非晶碳氢薄膜结构及光学间隙
非晶态碳氮薄膜的微观结构与力学性质

型蓼天毕又尊硕士学位论文一’■■al●■■a瑚,:●■l■■¨0■■■■■_学科专业:监盟盟里王坐生指导教师:直筮丑三监L天津大学研究生院2005年1月空气中300。
C以上就会被氧化,到400oC则完全分解,其中与氧最先发生反应的是C=C,其次是氮与碳所形成的各种键,这就为碳氮薄膜的应用限定了一定的温度范围。
此外,也鲜有对碳氮薄膜润湿+[1168】、导热。
111551等性质的研究。
基于碳氮薄膜的优良性能,其在力学、电学、光学等方面有着广泛的应用。
如在电学上可用作场发射体【56],双电极【57】,场效应晶体管[581,微型片状开关【59】,平面波导[60],可变带隙半导体[4]等;在力学上可用作磁盘保护膜[63,66];在光学上可用作光学保护膜[4]等。
图1-8类石墨状结构向类芳香烃结构的转变t101】第二章碳氮薄膜的制备、热处理和结构表征图2-1对向靶工作原理图【94】不同的氮气分压下制各了恒定Ni含量的碳氮薄膜。
(3)退火系列碳氮薄膜:对上述两个系列样品在不同的退火温度和时间下进行热处理,退火炉的真空度可达10-4Pa。
2.1.1对向靶直流磁控溅射原理对于磁性靶材,一般的磁控溅射不能实现低温、高速溅射成膜,因为靶的磁阻很低,磁力线几乎完全从靶材中通过,不可能形成平行于靶表面的使二次电子作圆摆线运动的强磁场;而采用三极溅射时,基片温度升高得非常严重。
对向靶溅射法对磁性靶材,即使是强磁性靶材也很容易实现低温高速溅射成膜。
这是一种设计新颖的溅射镀膜技术,其原理如图2—1所示[94】。
两块靶相对放置,所加磁场和靶材表面垂直,且磁场和电场平行。
二次电子飞出靶面后,被垂直靶的阴极位降区域的电场加速。
电子在向阳极运动过程中受磁场作用,作洛仑兹运动,但是由于两靶上具有较高的负偏压,部分电子几乎沿直线运动,到对面靶的阴极位降区被减速,然后又被向相反的方向加速运动。
这样由靶产第二章碳氮薄膜的制备、热处理和结构表征拉曼光谱测量,光源为波长514.5nnl的Ar离子激光,功率为150mW,其横向和纵向分辨率分别为1和2Ixm,光谱分辨率为1cm一。
类石墨非晶碳膜的结构、制备、表征及改性

类石墨非晶碳膜的结构、制备、表征及改性胡仁涛;陆境莲;朱光明;汤皎宁【摘要】非晶碳是一种由sp2和sp3共同构成的无定型碳,按照杂化比例的多少可以分为类金刚石非晶碳和类石墨非晶碳.类石墨非晶碳膜是近年来发现的一种新型碳材料,其制备方法比较独特、与类金刚石碳膜有明显的区别,具有摩擦系数小、磨损率低、硬度适中、导电性好等优点,因而在机械和电子领域具有广阔的应用前景,然而目前关于类石墨非晶碳膜的报道较少.本文详细介绍了类石墨碳膜的结构和制备方法、并对其检测手段和改性研究进行了综述和介绍,为广大科研工作者提供了指导.【期刊名称】《电池工业》【年(卷),期】2018(022)003【总页数】6页(P147-152)【关键词】类石墨非晶碳膜;结构;制备;表征;改性【作者】胡仁涛;陆境莲;朱光明;汤皎宁【作者单位】深圳大学材料科学与工程学院深圳市特种功能材料重点实验室,广东深圳 518060;深圳大学材料科学与工程学院深圳市特种功能材料重点实验室,广东深圳 518060;深圳大学材料科学与工程学院深圳市特种功能材料重点实验室,广东深圳 518060;深圳大学材料科学与工程学院深圳市特种功能材料重点实验室,广东深圳 518060【正文语种】中文【中图分类】TB431 类石墨非晶碳膜的结构碳原子核外有四个电子,其结构为2s2 2px1 2py1[1],碳原子参与成键时,2s 轨道的一个电子会激发到2pz轨道上,碳原子由基态变为激发态,核外电子结构排布变为2s1 2px1 2py1 2pz1。
碳原子的轨道杂化分为三种类型:sp1、sp2和sp3。
(如图1所示)按照sp1杂化的的碳原子,它的一个2s轨道和一个2p轨道在空间形成直线结构的δ键,轨道对称轴之间的夹角为180°,另外两个未杂化的2p轨道以π键形式与δ键在空间形成两两相互垂直的结构;按照sp2杂化的碳原子,它的一个2s轨道和两个2p轨道在空间形成等边三角形结构的三个δ键,轨道对称轴之间的夹角为120°,另外一个未杂化的p轨道以π键的形式与这三个δ键构成的平面相垂直;按照sp3杂化的碳原子,它的2s轨道和三个2p轨道在空间形成正四面体结构的四个δ键,轨道对称轴之间的夹角为109°28′,这种杂化形式不存在π键。
