半导体元器件及制造方法
IC的生产工序流程以及其结构的发展历史简述
IC 的生产工序流程以及其结构的发展历史简述2007-06-13 09:41一般来说我们对 IC 的概念只停留在它是芯片或集成电路，或者是外观五花八门的小小的东西上面。
对它究竟是什么？它是怎么来？它为什么外表各种各样？我们的了解可能不是很多，下面通过对 IC 的生产工序流程和其结构发展历史方面的简述，希望让大家对 IC 大体上有一个初步的把握.一，电子元器件的相关概念和分类1，概念电子元器件：分为半导体器件和电子元件，它们是电子工业发展的基础,它们是组成电子设备的基本单元，属于电子工业的中间产品。
IC (集成电路)是电子元器件中的一种半导体器件。
微电子技术: 一个国家的核心技术是指微电子技术，而微电子技术是指能够处理更加微小的电磁信号的技术，所谓微电是区别于强电(例如照明用电)和弱电(例如电话线路)而言。
微电子技术的代表就是 IC 技术，主要产品就是 IC。
2，分类电子元器件分两类：半导体器件和电子元件半导体器件包括:半导体分立器件,半导体集成电路，特殊功能的半导体器件，其它器件。
电子元件包括：电阻，电容，电感/线圈，电位器，变压器,继电器，传感器，晶体,开关，电池/电源，接插件/连接器,其他电子元件.二， IC 的生产工序流程普通硅沙(石英砂,沙子)－－>分子拉晶(提炼)－－>晶柱(圆柱形晶体)－－>晶圆(把晶柱切割成圆形薄片)－－>光刻(俗称流片,即先设计好电路图，通过激光暴光,刻到晶圆的电路单元上)－－〉切割成管芯(裸芯片)－－>封装(也就是把管芯的电路管脚，用导线接到外部接头，以便与其它器件连接。
)详细流程注解：1，业已确认，占地壳物质达到 28%的石英在地表层呈现为石英砂石矿.用电弧炉冶炼石英砂将其转变成冶金等级硅.通过一步一步去除杂质的处理工艺过程，硅经历液态，蒸馏并最终再沉积成为半导体等级的硅棒，其硅的纯度达到 99.999999％。
随后，这些硅棒被机械粉碎成块并装入石英坩埚炉中加热熔化至 1420 摄氏度.2，将一个单晶籽晶(种)导入熔化过程中，随着籽晶转动，晶体渐渐生长出来。
半导体铜制程
半导体铜制程随着现代科技的进步，半导体技术在各个领域都得到了广泛的应用。
而半导体铜制程作为一种重要的制程技术，在半导体工业中扮演着重要的角色。
本文将从半导体铜制程的定义、工艺流程、应用以及未来发展等方面进行阐述。
一、半导体铜制程的定义半导体铜制程，简称Cu制程，是指在半导体工艺中使用铜材料代替传统的铝材料作为金属导线的制程。
相比于铝制程，铜制程具有更低的电阻、更高的导电性能和更好的热稳定性，能够提高芯片性能和可靠性。
二、半导体铜制程的工艺流程半导体铜制程的工艺流程主要包括以下几个步骤：1. 清洗与准备：在制程开始之前，需要对芯片表面进行清洗和准备工作，以确保杂质的去除和表面的平整度。
2. 模板和光刻：在芯片表面涂覆一层光刻胶，然后使用光刻机将图案投射到光刻胶上，形成光刻模板。
3. 蚀刻：使用蚀刻液将光刻模板上的图案转移到芯片表面，去除不需要的材料。
4. 铜填充：将铜材料填充到蚀刻后的孔洞中，形成金属导线。
5. 漂镀：通过电化学方法在芯片表面形成一层保护层，以提高导线的导电性和抗氧化性。
6. 研磨和抛光：将芯片表面进行研磨和抛光，使其平整度更高，以便后续工艺步骤的进行。
7. 后续工艺：根据具体需求，可以进行多次重复的蚀刻、填充、漂镀等工艺步骤，以形成复杂的电路结构。
三、半导体铜制程的应用半导体铜制程在现代半导体工业中得到了广泛的应用。
其主要应用领域包括：1. 微电子芯片：半导体铜制程可以用于制造微电子芯片中的金属导线，提高芯片的电路性能和可靠性。
2. 太阳能电池：半导体铜制程可以用于太阳能电池的制造，提高电池的光电转换效率。
3. 集成电路：半导体铜制程可以用于集成电路的制造，提高电路的性能和集成度。
