2005-2006(2)模拟电子技术基础-B卷(张根保出题)
浙江传媒学院《模拟电子技术》期终试卷(A卷)
浙江传媒学院《模拟电子技术》期终试卷（A卷）2005–2006学年第一学期任课教师系班姓名学号得分一、单项选择题（每小题2分，共30分）1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示，当输入电压Ui=9V时，输出电压Uo为( )。
A.3VB.6VC.9VD.15V2.三极管的主要参数Iceo的定义是( )。
A.集电极—发射极反向饱和电流B.集电极—基极反向饱和电流C.集电极最大允许电流D.集电极—发射极正向导通电流3.场效应管的转移特性如下图，则该管为( )。
A.Ｎ沟道耗尽型FETB.Ｎ沟道增强型FETC.Ｐ沟道耗尽型FETD.Ｐ沟道增强型FET4.普通硅二极管的死区电压为( )。
A.0.1VB.0.2VC.0.5VD.1.0V5. P型半导体可以在纯净半导体中掺入( )价元素实现。
A. 3B. 4C. 5D. 66. 某三极管处于放大工作状态，则其发射结和集电结的偏置为( )。
A. 正偏，正偏B. 正偏，反偏C. 反偏，正偏D. 反偏，反偏7.某三极管接在电路上，它的三个管脚的电位分别为U1=6V，U2=5.4V，U3=12V，则对应该管的管脚排列依次是( )。
A. E、B、CB. B、E、CC. B、C、ED. C、B、E8.共集电极放大电路的特点是( )。
A.输入电阻很小，输出电阻很大B.输入电阻很大，输出电阻很小C.电压放大倍数很高D.可用作振荡器9.下图所示电路是( )。
A.加法运算电路B.减法运算电路C.积分运算电路D.微分运算电路10.下图的放大器输出Ｕo为( )。
A. U o=-U i R f/R iB. U o=U i R f/R iC. U o=(1+R f/R i)U iD. U o=- (1+R f/R i)U i11.测得某交流放大电路的输出端开路电压的有效值U o=4V,当接上负载电阻R L=6kΩ时，输出电压下降为U o=3V，则交流放大器的输出电阻R o是( )。
A.6kΩB.4kΩC.2kΩD.1kΩ12.在开环放大电路中引入( )负反馈，可使输入电阻增大。
全国2005年4月高等教育自学考试电子技术基础（二）试题课程代码02273
全国2005年4⽉⾼等教育⾃学考试电⼦技术基础（⼆）试题课程代码02273浙02273# 电⼦技术基础（⼆）试题第 1 页（共 5 页）全国2005年4⽉⾼等教育⾃学考试电⼦技术基础（⼆）试题课程代码：02273⼀、单项选择题（本⼤题共14⼩题，每⼩题1分，共14分）在每⼩题列出的四个备选项中只有⼀个是符合题⽬要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均⽆分。
1.N 型半导体是在本征半导体中掺⼊（）A.3价元素B.4价元素C.5价元素D.6价元素2.为提⾼⼯作点的稳定性，集成电路中普遍采⽤（）A.分压式电流负反馈偏置B.固定偏置C.恒流源偏置D.电压负反馈偏置3.某仪表放⼤电路，要求输⼊电阻⼤，输出电流稳定，应选⽤（）A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈4.在放⼤电路中，当f=f H 时，电压放⼤倍数A u 是中频时电压放⼤倍数A sm 的（） A.0.707倍 B.1倍C.0.9倍D.2倍5.为提⾼共模抑制⽐应采⽤（）A.共射放⼤电路B.共基放⼤电路C.多级放⼤电路D.差动放⼤电路6.电容三点式正弦波振荡器的振荡频率为（） A.C L 21f 10π= B. RC 21f 0π= C. C L 21f 0'π= D. 21210c c c c L 21f +π=7.单相桥式整流电路的输⼊电压tV sin 210u 2ω=时则输出电压平均值为（）A.20VB.10VC.9VD.V 2108.下列数据中，数值最⼤的数据为（）A.（32）16B.（61）8C.（110110）2D.（52）109.逻辑表达式)CA⊕写成与或形式为（）B(A.CA+ B.ABCBCBAA+BCC.CA+ D.ABCBABCA+CB10.下列门电路中输出端并联后可以正常⼯作的是（）A.TTL与⾮门B.CMOS与⾮门C.集电极开路的TTL与⾮门D.TTL或⾮门11.设集成⼗进制加法计数器的初始状态为Q4Q3Q2Q1=0000，当输⼊时钟CP频率为1KHZ 的脉冲时，经过12ms以后计数器的状态为（）A.0010B.0100C.1010D.110012.能够改变脉冲波形宽度的功能电路为（）A.译码器B.D/A转换器C.A/D转换器D.单稳态触发器13.D/A转换是（）A.模拟量到数字量的转换B.数字量到模拟量的转换C.⾼电平到低电平的转换D.低电平到⾼电平的转换14.可以随时读出数据和写⼊数据的存储器为（）A.ROMB.EEPROMC.RAMD.GAL⼆、填空题（本⼤题共10⼩题，每⼩题1分，共10分）请在每⼩题的空格中填上正确答案。
模拟电子技术ⅡB习题答案及评分标准
(模拟电子技术Ⅱ)课程考试试卷(B)卷 考试时间 120分钟，满分100分要求：闭卷[√ ]，开卷[ ]；答题纸上答题[√]，卷面上答题[ ] (填入√)一、填空（20分）1．PN 结加反向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．当晶体管工作在放大区时，发射结电压 偏，集电结电压应为 偏。
3．工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到32μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 。