测量氢化非晶硅薄膜厚度和光学参数

Tmax - Tmin Tmax Tmin
+
ns + 1
2
2
.
41 结果与讨论
( 5)
a2Si : H 薄膜的厚度可由干涉方程得到
λ, 2 nf d = m ・ 其中 m 是干涉级数 .
对于给定的一组用椭偏仪测得的 a2Si : H 薄膜 meas (λ λ λ 透射谱数据 [λ i , T i ) ] , ( 500 nm ≤…≤ i- 1 ≤ i λ ≤ 2200 nm , i = 0 ,1 ,2 ,3 , …, N ) ,我们需要 i + 1 ≤…≤ λ 估计薄膜的厚度 d 和光学参数 nf (λ i ) 及 kf ( i ) ,然后 进行数据拟合. 对于已知的厚度 d 及 λ,必须满足 meas theor T (λ [λ i) = T i , n s (λ i ) , d , nf (λ i ) , kf (λ i) ] ,
a2Si : H 薄膜的厚度和光学参数测量可以采用反
[2 ]
21 试验与方法
采用 PECVD ( 射频频率 13156 MHz) 工艺在抛光
K9 玻璃基片上沉积不同厚度的 a2Si : H 薄膜 , 基片
温度 Ts 为 80 ℃— 250 ℃,辉光放电前气体温度 Tg 为 室温 ( RT) — 160 ℃,反应室气体压力为 60 Pa ,功率密 2 度为 100 mWΠ cm . 反应气体为 ( SiH4 + 1 %PH3 ) 混合 气体 , 流速 20 sccm , 沉积时间 10 min. 在辉光放电 前 ,利用钨灯将气体加热到指定温度 . 用德国 SENTECH 公司 SE850 型光谱式椭偏仪 进行 a2Si : H 薄 膜 的 透 射 法 测 试 , 波 长 500 — 2200
对氟化非晶碳薄膜结构和性质的影响

苏州大学硕士学位论文沉积温度对氟化非晶碳薄膜结构和性质的影响姓名:陈玲玲申请学位级别:硕士专业:材料物理与化学指导教师:程珊华20040401扫C积温度刊氟化非品碳薄膜结构和4h质的蟛I|_甸中文摘要本文以C2H2和CHF3为源气体在微波ECR—CVD系统中沉积了a-C:F薄膜,并在5000C真空气氛下进行了热处理。
重点研究了沉积温度对薄膜性质的影响。
分析了薄膜的化学键和结合态随沉积温度的变化情况,测量了薄膜的透光谱,进而计算了光学带隙,考察了沉积温度对薄膜介电性质的影响。
结果表明,提高沉积温度有助于薄膜的热稳定性。
薄膜主要是由CFx链状及不饱和C=C键组成;CFx基团的浓度在高温下减小;CFx吸收峰的峰位在较高温度下稍微向低波数方向偏移。
薄膜C=C键含量与光学带隙之间存在着密切的关联;较低温度下沉积的薄膜具有较低的介电常数;薄膜漏电流的大小与薄膜中的的sP碳含量有关,室温下沉积的膜,因富含高负电性的氟原子,其能隙值较大,电子跃迁几率较小,因而其漏电流较低。
关键词a.C:F薄膜、沉积温度作者:陈玲玲指导教师:程珊华型坐!!!堕坐21墅!!塑!!e!!!些!!业坐!!型!竖苎e!!£!!唑!!!!:!:!型竺!!堕塑竺Influenceofdepositiontemperatureonthestructure&propertiesofa—C:FfilmsAbstractAsoneofpromisinginterlaydielectricsusedinthefutureULSI,fluorinatedamorphouscarbonfilm(a—C:F)hasbeenattractedintensivelyAllkindsoftechniquesforthedepositionofa-C:Ffilmswereintroduced.Manystudiesonelectricalproperty,thermalstability,etcforthea-C:Ffilmswerecan'iedout.However,fewreportsonthecorrelationbetweenthedepositiontemperatureandfilmpropertiesweremade.Inthisthesis,Fluorinatedamorphouscarbonfilms(a—C:F)werepreparedatdifferenttemperaturesusingamicrowaveelectroncyclotronresonancechemicalvapordeposition(ECR—CVD)reactorwithCHF3andC2H2assourcegasesFilmswereannealedat5000Cinvacuumambienceinordertoinvestigatetheirthermalstability,opticalandelectricalpropertieswithdepositiontemperature.ResultsindicatethatfilmsdepositedathightemperaturehavelessCFxbondingandmorecross—linkingstructuresthusabetterthermalstability.Theyalsohavealowerbandgap,higherdielectricconstantandhigherleakagecurrentKeywords:fluorinatedamorphouscarbonfilm,depositiontemperatureifWrittenby:CheninglingSupervisedby:ChenghanhuaY645680苏州大学学位论文独创性声明及使用授权声明学位论文独创性声明本人郑重声明:所提交的学位论文是本人在导师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。
非晶碳化硅薄膜的结构及其光学特性研究

2 .昆明物理研究所 , 昆明 云南 6 0 2 ) 5 2 3
摘要:采用等离子体增强化学气相沉积系统制备非晶碳化硅薄膜,通过控制反应气体 中甲烷和硅烷 的 流量 比 R来调节薄膜 中的碳/ 比,获得具有不 同碳/ 比的薄膜结构。采用 R m n P 及 F - 硅 硅 a a 、X S以 TI R 等技术手段对样品的结构进行表征。通过对样 品吸收谱 的测量,对样品的光学特性进行 了研究。 究 研 结果表 明,薄膜 中 CH键 以及 S— . i C键含量的增加 引起薄膜 的光学带隙展宽,在 R _0时薄膜 的光学 -1
Ab t a t A e i s o y r g n t d a r h u i c n c r i e t i i s wi if r n / lr t r sr c : s re f h d o e a e mo p o s sl o ab d h n f m t d fe e t C S a i we e i l h o
S ONG h o , KONG i g d C a Ln —e
(. p r e t P y i n E etc l n ier g Ha sa om l nvri, h oh uG ag og5 14 , hn ; 1Dea t n o hs s d lc i E gnei , nh nN r a i st C a zo u n d n 2 0 1C i m f ca ra n U e y a 2Ku m n ntue f hs sK n n 52 3 C ia . n igIsi t o P yi , u mi 6 0 2 , hn t c g
性进 行 了研 究 。
1 实 验学 气 相 沉 积
(E V P C D)系统 制 备 aSC: 薄膜 ,使 用 甲烷 ( H ) .i H C 4 和 Sl4 i 的流量 比 R ( R=[ H ] SH4)制 备 了一系 列 C 4 [i ] / 不 同碳/ 比的 aSC: 薄膜 。根据 不 同 的测试 要求 , 硅 .i H
碳氮薄膜的光学带隙和光学性质

利用菲涅耳透射和反射系数计算得到折射率n和消光系 数k;吸收系数a由: 然后利用Tuac关系 E为光子能量hγ,A比例为常数。通过Tauc作图外推获 得到到光带隙能量。对高光子能量的线性部分(对应光 学吸收边部分)进行拟合,并外推至α=0,得到横坐标 的能量值即为薄膜的光学带隙值。
结果分析:
沉积速率与N/C比例关系
Raman spectra were performed with a Jobin Yvon T64000 triple monochromator using the 514.5nmlineofanargonionlaser.
