1章 常用半导体器件 习题
第1章半导体器件习题及答案教学总结
第 1 章半导体器件习题及答案第1章半导体器件一、是非题（注：请在每小题后［］内用” V"表示对，用” X "表示错）1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。
（）2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
（）3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。
（）4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。
（）6半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。
（）8、施主杂质成为离子后是正离子。
（）9、受主杂质成为离子后是负离子。
（）10、PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（）11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（）12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。
（）13、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
（）15、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（）16、有人测得某晶体管的U BE=0.7V, I B=20^A,因此推算出r be=U BE/|B=0.7V/20 卩A=35k Q（）17、 有人测得晶体管在U BE =0.6V , I B =5^A,因此认为在此工作点上的r be 大约为 26mV/l B =5.2k ◎（）18、 有人测得当U BE =0.6V , I B =10^A O 考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到、选择题（注：在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处.1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中 __________ 载流子A.有B.没有C.少数D.多数2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生 ___________ F很大关系。
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
半导体器件(附答案)
第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________A. B. C.3．稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8．面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW11D.2AP610．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。
若其他参数不变，当温度上升到40℃，则D U 的大小将 ____A. 等于 0.7VB. 大于 0.7VC. 小于 0.7V11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）A. 两种B. 三种C. 四种14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __（2）__有很大关系。
第1章半导体器件习题
第1章半导体器件习题第1章半导体器件习题1.什么是本征半导体？什么是杂质半导体？各有什么特点。
2.N型半导体是在本征半导体中掺入____价元素，其多数载流子是____ ，少数载流子是____。
3.Ｐ型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____，少数载流子是____。
4.在室温附近，温度升高，杂志半导体中____的浓度将明显增加。
5. 什么是载流子的扩散运动、漂流运动？他们的大小主要与什么有关？６. 在室温下，对于掺入相同数量杂质的Ｐ型、N型半导体，其导电能力___。
（ａ）二者相同；（ｂ）Ｎ型导电能力强；（ｃ）Ｐ型导电能力强；７.PN结是如何形成的？在热平衡下，PN结中有无净电流流过？8.PN结中扩散电流的方向是____ ，漂移电流的方向是____ 。
9.PN结未加外部电压时，扩散电流____漂移电流；加正向电压时，扩散电流____漂移电流，其耗尽层____；加反向电压时，扩散电流____漂移电流,其耗尽层____；10.什么是PN结的击穿现象？击穿有哪两种？击穿是否意味PN 结坏了？为什么？11.什么是PN结的电容效应？何谓势垒电容、扩散电容。
PN结正向运用时，主要考虑什么电容？反向运用时，主要考虑何种电容？12.二极管的直流电阻R D和交流电阻r d有何不同？如何在伏安特性上表示？14.稳压二极管是利用二极管的＿＿＿特性进行稳压的。
（a ）正向导通；（b ）反向截止；（c ）反向击穿室温下，当正向电流分别为、时估算其电阻的值mA 2mA 1试推导二极管正向导通时的交流电阻IU dIdU d T r ==mV U T 26=13.二极管的伏安特性方程为)1(-=TU U e I I S D VDR++__ui uo5V15.二极管电路如图所示,已知输入电压,二极管的正向压降和反向电流均可忽略.试画出输出电压的波形.VDR++__ui uo VDR++__ui uo VDR++_ui uo5V)(sin 30V t u i ω=o u (a)(b)(c)(d)16.电路如图所示, ,试画出输出电压的波形.)(sin 5V t u i ω=o u VD1R++__ui uo 1VVD2VD1R ++__ui uo 2V1VVD2(a)(b)17.由理想二极管组成电路如图所示,试确定各电路的输出电压.VD1RVD2VD3+6V0V -6V -18V Uo(a)(b)6k ΩVD1RVD2VD3+6V0V-6V +18V Uo6k Ω18.为了使三极管能有效地起放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度；基区宽度；集电结结面积比发射结结面积,其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用(即三极管反接),能否起放大作用?19.三极管工作放大区时,发射接结为,集电结为；工作在饱和区时，发射结____,集电结____；工作在截止区时，发射结为_____，集电结为_____。
电子电路基础习题册参考答案
电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
(完整版)半导体器件基础测试题
第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
半导体器件试题
半导体器件试题第一章半导体器件一、是非题1、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）3、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（） 4．当外加反向电压增加时，PN结的结电容减小。
（） 5．当外加电压为0时，PN结的电容最小。
（）6、二极管是根据PN结的单向导电性制成的，因此二极管也具有单向导电性。
（）7、二极管的电流-电压关系特性可大概理解为反向偏置导通，正向偏置截止。
（）8、用万用表识别二极管的极性时，若测得是二极管的正向电阻，那么标有“+”号的测试棒相连的是二极管的正极，另一端是负极。
（）9、反向电流几乎与二极管两端所加电压无关，击穿后反向电流剧增。
