光电子能谱分析法基本原理
XPS原理及分析
XPS原理及分析在材料科学、化学、物理学等众多领域中，X 射线光电子能谱（XPS）是一种极为重要的表面分析技术。
它能够为我们提供有关材料表面元素组成、化学状态以及电子结构等丰富而有价值的信息。
XPS 的基本原理建立在光电效应之上。
当一束具有一定能量的 X 射线照射到样品表面时，会将样品原子中的内层电子激发出来，形成光电子。
这些光电子具有特定的动能，其大小取决于入射 X 射线的能量以及被激发电子所在的原子轨道的结合能。
结合能是 XPS 分析中的一个关键概念。
它代表了将一个电子从原子的某个能级中移走所需的能量。
不同元素的原子，其各个能级的结合能是特定且固定的，就像每个人都有独特的指纹一样。
通过测量光电子的动能，我们可以根据能量守恒原理计算出其结合能。
然后，将所得的结合能与已知元素的标准结合能进行对比，就能确定样品表面存在哪些元素。
不仅如此，XPS 还能够提供有关元素化学状态的信息。
同一元素在不同的化学环境中，其结合能会发生微小的变化，这种变化被称为化学位移。
比如，氧化态的变化会导致结合能的改变。
通过对化学位移的分析，我们可以了解元素的价态、化学键的类型以及化合物的组成等重要信息。
在进行 XPS 分析时，仪器的组成和工作方式也十分关键。
XPS 仪器通常包括 X 射线源、样品室、能量分析器和探测器等主要部分。
X 射线源产生用于激发光电子的 X 射线，常用的有单色化的Al Kα 和Mg Kα 射线。
样品室用于放置和处理样品，要确保样品在分析过程中的稳定性和纯净度。
能量分析器则负责将不同动能的光电子分开，以便准确测量其能量。
探测器则将光电子信号转化为电信号，进而被计算机处理和分析。
为了获得准确可靠的 XPS 数据，样品的制备和处理至关重要。
样品表面必须清洁、平整，无污染物和氧化层。
对于一些特殊的样品，可能需要进行预处理，如离子溅射、退火等操作，以获得真实反映样品本征性质的结果。
在数据分析方面，首先要对原始数据进行校正，包括荷电校正和能量标度校正。
XPS基础知识
XPS基础知识（一）X光电子能谱分析的基本原理基本原理：一定能量的X光照射到样品表面，和待测物质发生作用，可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。
该过程可用下式表示: hn=Ek+Eb+Er其中: hn：X光子的能量； Ek：光电子的能量； Eb：电子的结合能； Er：原子的反冲能量。
其中Er很小，可以忽略。
对于固体样品，计算结合能的参考点不是选真空中的静止电子，而是选用费米能级，由内层电子跃迁到费米能级消耗的能量为结合能 Eb，由费米能级进入真空成为自由电子所需的能量为功函数Φ，剩余的能量成为自由电子的动能Ek，入射X光子能量已知，这样，如果测出电子的动能Ek，便可得到固体样品电子的结合能。
各种原子，分子的轨道电子结合能是一定的。
因此，通过对样品产生的光子能量的测定，就可以了解样品中元素的组成。
元素所处的化学环境不同，其结合能会有微小的差别，这种由化学环境不同引起的结合能的微小差别叫化学位移，由化学位移的大小可以确定元素所处的状态。
例如某元素失去电子成为离子后，其结合能会增加，如果得到电子成为负离子，则结合能会降低。
因此，利用化学位移值可以分析元素的化合价和存在形式。
（二）电子能谱法的特点 ( 1 )可以分析除 H 和 He 以外的所有元素；可以直接测定来自样品单个能级光电发射电子的能量分布，且直接得到电子能级结构的信息。
( 2 )从能量范围看，如果把红外光谱提供的信息称之为“分子指纹”，那么电子能谱提供的信息可称作“原子指纹”。
它提供有关化学键方面的信息，即直接测量价层电子及内层电子轨道能级。