The refractive index n at 2 μm and the optical gap (opEtiTcaaucl)trawnsemreispseiorfnorsmpeecdtrwositchopaycombination of (Varian Cary 5E spectrometer)in the 300–3000 nm range and photothermal deflection spectroscopy (PDS) measurements.
3450 →O-H或N-H振动。 性(的这多说孔明,样这品些暴 多露孔在很空可气能中就时是吸薄附膜了中大O2片和层H2的O,无薄用膜网具络有的很一强种的表开现放)
氟化非晶碳薄膜的光学带隙分析 3

2642
物 理 学 报
51 卷
强 ,而 C C 吸收几乎见不到. 由此可见 ,当α2C∶F 薄膜中 C —F 吸收比 C C 吸收弱或与 C C 吸收 相近时 ,薄膜的光学带隙较小 ,约在 1176 —2129 eV 之间 ,C —F 吸收比 C C 吸收强时 ,薄膜的光学带 隙增大 ,约在 2143 —2185 eV 之间 ,当 C —F 吸收较 强而 C C 吸收极弱时 ,薄膜的光学带隙较大 ,约 在 3118 —3198 eV 之间. 根据上述实验结果 ,我们认 为α2C∶F 薄膜的光学带隙与薄膜中 C —F 与 C C 键的相对含量有关.
[3]
C2H2ΠCF4 [4]
石墨靶ΠH2 稀释的 CF4 [5]
α2C∶H∶F
2197 —3145 3112 —3145
C6 H5CH3ΠC6 H5 CF3
PECVD
[6]
C6 H5 CH3ΠSF6
氟化有机薄膜
215 —218 射频放电
C2 H2ΠSF6
[7]
F2DLC 0174 —1188
PECVD
关键词 : 氟化非晶碳 (α2C∶F) 薄膜 , 光学带隙 , 键结构 PACC : 7865M , 8115H
11 引 言
作为折射率低 、透光率高 、防湿性能好的光学材 料[1 ,2] ,碳氟薄膜的光学性质越来越受到人们的关 注 ,其中包括氟化非晶碳 (α2C∶F) 薄膜[3 —7] 、氟化类 金刚石碳 ( F - DLC) 薄膜[2] 和纳米晶氟化碳 ( nc2C∶ F) 薄膜[8] . 对于α2C∶F 薄膜光学带隙的成因 ,人们认 为与以下两个因素有关 : (1) 薄膜中的 F 含量[2 ,5 —7] , (2) 薄膜中的 C C 交联或类石墨的 sp2 结构[3 ,4] . 因为光学带隙随 F 含量提高而增大的规律在溅 射[5] 、等离子体增强化学气相沉积 ( PECVD) [6] 的α2 C∶F薄膜和氟化的有机聚合物[7] 中均被观察到. 同 时 ,人们也发现薄膜石墨化程度的提高[3] 和芳香碳 含量的增大[4] 均导致光学带隙的减小. 由于影响α2 C∶F 薄膜光学带隙的因素不完全清楚 ,为此我们研 究了用电子回旋共振2化学气相沉积 ( ECR2CVD) 的 α2C∶F 薄膜的光学性质 ,发现光学带隙与 C —F 键的 含量有关 ,但是尚缺乏深入细致的分析[9] .
