晶体三极管型号命名方法
三极管命名规则
三极管的命名规则中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2二极管、3三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时: A-N型错材料、B-P型错材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时: A-PNP型错材料、B-NPN型错材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V微波管、w-稳压管、C参量管、Z 整流管L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K开关管、x-低频小功率管(F3MHz,Pc1W),A-高频大功率管(P3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、Y体效应器件、B-雪崩管、J阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如: 3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、--依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
二极管命名规则
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
三极管型号判断
一、晶体三极管的命名方法及型号字母意义晶体三极管的命名方法见图5-18，型号字母意义见表5-6二、晶体三极管的种类晶体三极管主要有NPN 型和PNP型两大类,一般我们可以从晶体管上标出的型号来识别。
详见表5－6。
晶体三极管的种类划分如下。
①按设计结构分为 : 点接触型、面接触型。
②按工作频率分为 : 高频管、低频管、开关管。
③按功率大小分为 : 大功率、中功率、小功率。
④从封装形式分为 : 金属封装、塑料封装。
三、三极管的主要参数一般情况晶体管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数三大类。
①直流参数 : 集电极 -基极反向电流 I CBO。
此值越小说明晶体管温度稳定性越好。
一般小功率管约10μA左右,硅晶体管更小。
集电极－发射极反向电流I CEO, 也称穿透电流。
此值越小说明晶体管稳定性越好。
过大说明这个晶体管不宜使用。
②极限参数:晶体管的极限参数有: 集电极最大允许电流I CM；集电极最大允许耗散功率I CM；集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO。
③晶体管的电流放大系数:晶体管的直流放大系数和交流放大系数近似相等,在实际使用时一般不再区分,都用β表示,也可用h FE表示。
为了能直观地表明三极管的放大倍数 , 常在三极管的外壳上标注不同的色标。
锗、硅开关管 , 高、低频小功率管 , 硅低频大功率管所用的色标标志如表 2-9-6 所示。
表5-7 部分三极管β值色标表示④特性频率f T：晶体三极管的β值随工作频率的升高而下降,三极管的特性频率f是当β下降到 1 时的频率值。
也就是说 , 在这个频率下的三极管,己失去放大能力,因为晶体管的工作频率必须小于晶体管特性频率的一半以下。
四、常用晶体三极管的外形识别①小功率晶体三极管外形电极识别:对于小功率晶体三极管来说,有金属外壳和塑料外壳封装两种,如图5-25 所示。
图5-25小功率晶体三极管电极识别②大功率晶体三极管外形电极识别:对于大功率晶体三极管,外形一般分为F型，G型两种,如图5-26(a) 所示。
晶体管型号命名方法
管
D:＜0.6电子伏特 G:复合器件,其它
②类型/特性
H:磁敏二极管
K:开放磁路霍尔元件 L:高频大功率三极 管M:开放磁路霍尔元
件
P:光敏器件
Q:发光器件
R:小功率晶闸管
S:小功率开关管 T:大功率晶闸管 U:大功率开关管 X:倍增二极管 Y:整流二极管 Z:稳压二极管
R:复合材料
备注:小功率:RTJ＞15℃/W,大功率:RTJ＜15℃/W
美国电子工 业协会注册号
C
⑤分档
A
B C D . .
同一型号划分 的不同档次
B
T
①材料
A:锗(0.6-1.0
A:检波开关混频二极
管
电子伏特材料) B:变容二极管
B:硅(1.0-1.3
电子伏特材料)
C:低频小功率三极 管D:低频大功率三极
管
C:＞1.3电子伏特 E:隧道二极管
材料如砷化镓 F:高频小功率三极
F：P极控晶闸管
M：双向晶闸管
G：N极控晶闸管 H：N基极单结晶体
管
C
日本电子工业 协会（JEIA）
D
注册登记号
.
.