（）10、特定的二极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作点的变化而变化。
（） 11、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小，当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。
（）12、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
（） 13、如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管内部断路。
（） 14、二极管的正极电位为-20V，负极电位为19.4V，则二极管处于零偏。
（） 15、二极管的正向电阻小，反向电阻大。
（）16、二极管的正极电位是-20V，负极电位是-19.4V，则该二极管处于反偏的状态。
（）17、稳压二极管是特殊的二极管，工作于反向击穿特性。
（）18、稳压二极管工作在正常的反向击穿状态时，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿状态。
（）19、当工作电流超过最大稳定电流时，稳压二极管将不起稳压作用，但并不损坏。
（） 20、三极管相当于两个反向连接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。
（） 21、晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以，基极断开后还可以作为二极管使用。
（） 22、三极管由两个PN结构成，所以能用两个二极管反向连接起来充当三极管使用。
第1章半导体器件习题及答案
第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]用"√"表示对,用"×"表示错) 1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。
（ ） 2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
（ ） 3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。
（ ） 4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ） 5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。
（ ）6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（ ）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。
（ ）8、施主杂质成为离子后是正离子。
（ ）9、受主杂质成为离子后是负离子。
（ ）10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（ ） 11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。
（ ）12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。
（ ） 13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
（ ） 15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（ ） 16、有人测得某晶体管的U BE =0.7V ，I B =20μA，因此推算出r be =U BE /I B =0.7V/20μA=35kΩ。
（ ） 17、有人测得晶体管在U BE =0.6V ，I B =5μA，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =5.2kΩ。
（ ）18、有人测得当U BE =0.6V ，I B =10μA。
考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆- （ ）二、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。
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第一章题解－1第一章 常用半导体器件习 题1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体，加入 元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1m A 变为2m A ，那么它的β约为 。
A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D 从2m A 变为4m A 时，它的低频跨导g m 将 。
A.增大B.不变C.减小 解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.2 能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V 时，管子会因电流过大而烧坏。
1.3 电路如图P1.3所示，已知u i ＝10s in ωt (v)，试画出u i 与u O 的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3第一章题解－2解图P1.3解：u i 和u o 的波形如解图P1.3所示。
1.4 电路如图P1.4所示，已知u i ＝5s in ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。
试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。
图P1.4解图P1.4解：波形如解图P1.4所示。
1.5 电路如图P1.5（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V 。
试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。
图P1.5解：u O 的波形如解图P1.5所示。
第一章题解－3解图P1.51.6 电路如图P1.6所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，常温下U T ≈26m V ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10m V 。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：二极管的直流电流I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6m A其动态电阻 r D ≈U T /I D ＝10Ω 故动态电流有效值I d ＝U i /r D ≈1m A 图P1.61.7 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？第一章题解－4（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5m A ，最大功耗P ZM ＝150m W 。
试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。
解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25m A电阻R 的电流为I Z M ～I Z mi n ，所以其取值范围为 Ω=-=k 8.136.0ZZI ～I U U R 图P1.81.9 已知图P 1.9所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Z mi n ＝5m A ，最大稳定电流I Z ma x ＝25m A 。