4. 电子元器件：半导体铜制程可以用于制造各种电子元器件，如电容器、电感器等，提高元器件的性能和可靠性。
四、半导体铜制程的未来发展随着半导体技术的不断发展，半导体铜制程也在不断完善和创新。
未来，半导体铜制程的发展趋势主要包括以下几个方面：1. 制程精度的提高：随着制程精度要求的不断提高，半导体铜制程需要更加精细的工艺控制和设备技术，以满足高性能芯片的制造需求。
IC的生产工序流程以及其结构
IC的生产工序流程以及其结构IC，即集成电路，是现代电子产品中不可或缺的一部分。
从电子设备内部的芯片到计算机主板上的处理器，都离不开集成电路。
在这篇文章中，我们将会讨论IC生产的工序流程以及生产过程中的一些关键结构。
什么是IC？集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是指在单个半导体晶片上集成了多种电子元器件，并通过扩散、离子注入、金属化等工艺技术把多个电子元器件集成在一起组成电路。
通常情况下，IC芯片都很小，大小通常被表示为微米（μm）或纳米（nm）级别。
IC的应用广泛，几乎覆盖了各个电子领域。
它们可以用于计算机处理器、智能手机、电视、汽车、医疗设备以及其他种类的电子产品。
IC生产的工序流程IC生产的工流程相当复杂，通常分为数十个步骤。
不过，大致上可以将IC生产的工序分为以下步骤：1. 半导体晶片制造半导体晶片制造是IC生产的第一步，也是最重要的一步。
半导体晶片通常由硅（Si）和氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等半导体材料制成。
整个晶片制造流程通常包括以下几步：•晶圆生长：利用化学和物理反应方法，在单晶硅中生长出远大于晶体结构尺寸的大型晶体。
•制成硅晶圆：将生长出来的晶体锯成一层一层薄的硅片，制成硅晶圆。
•熔融硅基片上生长氧化层：在硅晶圆表面生成一个氧化物层。
•制作掩膜：通过光刻技术，将芯片上的某些区域遮蔽以形成模板。
•淀粉形成：将晶圆在磁场作用下放入高温炉中，以使得硅表面形成一层非晶质硅氧化物。
•拉后扩散水晶：在芯片上面涂上一层磷酸盐玻璃，并使其退火形成扩散层扩散N型氧化物或P型氧化物等。
2. 芯片制造在晶片制造的基础上，需要进行芯片制造。
这个步骤中，电阻器、电容器、二极管和晶体管等元件被加入到晶片中。
具体步骤如下：•氧化上浮：在表面形成氮化硅或氧化硅薄膜。
•制作掩膜：光刻技术用于制作薄膜的图案。
•腐蚀删除：将未被圈定的材料腐蚀去除。
•重复上述步骤：重复执行以上步骤，以形成几个电子元件。
微电子技术与半导体制造
微电子技术与半导体制造微电子技术的本质是将最基本的传感器、处理器、存储器等元器件集成在一起，使其形成一个完整的芯片系统。
这需要先进的半导体制造技术作为支持。
半导体工艺化的生产方式与其他工业生产方式相差甚远，它的制造流程几乎涉及了所有的科技领域，无论是材料科学、物理学、化学、机械制造还是电路设计等，都有着十分重要的作用。
本文将从微电子技术与半导体制造流程、半导体制造工艺、先进制造技术及其发展方向等几个方面来进行探讨。
一、微电子技术与半导体制造流程微电子技术要求高度集成、高度可靠、高性能、低功耗、低成本等基本特征。
半导体器件在设计图中只是一个概念模型，它需要通过一系列的半导体制造流程完成。
制造技术涉及到的材料有石英、硅、氮化硅、二硅化钼、铝等，它们都是以纯度高、性能稳定的前提和经过合理加工而制成的。
制造半导体器件首先需要光刻技术。
利用光芯片制造机器制造出的图形，通过掩模技术在半导体材料的表面上制作出细微的图形化结构。
光阻膜将从表面进行刻蚀，使得光刻机制造出的图案被复制到固态靶材料的表面。
接下来是蚀刻过程。
热反应技术可以把固态物质转变成液态物质。
在半导体制造流程中使用的等离子体技术旨在用可控制的方法来生成带有离子气源的接近真空的气体环境。