原型号的改进 产品
① JAN
J
（表示军用品）
无
（非军用）
1
②电极数目
1
（一个PN结）
2
（二个PN结）
3
（三个PN结）
N
n个PN结
N③ 注Βιβλιοθήκη 标志N美国电子工业协会注册标志
4148
④登记号码
A26
-600B
③登记号 ④分档标记
A
三位数字:通用
B
半导体器件
三极管命名及使用
同一器件的
不同档次
符 意义
号
A、 B、 C…
表 器 改 型
示 件 进
例如 1N4148 表示开关二极管，2N3464 表示高频大功率 NPN 型硅管。
2.3 日本半导体器件命名法
表 2-17 日本半导体器件命名法
第一部分
第二部分
用数字表示器件 用 字 母 表 示 半
的电极数目
导体器件
符 意义 符
号
号
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
用符号表示器 件的等级
符 意义
号 J 军品
非军品 无
用数字表示 PN 结 数目
符 意义
号 1 二极管 2 三极管
3 四极管
用字母表示材 料
符 意义
号
表示不加 热即半导 N 体器件
用数字表示器 件登记序号
符号 意 义
2～4 登 记 位 顺序 数字 号
用字母表示
CS9018 310 100 12
8050 1000 1500 25
0.5
0.6
0.5
0.6
0.05 0.3 0.5
0.05 0.7 0.05 0.3 0.05 0.5 0.05 0.5
64
78
96
118 150
144
64
78
96 118 150
144
60
60
100 200 150
400
60 50
60
第四部分 用 2～3 位数字 表示器件登记 顺序号
第五部分 用拉丁字母表 示同一种型号 器件的改进型
例如 2SA53 表示高频 PNP 型三极管，1S92 表示半导体二极管。
晶体管的命名方法
晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG（旧）或T（新）表示，二极管以D表示。
按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。
按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。
多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。
第二位代表材料和极性。
A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C代表PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。
第三位表示用途，X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。
最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。
二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。
对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。
上面例子，具体说就是PNP型锗材料低频小功率管。
常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。
常用中小功率三极管参数表型号材料与极性Pcm(W) I cm(mA) BVcbo(V) ft(MHz)3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >1003DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >1003DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >3003DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >1003DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >1003DG130C SI-NPN 0.8 300 60 1503DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40C9013 SI-NPN 0.625 500 40C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1GC8050 SI-NPN 1 1.5A 40 190C8580 SI-PNP 1 -1.5A -40 2002N5551 SI-NPN 0.625 600 1802N5401 SI-PNP 0.625 -600 160 1002N4124 SI-NPN 0.625 200 30 300四、用万用表测试三极管（1）判别基极和管子的类型选用欧姆档的R×100（或R×1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。
三极管的编码规则
三极管的编码规则
三极管的编码规则是根据其型号和特性来命名的。
一般来说，三极管的型号由几个字母或数字组成，每个字母或数字代表不同的特性。
常见的三极管型号一般包括以下几个方面的信息：
1. 依据芯片和封装形式的字母：一般情况下，字母N代表晶体管是NPN型，字母P代表晶体管是PNP型。
2. 代表材料和技术特性的字母：例如，字母B代表晶体管是硅材料，字母C代表晶体管是高频型，字母D代表晶体管是低功耗型，字母G代表晶体管是高压型，字母H代表晶体管是温度补偿型等。
3. 代表封装形式的字母和数字：例如，TO-92是一种常见的小功率三极管封装形式，TO-220是一种常见的高功率三极管封装形式，SOT-23是一种常见的表面贴装型封装形式等。
4. 其他特定性能信息的编码：有些三极管型号中还会包含其他特定的性能信息，例如最大集电极-基极电压、最大集电极-发射极电压、最大集电极电流等。
总之，三极管的编码规则是根据其型号和特性来进行命名的，以便于识别和选择适合的三极管。
不同的厂家和地区可能会有略微的差异，因此在使用三极管时需要参考具体的型号和数据手册。
晶体管的命名方法
1 ．国产半导体器件的命名方法二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。
第一部分：用数字表示器件电极的数目。
第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。
第四部分：用数字表示器件序号。
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。
如表 5 ． 1 所示。
表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分符号意义字母意义字母意义字母意义意义意义2二极管AN 型，锗材料P 普通X低频小功率(fa<3MHz ，Pc<1W) 反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。
