全系列场效应管参数
场效应管系列参数
场效应管系列参数上一页场效应管系列参数(1)型号沟道类型耐压（V）V电流( I ) A功率(PD/P沟)W内阻(Rds)脚位IRF530*N100V14A88W<0.16GDS IRF540*N100V28A150W<77m GDS IRF630*N200V9A74W<0.4GDS IRF640*N200V18A125W<0.18GDS IRF644*N250V14A125W<0.28GDS IRF730*N400V 5.5A74W<1.0GDS IRF740*N400V10A125W<0.55GDS IRF830*N500V 4.5A74W<1.5GDS IRF840*N500V8A125W<0.85GDS IRF1010E*N60V81A170W<12m GDS IRF2807*N<GDS IRF3205*N55V110A200W<8m GDS IRF3710*N<GDS IRFP054#N60V70A230W<14m GDS IRFP064#N60V70A300W<9m GDS IRFP140#N100V31A180W<77m GDS IRFP150#N100V41A230W<55m GDS IRFP240#N200V20A150W<0.18GDS IRFP250#N200V30A190W<85m GDS IRFP260#N200V46A280W<55m GDS IRFP264#N250V38A280W<75m GDS IRFP350#N400V16A190W<0.3GDS IRFP360#N400V23A280W<0.2GDS IRFP450#N500V14A190W<0.4GDS IRFP460#N500V20A280W<0.27GDS IRFZ44N*N60V50A150W<28m GDS IRFZ46N*N50V50A150W<24m GDS IRFZ48N*N60V50A190W<18m GDS IRFZ24N*N60V17A60W<0.1GDS场效应管系列参数(2)型号沟道类型耐压（V）V电流( I ) A功率(PD/P沟)W内阻(Rds)脚位2SK30N NF/Uni,Ra50V Idss>0.3ma Up<5v DGS 2SK117N NF/ra,50V Idss>0.6ma Up<1.5v<SGD 2SK701N60V+_2A15W<0.6R SDG 2SK702N100V+_5A50W<0.45R GDS 2SK703N100V+_5A35W<0.45R GDS 2SK787N900V+_8A150W<1.6R GDS 2SK790N500V15A150W<0.4R GDS 2SK792N900V3A100W<4.5R GDS 2SK794N900V5A150W<2.5R GDS 2SK827N450V+_18A150W<0.38R GDS 2SK832N900V+_4A85W<4R GDS 2SK851N200V30A150W<85mr GDS 2SK957N900V2A40W<8.5R GDS 2SK962N900V8A150W<2R GDS 2SK1019N450V35A300W<0.2R GDS 2SK1020N500V30A300W<0.25R GDS 2SK1082N800V7A125W<2.2R GDS 2SK1117N600V6A100W<GDS 2SK1118N600V6A45W<GDS 2SK1119N1000V4A100W<GDS 2SK1120N1000V8A150W<GDS 2SK1169N450V20A120W<0.25R GDS 2SK1170N500V20A120W<0.27R GDS 2SK1271N1400V+_5A240W<4R GDS 2SK1317N1500V 2.5A100W<12R GDS 2SK1358N900V9A150W<1.4R GDS 2SK1359N1000V5A125W<3.8R GDS 2SK1426N60V100A200W<12mr GDS 2SK1500N500V+_25A160W<0.25R GDS延吉市大众摩配商店版权所有。
5000种场效应管参数
5000种场效应管参数场效应管是一种常用的半导体器件，用于放大和开关电路。
与双极性晶体管相比，场效应管具有较高的输入阻抗和较低的功耗。
根据不同的应用需求，场效应管有很多不同的参数。
以下是5000种场效应管的一些常见参数：1.管子类型：场效应管分为N型和P型两种类型。
N型场效应管是以负电压作用于栅极时导通，而P型场效应管是以正电压作用于栅极时导通。
2.最大漏极电流：场效应管可以通过的最大漏极电流。
不同型号的场效应管具有不同的最大漏极电流。
3.开启电压：场效应管进入导通状态所需的门源电压。
不同型号的场效应管具有不同的开启电压。
4.截止电压：场效应管进入截止状态所需的门源电压。
不同型号的场效应管具有不同的截止电压。
5.静态漏极电阻：当场效应管工作在饱和状态时，漏极电压变化与漏极电流之间的比值。
6.转导电导：场效应管的输出电流和输入电压之间的比例关系。
7.最大功耗：场效应管能够承受的最大功率。
8.响应时间：场效应管从关态到开态或开态到关态的响应时间。
9.管脚电容：场效应管各管脚之间的电容。
10.峰值电压：场效应管可以承受的最大电压。
此外，还有许多其他参数，如漏极反向电流、漏极与源极之间的电阻、起始电流、迁移率、温度系数等，这些参数也是来描述场效应管性能的重要指标。
