武汉理工大学2016-2017模拟电子技术基础试卷
武汉理工大学网络教育模拟电子技术
一、判断(共计50分,每题2.5分)1、多极放大电路常用的耦合方式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
A. 正确B. 错误错误:【A】2、正弦波振荡电路是由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四个部分组成。
A. 正确B. 错误错误:【A】3、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路，全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的0.9倍。
A. 正确B. 错误错误:【A】4、将一个RC低通电路与一个RC高通电路并联在一起，可以组成带阻滤波器。
A. 正确B. 错误错误:【A】5、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）A. 正确B. 错误错误:【A】6、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共集组态带负载能力强。
A. 正确B. 错误错误:【A】7、正反馈是指反馈信号增强净输入信号；负反馈是指反馈信号减弱净输入信号。
A. 正确B. 错误错误:【A】8、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）A. 正确B. 错误错误:【A】9、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高增益的稳定性、减小非线性失真、抑制反馈环内噪声、扩展频带。
A. 正确B. 错误错误:【A】10、直流电源一般由下列四部分组成，它们分别为：电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路。
A. 正确B. 错误错误:【A】11、对于耗尽型MOS管，当栅源电压等于零时，有导电沟道存在。
A. 正确B. 错误错误:【A】12、N型半导体中电子是少数载流子。
（）A. 正确B. 错误错误:【B】13、结型场效应管利用栅源极间所加的反向电压来改变导电沟道宽度。
（）A. 正确B. 错误错误:【A】14、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）A. 正确B. 错误错误:【B】15、场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流。
A. 正确B. 错误错误:【A】16、场效应管放大电路有共源、共栅、共漏三种组态。
武汉理工大学历年数电试卷和模拟题
3．F3F3四、（共12分）设计一个三人举手表决电路，要求输出Y的状态与三人A、B、C中多数的状态一致：1．列出真值表并写出逻辑表达式；（6分）2．用3/8线译码器74138和与非门实现上述逻辑函数，画出电路图。
（6分）74138集成译码器功能表及符号输入输出G1G2A G2B A2A1A0Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y70X X X X X11111111X1X X X X11111111X X1X X X111111111000000111111110000110111111100010110111111000111110111110010011110111100101111110111001101111110110011111111110五、（共12分）分析下列由计数器74LS290和数据选择器74LS151组成的电路：1．画出图中74LS290输出的状态转换图；（3分）2．写出图中74LS151输出Y的逻辑表达式；（3分）3．对照CP画出输出Y的波形图；（3分）4．说明电路的逻辑功能。
（3分）武汉理工大学教务处 试题标准答案及评分标准用纸课程名称 数字电子技术 （ A 卷）一、填空（每空1分，共16分）1.（ 111111.11）B ＝（77.7）O =（3F.C ）H ＝（01100011.01110101）8421BCD 2．()()F A BB C =++，()()'F A B B C =++3．A=C=1，F AB BC AC =++ 4．速度快 5．-5V6．10，8，8 7．0，1，2二、化简（每小题6分，共12分）1．代数法化简：()()()F A B ABC A(B AB)A B AC A A B A+C A A BC A A BC A B+C AB+AC=•+++=•++=++=++=+==2．卡诺图法化简：Y(A,B,C,D)=(0,2,3,4,6,12)(1,7,8,10,14,15)∑+∑m d 三、写表达式（每小题4分，共12分）1．1F A B C =⋅⋅ 2．2F A B B C =⋅+⋅ 3．3F 1= 四、1．真值表：（略）（3分）逻辑表达式：()Y 3,5,6,7m =∑（3分） 2．电路图：（6分）1GA74LS138G 2212AGAY 4 1 Y Y 5 Y2 Y 6 Y Y 7Y 3 0A B C10 0Y图1 例1逻辑五、1．七进制；（3分）2．输出Y 的逻辑表达式()Y 0,1,3,4,5m =∑；（3分）3．1101110；（3分）4．序列码发生器。