而相邻元素的同种能级的谱线相隔较远，相互干扰少，元素定性的标识性强。
( 3 )是一种无损分析。
( 4 )是一种高灵敏超微量表面分析技术。
分析所需试样极少量即可，样品分析深度约 2nm 。
(三) X 射线光电子能谱法的应用 ( 1 )元素定性分析各种元素都有它的特征的电子结合能，因此在能谱图中就出现特征谱线，可以根据这些谱线在能谱图中的位置来鉴定周期表中除 H 和 He 以外的所有元素。
紫外光电子能谱
紫外光电子能谱的原理
从分子最高已占有的轨道激发出一个电子以 后生成的基态分子离子是AB＋(X)，从次高 轨道激发出一个电子以后生成的分子离子是 AB＋(A)，AB＋(B)等．它们的相应的电离 能分别是IP1, IP2, IP3。这些离子可以有振 动态: p＝0，p＝l，p＝2等等。
UPS谱仪
紫外光电谱的理论基础仍然是光电效应，UPS谱仪的设计原理与XPS谱仪 基本一样，只是将X射线源改用紫外光源作为激发源。
UPS谱仪主要有两种类型，一种是适用于气体UPS分析的，一种是用于固 体UPS分析的。
UPS谱仪中所用的紫外光是由真空紫外灯提供的。
UPS谱仪
紫外源
He Iα
He Iβ
前言
光电子能谱学科的发展一开始就是从两个方面进行的。一方面是Siegbahn 等人所创立的X射线光电子能谱，主要用于测量内壳层电子结合能。另一方面 是Tunner等人所发展的紫外光电子能谱，主要用于研究价电子的电离电能。
这两种技术的原理和仪器基本相同，主要区别在于，前者采用X射线激发样品， 后者采用真空紫外线激发样品．
CO的光电 子能谱及 其相关能 级图
CO+第二激发态( ) CO+第一激发态( )
CO+的基态ห้องสมุดไป่ตู้ )
B~ A ~
X~
自旋－轨道耦合
自旋－轨道耦合的结果导致其
l 能级发生分裂，形成两个具有
不同能量的态，例如轨道量子
数为 ，即得， j1l12, j2l12
它们的能量差值:
电子能谱分析XPS和AES
电子能谱分析XPS和AES电子能谱分析（Electronic Spectroscopy）是一种用来研究材料表面的化学成分和电子结构的技术。
常用的电子能谱分析方法有X射线光电子能谱（X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS）和反射能量损失光谱（Auger Electron Spectroscopy, AES）。
X射线光电子能谱（XPS）是一种通过照射样品表面并测量逸出电子能量来获取有关材料表面成分和电子状态的信息的分析技术。
XPS的原理基于光电效应，即被照射的样品会产生光电子，这些光电子的能量和数量与样品的化学成分和电子状态有关。
通过分析逸出电子的能谱，可以得到材料的化学成分、元素的氧化态和电子能级等信息。
XPS的实验装置主要由以下几个部分组成：X射线源、能谱分析器、逸出电子探测器和数据处理系统。
首先，样品被置于真空室中，并由X射线源产生的X射线照射。
X射线会使样品表面的原子或分子发生光电效应，逸出的光电子经过能谱分析器的光学元件进行能量分析。
最后，逸出电子被探测器捕获，并由数据处理系统进行分析和展示。
XPS的主要应用领域包括材料科学、表面化学和界面物理等。
通过XPS，可以定量确定样品表面的化学成分，并且可以分析不同化学状态的元素。
此外，XPS还可以提供有关样品表面化学反应和电子能带结构等信息。
XPS广泛应用于材料研究、催化剂表征、薄膜和界面研究等领域。
反射能量损失光谱（Auger Electron Spectroscopy, AES）是另一种常用的电子能谱分析方法。
AES是一种利用样品表面产生的俄歇电子进行表征的技术。