设备所能接受的工艺参数很范围很大，以满足准确的求解和跟踪磊晶体质量，以及保证合适的薄膜分层。
半导体制造中还涉及膨胀技术和铸造性技术进行制造。
有些器件要求芯片表面光亮、平滑，半导体制造流程中施加的压力和温度需要始终控制在合理范围内。
二、半导体制造技术半导体制造技术广泛用于生产电子元器件和集成电路，它在电子制造行业中起到了关键作用。
尽管微处理器的更新换代非常快，但是，半导体行业并不是非常容易被替代的。
半导体制造技术的两个主要方法是物理沉积和化学沉积。
物理沉积是以先进的真空技术保证薄膜质量的一种制造方法。
而化学沉积技术是一种通过在化学反应中沉淀合适材料的制造技术。
半导体制造工艺中用到的化学品如果因为使用不当流入到环境中，那么将会对地球的生态系统造成很大程度的危害。
半导体元器件的制造工艺及其失效
半导体元器件的制造工艺及其失效一、元器件概述1、元器件的定义：欧洲空间局ESA标准中的定义：完成某一电子、电气和机电功能，并由一个或几个部分构成而且一般不能被分解或不会破坏的某个装置。
GJB4027-2000《军用电子元器件破坏性物理分析方法》中的定义：在电子线路或电子设备中执行电气、电子、电磁、机电或光电功能的基本单元，该基本单元可由一个或多个零件组成，通常不破坏是不能将其分解的。
2、元器件的分类：两大类a）元件：在工厂生产加工时不改变分子成分的成品，本身不产生电子，对电压、电流无控制和变换作用。
b）器件：在工厂生产加工时改变了分子结构的成品，本身能产生电子，对电压电流的控制、变换(放大、开关、整流、检波、振荡和调制等)，也称电子器件。
分类(来源：2007年版的《军用电子元器件合格产品目录》)•3、电气元件（1）电阻最可靠的元器件之一，失效模式：开路、机械损伤、接点损坏、短路、绝缘击穿、焊接点老化造成的电阻值漂移量超过容差。
•（2）电位器失效模式：接触不良、滑动噪声大、开路等。
（3）二极管（4）集成电路失效模式：漏电或短路，击穿特性劣变，正向压降劣变，开路可高阻失效机理：电迁移，热载流子效应，与时间相关的介质击穿(TDDB)，表面氧化层缺陷，绝缘层缺陷，外延层缺陷（5）声表面波器件（6）MEMS压力传感器MEMS器件的主要失效机理：a.粘附两个光滑表面相接触时，在力作用下粘附在一起的现象；b.蠕变机械应力作用下原子缓慢运动的现象；变形、空洞；c.微粒污染阻碍器件的机械运动；d.磨损尺寸超差，碎片卡入；e.疲劳断裂疲劳裂纹扩展失效。
（7）真空电子器件(vacuum electronic device)指借助电子在真空或者气体中与电磁场发生相互作用，将一种形式电磁能量转换为另一种形式电磁能量的器件。
具有真空密封管壳和若干电极，管内抽成真空，残余气体压力为10-4～10-8帕。
有些在抽出管内气体后，再充入所需成分和压强的气体。
电气基础(半导体元器件)3
半导体器件
晶体管的种类很多,按照频率分，有高频管、低频管；按照功 率分，有小、中、大功率管；按用途不同分为放大管和开关管；按 照半导体材料分，有硅管、锗管等等。晶体管的符号如图所示：
硅管热稳定性好，多数为NPN型；锗管受温度 影响大，多数为PNP管。
半导体器件
• 2、三极管的电流放大作 IC 用
PN结的“正偏导通，反偏阻断”称为其单向 导电性质，这正是PN结构成半导体器件的基础。
半导体器件
• 3.2半导体二极管
1. 二极管的结构和类型
一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了 半导体二极管，简称二极管，接在P型半导体一侧的引出线称为阳 极；接在N型半导体一侧的引出线称为阴极。 半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接触型两类。 点接触型二极管 PN 结面积很小，因而结电容小，适用于高频 几百兆赫兹下工作，但不能通过很大的电流。主要应用于小电流的 整流和高频时的检波、混频及脉冲数字电路中的开关元件等。 面接触型二极管PN结面积大，因而能通过较大的电流，但其结 电容也小，只适用于较低频率下的整流电路中。
