衬底偏压对四面体非晶碳薄膜结构和性能的影响
(110)晶向衬底提高pMOS性能
(110)晶向衬底提高pMOS性能
佚名
【期刊名称】《集成电路应用》
【年(卷),期】2009(005)003
【摘要】Intel和另一家顶级器件制造商正在研究使用（110）晶向的硅片衬底来提高pMOS的迁移率。
在2008年的国际电子器件会议（IEDM）上，Intel的
32nm器件经理PaulPackan表示：Intel在（110）晶向衬底上制造的45nm晶体管，得到了与预想一致的结果，pMOS驱动电流达到了1．2mA／pm，同时，nMOS驱动电流并未退化很多。
【总页数】1页(P25)
【正文语种】中文
【相关文献】
1.Si(100)衬底上(110)取向La2/3Sr1/3MnO3薄膜的制备与性能 [J], 李廷先;张铭;王光明;郭宏瑞;李扩社;李喜露;周文龙;严辉
2.不同衬底上纳米晶CdTe薄膜的低温制备及光性能研究 [J], 郭福强;简基康;郑毓峰;孙言飞;徐金宝;马灵灵
3.无电镀沉积于硅衬底上铜纳米晶的场发射性能(英文) [J], 姜卫粉;董永芬;肖顺华;李亚勤;李新建
4.双晶衬底的制备及外延钇钡铜氧晶界结的性能 [J], 王世光;戴远东;曾祥辉;郑培辉;王志光;熊光成;连贵君;李洁;甘子钊
5.衬底偏压对四面体非晶碳膜结构和性能的影响 [J], 朱嘉琦;孟松鹤;韩杰才;檀满林
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
偏压对类石墨非晶碳膜结构和机械性能的影响
第 ２期
天 津 师 范 大 学 学 报 （自 然 科 学 版 ）
Ｊ ｏ ｕ ｒ ｎ ａ ｌ ｏ ｆ Ｔ ｉ ａ ｎ ｊ ｉ ｎ Ｎ ｏ ｒ ｍ ａ ｌ Ｕ ｎ ｉ ｖ ｅ ｒ ｓ ｉ ｔ ｙ（ Ｎ ａ ｔ ｕ ｒ ａ ｌ Ｓ ｃ ｉ ｅ ｎ ｃ ｅ Ｅ ｄ ｉ ｔ ｉ ｏ ｎ ）
ＺＨＡＮＧ Ｘｕ ｅ ｑ ｉ ａ ｎ ，ＨＵＡＮＧ Ｍｅ ｉ ｄ ｏ ｎ ｇ ，ＫＥ Ｐ ｅ ｉ ｌ ｉ ｎ ｇ ，Ｗ ＡＮＧ Ａｉ ｙ ｉ ｎ ｇ
（ １ ． Ｃ ｏ ｌ ｌ ｅ ｇ ｅ ｏ ｆ Ｐ ｈ ｙ ｓ ｉ ｃ ｓ ａ ｎ ｄ Ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｎ ｉ ｃ ｈ ｆ ｏ ｒ ｍａ ｔ ｉ ｏ ｎ Ｓ ｃ ｉ ｅ ｎ ｃ ｅ ， Ｔ ｉ ａ ｎ ｊ ｉ ｎ Ｎ ｏ ｒ ｍａ ｌ Ｕｎ ｉ ｖ ｅ ｒ ｓ ｉ ｔ ｙ ，Ｔ ｉ ａ ｎ ｊ ｉ ｎ ３ ０ ０ ３ ８ ７ ，Ｃ ｈ ｉ ｎ ａ ；
Ｃ ｈ ｉ ｎ ｅ ｓ ｅ Ａ ｃ ａ ｄ ｅ ｍｙ ｏ ｆ Ｓ ｃ ｉ ｅ ｎ ｃ ｅ ｓ ， Ｎｉ ｎ ｇ ｂ ｏ ３ １ ５ ２ ０ １ ，Ｚ ｈ ｅ ｎ ｇ ｊ ｉ ａ ｎ ｇ Ｐ ｒ ｏ ｖ ｉ ｎ ｃ ｅ ， Ｃ ｈ ｉ ｎ ａ ）
Ａｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ ：Ｇｒ ａ ｐ ｈ ｉ ｔ ｅ — ｌ ｉ ｋ ｅ ｃ ａ ｒ ｂ ｏ ｎ （ ＧＬ Ｃ）ｆ ｉ ｌ ｍｓ ｗ ｅ ｒ ｅ ｐ ｒ ｅ ｐ ａ ｒ ｅ ｄ ｏ ｎ ｔ ｈ ｅ ｓ ｕ ｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｔ ｅ ｓ ｏ ｆ ｓ ｉ ｌ ｉ ｃ ｏ ｎ ａ ｎ ｄ ｈ ｉ ｇ ｈ ｓ ｐ ｅ ｅ ｄ ｓ ｔ ｅ ｅ ｌ ｂ ｙ ｕ ｓ ｉ ｎ ｇ ｈ ｉ ｇ ｈ
（ １ ． 天津师范大学 物理与电子信息学 院 ， 天津 ３ ０ ０ ３ ８ ７ ； ２ ． 中国科学院宁波材料技术 与工程研究所 表面工程事业部 ， 浙江 宁波ห้องสมุดไป่ตู้３ １ ５ ２ ０ １ ）
四面体非晶碳结构建模的第一性原理模拟方法
四面体非晶碳结构建模的第一性原理模拟方法高巍;朱嘉琦;武洪臣;张华芳;崔向中【期刊名称】《功能材料》【年(卷),期】2010(041)00z【摘要】在实验上对非晶材料进行原子尺度研究的手段十分有限,通过模拟的方法可以弥补实验的不足,介绍了一种利用第一性原理对四面体非晶碳进行结构建模的方法.采用基于密度泛函理论的分子动力学方法,对密度范围从2.6～3.2g/cm3的四面非晶碳进行了结构模拟.其中交换相关能量泛函、假想电子质量和冷却速度等模拟参数对结构建模有较大的影响.通过改变这些模拟参数可以获得与实验值接近的结构.【总页数】3页(P232-234)【作者】高巍;朱嘉琦;武洪臣;张华芳;崔向中【作者单位】哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,黑龙江,哈尔滨,150080;北京航空制造工程研究所,高能束流加工技术国家级重点实验室,北京,100024;哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,黑龙江,哈尔滨,150080;北京航空制造工程研究所,高能束流加工技术国家级重点实验室,北京,100024;北京航空制造工程研究所,高能束流加工技术国家级重点实验室,北京,100024;北京航空制造工程研究所,高能束流加工技术国家级重点实验室,北京,100024【正文语种】中文【中图分类】O75【相关文献】1.四面体非晶碳结构建模的第一性原理模拟方法 [J], 高巍;朱嘉琦;武洪臣;张华芳;崔向中2.真空阴极多弧离子镀不同厚度四面体非晶碳薄膜的结构和性能 [J], 李玉婷;代明江;李洪;林松盛;石倩;韦春贝;苏一凡;郭朝乾3.无氢四面体非晶碳膜在海水中的摩擦学性能 [J], 连峰;马明明;杨忠振4.不同厚度四面体非晶碳薄膜的高通量制备及表征 [J], 魏菁;李汉超;柯培玲;汪爱英5.偏压对四面体非晶碳膜结构和性能的影响 [J], 李洪;李玉婷;林松盛;石倩;郭朝乾;苏一凡;代明江因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
衬底温度和氧分压对ZAO薄膜结构及光学性能的影响
衬底温度和氧分压对 Ｚ Ｏ薄膜结构 Ａ
及光学性 能 的影 响
杨 红 ，李 雪 勇 ，戎 茂 华
