电阻类型
电阻百科
电阻百科摘要：物理学中，电阻是导体本身的一种性质，表示导体对电流阻碍作用的大小。
在日常生活中人们常常用到电阻元件，主要因为它呈现出了阻碍电流，并消耗能量的性质。
但是，对电阻的分类，性质，标注方法，以及如何选用人们却知之甚少。
本文针对以上问题，做了系统全面的介绍旨在帮助人们走出盲区，科学安全的使用电阻。
关键词：电阻的分类电阻的性质电阻的标注方法电阻的选用标准一、电阻的分类1．薄膜类在玻璃或陶瓷基体上沉积一层碳膜、金属膜、金属氧化膜等形成电阻薄膜，膜的厚度一般在几微米以下。
（1）金属膜电阻（型号：RJ）。
在陶瓷骨架表面，经真空高温或烧渗工艺蒸发沉积一层金属膜或合金膜。
其特点是：精度高、稳定性好、噪声低、体积小、高频特性好。
且允许工作环境温度范围大（-55～+125℃）、温度系数低（（50～100）×10-6/℃）。
目前是组成电子电路应用最广泛的电阻之一。
常用额定功率有1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W等，标称阻值在10W～10MW之间。
（2）金属氧化膜电阻（型号：RY）。
在玻璃、瓷器等材料上，通过高温以化学反应形式生成以二氧化锡为主体的金属氧化层。
该电阻器由于氧化膜膜层比较厚，因而具有极好的脉冲、高频和过负荷性能，且耐磨、耐腐蚀、化学性能稳定。
但阻值范围窄，温度系数比金属膜电阻差。
（3）碳膜电阻（型号：RT）。
在陶瓷骨架表面上，将碳氢化合物在真空中通过高温蒸发分解沉积成碳结晶导电膜。
碳膜电阻价格低廉，阻值范围宽（10W～10MW），温度系数为负值。
常用额定功率为1/8W～10W，精度等级为±5％、±10％、±20％，在一般电子产品中大量使用。
2．合金类用块状电阻合金拉制成合金线或碾压成合金箔制成电阻，主要包括：（1）线绕电阻（型号：RX）。
将康铜丝或镍铬合金丝绕在磁管上，并将其外层涂以珐琅或玻璃釉加以保护。
线绕电阻具有高稳定性、高精度、大功率等特点。
温度系数可做到小于10-6/℃，精度高于±0.01％，最大功率可达200W。
电阻知识
电阻知识一，常用电阻类型：1，零欧姆电阻：印刷电路板上两点之间跳线之用。
a，规格：电阻值0.05欧以下；b，尺寸规格：目前零欧姆电阻SMD型较多；直插型为单黑色色环，较少使用。
2，精密金属皮膜电阻：本体采用国际标准颜色为深宝蓝色，五个色环，第5色环表示误差等级，棕色1％，红色2％，绿色0.5％，蓝色0.25％，紫色0.1％。
3，金属氧化皮膜电阻：一般为灰色涂料表示，浅粉红色涂料表示为小型化。
a，小型化使用方便，耐超负载电流而不致断阻；b，耐热、耐湿、不燃性的涂装；c，已氧化过的电阻皮膜经年变化很微小，皮膜强度特性强；4，不燃性金属氧化皮膜电阻（浅灰色不燃性耐温800度之涂料涂装）：施加16倍额定功率5分钟，不会起火燃烧。
5，线绕电阻：用含铝量的瓷棒做基体瓷器，用耐热的镍合金线做电阻丝（无感型电阻为交叉绕线，一般感量为1uH以下），可以承受很大的瞬间峰值功率，可达到100～400倍额定功率。
该电阻用5色环表示，第5色环绿色表示无感线绕电阻，第5色环黑色表示有感线绕电阻。
另，电阻本体底色灰色表示normal size，电阻本体底色粉红色表示small size。
6，碳膜电阻：（略）7，水泥电阻：该电阻可以做到很大的功率，厂内烧机架上有大量使用。
8，锰铜线：成分为Cu、NI和Mn，线径0.71mm,，电阻率为1.11 OHM/m，长7.5mm。
一般用于过电流检测电路，如DA30C、DA48E12等机种。
9，压敏电阻：金属氧化变阻暂态电压抑制器（MOV），当暂态电压出现在MOV两端时，MOV阻抗会快速下降到最低值，将输入电压定位在安全值范围，暂态能量消耗在MOV上；跨接在安全电压上时，表现的阻抗很大。
主要有300V、350V、390V几种规格。
之前一直归结到电容类器件，这里顺便提一下。