与XPS类似，AES也是一种通过照射样品表面并测量逸出电子能谱来获取有关材料表面成分和电子结构的信息。
AES的原理基于俄歇电子效应，即当X射线或电子束照射在样品表面时，被照射的原子会发生电离，产生一个空位。
然后，另一个外层电子会填补进空位，并释放出一个能量等于原位电子之间跃迁能量差的电子，称为俄歇电子。
xps的基本原理
xps的基本原理XPS（X-ray photoelectron spectroscopy，X射线光电子能谱）是一种表面分析技术，用于研究物质的表面成分、化学状态和电子结构。
其基本原理包括以下几个步骤：1. X射线入射：X射线的能量通常在100-2000 eV范围内，被照射到待分析样品的表面。
2. 光电子发射：X射线入射样品表面后，与样品原子内部的电子相互作用，使得部分表面原子的内层电子被激发并发射出来。
3. 能量分析：被发射的电子通过电场加速器并进入光电子能谱仪中，在其中经过电场和磁场的双重作用，根据电子的能量和动量，将其按能量分离和聚焦。
4. 能谱检测：分离出来的电子根据其能量逐个被检测器所探测，测量得到光电子的能谱图。
5. 能谱解析：通过分析电子能谱图，可以得到样品表面的元素组成、价态和化学状态等信息。
总结起来，XPS利用X射线将样品表面原子的内层电子激发和发射出来，通过能谱仪将这些发射出来的光电子进行能量分析和检测，最终通过能谱图解析得到表面元素的信息。
除了上述的基本原理，XPS还有一些相关内容和技术细节需要说明。
首先是X射线源的选择。
常见的X射线源有基于铝(Kα线)或镁(Kα线)的例如非晶碳等的低速X射线源，或基于镧系元素的例如氮气钝化的铝合金(Lα线)的高速X射线源。
不同的X 射线源在能量分辨率、功率和对表面积的影响上有所差异，需要根据实验需求选择合适的X射线源。
其次是能量分辨率的提高。
XPS技术的主要目的之一是对不同能级的电子进行分析，因此高能量分辨率是关键。
提高能量分辨率的方法包括增加仪器的设计和优化，即使在有限的能量范围内也能够观察到更多化学态的信息。
另外，在XPS测量中还需要考虑样品的准备。
样品通常需要表面平整且干净，因为杂质、氧化物或薄膜可能对分析结果产生干扰。
因此，在进行XPS分析之前，可能需要进行表面清洗、抛光或者离子轰击等处理。
此外，XPS技术还可以进行空间分辨率的改进。
XPS原理及分析
XPS原理及分析X射线光电子能谱（XPS）是一种用于研究固体表面化学性质的表面分析方法。
它利用X射线照射样品表面，通过测量样品表面光电子的能谱，来获得样品表面元素的化学状态、化学成分以及化学性质的信息。
XPS的基本原理是根据光电效应：当X射线通过样品表面时，部分X射线会被样品上的原子吸收，从而使得原子的内层电子被激发出来。
这些激发出的电子称为光电子。
光电子的能量与原子的内层电子能级相关，不同元素的光电子能谱特征能量不同。
通过测量光电子的能量分布，可以推断出样品表面元素的化学状态和化学成分。
XPS分析的步骤如下：1.准备样品：样品必须是固体，并且表面必须是光滑、干净、无杂质的。
样品可以是块状、薄膜或粉末。
2.X射线照射：样品放在真空室中，通过X射线照射样品表面。
X射线能量通常在200-1500eV之间。
3.光电子发射：被照射的样品会发射出光电子。
光电子的能量与原子的内层电子能级有关。
4.能谱测量：收集并测量光电子的能量分布。
能谱中的光电子峰表示不同元素的化学状态和存在量。
5.数据分析：根据能谱中的光电子峰的位置和峰面积，可以推断出样品表面元素的化学状态和存在量。
XPS的主要应用领域包括固体表面成分分析、材料表面效应研究、化学反应在表面的过程研究等。
