模拟电路提纲习题答案
电路基础模拟习题与参考答案
电路基础模拟习题与参考答案一、单选题（共60题，每题1分，共60分）1、大功率、高压缩比、高转速的发动机应选用的火花塞是()。
A、温型B、中型C、热型D、冷型正确答案：D2、导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为()。
A、导体B、绝缘体C、半导体D、以上皆正确正确答案：C3、下列说法中,正确的是()。
A、一段通电导线在磁场某处受到的力大,该处的磁感应强度就大B、在磁感应强度为B的匀强磁场中,放入一面积为S的线框,通过线框的磁通一定为Φ=BSC、磁力线密处的磁感应强度大D、通电导线在磁场中受力为零,磁感应强度一定为零正确答案：A4、两只额定电压相同的电阻串联接在电路中,其阻值较大的电阻发热()。
A、较小B、较大C、相同正确答案：B5、电流的单位是()(填空题)A、AB、VC、ΩD、以上皆正确；正确答案：A6、电场力在单位时间内所做的功称为()。
A、耗电量C、功耗D、电功率正确答案：D7、人体可长时间承受多少毫安以下工作电流()。
A、30B、20C、50D、以上皆正确正确答案：A8、指出下面正确的句子是()。
A、变压器可以改变交流电的电压B、变压器可以改变直流电的电压C、变压器可以改变交流电压,也可以改变直流电压D、以上皆正确正确答案：B9、如果两个正弦交流电的相位差为π那么两者称为()。
A、反相B、正交C、同相D、以上皆正确正确答案：A10、理想电容上的电流与电压的关系()。
A、电流滞后电压450B、电流超前电压450C、电流超前电压900D、电流滞后电压900正确答案：C11、频率是反映交流电变化的()。
A、大小B、快慢C、位置正确答案：B12、并联电路中,电流的分配与电阻成()。
B、反比C、2:1D、正比正确答案：B13、随时间变化的电流电压和功率的瞬时值分别用()。
A、i、u、pB、I、u、pC、I、U、PD、以上皆正确正确答案：A14、在纯电容电路中电流超前电压()。
A、1π/5B、3π/2C、π/2D、以上皆正确正确答案：A15、一个电热器从220V的电源取用的功率为1000W,如将它接到110V的电源上,则取用的功率为()W。
模拟电路第三版课后习习题详解
欢迎阅读习题 1-1 欲使二极管拥有优秀的单导游电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，仍是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无量大。
习题 1-2 假定一个二极管在 50℃时的反向电流为 10μ A，试问它在 20℃和 80℃时的反向电流大概分别为多大？已知温度每高升 10℃，反向电流大概增添一倍。
解：在 20℃时的反向电流约为： 2 310A 1.25 A在 80℃时的反向电流约为：2310A80 AN7习题 1-3某二极管的伏安特征如图(a)所示：①如在二极管两头经过1k?的电阻加上的电压，如图(b)，此时二极管的电流I 和电压 U各为多少？②如将图 (b)中的电压改为 3V ，则二极管的电流和电压各为多少？解：依据图解法求解①电源电压为 1.5V 时1.5 U II 0.8 A, U②电源电压为 3V 时3 U II/mA3+ U-21I0 0.5 1 1.5 2 U/V1k?(a)(b)I 2.2 A , U可见，当二极管正导游通后，如电源电压增大，则二极管的电流随之增大，但管子两头的电压变化不大。
习题 1-4 已知在下列图中，u I = 10sinω t (V) ， R L =1k?，试对应地画出二极管的电流i D、电压 u D以及输出电压 u O的波形，并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向电流能够忽视。
u I /V+ u D-10++ti D/mAu I i D u DR L10--(a)tu I/V0t- 10u /V10ot习题 1-5欲使稳压管拥有优秀的稳压特征，它的工作电流 I Z、动向电阻 r Z以及温度系数αU，是大一些好仍是小一些好？答：动向电阻 r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流 I Z愈大，则其动向内阻愈小，稳压性能也愈好。
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模拟电路部分习题答案第二章晶体二极管及应用电路2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会增大。
（3）PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。
（4）晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。
在放大电路中，晶体管通常工作在放大区区。
（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该反偏。
（正偏、反偏）2-2．判断下列说法正确与否。
（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
（）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