10, 热敏电阻：负温度系数热敏电阻（NTC）：小阻值的如5A,2.5 Ω规格的，用于浪涌电流抑制，当开关电源打开时，经由热敏电阻可达到限制突波电流的目的；当电容充电后，在稳定负载电流下，热敏电阻因发热阻值会变得较小，不会对整机效率产生较大影响。
电阻的型号和分类
电阻的型号和分类
导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。
一、电阻的型号命名方法：
国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）
第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。
如R表示电阻，W表示电位器。
第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-
碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。
1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。
第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1型普通碳膜电阻
二、电阻器的分类
1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。
2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。
3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻
器。
4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。
电阻类别(带实物图)
电阻类别（带实物图）一、基础知识电阻器是电路元件中应用最广泛的一种，在电子设备中约占元件总数的30%以上，其质量的好坏对电路工作的稳定性有极大影响。
它的主要用途是稳定和调节电路中的电流和电压，其次还作为分流器分压器和负载使用。
1．分类在电子电路中常用的电阻器有固定式电阻器和电位器，按制作材料和工艺不同，固定式电阻器可分为：膜式电阻（碳膜RT、金属膜RJ、合成膜RH和氧化膜RY）、实芯电阻（有机RS和无机RN）、金属线绕电阻（RX）、特殊电阻（MG型光敏电阻、MF型热敏电阻）四种。
表1 几种常用电阻的结构和特点2．主要性能指标额定功率：在规定的环境温度和湿度下，假定周围空气不流通，在长期连续负载而不损坏或基本不改变性能的情况下，电阻器上允许消耗的最大功率。
为保证安全使用，一般选其额定功率比它在电路中消耗的功率高1-2倍。
额定功率分19个等级，常用的有0.05W、0.125W、0.25 W、0.5 W、1 W、2 W、3 W、5 W、7 W、10 W，在电路图中非线绕电阻器额定功率的符号表示如下图：电阻器阻值标示方法1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。
2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。
表示允许误差的文字符号文字符号 D F G J K M允许偏差±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20%3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。
数码从左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。
偏差通常采用文字符号表示。
4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。
国外电阻大部分采用色标法。
电阻常见种类
电阻常见种类电阻是电学元件中最基础的部件之一，它是用来限制电流流动的。