非晶态ZnO薄膜的微结构及光学性质

非晶态ZnO薄膜的微结构及光学性质
徐林华;李相银
【期刊名称】《青岛科技大学学报(自然科学版)》
【年(卷),期】2008(029)003
【摘要】采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了非晶态ZnO薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描探针显微镜(SPM)研究了非晶态ZnO薄膜的晶相和微观形貌,用紫外-可见光光度计和荧光光度计研究了非晶态ZnO薄膜的光学特性.测试结果表
明,XRD谱没有任何衍射峰,表明所制备的ZnO薄膜确实是非晶态;非晶态ZnO薄膜的表面平整、光滑,表面粗糙度均值为1 5 nm;在可见光区有很高的透过率,最高值为90%;光学带隙为3 39 eV;其PL谱显示在紫外区384 nm处有较强的紫外发射.
【总页数】4页(P227-230)
【作者】徐林华;李相银
【作者单位】南京理工大学,应用物理系,江苏,南京,210094;南京理工大学,应用物理系,江苏,南京,210094
【正文语种】中文
【中图分类】O484
【相关文献】
1.Fe掺杂对ZnO薄膜的微结构与光学性质的影响 [J], 徐林华;李相银;袁俊
2.制备温度对TiO2基膜表面非晶态ZnO薄膜发光特性影响的研究 [J], 沈华;史林
兴;王青;何勇;朱日宏
3.溶胶-凝胶法制备Mg掺杂ZnO薄膜的微结构与光学性质 [J], 黄凯;吕建国;刘先松;唐震
4.In掺杂量对ZnO薄膜微结构和光学性质的影响 [J], 戴结林
5.一种基于表面势的非晶态InGaZnO薄膜晶体管核心紧凑模型 [J], 张奎;崔海花因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
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由于 - C: H 膜的非晶态结构, SP C 主要以 乙烯、 苯环、 双苯结构无规则地分布于 - C: H 膜 中, 因此, 运用 FCN 理论时, 需对 SP2 C 形成的几 种结构分别处 理, 才 能更好地 对 SP C 膜 进行模 拟. 设 x 3, 0 , x 3, 1, x 3 , 2 分别为以乙烯、 苯环、 双苯
[ 11, 12] 2
, 因此图 2 中 实验数据 未采用 IR 分析结
.
果) . 其直线 1 为式 ( 5) 的计算结果. 从图 2 发现, SP2C 含量越高, 直线与实验结果偏差越明显实验 结果并不是一个简单的线性关系, 而是集中在某 个特定区域. 直线 1 主要位于这个区域的下边 .
图 3 氢化非晶碳膜结构模型 [ 9] Fig. 3 Schematic diagram of network of - C: H films[ 9]
( 1. 大连理工大学三束国家重点实验室 , 辽宁 大 连 116023; 2. 辽宁师范大学化学系 , 辽宁 大连 116029) 摘 要 : 利用完全抑制网络结构 ( FCN) 对氢化 非晶碳( - C: H) 膜 组成进行 模拟计算 , 得出形 成质密 - C: H
膜条件是 H 、 SP2C 和 SP3 C 在其三元相图中应在一个三角形 区域内 . 大量实验数据表明 , 模拟结果与实验结 果 相当吻合 . 在 - C: H 中主要存在氢、 四面体碳、 乙 烯、 苯 环和双 苯等结 构 , 它们相 对含量在 三角形 区域内 变 化 . 该理论模拟对薄膜光学间隙的实验分析给 予了很好的解释 . 关键词 : 氢化非晶碳膜 ; 完全抑制网络结构 ; 光学间隙 中图分类号 : O484. 1 文献标识码 : A
第8卷
第 2期
