射下电阻变小的半导体光电现象；
• 1877年英国物理学家亚当斯(W.G.Adams)发现晶 体硒和金属接触在光照射下产生电动势的半导体 光生伏打效应，
• 1904年，英国弗来明，发明真空二极管。
• 1906 美 德福雷斯特，在二极管阴、阳极之间加入一 个栅极，当栅极电压有微小变化时，引起阳极较大的 变化。“以小控大”，就是放大。结构为圆筒状。作 用如“闸门”。
• 电子管发明初期，因真空度不够高，寿命短。后来 （1910）德国的哥德发明了抽高真空的分子泵，提高 了真空度。从三极管发展到四、五、六、七、八极管。 从单一管到
• 1959发明平面工艺。美仙董公司，赫尔 尼。晶体片表面进行加工——集成电路 工艺的前身。微小型化的过程。早期电 极几个mm，后缩至0.3~0.5mm，结面积 0.07~0.2 mm2 。实际上PN结直径只要几 十个μm。照相，制板，光刻，印刷工艺。 1950年芯片2.5mm2/个，到1963年，同面 积上可制作125个管。线宽20-30 μm。 1950’S 电 子 管 与 晶 体 管 竞 争 。 电 子 管 小 型化，最小如铅笔粗。60年代晶体管全 面取代电子管。（除微波、大功率场 合）。
• 1906年美国物理学家皮尔士等人发现金属与硅晶 体接触能有整流作用的半导体整流效应。
半导体的导电特性：热敏性 光敏性 掺杂性
N型半导体和 P 型半导体: 掺入五价元素P:自由电子数目大量增加，
自由电子导电成为主要导电方式，称为N 型半导体 掺入三价元素B:空穴数目大量增加，空穴 导电成为这种半导体的主要导电方式， 称为空穴半导体或 P型半导体。
• （3）开关作用 三种工作状态：放大 截止—开关
第二代电子计算机
三．集成电路（IC）
• 1952年，英国的达默提出集成化设想
• 1958年9月１２日，美德克萨斯仪器公司 （TXAS）工程师杰克·基尔比（Jack kilby）发 明了集成电路，第一个IC是安置在锗晶片上的电 路—相移振荡 7/16ⅹ1/16英寸,它包含有１只晶体 管、４只电阻器和３只电容器，全部元器件都做 在一块半导体锗晶体片上，元器件之间的导线是 黄金膜，整个电路大小相当于半只曲别针。
第一个晶体 管
50μm
E
C
固定探针
活动探针
Ge B
• ——研究并未终止，1949年，肖克莱又 提出了p-n结理论（关于晶体中由于掺入 杂质的不同所形成的p型区和n型区的理 论），并在第二年使之变为现实，研制 出了结型晶体三极管。结型晶体管在许 多方面优于点接触晶体管，很快就得到 了广
1959发明平面工艺。
• 2000年，基尔比退体多年后，获诺贝尔 奖
• IC的第一个商品是助听器，1963年12月。
• 1958 年 德 州 仪 器 (TI) 公 司 的 Jack Kilby 发明了第一个集成电路，但那
仅是一个用独立晶体管精密焊接而
成却无法量产的集成电路理论模型。 1959 年，当时身在仙童公司的Bob Noyce 发明了第一个真正意义上的 平面集成电路，并于1961年实现量 产。
巴丁、肖克莱、布拉顿
•1945年开始， 贝尔实验室， 攻关小组。肖 克莱（组长）、 巴丁、布拉顿。
•1947.12.23发现 三极管放大作 用。1948年专 利，1956年诺 贝尔奖
巴丁、肖克莱、布拉顿
沃尔特·布拉顿也是美国人，1902年 2月10日出生 在中国南方美丽的城市厦门， 当时他父亲受聘在中国任教。布拉顿是实验专家， 1929 年获得明尼苏达大学的博士学位后，
杰克·基尔比（Jack kilby）
杰克·基尔比的IC
第一个基于锗的IC
诺伊斯发明的基于硅的IC
Intel创始人诺伊思（中）、摩尔（右）
第一台集成电路电子计算机 IBM360
四 大规模，超大规模集成电路
• 1960年代平面工艺。1970年，通用微电子 与 通 用 仪 器 公 司 ， 开 发 MOS 集 成 电 路 。 （MOS—金属，氧化物，半导体。）集成 度高，低功耗，制作简单，成为IC发展方 向。1965年 摩尔（Gordon Moore）总结出 “ 摩 尔 定 律 ” ， 每 18 个 月 集 成 度 提 高 一 倍.1971年11月，第一个微处理器（CPU） Intel 4004，含3300个晶体管，1990年。奔 腾ⅢCPU，含14万以上。
爱迪生效应
弗莱明与真空二极管
这项发明称为“阀”
真空二极管（实物）
管内存在稀薄的 空气，工作时发 出蓝色辉光。