（3）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置
iB>0，uBE>0，uCE≤uBE
iC iB
半导体器件
• 4、三极管的主要参数
1、电流放大倍数β ：iC= β iB 2、极间反向电流iCBO、iCEO：iCEO=（1+ β ）iCBO 3、极限参数 （1）集电极最大允许电流 ICM：下降到额定值的2/3时所允 许的最大集电极电流。 （2）反向击穿电压U（BR）CEO：基极开路时，集电极、发射极间 的最大允许电压：基极开路时、集电极与发射极之间的最大允许 电压。为保证晶体管安全工作，一般应取：
半导体pmg工艺-概述说明以及解释
半导体pmg工艺-概述说明以及解释1.引言1.1 概述半导体PMG工艺是一种重要的半导体加工技术，其在半导体器件制造领域具有广泛的应用。
PMG工艺是通过控制半导体材料中的原子位置和晶格结构，来改变半导体器件的电学性能和性能。
通过精密的加工工艺和设备，可以实现对半导体器件的精确控制，从而提高器件的性能和可靠性。
本文将介绍PMG工艺的基本概念、技术原理以及其在半导体设备制造中的应用。
通过深入的研究和讨论，有助于读者更全面地了解半导体PMG工艺的重要性和潜在的发展方向。
1.2 文章结构文章结构部分将主要包括引言、正文和结论三个部分。
- 引言部分主要对半导体pmg工艺进行简要概述，介绍文章的结构和目的。
- 正文部分将深入探讨半导体的基本概念，介绍PMG工艺的原理和特点，以及其在实际应用中的具体情况。
- 结论部分将对本文进行总结，展望未来PMG工艺的发展前景，并给出一些结尾性的话语。
整体结构清晰，层次分明，有助于读者更好地理解和掌握半导体pmg 工艺相关知识。
1.3 目的本文旨在深入探讨半导体PMG工艺，从基本概念到工艺介绍再到实际应用，从而全面了解这一重要技术在半导体领域的作用和影响。
我们希望通过对PMG工艺的深入研究，能够帮助读者更好地理解半导体器件的制作过程，以及掌握新一代半导体技术的发展方向。
同时，本文也旨在促进技术创新和产业发展，推动半导体领域的持续进步和提升。
通过对PMG 工艺的全面剖析，我们希望能够为相关领域的研究人员和工程师提供参考和启发，为半导体产业的发展贡献一份力量。
2.正文2.1 半导体的基本概念半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，其电学特性介于导体和绝缘体之间。
在半导体中，电子能带结构的特点导致其在外加电场或电压的作用下呈现出导电性。
半导体的电阻率介于金属和绝缘体之间，其导电能力可以通过掺杂或施加外场的方式来调节。
半导体材料可以分为两类，一类是硅基材料，另一类是III-V族化合物半导体。
半导体元器件可靠性及其制造分析
半导体元器件可靠性及其制造分析摘要：半导体元器件较高可靠性以及制造的实现，是产品质量保证的重要指标，有效满足了人们生产生活的需要，促进了工业化建设的发展。
并且半导体元器件可靠性要从构思设计到使用报废全过程贯穿始终，为了充分发挥半导体元器件的作用，本文阐述了半导体元器件可靠性的主要内容与半导体元器件常见的失效分布及失效，对半导体元器件可靠性试验及可靠性筛选与制造进行了探讨分析。
关键词：半导体元器件；可靠性；内容；失效；分布；试验；筛选；制造半导体产品主要应用于工业方面，现在半导体制造技术是一些工业生产的关键技术，没有半导体元器件制造技术许多工业生产就无法进行。
半导体元器件具有重量轻、体积较小、功耗低以及较高可靠性等特征。