如A 、B 、C 、D …其中 A 承受的反向击穿电压最BP 型，锗材料W稳压管CN 型，硅材料Z整流管G高频小功率(fa>3MHz ，Pc<1W)DP 型，硅材料L整流堆3三极管APNP 型，锗材料N阻尼管D低频大功率(fa<3MHz ，Pc>1W) BNPN 型，锗材料K开关管C PNP 型，硅材料F发光管A高频大功率(fa>3MHz ，Pc>1W)低， B 稍高D NPN 型，硅材料S隧道管E 化合物材料U光电管T 可控硅CS 场效应管BT 特殊器件2 ．日本半导体器件的命名方法日本半导体器件命名型号由五部分组成。
第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。
1 表示二极管， 2 表示三极管。
第二部分：用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。
第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型。
第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号。
第五部分：表示同一型号的改进型产品。
具体符号意义如表 5 · 2 所示。
表 5 ． 2 日本半导体器件的命名第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分序号意义符号意义序号意义序号意义序号意义O光电二极管或三极管S已在日本电子工业协会注册APNP 高频晶体管多位数字该器件在日本电子工AB该器件为原型号产品的改BNP 低频晶体管登记的半导体器件CNPN 高频晶体管业协会的注册登记号CD进产品1 二极管 D NPN 低频晶体管2 三极管或有三个电极的其他器件EP 控制极可控硅GN 控制极可控硅HN 基极单结晶管JP 沟道场效应管3 四个电极的器件N 沟道场效应管M 双向可控硅3 ．美国半导体器件的命名方法美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。
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各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA 注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N 基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。
两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。
A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
3、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。
JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。
1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n 个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。
N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。
多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。
A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。
如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。
4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。
这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料。
A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0 eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。
A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。
三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。
5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半导体器件第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、R P-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。
品名极性管脚功能参数MPSA42 NPN 21E 电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA92 PNP 21E 电话视频放大300V0.5A0.625WMPS2222A NPN 21 高频放大75V0.6A0.625W300MHZ9011 NPN EBC 高频放大50V30mA0.4W150MHz9012 PNP 贴片低频放大50V0.5A0.625W9013 NPN EBC 低频放大50V0.5A0.625W9013 NPN 贴片低频放大50V0.5A0.625W9014 NPN EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ9015 PNP EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ9018 NPN EBC 高频放大30V50MA0.4W1GHZ8050 NPN EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ8550 PNP EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ2N2222 NPN 4A 高频放大60V0.8A0.5W25/200NSβ=452N2222A NPN 小铁高频放大75V0.6A0.625W300MHZ2N2369 NPN 4A 开关40V0.5A0.3W800MHZ2N2907 NPN 4A 通用60V0.6A0.4W26/70NSβ=2002N3055 NPN 12 功率放大100V15A115W2N3440 NPN 6 视放开关450V1A1W15MHZ2N3773 NPN 12 音频功放开关160V16A150W COP 2N66092N3904 NPN 21E 通用60V0.2Aβ=100-4002N3906 