推荐-电工及电子技术基础模拟试题 精品
武汉理工大学继续教育学院《电工及电子技术基础》试题(B)20XX机电专业20XX年12月____________一、填空：（本大题包括10小题，每小题2分，共计20分）1．实际电压源的内阻越小，其特性越接接近于理想________源。
2．电路中电位参考点发生变化后，其它各点的电位_______________________。
3．在对称三相电路中，若负载作三角形连接，其相电流i AB=5sin(314t+60°)A。
则线电流i A=________________________A。
4．某正弦交流电压u的初相位为45°，在t=0时u=220V，则u的有效值为_______V。
5．若电源电压有效值保持不变，而电源频率提高时，R、C串联正弦交流电路的电流有效值将_________。
6．二极管最重要的特性是_________________。
7．三极管由放大状态变为截止状态后，电路中将出现的特征是________________。
8．某三极管发射结反偏，集电结也反偏时，此三极管的工作状态为_____________。
9．单相桥式整流电路，接负载R L=100Ω，电源电压u2=2×20sinωt V，则负载电流的平均值I L为_____________。
10．基本R-S触发器，输入端R D、S D禁用的状态为________________。
二、单项选择题：（本大题包括16小题，每小题1.5分，共计24分）（选择唯一正确答案，并将其编号填入括号内。
选错或未选均无分）11．有一阻值为100kΩ的电阻与另一阻值为1kΩ的电阻并联后，再与一阻值为1kΩ的电阻串联，根据工程近似的的观点，它们并、串联后的等效电阻值为（）A．0.5kΩB．1kΩC．2kΩD．100kΩ12．基尔霍夫电压定律、电流定律（）A．与电路结构有关，与元件性质无关B.与电路结构有关，与元件性质也有关C．与电路结构无关，与元件性质有关D.与电路结构无关，与元件性质也无关13．直流电路如图1所示，E=15V，I K=5A，R=5Ω，恒压源E的工作状况是（）A．发出功率75W B．吸收功率75W C．发出功率30WD．吸收功率30W14．R、L串联的正弦交流电路如图2所示，若u R=52sin(ωt+10°)V，u L=52sin(ωt+100°)V，则总电压u为（）A．5sin(ωt+45°)V B．10sin(ωt+55°)VC．52sin(ωt+110°)V D．102sin(ωt+70°)V15．有关图3中所示电路电流•I的下列计算公式中，错误．．的是（）图1 题13电路图A ．R U R •B ．Cj UC ω•C ．•C U C j ωD ．)1(Cj R U ω+•16．负载为△连接的三相对称电路，若每相负载有功功率为30W ，则三相有功功率为（ ）A ．0B ．303WC ．90WD ．903W 17．三相异步电动机的电磁转矩T 与（ ）A ．定子电流成反比B ．定子电压成正比C ．定子电压平方成反比D ．定子电压平方成正比18．在掺杂半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（ ）A ．杂质浓度B ．掺杂工艺C ．晶体缺欠D ．温度 19．PN 结的空间电荷的组成是（ ）A ．正离子与电子B ．负离子与空穴C ．正离子与负离子D ．电子与空穴 20．PN 结未加外部电压时，扩散电流与漂移电流是（ ）A ．只有扩散电流没有漂移电流B ．只有漂移电流没有扩散电流C ．扩散电流与漂移电流均存在，且前者大于后者D ．扩散电流与漂移电流均存在，且相等 21．锗二极管的死区电压约为（ ）A ．0.1 V 左右B ．0.3 V 左右C ．0.5 V 左右D ．0.7 V 左右22．PNP 型与NPN 型三极管主要区别为（ ）A ．必需由两种不同材料（硅、锗）制造B ．必需掺杂不同的元素C ．N 区与P 区的位置安排不同D ．掺杂的浓度不同 23．处于放大状态的三极管，其发射结（e 结）及集电结（c 结）的偏置情况为（ ）A ．c 结反偏，e 结正偏B ．c 结正偏，e 结反偏C ．c 结正偏，e 结正偏D ．c 结反偏，e 结反偏 24．对半导体三极管而言，不正确的说法是（ ）A ．三极管的参数β与温度有关B ．硅材料只能制造NPN 型三极管C ．三极关在放大状态时，e 结为正偏，c 结为反偏D ．三极管的参数I CEO 与温度有关 25．