（． １ 湖南信息职业技术学院 基础部 ，湖南 长沙 ４ ０ ０ １２ ０；２ 湖南工业大学 理学 院 ，湖南 株洲 ４ ２ ０ 。 １０ ８）
摘 要 ：采用直流磁控溅射技术，以氧化锌铝陶瓷靶为靶材 ，在玻璃衬底上制备 了ｚ Ｏ Ａ （ Ａ ｎ ： １ Ｚ Ｏ）薄膜， 研 究 了不 同工 艺参数对 薄膜 晶体 结构及光 学性质 的影 响 。 实验 结果表 明 ： ＺＡＯ 薄膜具 有六 角纤锌矿 结构且 呈 Ｃ 轴择优 取 向 ，晶粒垂 直于衬底 方 向柱状 生长 ，衬底 温度 和氧 分压 对薄膜 的 结构和光 学性 能有 重大影 响。 在衬 底
Ｅｆｅ ｔｏ ｂ ｔａｅＴｅ ｐ ｒｔ ｒ ｎ ｙｇ ｎＰａ ｔａ ｅ ｓ ｒ ｆ ｃ ｆＳｕ ｓｒ ｔ ｍ ｅ ａｕ ｅａ ｄＯｘ ｅ ｒｉｌ Ｐｒ ｓｕ ｅ ｔ Ｏ ｉ ｌ ｓＳｔｕ ｔ ｒ ｎｄＯｐ ｉａ ｏ ｅ ｉ ｓ ｏＺＡ Ｔｈ ｎＦｉｍ ｒ ｃ ｕ ｅａ ｔｃ ｌＰｒ ｐ ｒ ｅ ｔ
ｏ ｙｇ ｎ ａ ｄ ａｇ ｎｒ ｔｏｗ ａ ％ ． ｘ ｅ ｎ ｏ ａｉ ｓｌ ｒ
Ｋｅ ｒ ｙ ｗｏ ｄｓ：ＺＡＯ ｌ ｓ ｓ ｂ ｔａｅｔｍ ｐ ｒ ｔ ｒ ；ｏ ｙ ｅ ａ ｔａ ｒ ｓｕ ｅ ｏ ｔ ａ ａ ｓ ｔａ ｃ ｉ ｆ ｍ ； ｕ ｓｒ ｔ ｅ ｅ ａｕ ｅ ｘ ｇ ｎｐ ｒｉｌ ｅ ｓ ； ｐ ｃ ｌ ｒ ｎ ｍ ｔ ｅｔ ｐ ｒ ｉ ｔ ｉ ｎ
ｍａ ｎ ｔｏ ｐｕｔｒｎ ｔ ｅｉ ｆｕ ｎ ｅ ｆｔ ｅｄ ｐ ｉ ｏ ａ ａ ｅ ｅ ｓｏ ｈ ｒ ｔｌ ｚ ｔ ｎ ｂ ｈａ ｉ ｒａ ｅｌ ｓｏ ｔ ａ ｒ ｐ ｒｉ ｓ ｇ ｅｒ ｎ ｓ ｔ ｉｇ，ｈ ｎ ｅ ｃ ｓｏ ｅ ｏｓｔ ｎｐ ｍ ｔｒ ｎｔ ｅｃｙｓａｌ ａ ｏ ｅ ｖ ｏ ｓｗ ｌ ａ ｐ ｃ ｌ ｏ ｅｔｅ ｅ ｌ ｈ ｉ ｒ ｉ ｉ ｉ ｐ
衬底温度对CuI薄膜微结构与性能的影响
中配成 溶液 ，以喷枪直接 喷射 到衬底上 ，溶剂挥 发而 该 化合物 衬底 上沉积成膜 ， 此过程可 以加热衬底而加速 溶 剂的挥 发，改善结晶性 。
间 为 ４ｓ 。
采用 小角 Ｘ射线 衍射 （ ／ ｘＲ Ｄ ｍａ ．Ｂ；Ｌ Ｉ Ｄ）表 征 【 Ｒ 所 制备 的 Ｃ Ｉ ｕ 薄膜厚 度 ，Ｘ 射线衍 射仪 （ ／ ｘ ．Ｂ： Ｄ ｍａ Ｒ Ｘ Ｄ）分析 薄膜的相组成 ，光源是 Ｃ Ｒ ｕ的 Ｋ ｓ谱线 ，波
始寻找Ｃ Ｓ ｄ 的替代材料 ， ｎ 、 ｎ ｅ Ｚ Ｏ、 Ｚ ， ） 如Ｚ Ｓ Ｚ Ｓ 、 ｎ （ｎＭｇＯ、
界面上的晶格 匹配 ，使吸 收层免受溅射破 坏 ，改善 电池 的能带结构 ，调整界 面处 的位置 ，所 以它 能改善 电 】 池 的界面复合【、光 电流 大小和长 期的稳定性等 方面 ， ６ 】
可 以使 电池 获得更高 的填充 因子（ 和 开路 电压 （ ） 。 最 初的这 一类 电池采 用Ｃ Ｓ 为缓冲 层来 改善Ｐ ｄ作 型 吸收层 （ Ｉ ）和ｎ ＣＳ 型窗 口层 （ 一般 采用Ｚ Ｏ）的晶格匹 ｎ 配 ，但 由于镉有 一定的毒 性 ，考虑 到环 保 问题 ，人们 开