4．在本征半导体中加入五价元素，形成N 型半导体，其多数载流子为： 。
5．放大电路的静态分析通常使用的两种方法是 、 。
6．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
7．差分放大电路主要用来抑制 。
8．振荡电路一般有三种，分别是： 、 、 。
9．互补对称式功率放大电路中，根据静态工作点的设置不同，电路可以处在甲类、乙类和甲乙类，则甲类功放电路缺点是： ，乙类功放电路的缺点是： ，甲乙类功放电路的优点是： 。
10．整流的作用是将 电转换成 电。
11．集成运放理想化的三个条件是： 、 、 。
二、（10分）如图示，tV u V E i ωsin 105==，，二极管正向压降忽略，画出输出电压uo 的波形。
（第二题图）三、（15分）电路如图所示，晶体管的β＝80，r be =1k Ω。
（1）求出Q 点；（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的Au 和Ri 及Ro 。
四、（10分）已知一个电压串联负反馈放大电路的电压放大倍数Au f ＝20，其基本放大电路的电压放大倍数Au 的相对变化率为10％，Au f 的相对变化率小于0.1％，试问F 和Au 各为多少？（第四题图） （第五题图）五、（10分）判断如图的电路为什么类型的负反馈？六、（10分）求如图输出U O 与输入U I2、U I2之间的关系。
（第六题图） （第七题图）七、（10分）计算如图中的阈值电压，并画出电压传输特性。
模拟电子技术模拟考题二及参考答案.doc
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。
模拟电子技术基础试卷(含答案)
电路与电子技术基础复习资料一、填空（25分）1．二极管最主要的特性是。
2．三极管是控制型器件，而场效应管是控制型器件。
3．射极输出器具有______________恒小于1、接近于1，______________ 和__________同相，并具有_____________高和_______________低的特点。
5．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为_______V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为_________V，经过电容滤波后为________V二极管所承受的最大反向电压为 V。
6、在门电路中，最基本的三种门电路是门门和门。
7．时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为时序电路和时序电路。
8. 逻辑代数又称为代数。
最基本的逻辑关系有、、三种。
9、T触发器的特征方程为，JK触发器的特征方程为。
10、二进制码11000101表示的十进制数为，相应的8421BCD码为。
二、单项选择题（每小题 2分，总共20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为（）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大4．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( )。
A．不用输出变压器 B．不用输出端大电容 C．效率高 D．无交越失真5．稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区6. 图示逻辑电路的逻辑式为( )。
A7.同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者。
A.没有触发器B.没有统一的时钟脉冲控制C.没有稳定状态D.输出只与内部状态有关8. 基本RS触发器的原始状态Qn为“0”态，只要SD来负脉冲触发，就会使触发器。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）
（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(本科)及其参考答案试卷二一、选择题（这是四选一选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共22分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压4V ，接入Ωk 12的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（）a. 10Ωkb. 2Ωkc. 4Ωkd. 3Ωk2．某共射放大电路如图1-2所示，其中Ω=Ω=k 2,k 470c b R R ，若已知I C =1mA,V CE =7V ，V BE =0.7V ，r be =1.6Ωk ,50=β，则说明（）a. 107.07BE CE i o ====V V V V A V &&&b. 37.021BE c C i o -=?-=-==V R I V V A V &&&c. 5.62//be b c i c i b c C i o -≈-=-=-==r R R R R R I R I V V A V ββ&&&d. 5.626.1250be c i o -=?-=-==r R V V A V β&&&图1-23．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）。