单相桥式整流电路，交流电源U 2=20V ，工作中突然发生一只二极管脱焊，则输出电压U L 等于（ ）A ．20VB ．18VC ．10VD ．9V 26．表示基本触发器的置0端的文字符号为（ ）A ．S DB ．R DC ．QD ．__Q三、简 析 题：（本大题包括4小题，每小题4分，共计16分）27．通常电灯开得愈多，总负载电阻愈大还是愈少，为什么？28．在图4所示正弦交流电路中，若电源角频率ω=1000 ra d ∕ s ，R =100Ω，欲使输出电压u 2超前输入电压u 1的相位角为60°，则电感L 应取多大值？ 29．在图5所示电路中，E =5V ，R =5k Ω，试分析并分别求出图5（a ）、(b )、（c ）各图中电流表（即mA 表）的读数。
武汉理工大学模拟电路期末考试试题库
一、单项选择题：（每小题1分，共15分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ）。
A)10kΩ B)2kΩ C)4kΩ D)3kΩ2．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ C ）。
A)共射电路 B)共基电路 C)共集电路 D)共集-共基串联电路3．某电路有用信号频率为2kHz，可选用（C ）。
A)低通滤波器 B)高通滤波器 C)带通滤波器 D)带阻滤波器4．与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（C ）。
A)不用输出变压器 B)不用输出端大电容 C)效率高 D)无交越失真5．有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（ B ）。
A)输入电阻大 B)输入电阻小 C)输出电阻大 D)输出电阻小6．共模抑制比KCMR越大，表明电路（C ）。
A)放大倍数越稳定 B)交流放大倍数越大C)抑制温漂能力越强 D)输入信号中的差模成分越大7．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（B ）。
A)变宽 B)变窄 C)不变 D)与各单级放大电路无关8．某仪表放大电路，要求Ri大，输出电流稳定，应选（A ）。
A)电流串联负反馈 B)电压并联负反馈C)电流并联负反馈 D)电压串联负反馈9．电流源的特点是直流等效电阻( B )。
A)大 B)小 C)恒定 D)不定10．差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（C ）。
A)增加一倍 B)为双端输入时的一半 C)不变 D)不确定12．当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（D ）。
A)20倍 B)-20倍 C)-10倍 D)0.1倍13．当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（A ）。
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。
A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
1~4章习题课 模电 武汉理工
iD1
V1 uI V2 uI ( i1 iD2 ) ( ) R1 R2
iD1 iD2
2uI 24 5 18 uI 5
+
iD1 D1 i1
iD2 D2 i2 R2 V2
+
D1导通的条件是uI＞12 V
uI
R1 5 kW
模拟电子技术基础
2.3.1 在题图2.3.1所示电路中，发光二极管导通 电压VD＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正 常工作。试问： （1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R的取值范围是多少？
解：（1）当开关S闭合时发光二极管才能发光。 （2）为了让二极管正常发光，ID＝5～15mA， R的范围为
R i R b //[rbe (1 )R L ] 18 //(0.56 101 0.11) 7kW
Avs
Ri ( 1 )RL Ri Rs rbe ( 1 )RL
7 101 0.11 0.877 。 7 0.6 0.56 101 0.11
2.2.5 电路如题图所示，设所有稳压管均为硅管 （正向导通电压为VD＝0.7V），且稳定电压VZ＝ 8V，已知vi＝15sinωt (V)，试画出vO1和vO2的 波形。
模拟电子技术基础
当 vi VZ 8V 时，稳压管 DZ 反向击穿，vo＝8V ； 当 vi VD 0.7V 时，稳压 管 DZ 正向导通，vo＝−0.7V ； 当 0.7V VD vi VZ 8V 时，稳压管 DZ1 和 DZ2 未击穿，vo＝vi 。
50 3 3 0.5
150
Vi