但是其由于构成设备和系统功能较复杂以及器件数量不断增多，而且使用环境比较严酷，导致半导体元器件退化和失效现象比较普遍。
基于此，以下就半导体元器件可靠性及其制造进行分析。
一、半导体元器件可靠性的主要内容分析半导体元器件的可靠性是在一定的时间和条件下实现预定功能的能力，它对规定条件、时间和规定功能有很大影响，通常可以用“概率”来衡量半导体元器件在规定时间内完成预定功能的能力大小。
半导体元器件的可靠性工作从设计开始就应进行质量控制，在器件生产后筛选抽样检测，对可靠性进行试验，并对器件进行初步分析、情况调查、外观检查和特性检测，对失效模式分类，进行失效机理分析、电分析、显微分析和先进设备分析，找出失效模式和机理，制定纠正措施，对器件设计、生产和测试进行反馈并加以改进。
二、半导体元器件常见的失效分布及失效分析1、半导体元器件失效分布的分析。
半导体元器件可靠性数量特征和其失效分布有很大的关系，不同的失效分布类型处理方式也不同。
基于半导体元器件自身特征，在没有恶劣外界条件影响情况下，早期失效最为明显，偶然失效期较长，失效率有缓慢下降的整体趋势。
半导体元器件的失效分布类型主要包括：第一、早期失效期。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
半导体元器件及制造方法
作者：赵学阳
来源：《电子技术与软件工程》2017年第15期
摘要：由于最近一个世纪以来，电子设备发展发展迅速，半导体元器件的制造为人类文明所起影响令人震惊，半导体在电子产品起到了关键作用，可以说没有半导体就没有现在的人类科技文明，70年代的初步计算机，80年代的PC，后来的互联网，半导体无不影响着我们整个社会，下面笔者就简单的介绍下半导体元器件及制造方法。
【关键词】半导体元器件制造方法
半导体材料在我们生活中处处可见，半导体作为一个使用时间不到一百年的新型材料，可是它的存在价值确是可怕。
仅仅在2001年，全球微芯片的销售额就有望超过2000亿美元，半导体材料已经成为新型技术的革命中心，这场革命就是电子信息革命，这场革命基础就是半导体元器件及其制造。
1 半导体材料的发展历程
1.1 半导体材料的繁荣发展
半导体，顾名思义就是处于导体和绝缘体之间的材料，半导体作为介于导体和半导体之间的特殊位置，可用来生产半导体元器件中集成电路的电子材料。
在上世纪50年代，Ge （锗），Si（硅）作为当时的主要半导体材料，可以在低压，低频中功率晶体和光电探测器中广泛使用，后来因为Ge的抗热性较差，抗腐蚀辐射性能不好，在后面十多年里渐渐被Si所替代，硅作为新式半导体材料，它的优点立刻体现在多重方面，首先因为硅的含量在地球中极其丰富，所以它的可广泛使用成为现实，并且硅的提纯结晶方法简便，提纯后的二氧化硅的纯度很高，绝缘性能好并且能显著提高产品稳定性可靠性，诸多优点使得硅成为应用最广的半导体材料，有效的应用在科技生活之中，为我们提供便利。
现在只有不到5%的半导体材料和1%的集成电路不是由硅制作。
由于硅具有的优点特性，硅在新世纪的地位不会动摇后来半导体材料据需发展，通讯系统的光速发展，互联网和光纤通信兴起，二代半导体材料横空出世，以砷化硅（GaAs）磷化铟（Lnp）为主要代表的材料方兴未艾，这些材料不仅继承上一代材料的特性更加完善了自身性能，可以制作出功能更强大的电子元器件，在卫星通讯，GPS等方面大放光彩，但是第二代半导体材料也有自身缺点，由于自身的价格昂贵，资源稀缺，存在毒性，污染环境等不良因素，使其使用范围大大缩减，只能应用于某些高端产业。
后来行业里还有第三代半导体材料，主要有SiC，GaN，金刚石等，又被称为宽禁带半导体材料。
和第一代半导体材料、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高健合能等优点，可以满足新的特点要求，是半导体材料的新的发展，具有良好的应用前景和使用价值。
在某些重要方面起重大作用。