光 谱谱线 。此外 ，通过霍 尔测试 仪 （ 采用 ｖｎｄｒ ａ ｎ ａ ｅ Ｐ ｗ 四点法测量 ，磁场垂直 于膜面 ，场强 为 ０５ ． Ｔ）获得薄膜
所用喷枪 口径 为 ０５ ． ｍｍ ，喷 口与衬底 间距 ８ｃ ｍ， 气压 为 ０１ ａ ． ＭＰ ，将 配置的溶液 喷射沉积 到预 先准备好 的铜 带与载 玻片上 ，衬底温度 分别采用 ５个不 同的温
衬底偏压对γ’-Fe4N薄膜磁性的影响
Ａ ｓｒｃ： ＇ ｅＮ ｔｉ ｆｍ ｅｅ ｅｏｉ ｄｏ ｎ ｌ ｃ ｓ ｌ ｉ １０ ｕ ｓ ａ ｙＤ ａｎ ｔ ｎｓｕｔ ｉｇ ｂ ｔ ｔ － ４ ｎｉ ｓ ｒ ｄ ｐ ｓｅ ｎｓ ｇｅ ｒ ｔ （ ０ ）ｓｂｔ ｔ ｂ Ｃ ｍ ｇｅ ｏ ｐ ｔ ｒ ａ Ｆ ｈ ｌ ｗ ｔ ｉ ｙ ａＳ ｒｅ ｒ ｅｎ ｕｉｇａ ｒＮ ａ ｉ ｕｅ（ ２ （ ｒ ２ １ ％ ） Ｔ ｅｓｕ ｔｒ ｎ ａｎ ｔ ｒ ｅｔ ｓ ｆｈ ｌ ｅｅ ｓ ｎＡ ／ ２ ｓ ｘ ｒ Ｎ ／ Ａ ＋Ｎ ）： ０ ｎ ｇ ｍ ｔ ． ｈ ｔ ｃ ｅａｄｍ ｇｅｉ ｐｏ ｒｅ ｅｆｍｓ ｒ ｒ ｕ ｃ ｐ ｉ ｏｔ ｉ ｗ ｃａａｔｒ ｅ ｉ Ｘ ｒｙｄｆａｔ ｎ（ Ｒ ）ａ ｄｓｐ ｒｏｄ ｃｉ ｕ ｎｕ ｎｅ ｅｅ ｃ ｅｉ Ｓ Ｕ Ｄ） ｈ ｈ ｒｃ ｉ ｄｖ — ｉｒｃｏ Ｘ Ｄ ｎ ｕ ｅｃｎ ｕ ｔ ｇｑ ａ ｔ ｉｔ ｆｒｎｅｄ ｖ ｅ（ Ｑ Ｉ ．Ｔ ｅ ｅｚ ａ ａ ｆ ｉ ｎ ｍ ｒ ｃ
ｏ － ４ Ｔｈ ｎ Ｆ ｌ ｓ ｆ Ｆｅ Ｎ ｉ ｉｍ
Ｚ Ａ ｉｕ ＷＡ Ｇ Ｌ． Ｇ Ｎ ｉ ， Ｈ Ｎ ｉ ａ Ｈ Ｏ Ｌ－ ｎ ， ｊ Ｎ ｉｉ， Ｏ Ｇ Ｊ Ｚ Ｅ Ｇ Ｗｅ． ｏ １ ． ． ｅ ｔ
（ ．Ｃｌｇ ｉ ｃ ， ｈ ｎｃｕ ｎ ｅ ｉ ， ｈ ｎｃｕ ３ ０２， ｈｎ ； １ ｏｌ ｅｆＳ ｅ ｅ Ｃ ａ ｇｈｎ Ｕ ｉ ｒｔ Ｃ ａｇｈ ｎ１０ ２ Ｃ ｉａ ｅ ｏ ｃｎ ｖ ｓｙ ２ ｏｌ ｅ ｆＭ ｔ ｉｓＳｉ ｃ ａ ｄＥ ｇｎｅｉ Ｊｉ Ｕ ｉ ｒｔ， ｈｎ ｅｕ ３０ ２， ｈ ａ ．Ｃ ｌｇ ａｅ ａ ｃ ｎｅ ｎ ｎｉｅｒ ｇ， ｉｎ ｎ ｅ ｉ Ｃ ａｇｈ ｎ１０ １ Ｃ ｉ ） ｅ ｏ ｒｌ ｅ ｎ ｌ ｖ ｓｙ ｎ
W 衬底层结构对NdFeB薄膜性能的影响
W 衬底层结构对NdFeB 薄膜性能的影响崔艺涛 1,2 马云贵2 杨正2,3 朱明刚1 郭朝晖1 李卫11钢铁研究总院功能材料研究所 北京 100081 2 兰州大学磁性材料研究所 兰州 7300003 兰州大学应用磁学教育部重点实验室 兰州 730000本文用磁控溅射的方法制备具有垂直各向异性的Nd22Fe72B 6/W 薄膜，并研究W 衬底层生成温度及衬底层厚度对NdFeB 薄膜性能的影响。
实验发现W 衬底层有利于控制四方晶系Nd 2Fe 14B 晶粒C 轴沿垂直膜面方向生长，并制得具有垂直各向异性的Nd 22Fe 72B 6/W 薄膜。