（）（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。
（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。
（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。
（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
（8）错。
绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。
模拟电路笔试题及答案
模拟电路笔试题及答案一、选择题1. 在模拟电路中，基本的放大器类型是：A. 差分放大器B. 运算放大器C. 电流放大器D. 电压放大器答案：A2. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限的B. 无穷大C. 零D. 负无穷大答案：B3. 一个理想的二端口网络，其输出端口短路时，输入端口的输入阻抗称为：A. 短路阻抗B. 开路阻抗C. 负载阻抗D. 源阻抗答案：A二、简答题1. 简述什么是负反馈，并说明其在放大器中的作用。
答案：负反馈是指将放大器的输出信号的一部分或全部以相反的相位反馈到输入端。
在放大器中，负反馈可以提高放大器的稳定性，减小非线性失真，增加带宽，改善放大器的性能。
2. 解释什么是共模抑制比（CMRR）以及它在差分放大器中的重要性。
答案：共模抑制比（CMRR）是指差分放大器对共模信号的抑制能力，即差分放大器对共模信号的增益与差模信号增益的比值。
CMRR是衡量差分放大器性能的一个重要参数，高CMRR意味着差分放大器能更好地抑制共模干扰，从而提高信号的信噪比。
三、计算题1. 给定一个理想运算放大器电路，输入电压为\( V_{in} \)，反馈电阻\( R_f = 10k\Omega \)，输入电阻\( R_i = 1k\Omega \)，求输出电压\( V_{out} \)。
答案：由于理想运算放大器的输入阻抗为无穷大，所以输入电压\( V_{in} \)将完全施加在输入电阻\( R_i \)上。
根据电压跟随器的原理，输出电压\( V_{out} \)等于输入电压\( V_{in} \)。
2. 一个差分放大器，其差模增益为\( A_d = 10 \)，共模增益为\( A_c = 0.1 \)，求共模抑制比（CMRR）。
答案：共模抑制比（CMRR）可以通过差模增益与共模增益的比值来计算，即\( CMRR = A_d / A_c \)。
将给定的值代入公式，得到\( CMRR = 10 / 0.1 = 100 \)。
《模拟电路》练习册及答案
《模拟电子电路》练习册（答案）第一讲练习题填空1．半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为（扩散）运动，另一种称为（漂移）运动。
2．半导体中有两种载流子：一种是（自由电子）、另一种是（空穴）。
3．半导体中的扩散运动是由于载流子（浓度的不均匀）而引起的。
4．半导体中的漂移运动是由于载流子（在电场的作用下）而引起的。
5．本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（少）。
6．在本征半导体中加入五价元素后,将形成（N ）型半导体。
7．在本征半导体中加入三价元素后, 将形成（P ）型半导体。
8．N型半导体中空穴是（少数）载流子。
9．P型半导体中空穴是（多数）载流子。
10．P型半导体中自由电子是（少数）载流子。
11．N型半导体中自由电子是( 多数）载流子。
12．PN结中的电流当温度升高时将会（增加）。
13．二极管的主要特性是它的（单向导电性）。
14．二极管的正向电阻比反向电阻（小）得多。
15．二极管的伏安特性是I = Is（e x p V / Vt —1 ）。
16．硅管的门限电压约为( 0.6 ) V 。
17．锗管的门限电压约为( 0.2 ) V 。
18．稳压二极管稳压时应工作于( 反向击穿区) 。
选择 ( 黑体字为答案 )21. N型半导体或P型半导体都属于(杂质半导体）。
22.半导体中的扩散运动是由于（载流子浓度的不均匀）而形成。
23.二极管的反向电阻比正向电阻( 大) 得多。
24. PN结中载流子的漂移运动是由于(电场的作用)而产生的。
25. MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻( 大得多)。
26. PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层(变宽），流过PN结的电流(很小）。
27. P型半导体中空穴是(多数载流子）。
28. N型半导体中自由电子是(多数载流子)。
29.在本征半导体中掺入少量三价铟元素,将产生(空穴），形成(P ) 型半导体。
30.P型半导体中空穴是(多数载流子)。
31.PN结中载流电子的扩散运动和漂移运动( 相同) 。
模拟电路课后习题答案
模拟电路课后习题答案 Final approval draft on November 22, 2020第七章 习题与思考题◆◆ 习题 7-1 在图P7-1所示的放大电路中，已知R 1=R 2=R 5=R 7=R 8=10k Ω，R 6=R 9=R 10=20k Ω：① 试问R 3和R 4分别应选用多大的电阻； ② 列出u o1、u o2和u o 的表达式；③ 设u I1=3V ，u I2=1V ，则输出电压u o ＝解：① Ω=Ω==k k R R R 5)10//10(//213，Ω≈Ω==k k R R R 67.6)20//10(//654 ② 1111211010I I I o u u u R R u -=-=-=，2226525.1)20101()1(I I I o u u u R R u =+=+=， ③ V V u u u I I o 9)1332(3221=⨯+⨯=+=本题的意图是掌握反相输入、同相输入、差分输入比例运算电路的工作原理，估算三种比例电路的输入输出关系。
◆◆ 习题 7-2 在图P7-2所示电路中，写出其输出电压u O 的表达式。
解：本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例 电路的输入、输出关系。
◆◆ 习题 7-3 试证明图P7-3中，)(11221I I o u u R R u -=）＋（解：◆◆ 解：◆◆ 解：◆◆ 习题 7-6 试设计一个比例运算放大器，实现以下运算关系：u O =。
请要求画出电路原理图，并估算各电阻的阻值。
希望所用电阻的阻抗在20k Ω至200k Ω的范围内。
解：上图为实现本题目要求的一种设计方案，使5.0)1()5.0(21=-⨯-=⋅=uf uf uf A A A ，即I O u u 5.0=。
本题的意图是在深入掌握各种比例运算电路性能的基础上，采用适当电路实现给定的运算关系。
以上只是设计方案之一。
◆◆ 习题 7-71为阻值在1k Ω~10k Ω之间可调的电位器，R 2=R 3=20k Ω，R 4=R 5=33k Ω，R 6=R 7=100k Ω，试估算电路的输出电压与输入电压之间的比例系数的可调范围。
模拟电路经典试题及答案
模拟电路经典试题及答案一、选择题1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是什么？A. 信号的调制B. 信号的解调C. 信号的放大D. 信号的滤波答案：C2. 以下哪个不是运算放大器的主要特性？A. 高增益B. 高输入阻抗C. 低输出阻抗D. 低频响应差答案：D3. 在理想运算放大器中，输入偏置电流的大小是：A. 非常大B. 非常小C. 适中D. 无法确定答案：B二、填空题4. 一个理想的放大器应该具有________的输入阻抗和________的输出阻抗。
答案：无穷大；零5. 在模拟电路设计中，________是用来减少噪声和干扰的一种电路。
答案：滤波器三、简答题6. 简述共射放大器的工作原理。
答案：共射放大器是一种使用NPN或PNP型晶体管构成的放大器，其特点是晶体管的发射极作为公共端接地，基极作为输入端，集电极作为输出端。
当基极电压增加时，晶体管导通程度增加，导致集电极电流增加，从而在集电极与电源之间形成电压变化，实现信号的放大。
四、计算题7. 假设有一个共射放大器，其晶体管的β值为100，基极电流为1mA，求集电极电流。
答案：由于基极电流为1mA，根据β值的定义，集电极电流Ic =β * Ib = 100 * 1mA = 100mA。
8. 如果在上述放大器中，集电极电阻Rc的值为1kΩ，求放大器的电压增益。
答案：电压增益Av = -Rc / (β * re)，其中re为晶体管的内部电阻。
假设re为β / Ic，则Av = -1kΩ / (100 * (100 / 100mA)) = -1kΩ。
五、分析题9. 分析在模拟电路设计中，为何需要考虑频率响应。
答案：在模拟电路设计中，频率响应是一个重要的考虑因素，因为它决定了电路对不同频率信号的放大能力。
如果电路的频率响应不佳，可能会导致高频信号的损失或失真，影响信号的完整性和质量。
因此，设计时需要确保电路在整个工作频率范围内都能提供稳定的增益和相位特性。
模拟电路课后练习题含答案
模拟电路课后练习题含答案
题目一
已知信号源 $U_1 = 10 \\sin(\\omega t)$，其电阻为 $R_1 = 100 \\Omega$，电感为L1=100mH，求相电角。
解答
根据电路理论，通过电阻和电感的电流 $i_1 = I_m \\sin(\\omega t +
\\phi)$ 与电压 $u_1 = U_m \\sin(\\omega t)$ 满足以下公式：
$$ \\begin{aligned} i_1 &= \\frac{U_m}{Z} \\sin(\\omega t) \\\\ &=
\\frac{U_m}{\\sqrt{R_1^2 + (\\omega L_1)^2}} \\sin(\\omega t + \\phi)
\\end{aligned} $$
其中，Z为电路的阻抗，$\\phi$ 为相电角，I m为电流幅值，U m为电压幅值。
由此可解得相电角 $\\phi = \\arctan(\\omega L_1/R_1) = \\arctan(0.314) \\approx 17.8^\\circ$。
题目二
已知有一个偏置电压为V CC=12V的电路，其有源器件为晶体管，其I C=
5mA，V CE(sat)=0.2V，则求晶体管功耗P T。
解答
根据电路理论，晶体管的功耗P T为其集电极电压V CE与集电极电流I C的乘积，并乘以当前电路中的个数：