2 0 0 0 年 6 月
材 料 科 学 与 工 艺 MATERIAL SCIENCE & TECHNOLOGY
Vol. 8 No. 2 Jun. 2000
文章编号 : 1005 -0299( 2000) 02 - 0058 -04
非晶碳氢薄膜结构及光学间隙
刘东平1, 李 芳2, 俞世吉1, 马腾才1
图2 NMR 的分析结果;
- C: H 膜的三元相图 EELS 的分析结果 ; 直线 1 来自式 (5)
从式 ( 5) 可以看出, 对于 - C: H 膜, 其组成 具有一定规律性 . 将 x 4/ x 3 与 x 1 作成曲线, 并与 实验结果比较, 如图 1 所示 , 其中 x 1 的变量区间为 ( 0. 167, 0. 615) . 从图 1 可以得出, x 1 值较大时 , 理 论曲线与实验数据吻合 ; 当 x 1 值较小时, 有较大 偏差. 这种偏差从图 2 所示的 - C: H 膜 SP C、 SP C 和 H 的三元相图中更加明显 . 图 2 中实验数 据来 自 核 磁 共 振 ( NMR) 和 电 子 能 量 损 失 谱 ( EELS) 分别结果 ( 红外光谱 IR 被认 为存在较大 误差
实验结果具有良好的一致性. 进一步研究可以发 现, 图 2 所示的直线与图 4 三角形边 1 为同一条 直线, 这说明文献 [ 7] 根据 FCN 理论所得方程为 图 4 所示三角形的边缘部分 , 在角边 1 上, SP2C 仅 以乙烯结构存在, 在三角形内部 , SP2C 以乙烯和 苯环两种结构存在. 由已知条件可将方程 ( 11) 和 ( 12) 转化为 x 1 , x 3 的函数 , 得 x 3, 0 = 3. 92x 1 + 3. 1x 3 - 2 . 4
2
( 16)
x 3 , 1 = x 3. 2 = 1. 25 - 2. 01 x 1 - 1. 1x 3 ( 17) 从式( 13) 和( 14) 可以发现, 当 SP C 含量 ( x 3 ) 一定 时, H 的含量( x 1 ) 越高, 乙烯结构含量 ( x 3, 0) 相对 于苯环结构含量 ( x 3, 1 或 x 3 , 2 ) 越高, 薄膜组成越 接近三角形边 1; H 的含量 ( x 1 ) 越低, 苯环结构含 量( x 3 , 1 或 x 3, 2 ) 越高, 薄膜组成越接近三角形边 2, 在角边 2 上, SP C 均以苯环结构存在 . 这种薄 膜组 成规 律 可 以 加深 对 薄 膜 光 学间 隙 ( opt ical gap) 的认识. - C: H 膜的光学间隙 ( Eg ) 通常被认为是由 膜中元素化学键的成键轨道与反键轨道的能量差 所决定
、 计算机 磁介质 保护层
3 2
[ 2]
、 医
膜组成和结构的重要方法 . FCN 理论认为 , 在非晶 共价网络结构中, 当原子的平均抑制数与原子的 机械自由度相等时, 该结构被完全抑制了, 这种结 构是稳定的、 易形成的和致密的网络结构. 原子的 抑制数 ( NCO ( m) ) 可 从其配位数 ( m ) 计算得出, 例如 H 、 SP2 、 SP3 的配位数分别为 1、 3、 4, 代入方程 ( 1) 和( 2) , 则可得相应的 N CO ( 1) 、 N CO ( 3) 、 N CO ( 4) 为 0. 5、 4. 5、 7. 对于 FCN 的认识 , 可从配 位数 ( 键) 进行直观理解 : 增加配位数, 一方面从键能角 度来说 , 生成更多 键 , 稳定了固体网络结构; 另 一方面造成了立体结构复杂性, 致使配位键易被 拉伸、 弯曲, 受到抑制 . FCN 认为配位数存在优化 值. 从 FCN 可得方程 ( 3) , 其中 x i 为某种配位数原
收稿日期 : 1999- 10- 19 作者简介 : 刘东平 , 硕士 .