Ri Rb1 Rb 2 rbe 0.5k W
武汉理工大学电工电子样卷
（C ）C L R /2= 题三图如图所示，换路前已处于稳态，t=0时开关闭合，试求换路后的电容两端电压题四图题五图武汉理工大学教务处（A 卷）一、填空题（每空1分，共16分）1. －1A 、2V 、1A2. 1000 、 3π 、503. 电压、电流4. 滞后 、容性5. N1/N2、N2/N16. 改变电源相序7.变电源频率f 、变电机极数P 、变转差率S二、单选题（每题2分，共20分）1～5：A B B D C 6～10：A B A A C 三、（10分）解：c 点电位为Vc=1×10=10V （3分）b 点与c 点电位差为U bc =4×3/（4+2）=2V ，故Vb=Vc+U bc =12V （4分） a 点电位为Va=Vb-3=9V （3分） 四、（12分）解：（1）开关未闭合时，电路处于稳态，计算)0(-C U 如图3.1所示，Uab ＝20V ，故101020)0(=-=-C U V （3分） （2）根据换路定则，)0()0(-=+C C U U ＝10V （2分） （3）当电路再次进入稳态后，)(∞C U如图4.2所示，)(∞C U ＝20×（1/4）-10=-5V （3分）(4)等效电阻R ＝10K Ω，故时间常数RC ＝10K Ω×10μF=0.1s （2分） 根据三要素法，可得t C e t U 10155)(-+-=V 。
（2分） 五、（12分）解：（1）求开路电压Uab 。
如图5.1所示电路。
Uab ＝16V （4分） （2）等效电阻R0＝8Ω,如图5.2所示。
（4分） （3）I ＝Uab/(R0+24)=0.5A ，如图5.3所示，（4分）六、（15分）解：由已知条件可知，︒∠=0380ABU V ，s rad /314=ω，则 A 、B 、C 相电压分别为︒-∠=30220A U V ，︒-∠=150220B U V ，︒+∠=90220C U V ，（3分） Ω=⨯⨯==-10108.313143L X L ω，Ω=⨯⨯==-10)10318314/(1)/(16C X C ω（3分）︒-∠==3022/R U I A A A ，︒-∠=-=6022)/(C B B jX U I A ，︒∠==022)/(LC C jX U I A ，（3分） 图4.1 t ＝0－等效电路A I I I I CB A N 3060-∠=++=∙∙∙∙（2分） 相量图如下图所示。
华工网院模拟电子技术作业及答案2015-2016
模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。
(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。
(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。
(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4理想二极管的反向电阻为( b )。
(a)零 (b)无穷大 (c)约几百千欧5电路如图1所示，设1D ，2D 均为理想元件，已知输入电压i u =150sin t ωV 如图2所示，试画出电压O u 的波形。
答：6电路如图1所示，设输入信号I1u ,I2u 的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压O u 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。
D D u O+- 图1图2u i u iuI2D1图1图2uI1u答：电压波开如图：在t1时间内D1导通，D2截止。
在t2时间内D1截止，D2导通。
7电路如图所示，试分析当u I V=3时，哪些二极管导通？当uIV=0时，哪些二极管导通？（写出分析过程并设二极管正向压降为0.7 V）。
答：当U I=3V时，D2D3D4导通；当U I=0V时，D1导通。
当U I=3V时，5V电源有两个回路，右边D2D3D4的压降各为0.7V，所以该给回路中的电阻压降是5V-3*0.7V=2.9V,电阻下端是5V的电源正极为+5V，因此a点电位为2.1V，由于D1左边电位为+3V，因此D1不会导通。
第2章基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图(b)。
D1D2D342图示电路，已知晶体管60=β，V 7.0BE =U ，Ω=k 2C R ，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( a )。
(a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω3电路如图所示，R C ＝3k Ω，晶体管的β＝50，欲使晶体管工作在放大区， R B 应调至(c)。