1。
模拟电路1习题及解答
8. 稳压二极管电路如图所示，稳压二极管的参数为：UZ＝8V，IZmin＝5mA，
PZM＝240mW，限流电阻R＝390，负载电阻RL＝510，输入电压UI＝17V。
（1）求输出电压Uo及稳压管电流IDZ；
（2）若UI增加20%，RL开路，分析稳压二极管是否安全。
（1）Uo＝8V，IDZ＝7.4mA
5
1. 二极管电路如图所示，设二极管的导通电压UD(on)＝0.7V，试求出各电路 的输出电压Uo。
3kΩ R
3kΩ R
6V
3kΩ R Uo
6V
3kΩ R Uo
6V
Uo
6V
Uo
12V
12V
（a）
（b）
（c）
（d）
（a）二极管导通，输出电压Uo＝6－0.7＝5.3V （b）二极管截止，输出电压Uo＝0 （c）二极管截止，输出电压Uo＝12V （d）二极管导通，输出电压Uo＝6＋0.7＝6.7V
（e）β＝121，α＝0.992， iB＝6μA
16
12. 某双极型晶体管，共射放大倍数β的范围为110≤β≤180。试求对应的共基 放大倍数α的范围。如果基极电流为iB＝50µA，试求集电极电流iC的范围。
iE iC iB
iC iB
iE 1 iB
iC iE
iC 1 iE
1
D
I1
VDD1 4V
I2 R
VDD2
12V
Io RL 1kΩ Uo
R＝1kΩ，二极管截止。I1＝0，I2＝－6mA，Io＝6mA，Uo＝6V R＝5kΩ，二极管导通。I1＝1.56mA，I2＝－1.74mA，Io＝3.3mA，Uo＝3.3V
9
5. 二极管电路如图所示，D1、D2为硅二极管，即二极管的导通电压UD(on)＝ 0.7V，已知ui＝10sinωt (V)，画出输出电压波形。
模拟电路习题解答1
解：
（a）饱和失真，增大Rb。 （b）截止失真，减小Rb 。 （c）同时出现饱和失真和截止失 真，应增大VCC。
31
2.10 已知图P2.10所示电路中晶体管的 ＝ 100，rbe=1kΩ。 （1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb 约为多少千欧； （2）若测得Ui和Uo的有效值分别为1mV和 100mV，则负载电阻RL为多少千欧？
Ro Rc 3k
44
（2）设Us =10mV（有效值），则
Ri Ui U s 3.2mV Rs Ri U 304mV Uo A u i
45
若C3开路，则
Ri Rb ∥[rbe (1 ) Re ] 51.3k Rc ∥ RL Au 1.5 Re Ri Ui U s 9.6mV Rs Ri U 14.4mV Uo A u i
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3.8 电路如图P3.8所示，T1和T2的低频跨导 gm均为10mS。试求解差模放大倍数和输 入电阻。
68
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解：差模放大倍数和输入电阻分别为 Ad＝－gmRD＝－200 Ri＝∞
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第四章 集成运算放大电路
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自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 （1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小 C．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 。 A．高频信号 B. 低频信号 C. 任何频率信号 （3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。 A. 指标参数准确 B. 参数不受温度影响 C．参数一致性好 （4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A．减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 （5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A．共射放大电路 B. 共集放大电路 C．共基放大电路
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习题 1-3某二极管的伏安特性如图P1-3(a)所示：① 如在二极管两端通过1k Ω的电阻加上1.5V 的电压，见图P1-3(b)，此时二极管的电流I 和电压U 各为多少？② 如将图P1-3(b)中的1.5V 电压改为3V ，则二极管的电流和电压各为多少？ 提示：可用图解法。
解：① 电源电压为1.5V 时，I=0.8mA, U=0.7V ； ② 电源电压为2.2V 时, I=2.2mA ，U=0.8V 。
图解结果见下图：经过观察可进一步得出结论：当二极管工作在正向特性区时，如电源电压增大，二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