a. 共射电路b. 共基电路c. 共集电路d. 共集-共基串联电路4. 在考虑放大电路的频率失真时，若i v 为正弦波，则o v （）a. 有可能产生相位失真b. 有可能产生幅度失真和相位失真c. 一定会产生非线性失真d. 不会产生线性失真5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（）。
a. 开环或正反馈状态b. 深度负反馈状态c. 放大状态d. 线性工作状态6. 多级负反馈放大电路在（）情况下容易引起自激。
a. 回路增益F A &&大b. 反馈系数太小c. 闭环放大倍数很大d. 放大器的级数少7. 某电路有用信号频率为2kHz ，可选用（）。
(完整版)模拟电子技术复习题(含答案)
模 拟 电 子 技 术 复 习 题一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。
）第二章（× ）1. 运算电路中一般引入正反馈。
（ √ ）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
第三章（× ）1. 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（× ）2. 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
（× ）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。
（√ ）4. N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（× ）5. 二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。
（√ ）6. PN 结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。
（ × ）7. 未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。
第四章（√ ）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（√ ）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响。
（× ）3. 晶体管的参数不随温度变化。
（√ ）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。
（ × ）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。
（√ ）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。
（ × ）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（× ）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。
（× ）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。
（× ）10. 只要将晶体管的静态工作点设置在BJT 特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。
（× ）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。
（ √ ）12. 射极输出器的输入电流是B i ，输出电流是E i ，因此具有较高的电流放大倍数。
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华北电力大学(北京) 2005-2006_学年第_2_学期考试试卷(A B)
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一、电路如图，1。
说明T1、T2管的组态及其具有的特点；2。
写出电路的电压放大倍
数表达式。
（15）
二、.图示电路中运放电路为理想运放,其最大输出幅值为+8v，输入信号如图，画出
uo1 uo2的波型，标明输出的幅值和时间。
（14）
三、已知电路中V CC=12V，R C=1KΩ，Re=1KΩ，R L=1KΩ
Rb1=15KΩ, Rb2=5.1KΩ，β=70,
V BE=0.7v（20）
1．求电路的静态工作点；2。
画出微变
等效电路，3。
求电压放大倍数、输
入电阻、输出电阻，4、如果三极管
的电流放大倍数增大，放大电路的
动态范围是否会变化，说明原因。
四、电路如图，1、判断反馈类型，（指出反馈网络），2、写出深度负反馈时的反馈增益（12）
五、。
VI=18V，VZ=5.3V，R2=200Ω，R3=R1=400Ω，V BE=0.7V，C1=200μf。
求；（1）V1值，（2）VO的输出范围。
（13）
六、电路如图路如图。
求：1、静态时RL中的电流；2、
说明R1，R2，R3，D1，D2的作用；3、如D1、D2中有一
个反接，将会出现什么问题；4、如忽略三极管的饱和压降，
写出输出功率最大值的表达式。
（12）
七、电路如图，1、
V REF=3V画出电
路的输出波形，2、
说出电路的功能
（14）。