PNP 21E 通用40V0.2Aβ=100-4002N5401 PNP 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5551 NPN 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5685 NPN 12 音频功放开关60V50A300W2N6277 NPN 12 功放开关180V50A250W2N6609 PNP 12 音频功放开关160V15A150W COP 2N37732N6678 NPN 12 音频功放开关650V15A175W15MHZ 2N6718 NPN 小铁音频功放开关100V2A2W50MHZ3DA87A NPN 6 视频放大100V0.1A1W3DG6A NPN 6 通用15V20mA0.1W100MHz3DG6B NPN 6 通用20V20mA0.1W150MHz3DG6C NPN 6 通用20V20mA0.1W250MHz3DG6D NPN 6 通用30V20mA0.1W150MHz3DG12C NPN 7 通用45V0.3A0.7W200MHz3DK2B NPN 7 开关30V30mA0.2W3DK4B NPN 7 开关40V0.8A0.7W3DK7C NPN 7 开关25V50mA0.3W3DD15D NPN 12 电源开关300V5A50W3DD102C NPN 12 电源开关300V5A50W3522V 5.2V稳压管录像机用A634 PNP 28E 音频功放开关40V2A10WA708 PNP 6 NF/S 80V0.7A0.8WA715C PNP 29 音频功放开关35V2.5A10W160MHZA733 PNP 21 通用50V0.1A180MHZA741 PNP 4 S 20V0.1A <70/120nSA781 PNP 39B 开关20V0.2A <80/160NSA928 PNP ECB 通用20V1A0.25WA933 PNP 21 Uni 50V0.1A140MHzA940 PNP 28 音频功放开关150V1.5A25W4MHZ /C2073A950 PNP 21 通用30V0.8A0.6WA966 PNP 21 音频激励输出30V1.5A0.9W COP:C2236A968 PNP 28 音频功放开关160V1.5A25W100MHZ /C2238A1009 PNP BCE 功放开关350V2A15WA1012 PNP 28 音频功率放60V5A25WA1013 PNP 21 视频放大160V1A0.9WA1015 PNP 21 通用60V0.15A0.4W8MHZA1020 PNP 21 音频开关50V2A0.9W A1123 PNP 21 低噪放大150V0.05A0.75WA1162 PNP 21d 通用贴片50V0.15A0.15WA1216 PNP BCE 功放开关180V17A200W20MHZ /2922A1220 PNP 29 音频功放开关120V1.5A20W150MHZ/C2690A1265 PNP BCE 功放开关140V10A100W30MHZ /C3182A1295 PNP BCE 功放开关230V17A200W30MHZ /C3264A1301 PNP BCE 功放开关160V10A100W30MHZ /C3280A1302 PNP BCE 功放开关200V15A150W30MHZ /C3281A1358 ? PNP 高频120V1A10W120MHZA1444 PNP BCE 高速电源开关100V15A30W80MHZA1494 PNP BCE 功放开关200V17A200W20MHZ /C3858A1516 PNP BCE 功放开关180V12A130W25MHZA1668 PNP 28B 电源开关200V2A25W20MHZA1785 PNP BCE 驱动400V1A1W/120V1A0.9W140MHA1941 PNP BCE 功放开关140V10A100WCOP:5198A1943 PNP BCE 功放开关230V15A150W /C5200 原A1988 PNP 30 功放开关B449 PNP 12 功放开关50V3.5A22.5W 锗管B631K PNP 29 音频功放开关120V1A8W130MHZ /D600KB647 PNP 21 通用120V1A0.9W140MHZ /D667B649 PNP 29 视放180V1.5A1W /D669B669 PNP 28 达林顿功放70V4A40WB673 PNP 28 达林顿功放100V7A40WB675 PNP 28 达林顿功放60V7A40WB688 PNP BCE 音频功放开关120V8A80W /D718B734 PNP 39B 通用60V1A1W /D774B744 PNP 21 通用30V0.1A0.25WB772 PNP 29 音频功放开关40V3A10WB774 PNP 21 通用30V0.1A0.25WB817 PNP 30 功放开关160V12A100W /D1047 B834 PNP 28 功放开关60V3A30WB937A PNP 功放开关60V2A35 DRALB1020 PNP 28 功放开关达林顿100V7A40Wβ=6000B1079 PNP 30 达林顿功放100V20A100Wβ=5000/D1559B1185 PNP 28B 功放开关60V3A25W 70MHZ /D1762B1238 PNP ECB 功放开关80V0.7A1W 100MHZB1240 PNP 39B 功放开关40V2A1W100HZB1243 PNP 39B 功放开关40V3A1W70HZB1316 PNP 54B 驱动功放达林顿100V2A10Wβ=15000B1317 PNP BCE 音频功放180V15A150W COP:D1975B1335 PNP 28 音频功放低噪80V4A30W 12MHZB1375 PNP BCE 音频功放60V3A2W9MHZB1400 PNP 28B 达林顿功放120V6A25W β=1000-20000 B1429 PNP BCE 功放开关180V15A150WB1494 PNP BCE 达林顿功放120V25A120Wβ=2000-20000 C106 NPN EBC 音频功放开关60V1.5A15WC380 NPN 21 高频放大35V0.03A250MHZC458 NPN 21 通用30V0.1A230MHzC536 NPN 21 通用40V0.1A180MHZC752 NPN 21 通用30V0.1A300MHzC815 NPN 21 通用60V0.2A0.25WC828 NPN 21 通用45V0.05A0.25WC900 NPN 21 低噪放大30V0.03A100MHZC943 NPN 4A 通用60V0.2A200MHZC945 NPN 21 通用50V0.1A0.5W250MHZC1008 NPN 6 通用80V0.7A0.8W50MHZC1162 NPN 29 音频功放开关35V1.5A10WC1213 NPN 39B 监视器专用35V0.5A0.4WC1222 NPN 21 低噪放大60V0.1A100MHZ。