需要注意的是，由于场效应管有很多不同型号，每种型号的参数都有所不同。
因此，在实际应用中，需要根据具体的需求选择合适的场效应管型号。
以上仅列举了一小部分场效应管的参数，实际上还有许多其他参数。
场效应管参数大全
场效应管参数大全百度空间无限的未知真心真诚理解真情永恒K2645: 600V,1.2Ω,9A,50WK2141: 600V,1.1Ω,6A,35WK3326: 500V,0.85Ω,10A,40WK1388: 30V,0.022Ω,35A,60WK1101: 450V,0.5Ω,10A,50WK1507: 9A 600V2SK1537 N-FET 900V 5A 100WK2045 600V, 6A , 35W 。
代K1404, K2101, 2SK2118。
K1118,K2645,K2564,K2545,K1507,K2761,K1117,K2333代k214107N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道 8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道 8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道 8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料常用的全系列场效应管MOS管型号参数封装资料有很多，以下是一些常见的型号和参数封装资料：1.IRF3205IRF3205是一种常见的N沟道MOSFET管，栅极电压为20V，漏极电流为110A，最大功耗为200W，电阻为8mΩ。
2.IRF4905IRF4905是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为55V，漏极电流为74A，最大功耗为200W，电阻为0.02Ω。
3.IRF540NIRF540N是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为33A，最大功耗为150W，电阻为0.077Ω。
4.IRF520IRF520是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为9.2A，最大功耗为75W，电阻为0.27Ω。
5.IRLB3034PBFIRLB3034PBF是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为40V，漏极电流为195A，最大功耗为200W，电阻为1.4mΩ。
6.IRL540IRL540是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为28A，最大功耗为150W，电阻为0.05Ω。
这些型号的MOSFET管通常都具有三个主要的参数，即栅极电压（Vgs），漏极电流（Id），以及最大功耗（Pd）或电阻（Rds(on)）。
栅极电压指的是在正常操作时栅极和源极之间的电压，超过这个电压可能会损坏器件。
漏极电流指的是从漏极流出的最大电流，超过这个电流可能会损坏器件。
最大功耗或电阻指的是在正常操作时器件能够承受的最大功耗或电阻。
此外，还有一些其他的参数可以帮助选择合适的MOSFET管，例如电流增益（hfe）和恢复时间（tr、tf）。
电流增益是指当栅极电压变化时，漏极电流的变化率。
恢复时间指的是从开关状态到非开关状态的时间。
这些型号的封装通常包括TO-220、TO-262、D2PAK、TO-247等。
每种封装都有其自身的特点和适用范围，需要根据具体的应用来选择合适的封装。
全系列场效应管参数
K2843600V10A45W N07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。
场效应管系列参数
场效应管系列参数场效应管是一种被广泛应用于电子设备中的半导体器件，具有很多重要的参数。
本文将详细介绍场效应管的系列参数，包括栅极电压(Vgs)、漏极电流(Id)、漏极电压(Vd)、传导电阻(Rds)、增益(Gm)、饱和电流(Idss)、漏极电流温度系数(Idss Temp Coefficient)、漏极电流失调(Drain Current Mismatch)等参数。
1. 栅极电压(Vgs)：栅极电压是控制场效应管工作的重要参数，它决定了栅极与漏极之间的电场强度。
通过调节栅极电压，可以改变漏极电流的大小。
2.漏极电流(Id)：漏极电流是场效应管主要的输出电流，它决定了场效应管能够输出的电流大小。
漏极电流的大小与栅极电压及其他工作条件相关。
3.漏极电压(Vd)：漏极电压是场效应管工作时的主要参考电压，它决定了场效应管的工作状态。
通常情况下，漏极电压要保持在一定的范围内，过高或过低都可能导致失效。
4. 传导电阻(Rds)：传导电阻是场效应管导通状态时产生的电阻，它会对电路的功率损耗产生影响。
传导电阻的大小与场效应管的结构和工艺有关，一般来说，传导电阻越小，导通时的功率损耗越小。
5.增益(Gm)：增益是场效应管的重要参数之一，它表示了场效应管输出电流与输入电压之间的关系。
增益的大小与场效应管的工作状态有关，一般来说，增益越大，表示场效应管具有更好的放大能力。
6. 饱和电流(Idss)：饱和电流是场效应管在栅极电压为零时的最大漏极电流。