XPS可以提供关于固体材料的表面化学性质、形态结构以及表面反应过程的有关信息，因此被广泛应用于材料科学、化学、表面物理等领域。
总结而言，XPS是一种非常有用的表面分析技术，可以提供有关固体表面化学性质和化学成分的信息。
通过测量光电子的能量分布，可以推断出样品表面元素的化学状态和存在量。
第四章 XPS光电子能谱
X射线光电子能谱分析
电子能谱分析是一种研究物质表层元素组成与离子状态的表面分析技术。 其基本原理是利用单色射线照射样品，使样品中原子或者分子的电子受激 发射，然后测量这些电子的能量分布。 通过与已知元素的原子或者离子的不同壳层的电子的能量相比较，就可 以确定未知样品中原子或者离子的组成和状态。
电子 X射线
dI = I 0 dt / ( EK )
I (t ) =I 0 exp[ t / ( E )]
从左式中知道，当厚度t达到 （EK）的4倍时，强度衰减到原 来的2％以下；当t为（EK）的3 倍时，衰减到原来的5％不到。 k般定义3 （EK）为XPS的信息深 度。
这说明，能够逃离固体表面的光电子来源于表层有限厚度范围之内。实际 上， （EK）非常小。对于金属材料，约为0.5~3 nm左右；无机材料为2~4 nm左右；有机高聚物为4~10 nm左右。所以，XPS是一种分析深度很浅的 表面分析技术。
X射线光电子能谱仪
XPS图谱
右图所示的是XPS 全谱。它给出的各 个元素的各个轨道 的结合能是进行定 性分析的依据。谱 图的横坐标是电子 的结合能（eV）， 纵坐标是光电子线 的相对强度 （cps）。另外， 在图谱中还有一些 俄歇线。
X射线光电子能谱分析的基本原理
5、XPS信息深度： 在XPS分析中，一般用能量较低的软X射线激发光电子（如：Al和Mg的 线）。虽然软X射线的能量不高，但是仍然可以穿透10nm厚的固体表层， 并引起那里的原子轨道上的电子光电离。
dI = I 0 dt / ( EK )
（EK）是一个常数，与电子的动能有关，称为光电子非弹性散射自由程或 者电子逸出深度。有时也被称为非弹性散射“平均自由程”。如果t代表垂直 固体表面并指向固体外部的方向，则（EK）就是“平均逸出深度”。这样， 光电子垂直于固体表面发射，并经历距离t后的强度为：
全方位解析X射线光电子能谱分析(XPS)
全方位解析X射线光电子能谱1引言固体表面分析业已发展为一种常用的仪器分析方法，特别是对于固体材料的分析和元素化学价态分析。
目前常用的表面成分分析方法有：X射线光电子能谱（XPS）, 俄歇电子能谱(AES)，静态二次离子质谱(SIMS)和离子散射谱(ISS)。
AES分析主要应用于物理方面的固体材料科学的研究，而XPS的应用面则广泛得多，更适合于化学领域的研究。
SIMS和ISS由于定量效果较差，在常规表面分析中的应用相对较少。
但近年随着飞行时间质谱（TOF-SIMS）的发展，使得质谱在表面分析上的应用也逐渐增加。
本章主要介绍X射线光电子能谱的实验方法。
X射线光电子能谱（XPS）也被称作化学分析用电子能谱（ESCA）。
该方法是在六十年代由瑞典科学家Kai Siegbahn教授发展起来的。
由于在光电子能谱的理论和技术上的重大贡献，1981年，Kai Siegbahn获得了诺贝尔物理奖。
三十多年的来，X射线光电子能谱无论在理论上和实验技术上都已获得了长足的发展。
XPS已从刚开始主要用来对化学元素的定性分析，业已发展为表面元素定性、半定量分析及元素化学价态分析的重要手段。
XPS的研究领域也不再局限于传统的化学分析，而扩展到现代迅猛发展的材料学科。
目前该分析方法在日常表面分析工作中的份额约50%，是一种最主要的表面分析工具。
在XPS谱仪技术发展方面也取得了巨大的进展。