最后利用Nd 22Fe 72B 6/W 薄膜的H c (θ)/H c (0)随外加磁场与垂直膜面方向间夹角的变化关系，研究了薄膜的反磁化机制。
实验表明Nd 22Fe 72B 6/W 薄膜的反磁化机制是由一致转动控制的。
1 引言永磁薄膜应用前景广泛，如：微波电路，磁电阻磁头的磁场偏置、传感器、效应器、微电机械和磁记录等[1]。
高性能永磁薄膜的研究是新的热点。
具有优良磁性能的NdFeB 薄膜材料，更是在许多应用领域里被广泛关注［1，2］。
Nd 2Fe 14B 材料具有很强的单轴磁晶各向异性，被认为是极具潜力的超高密度磁记录介质材料［3］。
理论上，NdFeB 薄膜内的磁性晶粒能在几个纳米的尺度范围内具有很好取向度并能相互隔离，且晶粒热稳定性仍能保证超高密度磁记录的要求［4］。
NdFeB 材料中的Nd 极易氧化且Nd 2Fe 14B 晶化温度较高，在保证高磁性能的情况下，很难制备出十几个纳米厚的薄膜［5－7］。
添加衬底层［6，8］可有效防止Nd 的氧化，同时可以控制薄膜的织构。
若磁性层与衬底层间的晶格匹配不好，很难有效防止Nd 的氧化，更难获得理想的磁性能。
超高密度磁记录介质用材料要求具有良好的晶粒取向及高磁晶各向异性。
为适应这种需要，必须选择合适的衬底层材料。
本工作用W 做衬底层来解决这一问题。
四面体非晶碳作为薄膜声表面波器件增频衬底的研究
前 多 晶金 刚 石 薄 膜 的最 大 尺 寸 不 超 过 ４ ） ”，
这 些 因素 都制 约 了 多 晶 金 刚 石 作 为 薄 膜 声 表 面波 器件 增频 衬底 的应 用ｎ。 但 是非 晶金 刚石却 可以克 服 化学 气相 沉 积
为 波 的振
６和 ７所 幅 ，ｌ 为 波 传 播 的 方 向余 弦 。如 式（） （） １
２ ２层厚对 相速 度的影响规律 ． 计算 表 明 ，无 论声 表面 波器 件在 基波 还 是 在 一次 谐 波状 态 下工 作 ，也 无 论ｔ— 增 频 衬底 ａＣ 层 厚 多少 ，随着Ｚ Ｏ压 电薄膜 厚度 的增 加 ，声 ｎ
２ Ｚ ０／ — ／ ｉ 状 结构 中声 表 面 的特 性 ｎ ｔ Ｃ Ｓ层 ａ
面 居
入 ｔ ｏ ｉ Ｏｕ Ｕ ｈ ＹＦ ｒ ｍ ｔ
的主 要 来 源 。还 有 ，多 晶金 刚 石 在 切 割 过 电势 的通 解 如下 ：
：
程 中产 生 的 微 裂 纹 将 会 导致 频 率 失 真 、插 损 增 大 等器 件 品质 下 降 。再 有 ，Ｃ Ｄ 沉积 的 ” Ｖ 法 多 晶金 刚石 薄 膜 制 备温 度 高（ 界面 温 度 一 般 在 ６ ０ 以上） ０℃ 、先 驱体 离 解后 对衬 底 腐蚀 性 强 ，
压 电材料 衬 底 ，采用Ｉ ／ｎ ｔ— Ｓ形 式 的层 ＤＴ Ｚ Ｏ／ Ｃ／ｉ ａ 状 结 构 ，通 过 解 析 声 表 面 波 传 播 状 态 方 程 进 行 结构 设计 ，以期获得 增频 效 果 。
～
∑ Ｃｔ ｅ ｛ｍ— （。， ＋ ） 一Ｌ ｘ ｊｔＫ１ ＋ｘ （ ］ ｐ［ 。
就 越 快 。但 是 由于 声 表 面 波 的 能 量 大 部 分 集
０ （ 以后 ， 加速 声 波 传 播 的幅 度 趋 缓 。 由计 算 可 ３ ）