它是指场效应管工作在饱和区时，漏极电流的最大可接受值。
饱和电流的大小与场效应管的类型和工作状态有关。
7.漏极电流温度系数：漏极电流温度系数表示了场效应管漏极电流随温度变化的情况。
漏极电流温度系数的大小与场效应管的材料和结构有关，一般来说，漏极电流温度系数越小，表示场效应管对温度的变化越不敏感。
8.漏极电流失调：漏极电流失调是指多个场效应管在相同工作条件下漏极电流的差异。
由于制造工艺和器件本身的不完美性，不同场效应管之间的漏极电流会存在一定的差异。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资1.IRF系列：IRF540N、IRF840、IRF3205等IRF系列是一种N沟道MOS管，具有低电源电流和高开关速度特点，可以工作在高频率下。
常用的封装有TO-220、TO-247、D2-Pak等。
-IRF540N参数：导通电阻：0.077Ω最大耗散功率：150W最大漏电流：50μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：49nC-IRF840参数：导通电阻：0.85Ω最大耗散功率：125W最大漏电流：10μA最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：90nC-IRF3205参数：导通电阻：8mΩ最大耗散功率：110W最大漏电流：250μA最大栅源电压：20V最大漏源电压：55V最大栅极电荷：75nC2.IRFP系列：IRFP250N、IRFP460等IRFP系列是一种P沟道MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合高频率下的应用。
常用的封装有TO-247、TO-3P等。
-IRFP250N参数：导通电阻：0.095Ω最大耗散功率：200W最大漏电流：250μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：200V最大栅极电荷：73nC-IRFP460参数：导通电阻：0.27Ω最大耗散功率：180W最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：123nC3.IRL系列：IRL540N、IRL3713等IRL系列是一种低电平驱动的MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合低电平驱动电路。
常用的封装有TO-220、D2-Pak等。
-IRL540N参数：导通电阻：0.054Ω最大耗散功率：120W最大漏电流：50μA最大栅源电压：55V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：32nC-IRL3713参数：导通电阻：7.5mΩ最大耗散功率：60W最大漏电流：50μA最大栅源电压：20V最大栅极电荷：20nC以上是常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资的介绍，不同型号的MOS管具有不同的特点和适用场景，用户可以根据实际需求选择适合的型号和封装方式。
全系列场效应管VMOS、IGBT参数
产 品 型 号
沟道
主 要 参 数
外 型
厂 家
IRF064
N
60V、40A、180W
TO——3P
IR
IRFP150
N
100V、40A、180W
TO——3P
IR
IRFP240
N
200V、18A、180W
TO——3P
IR
IRFP250
N
200V、32A、180W
TO——3P
TO——3P
东芝
K793
N
850V、5A、125W
TO——3P
东芝
K794
N
900V、5A、150W
TO——3P
东芝
K825
N
500V、15A、125W
TO——3P
NEC
K872
N
900V、6A、150W
TO——3P
NEC
K962
N
900V、8A、150W
TO——3P
富士通
K1017
N
450V、20A、150W
富士通
IMBH60-100
N
1000V、60A、300W
TO——3P大
富士通
GT60M103
N
1000V、60A、300W
TO——3P大
东芝
GT60M104
N
1000V、60A、300W
TO——3P大
东芝
GT60M303
IGBT
1000V60A300W
TO——3P大
东芝
GT40M101
IGBT
1500V40A300W
TO——3P
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K2843600V10A45W N07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。
7A AP4511 同AP4511GM,8脚贴片,内置N BSN254A 250V 0.3A 1W N(注意后缀)BUZ10 50V 23A 75WBUZ80A 800V 3.8A 100W NCEB703AL 30V 40A 50W 贴片(大)CEP7060L 60V 75A 150W NCS45-12IOF7811W 30V 14A 3WFD3055 12A 60V 53W N沟道小贴片MOS, FDD6670 30V 66A 70A N 沟道TO-252封FDS9435 30V 5。