例如在太阳能上就可以将太阳的使用率达到
50%以上这是一种飞跃，还能使体积降低到原来25%，这对人类生活起巨大作用，可以说是前所未然的。
1.2 半导体元器件制造技术的前景
半导体产品应用于主要应用于工业方面，这是技术到工艺环节的基础，现在的企业将大量资金投入研发新式半导体元器件制造，希望开发出更强大合理的半导体产品，提高半导体产品的可靠性，降低其价格能耗，以成为当今社会追求的新发展方向，同时现在的半导体制造技术是一些工业生产的关键技术，没有了半导体元器件制造技术许多工业生产就无法进行下去，这是一个电子时代，没有半导体元器件制造技术将寸步难行，所以需要对半导体进行相应的开发，相信未来时间的积累，半导体元器件制造技术将会得到广泛应用，质量和水平将会的到长足的发展。
2 半导体元器件中集成电路的用途分析和制造方法
2.1 集成电路的用途分析
半导体元器件制造中，有多种不同类型的每种类型都有其相应的特定功能，集成电路最著名的应用是在个人电脑上，例如每台电脑上的只读储存器（ROM）随机存储器（RAM）等这些产品中都有集成电路身影，集成电路的类型变化取决于我们人类，我们需要那种随即新的集成电路应运而生，但主要可分为两类，模拟和数字，模拟集成电路中有运算放大器，运算放大器是一种阻抗放大器，可在电子控制中应用。
集成电路是在一小片硅片上同时制作几十个或者几百个特定的芯片，芯片数量取决于每个芯片的尺寸，尺寸取决于一个芯片的集成水平，半导体元器件的制作仅发生于在接近硅片的几微米之间，硅片的强度是由硅片的厚度决定的，硅片上的金属线路层作为硅片上信号传导连接。
现代的集成电路互联概念材料很像原仙童半导体公司的第一代商业化原始平面晶体管，但是现在的集成电路更为复杂。
2.2 集成电路的制造方法
集成电路作为半导体元器件，通常是由硅制成，为什么要选择硅，是因为硅有几种特性，丰裕度，融化温度和材料数量。
硅片上的电子器件形成方式被称为结构，其中集成电路就是结构中较有特点的一种。
集成电路的制造分为5个步骤，硅片制备，硅片制造，硅片测试，装配与封装，终测。
硅片制造是第一阶段，将硅从沙中提取出来并进行相应的处理，生产出适当直径的硅锭，然后被切割成规定尺寸，第二阶段是硅片制造，裸露的硅片进行进一步的处理具有一套完整步骤，这样处理后的硅片上就有了一套集成电路。
在进行的就是硅片的测试，将硅片送到相应的测试区，进行相应的测试，挑选合格硅片，后进行装配工艺，硅片的背面进行一定的研磨减少后厚度，一片厚的塑料贴在每个硅片的背面，然后正面用金刚石尖锯刃分开，最后还要进行终测，确保硅片的质量，要对每一个被封装的硅片进行测试，看是否满足需求，最后一个完整的半导体元器件集成电路制作完成。
集成电路将多个元件结合在一个硅片上降低了成本提高了性能，以此最近的时代可以说是集成电路时代，其中还有摩尔定律预计一块芯片上的
元件数每隔18到24个月翻一番，直到上世纪60年代这个定律一直正确，后来的发展速度不可估计。
3 结语
经过分析可知，半导体元器件及制造技术在现在的社会处于一种必不可少的地位，半导体元器件机制造方法技术已成为衡量一个国家的工业发展水平，社会潜在进步力的重要技术，在行业里面看这种技术值得重视，虽然在不断更新的现在，半导体产元器件及制造技术依旧发展缓慢，大部分技术沿用原来传统方法，传统方法趋于成熟，但不断发展的行业需要更先进的技术支持，因此很有必要价值在半导体元器件制造中加大力度，谋求更好发展。
参考文献
[1]卫军胡，管晓宏.孙国基等，半导体制造系统优化调度模型的分解和简化方法[J].西安交通大学学报，2000（08）.
[2]王遵彤，乔非，吴启迪，半导体硅片加工过程复合控制策略研究及仿真[J].系统仿真学报，2005（08）： 96.
[3]（美）夸克（Quirk，M.）等著，韩郑生等译，半导体制造技术[M].北京：电子工业出版社，2004（01）.。