在现代电子技术中，电阻被广泛应用于各种电路中。
根据不同的使用场合和要求，电阻有多种不同的类型。
下面将介绍一些常见的电阻种类。
1. 碳膜电阻碳膜电阻是一种常见的低功率、高精度、低成本的表面贴装电阻。
它由金属箔或薄膜上覆盖一层碳膜而成，具有较好的稳定性和线性特性，在工业控制、通讯设备等领域广泛应用。
2. 金属膜电阻金属膜电阻也是一种常用的表面贴装型低功率、高精度、低成本电阻。
它由金属箔或薄膜上覆盖一层金属薄膜而成，具有较好的稳定性和线性特性，在计算机、通讯设备等领域广泛应用。
3. 金属氧化物膜（MO）电阻金属氧化物膜（MO）电阻是一种高精度、高稳定性的电阻。
它由金属箔或薄膜上覆盖一层金属氧化物薄膜而成，具有较高的精度和稳定性，在高要求的仪器仪表、计算机等领域广泛应用。
4. 有线电阻有线电阻是一种大功率、高精度的电阻。
它由金属丝或合金丝绕制而成，具有较好的热稳定性和抗振动能力，在工业加热、光学测量等领域广泛应用。
5. 电容式电阻电容式电阻是一种高频率响应快、体积小、重量轻的电阻。
它由两个平行板之间填充介质而成，具有较好的温度系数和线性特性，在计算机、通讯设备等领域广泛应用。
6. 变压器式电阻变压器式电阻是一种大功率、高精度的电阻。
它由多个金属箔叠加而成，具有较好的温度系数和线性特性，在工业控制、通讯设备等领域广泛应用。
7. 管子式电阻管子式电阻是一种大功率、高精度的电阻。
它由金属管或合金管制成，具有较好的热稳定性和抗振动能力，在工业加热、光学测量等领域广泛应用。
综上所述，电阻有多种不同的类型，每种类型都有其特点和适用范围。
选择适合自己需求的电阻种类可以有效提高电路的性能和稳定性。
常用电阻种类
常用电阻种类
电阻是电路中常见的元件之一，它的作用是限制电流的流动，使电路中的电流、电压、功率等参数得到合理的控制。
根据电阻的材料、结构和特性，电阻可以分为多种类型。
下面我们来介绍一下常用的电阻种类。
1. 炭膜电阻
炭膜电阻是一种常见的电阻，它的外观呈现黑色，具有较高的稳定性和精度。
炭膜电阻的特点是阻值范围广，可达到几千兆欧姆，而且价格相对较低，因此在电子电路中应用广泛。
2. 金属膜电阻
金属膜电阻是一种以金属薄膜为电阻材料的电阻，它的特点是精度高、稳定性好、温度系数小，因此在高精度电路中应用广泛。
金属膜电阻的阻值范围一般在几欧姆到几兆欧姆之间。
3. 电位器
电位器是一种可调电阻，它的阻值可以通过旋转电位器的旋钮来调节。
电位器的特点是阻值范围广，可达到几千兆欧姆，而且具有可调性，因此在电子电路中应用广泛。
4. 电容式电阻
电容式电阻是一种以电容为基础的电阻，它的特点是阻值范围广，可达到几千兆欧姆，而且具有较高的精度和稳定性。
电容式电阻的应用范围广泛，包括电子电路、通信设备、计算机等领域。
5. 电感式电阻
电感式电阻是一种以电感为基础的电阻，它的特点是阻值范围广，可达到几千兆欧姆，而且具有较高的精度和稳定性。
电感式电阻的应用范围广泛，包括电子电路、通信设备、计算机等领域。
电阻是电子电路中不可或缺的元件之一，不同类型的电阻具有不同的特点和应用范围，我们需要根据具体的需求来选择合适的电阻。
电阻分类
电阻器有不同的分类方法。
按材料分，有碳膜电阻、水泥电阻、金属膜电阻和线绕电阻等不同类型；按功率分，有、、、、1W、2W等额定功率的电阻；按电阻值的精确度分，有精确度为±5%、±10%、±20%等的普通电阻，还有精确度为±0.1%、±0.2%、±0.5%、±l%和±2%等的精密电阻。
电阻的类别可以通过外观的标记识别。
而固定电阻以其制造材料又可分为好多类，但常用、常见的有RT型碳膜电阻、RJ型金属膜电阻、RX型线绕电阻，还有近年来开始广泛应用的片状电阻。
型号命名很有规律，第一个字母R代表电阻；第二个字母的意义是：T－碳膜，J －金属，X－线绕，这些符号是汉语拼音的第一个字母。
在国产老式的电子产品中，常可以看到外表涂覆绿漆的电阻，那就是RT型的。
而红颜色的电阻，是RJ型的。
一般老式电子产品中，以绿色的电阻居多。