在X射线源上，已从原来的激发能固定的射线源发展到利用同步辐射获得X射线能量单色化并连续可调的激发源；传统的固定式X射线源也发展到电子束扫描金属靶所产生的可扫描式X射线源；X射线的束斑直径也实现了微型化，最小的束斑直径已能达到6 m 大小, 使得XPS在微区分析上的应用得到了大幅度的加强。
图像XPS技术的发展，大大促进了XPS在新材料研究上的应用。
在谱仪的能量分析检测器方面，也从传统的单通道电子倍增器检测器发展到位置灵敏检测器和多通道检测器，使得检测灵敏度获得了大幅度的提高。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
. .. 第十四章 X-射线光电子能谱法 14．1 引言 X-射线光电子谱仪（X-ray Photoelectron Spectroscopy，简称为XPS），经常又被称为化学分析用电子谱（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis，简称为ESCA），是一种最主要的表面分析工具。自19世纪60年代第一台商品化的仪器开始，已经成为许多材料实验室的必不可少的成熟的表征工具。XPS发展到今天，除了常规XPS外，还出现了包含有Mono XPS (Monochromated XPS, 单色化XPS，X射线源已从原来的激发能固定的射线源发展到利用同步辐射获得X射线能量单色化并连续可调的激发源), SAXPS ( Small Area XPS or Selected Area XPS, 小面积或选区XPS，X射线的束斑直径微型化到6μm) 和iXPS（imaging XPS, 成像XPS）的现代XPS。目前，世界首台能量分辨率优于1毫电子伏特的超高分辨光电子能谱仪（通常能量分辨率低于1毫电子伏特）在中日科学家的共同努力下已经研制成功，可以观察到化合物的超导电子态。现代XPS拓展了XPS的内容和应用。 XPS是当代谱学领域中最活跃的分支之一，它除了可以根据测得的电子结合能确定样品的化学成份外，XPS最重要的应用在于确定元素的化合状态。XPS可以分析导体、半导体甚至绝缘体表面的价态，这也是XPS的一大特色，是区别于其它表面分析方法的主要特点。此外，配合离子束剥离技术和变角XPS技术，还可以进行薄膜材料的深度分析和界面分析。XPS表面分析的优点和特点可以总结如下：
⑴固体样品用量小，不需要进行样品前处理，从而避免引入或丢失元素所造成的错误分析 ⑵表面灵敏度高，一般信息采样深度小于10nm ⑶分析速度快，可多元素同时测定 ⑷可以给出原子序数3-92的元素信息，以获得元素成分分析 ⑸可以给出元素化学态信息，进而可以分析出元素的化学态或官能团 ⑹样品不受导体、半导体、绝缘体的限制等 ⑺是非破坏性分析方法。结合离子溅射，可作深度剖析 目前，XPS主要用于金属、无机材料、催化剂、聚合物、涂层材料、纳米材料、矿石等各种材料的研究，以及腐蚀、摩擦、润滑、粘接、催化、包覆、氧化等过程的研究，也可以用于机械零件及电子元器件的失效分析，材料表面污染物分析等。
14.2 基本原理 XPS方法的理论基础是爱因斯坦光电定律。用一束具有一定能量的X射线照射固体样品，入射光子与样品相互作用，光子被吸收而将其能量转移给原子的某一壳层上被束缚的电子，此时电子把所得能量的一部分用来克服结合能和功函数，余下的能量作为它的动能而发射出来，成为光电子，这个过程就是光电效应。 该过程可用下式表示: hγ=Ek+Eb+Er （14.1） 式中: hγ：X光子的能量（h为普朗克常数，γ为光的频率）； . .. Ek：光电子的能量； Eb：电子的结合能； Er：原子的反冲能量。 其中Er很小，可以忽略。