德福雷斯特
德福雷斯特与肖克莱
真空三极管
真空三极管应用
第 一 代 电 子 计 算 机
二、半导体晶体管
• 1835年，麦克思发现“不对称导电现象”。 • 1874年，布拉温，硫化物有单向导电现象。 • 1880年，硒整流器。硒（Se）也是半导体。 • 后来发现更多天然或人制矿物有单向导电性。 • 1906年前后，辉铅矿或金刚砂；晶体加金属丝成
集电极
发射极
C NP N E
C IC B
基极 B
• 2．三极管
IB E
IE
• （1）放大：IB小变化，引起IC大变化。 • 以小控大。放大系数
IC IB
• 小信号放大：中频、高频、低频信出；
• （2）振荡：产生各种频率的正弦波信号，收音机、 电视机的变频。作信号源，测试仪器用。LC振荡 器，RC振荡器。
二、三极管的应用：
• 1． 二极管 • 单向导电性
P 阳极
N 阴极
• P正N负：导通（开关通） ； P负N正：截止（开关断） • （1）整流—低频，检波—高频，开关作用（2）特殊二
极管：
i
整流前
整流后
• 稳压二极管：；发光二极管LED：光敏二极管：光照敏 感，电阻变小，电流变大，有可见，红外光敏；激光二 极管：发射激光。
第三讲 电子元器件基本知识
• 电子元件发展经历了四个阶段（代）：电子管、 晶体管、集成电路、大规模集成电路。简单介绍 发展进程及应用。
一、电子管（真空管）
• 1883年，爱迪生为延长白炽灯的寿命，无意中发现了 热电子发射现象—爱迪生效应。
• （1903年，英国理查逊证实了电子的存在，1928年获 诺贝尔奖。）
二极管，用作检波，矿石收音机 • 1940年，人工纯锗、硅晶体出现，晶体二极管应
用。
• 半导体的三个物理效应，光电导效应、光生伏打 效应、整流效应
• 1873年，英国物理学家施密斯发现晶体硒在光照 射下电阻变小的半导体光电现象；
• 1877年英国物理学家亚当斯(W.G.Adams)发现晶 体硒和金属接触在光照射下产生电动势的半导体 光生伏打效应，
• 1904年，英国弗来明，发明真空二极管。
• 1906 美 德福雷斯特，在二极管阴、阳极之间加入一 个栅极，当栅极电压有微小变化时，引起阳极较大的 变化。“以小控大”，就是放大。结构为圆筒状。作 用如“闸门”。
• 电子管发明初期，因真空度不够高，寿命短。后来 （1910）德国的哥德发明了抽高真空的分子泵，提高 了真空度。从三极管发展到四、五、六、七、八极管。 从单一管到
• 1959发明平面工艺。美仙董公司，赫尔 尼。晶体片表面进行加工——集成电路 工艺的前身。微小型化的过程。早期电 极几个mm，后缩至0.3~0.5mm，结面积 0.07~0.2 mm2 。实际上PN结直径只要几 十个μm。照相，制板，光刻，印刷工艺。 1950年芯片2.5mm2/个，到1963年，同面 积上可制作125个管。线宽20-30 μm。 1950’S 电 子 管 与 晶 体 管 竞 争 。 电 子 管 小 型化，最小如铅笔粗。60年代晶体管全 面取代电子管。（除微波、大功率场 合）。
• 1906年美国物理学家皮尔士等人发现金属与硅晶 体接触能有整流作用的半导体整流效应。
半导体的导电特性：热敏性 光敏性 掺杂性
N型半导体和 P 型半导体: 掺入五价元素P:自由电子数目大量增加，
自由电子导电成为主要导电方式，称为N 型半导体 掺入三价元素B:空穴数目大量增加，空穴 导电成为这种半导体的主要导电方式， 称为空穴半导体或 P型半导体。
• （3）开关作用 三种工作状态：放大 截止—开关
第二代电子计算机
三．集成电路（IC）
• 1952年，英国的达默提出集成化设想
• 1958年9月１２日，美德克萨斯仪器公司 （TXAS）工程师杰克·基尔比（Jack kilby）发 明了集成电路，第一个IC是安置在锗晶片上的电 路—相移振荡 7/16ⅹ1/16英寸,它包含有１只晶体 管、４只电阻器和３只电容器，全部元器件都做 在一块半导体锗晶体片上，元器件之间的导线是 黄金膜，整个电路大小相当于半只曲别针。
第一个晶体 管
50μm
E
C
固定探针
活动探针
Ge B
• ——研究并未终止，1949年，肖克莱又 提出了p-n结理论（关于晶体中由于掺入 杂质的不同所形成的p型区和n型区的理 论），并在第二年使之变为现实，研制 出了结型晶体三极管。结型晶体管在许 多方面优于点接触晶体管，很快就得到 了广
1959发明平面工艺。