为什么呢？这涉及到产品成本的问题，因为金属膜电阻虽然精度高、温度特性好，但制造成本也高，而碳膜电阻特别价廉，而且能满足民用产品要求。
电阻器当然也有功率之分。
常见的是1/8瓦的“色环碳膜电阻”，它是电子产品和电子制作中用的最多的。
当然在一些微型产品中，会用到1/16瓦的电阻，它的个头小多了。
再者就是微型片状电阻，它是贴片元件家族的一员，以前多见于进口微型产品中，现在电子爱好者也可以买到了国产产品用来制作小型电子装置。
第一部分：主称第二部分：材料第三部分：特征第四部分：序号符号意义符号意义符号电阻器电位器R W 电阻器电位器T碳膜1普通普通对主称、材料相同，仅性能指标尺寸大小有区别，但基本不影响互换使用的产品，给同一序号；若性能指标、尺寸大小明显影响互换时，则在序号后面用大写字母作为区别代号。
H合成膜2普通普通S有机实芯3超高频—N无机实芯4高阻—J金属膜5高温—Y氧化膜6——C沉积膜7精密精密I玻璃釉膜8高压特殊函数P硼酸膜9特殊特殊U硅酸膜G高功率—X线绕T可调—M压敏W—微调G光敏D—多圈R热敏B温度补偿用—C温度测量用—P旁热式—W稳压式—Z正温度系数—电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5二极管：封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管)电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等79系列有7905，7912，7920等常见的封装属性有to126h和to126v整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。
各种类型的电阻及应用
各种类型的电阻及应用电阻是电路中常见的电器元件之一，用于控制电流的大小。
根据不同的性质和应用，电阻可以分为多种不同类型，下面将详细介绍各种类型的电阻及其应用。
1. 固定电阻固定电阻是最常见、最基本的电阻类型之一。
它的电阻值固定不变，无法通过外界手段进行调节。
固定电阻通常使用碳膜、金属膜或金属氧化物膜等材料制成。
碳膜电阻广泛应用于电子设备、通信设备和计算机设备等领域中，用于限流、限压和分压等电路。
2. 可变电阻可变电阻又被称为可调电阻，是一种可以通过人工手段或自动手段进行电阻值调节的电阻器件。
可变电阻常见的形式有可旋转式电位器和滑动式电阻。
可变电阻广泛应用于音频设备、调音台、光学仪器、模拟仪表等领域中，用于调节电流、电压，或者作为分压器、变阻器使用。
3. 热敏电阻热敏电阻是一种电阻值随温度变化的电阻器件。
它通常使用金属材料制成，其中最常见的是铂电阻和镍电阻。
热敏电阻主要应用于温度测量、过温保护和温度补偿等领域中。
例如，热敏电阻可用于家用电饭煲中的温度控制、空调中的温度检测和汽车中的发动机温度监测等。
4. 光敏电阻光敏电阻是一种电阻值随光照强度变化的电阻器件。
光敏电阻通常使用半导体材料制成，例如硒化铟、硫化铟等。
光敏电阻主要应用于光控开关、光电传感器、光敏电路和光敏电阻器等领域中。
例如，光敏电阻可用于滤光器中的光控开关，可以根据外界光照强度来调节滤光片的透光率。
5. 可调电阻可调电阻是一种可以通过外界手段进行电阻值调节的电阻器件。
它常见的形式有变压器、电位器、电阻箱和电阻条等。
可调电阻在电子电路中广泛用于调节电流、电压和功率等。
例如，可调电阻可以用作调节电源输出电压的模块，也可以用于调节音频设备的音量。
6. NTC电阻NTC电阻是一种负温度系数电阻，其电阻值随温度上升而下降。
NTC电阻通常使用氮化硅、氮化铝等材料制成。
NTC电阻主要应用于温度测量、热敏控制和温度补偿等领域中。
例如，NTC电阻可用于温度计、恒温器和温度补偿电路中。