对于固体样品，计算结合能的参考点不是选真空中的静止电子，而是选用费米能级，由内层电子跃迁到费米能级消耗的能量为结合能Eb，由费米能级进入真空成为自由电子所需的能量为功函数Φ，剩余的能量成为自由电子的动能Ek，式(14.1)又可表示为： Ek= hγ- Eb-Φ（14.2） Eb= hγ- Ek-Φ（14.3） 这时，式中 hγ ――入射光子能量（已知值） Ek ――光电过程中发射的光电子的动能（测定值） Eb ――内壳层束缚电子的结合能（计算值） Φ――谱仪的功函数（已知值） 仪器材料的功函数Φ是一个定值，约为4eV，入射光子能量已知，这样，如果测出电子的动能Ek，便可得到固体样品电子的结合能。原子能级中电子的结合能(Binding Energy，简称为B.E.), 其值等于把电子从所在的能级转移到Fermi能级时所需的能量。在XPS分析中，由于采用的X射线激发源的能量较高，不仅可以激发出原子价轨道中的价电子，还可以激发出芯能级上的内层轨道电子，其出射的光电子能量仅与入射光子的能量（即辐射源能量）及原子轨道结合能有关。因此，对于特定的单色激发源和特定的原子轨道，此时其光电子能量是特征的。当固定激发源能量时，其光电子能量仅与元素的种类和所电离激发的原子轨道有关。因此，我们可以根据光电子的结合能，判断样品中元素的组成，定性分析除H和He（因为它们没有内层能级）之外的全部元素。 芯能级轨道上的电子一方面受到原子核强烈的库仑作用而具有一定的结合能，另一方面又受到外层电子的屏蔽作用。当外层电子密度减少时，屏蔽作用将减弱，内层电子的结合能增加；反之则结合能将减少。因此当被测原子的氧化价态增加，或与电负性大的原子结合时，都导致其XPS峰将向结合能增加的方向位移。这种由化学环境不同引起的结合能的微小差别叫化学位移（Chemical shift）。利用化学位移值可以分析元素的化合价和存在形式，这也是XPS分析的最重要的应用之一。 在表面分析研究中，我们不仅需要定性地确定试样的元素种类及其化学状态，而且希望能测得它们的含量。X射线光电子能谱谱线强度反应的是原子的含量或相对浓度，测定谱线强度便可进行元素的半定量分析。光电子的强度不仅与原子浓度有关，而且也与光电子平均自由程、样品表面光洁程度、元素所处化学状态、X射线源强度、仪器状态等条件有关，因此，XPS技术一般不能给出所分析的某个元素的绝对含量，只能给出所分析各元素的相对含量，而且分析误差在10－15wt％左右。还需要指出的是，XPS是一种很灵敏的表面分析方法，具有很高的表面检测灵敏度，可以达到10-3原子单层。但是，对于体相的检测灵敏度仅为0.1%（原子分数，即元素的检测限）左右。 X光电子能谱法作为表面分析方法，提供的是样品表面的元素含量与形态，而不是样品整体的成分。XPS其表面采样深度（d = 3λ）与材料性质、光电子的能量有关，也同样品表面和分析器的角度有关。通常，对于金属样品取样深度为0.5～2nm，氧化物样品为1.5～4nm；有机物和高分子样品为4～10nm。它提供的仅是表面上的元素含量，与体相成分会有很大的差别，因而常会出现XPS和X射线粉末衍射（XRD）或者红外光谱（IR）分析结果的差异，后两者给出的是体相成分的分析结果。如果利用氩离子束溅射作为剥离手段，利用XPS作为分析方法，还可以实现对样品的深度分析。 . .. 14.3 仪器结构和使用方法 XPS仪器设计与最早期的实验仪器相比，有了非常明显的进展，但是所有的现代XPS仪器都基于相同的构造：进样室、超高真空系统、X射线激发源、离子源、电子能量分析器、检测器系统、荷电中和系统及计算机数据采集和处理系统等组成。这些部件都包含在一个超高真空（Ultra High Vacuum，简称为UHV）封套中，通常用不锈钢制造，一般用μ金属作电磁屏蔽。下面对仪器各部件构造及功能进行简单介绍。图14.1 是Kratos Axis Ultra DLD型多功能电子能谱仪的外形图。