本题的主要意图是加深对二极管伏安特性的理解，并练习用图解法估算二极管的电流和电压。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
本题的意图是通过画波形图，理解二极管的单向导电性。
习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V=10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V ，试求：① 稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k VV V R U R U U I L Z Z Z 1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k VV V R U R U U I L Z Z Z 2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k VV V R U R U U I L Z Z Z 1732026200610=-=Ω-Ω-=--=本题的意图是说明当外加电压或负载电流变化时，通过调节稳压管的电流可保持稳压管两端电压基本不变。
习题 1-13 测得某电路中几个三极管的各极电位如图P1－13所示，试判断各三极管分别工作在截止区，放大区还是饱和区？ 解：(a) 在图(a)中，U BE=0.7V，U BC=－4.3V，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。
(b) 在图(b)中，U BE=－10V，U BC=－10V，即发射结、集电结均反偏，故三极管工作在截止区。
(c) 在图(c)中，U BE=0.7V，U BC=－5.3V，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。
(d) 在图(d)中，U BE=0.75V，U BC=0.45V，即发射结、集电结均正偏，故三极管工作在饱和区。
(e) 在图(e)中，U BE=0.3V，U BC=5.3V，即发射结、集电结均反偏，故三极管工作在截止区。
(f) 在图(f)中，U BE=－0.3V，U BC=0，即U CE=U BE，发射结正偏，集电结电压为0，故三极管工作在临界饱和状态。
(g) 在图(g)中，U BE=－0.3V，U BC=8.7V，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。
(h) 在图(h)中，U BE=－0.3V，U BC=3.7V，即发射结正偏，集电结反偏，故三极管工作在放大区。
本题的意图是训练根据各极电位判断三极管工作在什么区，深入理解三极管截止区、放大区和饱和区的特点。
习题1-15 分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15(a)和(b)所示，试识别它们的管脚，分别标上e、b、c，并判断这两个三极管是NPN型，还是PNP型，硅管还是锗管。
解：（a）1－发射极e，3－基极b，2－集电极c，NPN型锗管；（b）2－发射极e，3－基极b，1－集电极c，PNP型硅管。
本题的意图是训练根据放大电路中的三极管的各极电位识别引脚，并判断三极管的类型。
题2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。
解：(a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求；(b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）；(c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）；(d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）；(e) 有放大作用（电压放大倍数小于1）；(f) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0；(g) 无放大作用，电容C b使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极；(h) 不能正常放大，场效应管栅源之间无直流偏置；(i) 无放大作用，VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。
本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。
题2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。
设电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器。
解：本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念，练习画出各种电路的直流通路和交流通路。
题 2-6 已知图P2-2(a)中：R b =510k Ω，R c =10k Ω，R L =1.5k Ω，V CC ＝10V 。
三极管的输出特性如图(b)所示。