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Poly电阻是CMOS或者BICMOS中特有的电阻类型,轻搀杂Poly电阻方块电阻数在几百到几千之间,重搀杂电阻电阻数在25—50之间.一般是使用NSD或者PSD进行搀杂.而不用其他N或P型层次.Poly电阻的大小不仅仅和搀杂浓度有关,还和晶格方向有关.在晶体表面,晶格方向比较杂乱一点,所以电阻也比晶格比较整齐的内部要大,如果Poly电阻比较细的时候,单位电阻较大.尤其对于轻搀杂的Poly电阻.各种不同的Poly电阻温度系数不同,轻搀杂的poly电阻会出现负温度系数,而重搀杂的poly电阻则肯定为正温度系数.例如一些方块电阻数在2000左右的poly电阻,温度系数会为负.所以会出现一个温度系数几乎为零的搀杂浓度,但是这样的浓度很难控制.大概在方块电阻数为200左右的地方.一般工艺的偏差会导致难以控制.不过我们要尽量将温度系数控制在250ppm/摄氏度.Poly电阻在电阻头的地方一般都是经过重搀杂的,这样才能减小接触电阻.所以一般Poly电阻都是由电阻头和电阻身体部分组成.一般工艺下poly电阻的宽度偏差在10%,所以poly电阻的计算时,要注意电阻的修正参数. Poly电阻最好画在场氧上,这样可以减小衬底和它之间的电容,同时可以减小其他因素造成的电阻偏差.一般可以选用上层poly做poly电阻,在bicmos 中,可以在poly电阻下面做deep-N+.这样可以增加poly电阻下面的氧化层.不过要注意deep-N+一定要超出poly电阻的边缘几微米.Poly电阻不能适应瞬态电流变化,因为poly电阻下面是厚氧化层,导热效果很差,并且poly电阻在一定温度下,晶格会产生变化,从而导致电阻系数变化很大.所以要将poly电阻使用在合适的地方.不是所有bicmos工艺可以提供合适的电阻,因为poly做栅极的时候会通过重搀杂导致poly电阻系数很低,如果没有特殊的层次进行分辨,那么poly层就会因为电阻系数太低而不适合做电阻.尤其在silicided工艺下,poly电阻方块电阻数会降到2欧姆左右,所以必须使用如N-Well电阻等其他电阻.或者通过一些层次将需要重搀杂和silicided的地方与不需要的地方区分开. Poly电阻是非常好的电阻选择,因为poly电阻偏差小,温度系数可以控制,同时不需要单独的岛.所以通常情况下,大家都会选择poly电阻.布局前的准备:1 查看捕捉点设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025.2 Cell名称不能以数字开头.否则无法做DRACULA检查.3 布局前考虑好出PIN的方向和位置4 布局前分析电路，完成同一功能的MOS管画在一起5 对两层金属走向预先订好。
一个图中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。
6 对pin分类,vdd,vddx注意不要混淆,不同电位(衬底接不同电压)的n井分开.混合信号的电路尤其注意这点.7 在正确的路径下(一般是进到~/opus)打开icfb.8 更改cell时查看路径,一定要在正确的library下更改,以防copy过来的cell是在其他的library下,被改错.9 将不同电位的N井找出来.10 更改原理图后一定记得check and save11 完成每个cell后要归原点12 DEVICE的个数是否和原理图一至(有并联的管子时注意)；各DEVICE的尺寸是否和原理图一至。
一般在拿到原理图之后，会对布局有大概的规划，先画DEVICE，(DIVECE之间不必用最小间距,根据经验考虑连线空间留出空隙)再连线。
画DEVICE后从EXTRACTED中看参数检验对错。
对每个device 器件的各端从什么方向,什么位置与其他物体连线必须先有考虑(与经验及floorplan的水平有关).13 如果一个cell调用其它cell，被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb 如果没有和外层cell连起来，要打上PIN,否则通不过diva检查.尽量在布局低层cell时就连起来。