图14.1 Kratos Axis Ultra DLD型多功能电子能谱仪 14.3.1超高真空系统 超高真空系统是进行现代表面分析及研究的主要部分。XPS谱仪的激发源，样品分析室及探测器等都安装在超高真空系统中。通常超高真空系统的真空室由不锈钢材料制成，真空度优于1×10-9 托。在X射线光电子能谱仪中必须采用超高真空系统，原因是(1)使样品室和分析器保持一定的真空度，减少电子在运动过程中同残留气体分子发生碰撞而损失信号强度；(2) 降低活性残余气体的分压。因在记录谱图所必需的时间内，残留气体会吸附到样品表面上，甚至有可能和样品发生化学反应，从而影响电子从样品表面上发射并产生外来干扰谱线。 一般XPS采用三级真空泵系统。前级泵一般采用旋转机械泵或分子筛吸附泵，极限真空度能达到10-2Pa；采用油扩散泵或分子泵，可获得高真空，极限真空度能达到10-8Pa；而采用溅射离子泵和钛升华泵，可获得超高真空，极限真空度能达到10-9Pa。这几种真空泵的性能各有优缺点，可以根据各自的需要进行组合。现在新型X射线光电子能谱仪，普遍采用机械泵-分子泵-溅射离子泵-钛升华泵系列，这样可以防止扩散泵油污染清洁的超高真空分析室。标准的AXIS Ultra DLD就是利用这样的泵组合。样品处理室（Smaple Treatment Center,简称为STC）借助于一个为油扩散泵所后备的涡轮分子泵进行抽真空。样品分析室（Sample Analysis Center,简称为SAC）借助于一个离子泵和附加于其上的钛升华泵（TSP）来抽空。 . .. 14.3.2快速进样室 为了保证在不破坏分析室超高真空的情况下能快速进，X射线光电子能谱仪多配备有快速进样室。快速进样室的体积很小，以便能在40～50分钟内能达到10-7托的高真空。
14.3.3 X射线激发源 XPS中最简单的X射线源，就是用高能电子轰击阳极靶时发出的特征X射线。通常采用Al Kα（光子能量为1486.6eV ）和Mg Kα（光子能量为1253.8eV）阳极靶，它们具有强度高，自然宽度小（分别为830meV和680meV）的特点。这样的X 射线是由多种频率的X 射线叠加而成的。为了获得更高的观测精度，实验中常常使用石英晶体单色器（利用其对固定波长的色散效果），将不同波长的X射线分离，选出能量最高的X射线。这样做有很多好处，可降低线宽到0.2 eV，提高信号/本底之比，并可以消除X射线中的杂线和韧致辐射。但经单色化处理后，X射线的强度大幅度下降。
14.3.4 离子源 离子源是用于产生一定能量、一定能量分散、一定束斑和一定强度的离子束。在XPS中，配备的离子源一般用于样品表面清洁和深度剖析实验。在XPS谱仪中，常采用Ar离子源。它是一个经典的电子轰击离子化源，气体被放入一个腔室并被电子轰击而离子化。Ar离子源又可分为固定式和扫描式。固定式Ar离子源，将提供一个使用静电聚焦而得到的直径从125μm到mm量级变化的离子束。由于不能进行扫描剥离，对样品表面刻蚀的均匀性较差，仅用作表面清洁。对于进行深度分析用的离子源，应采用扫描式Ar离子源，提供一个可变直径（直径从35μm到mm量级）、高束流密度和可扫描的离子束，用于精确的研究和应用。
14.3.5 荷电中和系统 用XPS测定绝缘体或半导体时，由于光电子的连续发射而得不到足够的电子补充，使得样品表面出现电子“亏损”，这种现象称为“荷电效应”。 荷电效应将使样品出现一个稳定的表面电势VS，它对光电子逃离有束缚作用，使谱线发生位移，还会使谱锋展宽、畸变。因此XPS中的这个装置可以在测试时产生低能电子束，来中和试样表面的电荷，减少荷电效应。