常用半导体器件及应用单元测验(附答案)

26 mV I E mA
= 0.85kΩ
ri= rbeL = 1.5KΩ AV=− r
βR′ L
be
= −88.2
8 B
9 A
10 C
1.半导体中传导电流的载流子是（ ） 。 A.电子 B.空穴 C.自由电子和空穴 D.杂质离子 2.P 型半导体中的多数载流子是（ ） A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 3.晶体二极管正极电位是-8V，负极电位是-3V，则二极管处于（ ） 。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 D.以上答案都不对 4.共射极放大器的输入信号加在三极管的（ ）之间。 A.基极和射极 B.基极和集极 C.射极和集极 D.电源和基极 5.在共射极放大电路中，输出电压与输入电压的关系是（ ） 。 A.相位相同，幅度增大 B.相位相反，幅度增大 C.相位相同，幅度近似相等 D.幅度增大 6.晶体三极管发射结正偏，集电结正偏时，处于（ ）状态。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.微导通 7.三极管处于放大状态时，其电流分配关系为（ ） 。 A. I E I B I C B. I C I B C. I B I C I E D. I C I B I E 8.晶体三极管的穿透电流 ICEO 的大小体现了三极管的（ ） A.工作状态 B.温度稳定性 C.放大能力 D.质量好坏 9.对于 NPN 型晶体三极管处于放大时各极电位的关系应满足( )。 A. VC VB VE B. VC VB VE C. VC VE VB D. VC VE VB 10.已知某三极管的极限参数分别为 ICM=600mA，PCM=2W，V(BR)CEO=20V，以下哪个工作状态， 三极管能正常工作？（ ） A.IC=500mA，VCE=25V B.IC=800mA，VCE=10V C.IC=30mA，VCE=15V D.IC=200mA，VCE=12V
1.P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ ） 2.半导体器件一经击穿便即失效，因为击穿是不可逆的。 （ ） 3.桥式整流电路中，若有一只二极管开路，则输出电压为原先的一半。 （ 4.用两个 PN 结就能构成三极管，它就具有放大作用。 （ ） 5.β 越大的三极管，放大电流的能力越强，管子的性能越好。 6.三极管和二极管都是非线性器件。 （ ） 7.三极管每一个基极电流都有一条输出特性曲线与之对应。 （ ） ）
四、问答题： （25 分） 1.如何判定二极管的好坏？（3 分） 万用表选择 R*100 或 R*1K 挡，红黑表笔分别接二极管两管脚测量一次，交 换表笔再测量一次。若两次测得的阻值为一大一小，则质量较好；若两次测得 的阻值均为∞， 则管子内部断路； 若两次测得的阻值均为 0， 则管子内部短路； 若两次测得的阻值相差不大，则质量不好。 2. 当开关闭合后，如图（a） 、 （b）所示，分别判断二极管和灯的状态。 （2 分）
9.若晶体三极管集电极输出电流 IC=9 mA，该管的电流放大系数为β =50， 则其输入电流 IB=_0.18_mA。 10.三极管具有电流放大作用的实际是： 利用 基极 电流实现对 集电极 电流的 控制。因此三极管是 电流 控制型器件。 11.三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即_放大_区，__饱和_区和_截止_ 区。 12.放大电路静态工作点随 温度 变化而变化，分压式 偏置电路可较好解决此 问题。 13.对于一个晶体管放大器来说， 一般希望其输入电阻要 大 些， 以减轻信号源 的负担，提高抗干扰能力；输出电阻要 小 些，以增大带动负载的能力。 二、判断题： （10 分，将答案填在下面的表格内） 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 × × √ × × √ √ × √ ×
1
流通路，求电压放大倍数 AV、输入电阻 ri、输出电阻 ro。 （8 分）
解： （1）
IBQ=
V CC −V BEQ RB
=
15 −0.7 300
= 0.0477mA
ICQ=βIBQ = 50 × 0.0477 = 2.385mA VCEQ=VCC − ICQ R C = 15 − 2.385 × 3 = 7.845V （2）rbe=300 + 1 + β
8.放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。 （ ） 9.放大器的输出信号与输入信号反相。 （ ） 10.放大器常采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入阻抗。 （ ）
三、单项选择题： （10 分，将答案填在下面的表格内） 题号 1 2 3 4 5 6 7 答案 C B B A B B A
L 解： （1）V2=0.9 = 0.9 = 10V
V
9
（2）VRM= 2V2 = 10 2 = 14.14V （3）IV=2IL=0.5A 3.在下面图示放大电路中， 已知 50 ，Rb 300k ，RC 3K ，RL 3K ，
Vcc 15V , VBEQ 0.7V 。回答问题： （1）画出直流通路，求 Q 点； （2）画出交
（5 分）
①：c
②：b ③：e β =I C = 0.02 = 99
B
PNP 型
I
1.98
6.若放大器的输出波形如下图所示，判断（a） 、 （b）分别是什么失真？该如 何调整？（4 分）
截止失真
RB 调小
饱和失真
RB 调大
五、计算题： （20 分） 1.如图所示二极管半波整流电路，若负载 RL=0.9KΩ ,负载电流 IL=10mA，试求： （1）电源变压器二次电压 V2； （2）整流二极管承受的最大反向电压 VRM； （3） 流过二极管的平均电流 IV。 （6 分）
二极管
导通
二极管 截止 （填 “导通” 或 “截止” ） 指示灯 不亮 （填“亮”或“不亮” ）
指示灯 亮
3.判断下列三极管的工作状态。 （6 分）
放大
截止
放大
截止
饱和
饱和
4.该晶体三极管处于放大状态，分析判断管脚名称、所用材料及管型。 （5 分）
①：c 硅材料
②：b ③：e
NPN 型
5.测得三极管各极电流如图，判断①、②、③管脚名称 、管型及它的放大系数
L 解： （1）V2=0.45 =
V
IL R L 0.45
=
0.9×10 0.45
= 20V
（2）VRM= 2V2 = 20 2 = 28.28V （3）IV=IL=10mA
2.如图所示桥式全波整流电路， 若输出电压 VL=9V， 负载电流 IL=1A， 试求： （1） 电源变压器二次电压 V2； （2）整流二极管承受的最大反向电压 VRM； （3）流过二 极管的平均电流 IV。 （6 分）
项目六
班级
常用半导体器件及应用
姓名 成绩
一、填空题： （35 分） 1.制作半导体器件时，使用最多的半导体材料是 硅 和 锗 。 2. 根据载流子数目的不同，可以将半导体分为 本征半导体 、 P 型半导体 和 N 型半导体 三种。 3.PN 结的单向导电性是指：加正向电压 导通 ，加反向电压 截止 。PN 结正 偏是指 P 区接电源 正 极，N 区接电源 负 极。 4.半导体二极管由一个 PN 结构成，它具有 单向导电 特性。 5.硅二极管的门坎电压是 0.5V ，正向导通压降是 0.7V ；锗二极管的门坎电 压是 0.2V ，正向导通压降是 0.3V 。 6.半导体稳压二极管都是 硅 材料制成的。它工作在 反向击穿 状态时，才呈 现稳压状态。 7.晶体三极管是由三层半导体、两个 PN 结构成的一种半导体器件，两个 PN 结 分别为 发射结 和 集电结 ；对应的三个极分别是 发射极 e 、 基极 b 、 集 电极 c 。 8.半导体三极管中，PNP 的符号是 ，NPN 的符号是 。