14 尽量用最上层金属接出PIN。
15 接出去的线拉到cell边缘,布局时记得留出走线空间.16 金属连线不宜过长；17 电容一般最后画，在空档处拼凑。
18 小尺寸的mos管孔可以少打一点.19 LABEL标识元件时不要用y0层，mapfile不认。
20 管子的沟道上尽量不要走线;M2的影响比M1小.21 电容上下级板的电压注意要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。
可以多个电阻并联.22 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。
23 栅上的孔最好打在栅的中间位置.24 U形的mos管用整片方形的栅覆盖diff层,不要用layer generation的方法生成U形栅.25 一般打孔最少打两个26 Contact面积允许的情况下,能打越多越好,尤其是input/output部分,因为电流较大.但如果contact阻值远大于diffusion则不适用.传导线越宽越好,因为可以减少电阻值,但也增加了电容值.27 薄氧化层是否有对应的植入层28 金属连接孔可以嵌在diffusion的孔中间.29 两段金属连接处重叠的地方注意金属线最小宽度30 连线接头处一定要重叠，画的时候将该区域放大可避免此错误。
31 摆放各个小CELL时注意不要挤得太近，没有留出走线空间。
最后线只能从DEVICE上跨过去。
32 Text2,y0层只是用来做检查或标志用,不用于光刻制造.33 芯片内部的电源线/地线和ESD上的电源线/地线分开接;数模信号的电源线/地线分开。
34 Pad的pass窗口的尺寸画成整数90um.35 连接Esd电路的线不能断，如果改变走向不要换金属层36 Esd电路中无VDDX,VSSX,是VDDB,VSSB.37 PAD和ESD最好使用M1连接，宽度不小于20um;使用M2连接时,pad上不用打VIA孔,在ESD电路上打。
38 PAD与芯片内部cell的连线要从ESD电路上接过去。
39 Esd电路的SOURCE放两边，DRAIN放中间。
40 ESD的D端的孔到poly的间距为4,S端到poly的间距为^+0.2.防止大电流从D端进来时影响poly.41 ESD的pmos管与其他ESD或POWER的nmos管至少相距70um以上。
42 大尺寸的pmos/nmos与其他nmos/pmos(非powermos和ESD)的间距不够70um时,但最好不要小于50um,中间加NWELL,打上NTAP.43 NWELL和PTAP的隔离效果有什么不同?NWELL较深,效果较好.44 只有esd电路中的管子才可以用2*2um的孔.怎么判断ESD电路？上拉P 管的D/G均接VDD,S接PAD;下拉N管的G/S接VSS,D接PAD.P/N管起二极管的作用.45 摆放ESD时nmos摆在最外缘,pmos在内.46 关于匹配电路，放大电路不需要和下面的电流源匹配。
什么是匹配？使需要匹配的管子所处的光刻环境一样。
匹配分为横向，纵向，和中心匹配。
1221为纵向匹配，12为中心匹配（把上方1转到下方1时，上方2也达到下方2位置） 21中心匹配最佳。
47 尺寸非常小的匹配管子对匹配画法要求不严格.4个以上的匹配管子,局部和整体都匹配的匹配方式最佳.48 在匹配电路的mos管左右画上dummy,用poly,poly的尺寸与管子尺寸一样,dummy与相邻的第一个poly gate的间距等于poly gate之间的间距. 49 电阻的匹配，例如1，2两电阻需要匹配，仍是1221等方法。
电阻dummy 两头接地vssx。
50 Via不要打在电阻体,电容(poly)边缘上面.51 05工艺中resistor层只是做检查用52 电阻连线处孔越多,各个VIA孔的电阻是并联关系,孔形成的电阻变小.53 电阻的dummy是保证处于边缘的电阻与其他电阻蚀刻环境一样.54 电容的匹配，值，接线，位置的匹配。