3A 2。
5W P沟道场效应FDS9945 高压板用。
双N沟道MOS管，8 FQAF10N80 800V 6。
7A 113W NFQAF16N50 500V 11。
3A 110W NFQAF6N90 900V 4。
5A 96W NFQU12P10 100V 9.4A 50W TO-251(直插FQU17P06 60V，12A，沟道，直插FR9024（贴55V 11A P沟道FS10KM12 600 10A 40W NFS10KM16 800V 10A NFS10SM16A 800V 10A 200W NFS10SM18 900V 10A 200W NFS10UM12 600V 10A 150W NFS3KM16 800V 3A 30W NFS3KM18 900V 3A 30W NFS5ASJ-3 150V 5A 小贴片FS7KM12 600 7A 40W NFS7KM16 800V 7A 40W NFS7KM18 7A 900VFS7TM12 600V 7A NFS7UM12 600V 7A 125W NFU9024（直55V 11A P沟道CT15Q101 1200V 15A 150W NCT25Q101 1200V 25A 200W NGT80J101 600V 80A 200WIRF540 100V 28A 150W NIRF620 200V 5A 40W NIRF630 200V 9A 75W NIRF634 250V 8A 75W NIRF640 200V 18A 125W NIRF644 250V 14A 125W NIRF730 400V 5。
5A 74W NIRF740 400V 10A 125W NIRF830 500V 5.9A 4125W NIRF840 500V 8.0A 125W NIRF9630 200V 6.5A 75W PIRF9634 250V 4.3A 74W PIRF9640 200V 11A PIRFBC40 600V 3A 125W NIRFI744 450V 4.9A 40WIRFPC50 600V 10A 180W NIRFPE40 800V 5.4A 150W NIREPF40 900V 4.7A 150WIRFPG50 1000V 6.1A 190WIRFU210B 200V 2.6A 25W 可以做行推动管IRFU310A 400V 1.7A 25W 可以做行推动管IRFU420 500V 2。
4A 小个贴片IRLI640G 200V 18A 125W NJ306 250V 3A 25W PJ307 250V 6A 30W PJ449 250V 6A 35W PJ503 30V 4A 1W PJ512 250V 5A 30W PJ516 250V 6.5A 35W PJ569 300V 5A 30W PJ584 250V 4.5A 25W PJ585 250V 6.5A 30WK1035 150V 12A 45W NK1117 600V 6A 100W NK1118 600V 6A 45W NK1186 100V 9A 30W NK1341 900V 6A 100W NK1359 1000V 5A 125W N K1363 900V 8A 90W NK1404 600V 5A 35W NK1464 900V 8A 80W NK1502 900V 7A 120W NK1507 600V 9A 50W NK1527 500V 40A 250W NK1796 900V 10A 150W NK1917 250V 10A 50W NK1924 600V 6A 70W NK2038 800V 5A 125W NK2077 800V 7A 150WK2078 800V 9A 150W NK2082 900V 9A 150W NK2134 200V 7A 70W NK2139 600V 5A 35W NK2141 600V 6A 40W NK2161 200V 9A 25W NK2333 700V 6A NK2487 900V 8 140W NK2545 600V 6A 40W NK2605 800V 5A 45W NK2645 600V 8A 50W NK2648 800V 9A 150W NK2717 900V 5A 45W NK2718 900V 2.5A 40W NK2761 600V 9A 50W NK2799 350V 10A NK2843 600V 10A 45W NK2847 900V 8A 85W NK2850 900V 6A 125WK2996 600V 10A 45W NK320 450V 5A 50W NK3264 800V 7A 60W NK3569 600V ,10A 45W N沟道K553 500V 5A 50W NK703 100V 5A 35W NK727 900V 5A 125W NK890 200V 10A 75W NK903 800V 3A 40W NK904 800V 3A 80W NK956 800V 9A 150W NL3103S 30V 64A 94WMTP75N03 25V 75A 150WPHP45N03 30V 45A 86W NSP8M3 内含P沟道,N沟道MOS管各一TPC8401 内含P沟道,N沟道MOS管各一W20NA50 500V 20A 250W N型号厂家方式v111(V) xing (A) pdpch(W) IRF48 IR N 60 50 190IRF024 IR N 60 17 60IRF034 IR N 60 30 90IRF035 IR N 60 25 90IRF044 IR N 60 30 150IRF045 IR N 60 30 150IRF054 IR N 60 30 180IRF120 IR N 100 8.0 40IRF121 IR N 60 8.0 40IRF122 IR N 100 7.0 40IRF123 IR N 60 7.0 40IRF130 IR N 100 14 75IRF131 IR N 60 14 75IRF132 IR N 100 12 75IRF133 IR N 60 12 75IRF140 IR N 100 27 125IRF141 IR N 60 27 125IRF142 IR N 100 24 125IRF143 IR N 60 24 125IRF150 IR N 100 40 150IRF151 IR N 60 40 150IRF152 IR N 100 33 150IRF153 IR N 60 33 150IRF220 IR N 200 5.0 40IRF221 IR N 150 5.0 40IRF222 IR N 200 4.0 4.0IRF223 IR N 150 4.0 40IRF224 IR N 250 3.8 40IRF225 IR N 250 3.3 40IRF230 IR N 200 9.0 75IRF231 IR N 150 9.0 75IRF232 IR N 200 8.0 75IRF233 IR N 150 8.0 75IRF234 IR N 250 8.1 75IRF235 IR N 250 6.5 75IRF240 IR N 200 18 125IRF241 IR N 150 18 125IRF242 IR N 200 16 125IRF243 IR N 150 16 125IRF244 IR N 250 14 125IRF245 IR N 250 13 125IRF253 IR N 150 25 150IRF254 IR N 250 22 150IRF255 IR N 250 20 150IRF320 IR N 400 3.0 40IRF321 IR N 350 3.0 40IRF322 IR N 400 2.5 40型号厂家方式v111(V) xing (A) pdpch(W)? 型号厂家方式? v111(V) xing (A)? pdpch(W) IRF333 IR N 350 4.5 75IRF340 IR N 400 10 125IRF341 IR N 350 10 125IRF342 IR N 400 8.0 125IRF343 IR N 350 8.0 125IRF350 IR N 400 15 150IRF351 IR N 350 15 150IRF352 IR N 400 13 150IRF353 IR N 350 13 150IRF360 IR N 400 25 300IRF362 IR N 400 22 300IRF420 IR N 500 2.5 50IRF421 IR N 450 2.5 50IRF422 IR N 500 2.0 50IRF423 IR N 450 2.0 50IRF430 IR N 500 4.5 75IRF431 IR N 450 4.5 75IRF432 IR N 500 4.0 75IRF433 IR N 450 4.0 75IRF440 IR N 500 8.0 125IRF441 IR N 450 8.0 125IRF442 IR N 500 7.0 125IRF443 IR N 450 7.0 125IRF448 IR N 500 9.6 130IRF449 IR N 500 8.6 130IRF450 IR N 500 13 150IRF451 IR N 450 13 150IRF452 IR N 500 12 150IRF453 IR N 450 12 150IRF460 IR N 500 21 300IRF462 IR N 500 19 300IRF510 IR N 100 5.6 43IRF511 IR N 80 5.6 43IRF512 IR N 100 4.9 43IRF513 IR N 80 4.9 43IRF523 IR N 80 8 60IRF530 IR N 100 14 79IRF531 IR N 80 14 79IRF532 IR N 100 12 79IRF533 IR N 80 12 79IRF540 IR N 100 28 150IRF541 IR N 80 28 150IRF542 IR N 100 25 150IRF543 IR N 80 25 150IRF610 IR N 200 3.3 43IRF611 IR N 150 3.3 43IRF612 IR N 200 2.6 43K2645: 600V,1.2Ω,9A,50WK2141: 600V,1.1Ω,6A,35WK3326: 500V,0.85Ω,10A,40WK1388: 30V,0.022Ω,35A,60WK1101: 450V,0.5Ω,10A,50WK1507: 9A?? 600V2SK1537 N-FET 900V 5A 100WK2045 600V, 6A , 35W 。