（1）分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z＝6V ，则稳压管的电流为4m A ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LL O ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最 图P1.9 小稳定电流I Z mi n ，所以U O ＝U Z ＝6V 同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
第一章题解－5（2）=-=R U U I )(Z I D Z29m A ＞I Z M ＝25m A ，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10 在图P1.10所示电路中，发光二极管导通电压U D ＝1.5V ，正向电流在5～15m A 时才能正常工作。
试问： （1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R 的取值范围是多少？ 解：（1）S 闭合。
（2）R 的范围为。
Ω=-=Ω≈-=700)(233)(Dmin Dmax Dmax D min I UV R I U V R图P1.101.11 电路如图P1.11（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
试分别画出u O 1和u O 2的波形。
图P1.11解：波形如解图P 1.11所示第一章题解－6解图P1.111.12 在温度20℃时某晶体管的I CBO ＝2μA ，试问温度是60℃时I C BO ≈？ 解：60℃时I CBO ≈5C 20CBO ）＝（ T I ＝32μA 。
1.13 有两只晶体管，一只的β＝200，I CE O ＝200μA ；另一只的β＝100，I CE O ＝10μA ，其它参数大致相同。
你认为应选用哪只管子？为什么？解：选用β＝100、I C BO ＝10μA 的管子，因其β适中、I CE O 较小，因而温度稳定性较另一只管子好。
1.14已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。
分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
第一章题解－7图P1.14解：答案如解图P1.14所示。
解图P1.141.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图P1.15第一章题解－8解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P 1.15所示。
解表P1.151.16 电路如图P 1.16所示，晶体管导通时U BE ＝0.7V ，β=50。
试分析V B B 为0V 、1V 、1.5V 三种情况下T 的工作状态及输出电压u O 的值。
解：（1）当V BB ＝0时，T 截止，u O ＝12V 。
（2）当V BB ＝1V 时，因为 60bBEQBB BQ =-=R U V I μAV9mA 3 C CQ CC O BQ CQ =-===R I V u I I β所以T 处于放大状态。
（3）当V BB ＝3V 时，因为 160bBEQBB BQ =-=R U V I μA 图P1.16BEC CQ O BQ CQ mA 8 U R I V u I I CC ＜-===β所以T 处于饱和状态。
1.17 电路如图P 1.17所示，试问β大于多少时晶体管饱和？解：取U CE S ＝U BE ，若管子饱和，则Cb CBECC bBECC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以，100Cb =≥R R β时，管子饱和。
图P 1.17第一章题解－91.18 电路如图P1.18所示，晶体管的β＝50，|U BE |＝0.2V ，饱和管压降|U CE S |＝0.1V ；稳压管的稳定电压U Z ＝5V ，正向导通电压U D ＝0.5V 。
试问：当u I ＝0V 时u O ＝？当u I ＝－5V 时u O ＝？解：当u I ＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，u O ＝－U Z ＝－5V 。
当u I ＝－5V 时，晶体管饱和，u O ＝0.1V 。
因为mA24μA480B C bBEI B ===-=I I R U u I βCC C C CC EC V R I V U ＜-=图P 1.181.19 分别判断图P 1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
第一章题解－10图P1.19解：（a ）可能 （b ）可能 （c ）不能（d ）不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。
（e ）可能1.20 已知某结型场效应管的I D SS ＝2m A ，U G S （o ff ）＝－4V ，试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线，并近似画出予夹断轨迹。
解：根据方程2GS(th)GS DSS D )1(U u I i -=逐点求出确定的u G S 下的i D ，可近似画出转移特性和输出特性；在输出特性中，将各条曲线上u G D ＝U G S （o ff ）的点连接起来，便为予夹断线；如解图P1.20所示。
解图P1.201.21 已知放大电路中一只N 沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V 、8V 、12V ，管子工作在恒流区。
试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS 管、增强型、耗尽型），并说明 ①、②、③与G 、S 、D 的对应关系。
解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极①、②、③与G 、S 、D 的对应关系如解图P 1.21所示。
第一章题解－11 解图P1.211.22 已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图P1.22解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P 1.22（a ）所示〕，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及U G S 值，建立i D ＝f （u G S ）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图P1.22（b ）所示。
第一章题解－12 解图P1.221.23 电路如图1.23所示，T 的输出特性如图P1.22所示，分析当u I ＝4V 、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
解：根据图P1.22所示T 的输出特性可知，其开启电压为5V ，根据图P1.23所示电路可知所以u G S ＝u I 。
当u I ＝4V 时，u G S 小于开启电压，故T 截止。
当u I ＝8V 时，设T 工作在恒流区，根据输出特性可知i D ≈0.6m A ，管压降u D S ≈V D D －i D R d ≈10V因此，u G D ＝u G S －u D S ≈－2V ，小于开启电压， 图P1.23说明假设成立，即T 工作在恒流区。
当u I ＝12V 时，由于V D D ＝12V ，必然使T 工作在可变电阻区。
第一章题解－13 1.24 分别判断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
图P1.24 解：（a ）可能 （b ）不能 （c ）不能 （d ）可能。