55 电阻连接fuse的pad的连线要稍宽,因为通过的电流较大.fuse的容丝用最上层金属.56 关于powermos① powermos一般接pin，要用足够宽的金属线接，②几种缩小面积的画法。
③栅的间距？无要求。
栅的长度不能超过100um57 Power mos要考虑瞬时大电流通过的情况,保证电流到达各处的路径的电阻相差不大.(适应所有存在大电流通过的情况).58 金属层dummy要和金属走向一致，即如果M2横走，M2的dummy也是横走向59 低层cell的pin,label等要整齐,and不要删掉以备后用.60 匹配电路的栅如果横走，之间连接用的金属线会是竖走，用金属一层，和规定的金属走向一致。
61 不同宽度金属连接的影响？整个layout面积较大时影响可忽略.62 输出端节电容要小.多个管子并联,有一端是输出时注意做到这点.63 做DRACULA检查时,如果先运行drc,drc检查没有完毕时做了lvs检查,那么drc检查的每一步会比lvs检查的每一步快;反之,lvs会比drc快.64 最终DRACULA通过之后在layout图中空隙处加上ptap,先用thin-oxid 将空隙处填满,再打上孔,金属宽度不要超过10,即一行最多8个孔(06工艺)65 为防止信号串扰,在两电路间加上PTAP,此PTAP单独连接VSS PAD.66 金属上走过的电压很大时,为避免尖角放电,拐角处用斜角,不能走90度度的直角.67 如果w=20,可画成两个w=10mos管并联68 并联的管子共用端为S端,或D端;串联的管子共用端为s/d端.出错检查:69 DEVICE的各端是否都有连线；连线是否正确；70 完成布局检查时要查看每个接线的地方是否都有连线，特别注意VSSX，VDDX71 查线时用SHOTS将线高亮显示，便于找出可以合并或是缩短距离的金属线。
72 多个电阻（大于两根）打上DUMMY。
保证每根电阻在光刻时所处的环境一样，最外面的电阻的NPIM层要超出EPOLY2 0.55 um，即两根电阻间距的一半。
73 无关的MOS管的THIN要断开，不要连在一起74 并联的管子注意漏源合并，不要连错线。
一个管子的源端也是另一个管子的源端75 做DRAC检查时最上层的pin的名称用text2标识。
Text2的名称要和该pin的名称一样.76 大CELL不要做DIVA检查,用DRACULE.77 Text2层要打在最顶层cell里.如果打在pad上,于最顶层调用此PAD,Dracula无法认出此pin.78 消除电阻dummy的lvs报错，把nimp和RPdummy层移出最边缘的电阻，不要覆盖dummy79 06工艺中M1最小宽度0.8,如果用0.8的M1拐线,虽然diva的drc不报错,但DRACULE的drc会在拐角处报错.要在拐角处加宽金属线.80 最后DRACULA的lvs通过,但是drc没有过,每次改正drc错误前可把layout图存成layout1,再改正.以免改错影响lvs不通过,旧版图也被保存下来了.81 Cell中间的连线尽量在低层cell中连完,不要放在高层cell中连,特别不要在最高层cell中连,因为最高层cell的布局经常会改动,走线容易因为cell的移动变得混乱.82 DRACULA的drc无法检查出pad必须满足pad到与pad无关的物体间距为10这一规则.83 做DRACULA检查时开两个窗口,一个用于lvs,一个用于drc.可同时进行,节省时间.容易犯的错误84 电阻忘记加dummy85 使用NS功能后没有复原(选取AS),之后又进行整图移动操作,结果被NS 的元件没有移动,图形被破坏.86 使用strech功能时错选.每次操作时注意看图左下角提示.87 Op电路中输入放大端的管子的衬底不接vddb/vddx.88 是否按下capslock键后没有还原就操作节省面积的途径89 电源线下面可以画有器件.节省面积.90 电阻上面可以走线，画电阻的区域可以充分利用。