① 试用图解法求出电路的静态工作点，并分析这个工作点选得是否合适；② 在V CC 和三极管不变的情况下，为了把三极管的静态集电极电压U CEQ 提高到5V 左右，可以改变哪些参数？如何改法？③ 在V CC 和三极管不变的情况下，为了使I CQ =2mA ，U CEQ =2V，应改变哪些参数？改成什么数值？解：① 先由估算法算出I BQ A mA mA R U V I bBEQCC BQ μ2002.05107.010=≈-≈-=然后，由式C c C CC CE i R i V u 1010-=-=，在输出特性曲线上画出直流负载线，其与横、纵两个坐标轴的交点分别未（10V ，0）和（0，1mA ），直流负载线与i B =20uA 的一条输出特性曲线的交点Q 1即为静态工作点。
由Q 1可得，U CEQ ≈0.5V ，I CQ =0.95mA 。
可见，Q 1点靠近饱和区，位置不太合适，容易产生饱和失真。
② 在V CC 和三极管不变的情况下，为了把三极管的静态集电极电压U CEQ 提高到5V 左右，可以改变的参数只有R b 和（或）R c ，有以下几种方法： 1）同时减小R b 和R c ，如图中Q 2点；2）R b 不变，减小R c ，如图中Q ’2点；3）R c 不变，增大R b ，如图中Q ’’2点；4）同时增大R b 和R c ，静态工作点在图中Q ’’2点以下。
③ 在V CC 和三极管不变的情况下，为了使I CQ =2mA ，U CEQ =2V ，可以改变的参数只有R b 和（或）R c 。
将i C =I CQ =2mA ，u CE =U CEQ =2V 的一点与横坐标轴上u CE =10V 的一点相连即可得到此时的直流负载线，此时集电极电阻为Ω=Ω-=-=k k I U V R CQCEQCC c 42210，由图可见，Q 3点处I BQ =40uA ，则Ω≈Ω-=-=k k I U V R BQBEQCC b 25004.07.010，因此，需要减小R b 和R c 为：R c ＝4k Ω，R b ＝250k Ω。
本题的意图是训练用图解法求Q 点，并分析电路参数对Q 点的影响。
题 2-７ 放大电路如图P2-7(a)所示。
试按照给定参数，在图P2-7(b)中：① 画出直流负载线；② 定出Q 点(设U BEQ =0.7V)； ③ 画出交流负载线。
解：① 直流负载线方程为C e c C CC e E c C CC CE i R R i V R i R i V u 315)(-=+-≈--=，据此，过横、纵两个坐标轴上两点（15，0）和（0，5）作一条直线，即为直流负载线。
② 由给定电路的直流通路可得：V V R R R U CC b b b BQ 3.315391111211=⨯+=+≈，mA R U U I I eBEQBQ EQ CQ 6.217.03.3=-=-=≈ 则i C =I CQ =2.6mA 的一条水平直线与直流负载线的交点即为Q ，由图可知，U CEQ =7.2V 。
③ Ω==k R R R L c L 1//'，交流负载线过Q 点且斜率为1/1'-=-LR ，如图所示。
本题的意图是训练用图解法进行静态和动态分析。
题 2-8 在图P2-7(a)电路中，如输出电压波形为 ，试问：① 电路产生截止失真还是饱和失真？ ② 应如何调整电路参数以消除失真？ 解：① 电路产生饱和失真；② 应降低Q 点，为此可增大R b2或减小R b1。
本题的意图是用图解法分析波形失真。
题 2-10 设图P2-10电路中三极管的β＝60,V CC ＝6V ，R c =5k Ω，R b =530k Ω，R L =5k Ω，试：① 估算静态工作点； ② 求r be 值；③求出电压放大倍数.u A ，输入电阻R i 和输出电阻R 0.解：① 1）直流通路 2）估算Q② Ω≈Ω=Ω++≈++≈9.22943]6.0)(26)601(300[)(26)1('mV I mV r r EQ bb be β ③ 1）交流通路2）微变等效电路3）电压放大倍数4）输入电阻5）输出电阻Ω==k R R C o 5本题的意图是训练估算最基本的单管共射放大电路的Q 点，并用微变等效电路法分析其动态。
2-15 设图P2-15中三极管的β＝100,U BEQ =0.6V ,r bb ’=100Ω，V CC =10V ，R c =3k Ω，R F =200Ω，R b1=33k Ω，R b2=100k Ω，负载电阻RL=3k Ω，电容C 1、C 2和C 0足够大。
① 求静态工作点；mA A uA I I I I BQ BQ CQ EQ 6.06001060==⨯=≈≈≈μββVV R I V U C CQ CC CEQ 3)56.06(=⨯-=-=A mA mA R V R U V I b CC bBEQCC BQ μ1001.05307.067.0==-=-≈-=beb i r I U =LC L Lb Lc o R R R R I R I U //'''=-=-=其中 β7.519.25//560'-≈⨯-=-==be L i o u r R U U A β )//(beb i i r R I U =Ω≈Ω+⨯=+===k k r R r R r R I U R beb be b be b i i i 88.29.25309.2530//② 画出微变等效电路； ③ 求.0.iU U A =；④ 设R s =4k Ω，求..0.Sus U U A =；⑤ 求R i 和R o 。