第2期
刘东平 , 等 : 非晶碳氢薄膜结构及光学间隙
59
子在膜中物质的量百分比 . m N CO ( m ) = , (m 2 N CO ( m ) = 5m 2 - 3, ( m x iN CO, i = 3
2
2) 2)
( 1) ( 2) ( 3)
[ 8] 2 3
Fig. 2 Temary phase diagram for - C: H films
2
理论模拟
由于 SP2 C 具有形成稳定离域
2
键环状结构
特性, - C: H 膜中 SP C 部分形成了芳香环的结 构. 如图 3[ 9] 所示 , SP2C 不仅以乙烯结构存在, 而 且还存在苯环和双苯等结构, SP C 含量越大, 成 环趋势越强[ 10] . 由于受到非 晶无序结构的制约, 形成苯环 结构困 难, 其中以 单苯和 双苯 结构居 多
Abstract: The composition range of hydrogenated amorphous carbon films( - C: H) is calculated using fully con strainted networks. It is predicted that the range of H, SP C and SP C for - C: H is a special triangle in their ternary phase diagram. Experimental data shows the theoretical result is consistent with experimental one. - C: H f ilms mainly consist of H , SP3 C, C= C and benzene rings and their relat ive contents vary in the triangle. By ana lyzing the optical gaps of - C: H f ilms, the theory has been proven further. Key words: hydrogenated amorphous carbon films; fully constrainted networks; optical gaps
设 x 1、 x 3、 x 4 分别为 H 、 SP C、 SP C 在 - C: H 中组成, 则由式 ( 1) 、 ( 2) 、 ( 3) 可得 x4 8x 1 - 3 = x3 8 - 13x 1
2
3
( 4)
考虑到 SP C 始终以 > C= C< 形式存在, 而 不是自由分布, 对式 ( 4) 修改 , 文献[ 7] 得到下式 x4 6x 1 - 1 = x3 8 - 13x 1 ( 5)
2 3
氢化非晶碳( - C: H ) 膜是一种含氢类金刚 石薄膜 ( DLC) , 具有类似于金刚石薄膜的性能特 点, 如硬度高、 耐磨、 光学性能好、 化学惰性以及生 物相容性等, 因此它是一种良好的保护膜. 在作为 机械工具保 护膜 学
[ 3] [ 1]
1
FCN 理论和计算方法
完全抑制网络结构 ( FCN) [ 7] 是研究 - C: H
、 光学
[ 4]
等方面具有重要应用. - C: H 膜主
3 2
要含有四面体碳 ( SP C) 、 石墨碳 ( SP C) 和氢 ( H) 三种组分 . - C: H 膜中 SP C 、 SP C 和 H 三种组分 含量对膜性能具有重要影响
[ 5, 6]
, 如 SP C 含量高,
3
则膜硬度、 内应力、 电阻率和密度等增加; SP2 C 含 量增大, 膜电导率增大, 光学带隙减小, 因此研究 - C: H 膜组分和结构具有特别重要的意义.
Fig. 1 Ratio of SP3 to SP2 bonds in a series of - C: H films
60
பைடு நூலகம்
材
料
科
2
学
与
工
艺
第 8卷
苯环和双苯结构相近 , 在膜中含量随着 SP C 含量增加而增加, 假设这两种结构在膜中组成存 在线性关系, 可得到下式 x 3 , 1 = Kx 3, 2 ( 8) 文献 [ 12] 实验结果发现 , 苯环和双苯结构在 - C: H 膜含量近视相等, 因此可将式 ( 8) 修改为 x 3 , 1 = x 3, 2 ( 9) 从式( 2) 可得出苯环和双苯的抑制数分别为 12 和 17, 代入方程 ( 3) 可得下式 0. 5x 1 + 7. 0 7. 0 x 4 = 3 整理式( 7) 、 ( 9) 和( 10) 得 x 3 , 0 = 0. 70 + 0. 82x 1 - 3. 1x 4 又从已知条件可知 0 x 3, 0 1 - x 3, 1 - x 1 - x 4 关系式如下 0. 86x 1 - 0. 14 x4 0. 26x 1 + 0. 22 ( 14) 由此可见, 形成稳定的 - C: H 膜应满足不 等式 ( 14) , 并可解得 x 1 的边界条件为 0. 167 x 1 0. 619 元相图表示, 可得到图 4 所示的阴影三角形. ( 15) x 3, 0 + 12 2 x 3, 1 + 17 6 x 3, 2 + 10 ( 10) ( 11)