常用半导体元件习题及答案
半导体器件物理习题答案
半导体器件物理习题答案1、简要的回答并说明理由：①p+-n结的势垒宽度主要决定于n 型一边、还是p型一边的掺杂浓度？②p+-n结的势垒宽度与温度的关系怎样？③p+-n结的势垒宽度与外加电压的关系怎样？④Schottky 势垒的宽度与半导体掺杂浓度和温度分别有关吗？【解答】①p+-n结是单边突变结，其势垒厚度主要是在n型半导体一边，所以p+-n结的势垒宽度主要决定于n型一边的掺杂浓度；而与p型一边的掺杂浓度关系不大。
因为势垒区中的空间电荷主要是电离杂质中心所提供的电荷（耗尽层近似），则掺杂浓度越大，空间电荷的密度就越大，所以势垒厚度就越薄。
②因为在掺杂浓度一定时，势垒宽度与势垒高度成正比，而势垒高度随着温度的升高是降低的，所以p+-n结的势垒宽度将随着温度的升高而减薄；当温度升高到本征激发起作用时，p-n结即不复存在，则势垒高度和势垒宽度就都将变为0。
③外加正向电压时，势垒区中的电场减弱，则势垒高度降低，相应地势垒宽度也减薄；外加反向电压时，势垒区中的电场增强，则势垒高度升高，相应地势垒宽度也增大。
④Schottky势垒区主要是在半导体一边，所以其势垒宽度与半导体掺杂浓度和温度都有关（掺杂浓度越大，势垒宽度越小；温度越高，势垒宽度也越小）。
2、简要的回答并说明理由：①p-n结的势垒高度与掺杂浓度的关系怎样？②p-n结的势垒高度与温度的关系怎样？③p-n结的势垒高度与外加电压的关系怎样？【解答】①因为平衡时p-n结势垒（内建电场区）是起着阻挡多数载流子往对方扩散的作用，势垒高度就反映了这种阻挡作用的强弱，即势垒高度表征着内建电场的大小；当掺杂浓度提高时，多数载流子浓度增大，则往对方扩散的作用增强，从而为了达到平衡，就需要更强的内建电场、即需要更高的势垒，所以势垒高度随着掺杂浓度的提高而升高（从Fermi 能级的概念出发也可说明这种关系：因为平衡时p-n结的势垒高度等于两边半导体的Fermi 能级的差，当掺杂浓度提高时，则Fermi能级更加靠近能带极值[n型半导体的更靠近导带底，p型半导体的更靠近价带顶]，使得两边Fermi能级的差变得更大，所以势垒高度增大）。
电子电路基础习题册参考答案第一章
电⼦电路基础习题册参考答案第⼀章电⼦电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第⼀章常⽤半导体器件§1-1 晶体⼆极管⼀、填空题1、物质按导电能⼒的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三⼤类，最常⽤的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺⼊的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体⼜称本征半导体，其内部空⽳和⾃由电⼦数相等。
N型半导体⼜称电⼦型半导体，其内部少数载流⼦是空⽳；P 型半导体⼜称空⽳型半导体，其内部少数载流⼦是电⼦。
4、晶体⼆极管具有单向导电性，即加正向电压时，⼆极管导通，加反向电压时，⼆极管截⽌。
⼀般硅⼆极管的开启电压约为0.5 V，锗⼆极管的开启电压约为0.1 V；⼆极管导通后，⼀般硅⼆极管的正向压降约为0.7 V,锗⼆极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗⼆极管开启电压⼩，通常⽤于检波电路，硅⼆极管反向电流⼩，在整流电路及电⼯设备中常使⽤硅⼆极管。
6.稳压⼆极管⼯作于反向击穿区，稳压⼆极管的动态电阻越⼩，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防⽌反向击穿电流超过极限值⽽发⽣热击穿损坏稳压管。
8⼆极管按制造⼯艺不同，分为点接触型、⾯接触型和平⾯型。
9、⼆极管按⽤途不同可分为普通⼆极管、整流⼆极管、稳压⼆极管、开关、热敏、发光和光电⼆极管等⼆极管。
10、⼆极管的主要参数有最⼤整流电流、最⾼反向⼯作电压、反向饱和电流和最⾼⼯作频率。
11、稳压⼆极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所⽰电路中，⼆极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为⽆法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所⽰电路中，⼆极管均为理想⼆极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所⽰电路中，⼆极管是理想器件，则流过⼆极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
半导体器件(附答案)
第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________ A. B. C.3．稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8．面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW1110．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。
若其他参数不变，当温度上升到40℃，则D U 的大小将 ____A. 等于B. 大于C. 小于11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）A. 两种B. 三种C. 四种14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __（2）__有很大关系。
半导体器件自测题及习题题解
第一章 常用半导体器件 自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
1、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）2、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）3、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）4、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）5、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS 大的特点。
（ ）6、若耗尽型N 沟道MOS 管的UGS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ） 解：1、√ 2、× 3、√ 4、× 5、√ 6、×二、选择正确答案填入空内。
1、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽2、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. ISeU B.TU U I eS C.)1e(S －TU U I3、稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏 5、UGS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：1、A 2、C 3、C 4、B 5、A C三、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD ＝0.7V 。
解：UO1≈1.3V ，UO2＝0，UO3≈－1.3V ，UO4≈2V ，UO5≈1.3V ，UO6≈－2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA 。
求如图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V ，U O2＝5V 。
五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率P CM ＝200mW ，试画出它的过损耗区。
《半导体器件》习题及参考答案
第二章1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm ，求零偏压下的总耗尽层宽度、建电势和最大电场强度。
解：)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n S D x x qN dxd ≤≤-=εψ 0),(2)(22≤≤--=-=E x x x x qa dx d x p p Sεψ n n SDx x x x qN dx d x ≤≤-=-=E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝1.07µm x 总=x n +x p =1.87µm⎰⎰=--=-npx x bi V dx x E dx x E V 0516.0)()(m V x qa E p S/1082.4)(252max ⨯-=-=ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。
2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp ＝τn ＝10－6s ，器件的面积为1.2×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±0.7V 时的正向和反向电流。
解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/scm D L p p p 3103-⨯==τ，cm D L n n n 31045.2-⨯==τnp n pn p S L n qD L p qD J 0+=I S =A*J S =1.0*10-16A 。
＋0.7V 时，I ＝49.3µA ， －0.7V 时，I ＝1.0*10-16A3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区存贮的少数载流子总量。
设n 型中性区的长度为1μm ，空穴扩散长度为5μm 。
解：P ＋>>n ，正向注入：0)(20202=---pn n n n L p p dx p p d ，得：)sinh()sinh()1(/00pnn pn kTqV n n n L x W L x W e p p p ---=- ⎰⨯=-=nnW x n n A dx p p qA Q 20010289.5)(4一个硅p +-n 单边突变结，N D ＝1015cm －3，求击穿时的耗尽层宽度，若n 区减小到5μm ，计算此时击穿电压。
(整理)第4章常用半导体器件-练习复习题
第4章：常用半导体器件-复习要点基本概念：了解半导体基本知识和PN结的形成及其单向导电性；掌握二极管的伏安特性以及单向导电性特点，理解二极管的主要参数及意义，掌握二极管电路符号；理解硅稳压管的结构和主要参数，掌握稳压管的电路符号；了解三极管的基本结构和电流放大作用，理解三极管的特性曲线及工作在放大区、饱和区和截止区特点，理解三极管的主要参数，掌握NPN型和PNP型三极管的电路符号。
分析依据和方法：二极管承受正向电压（正偏）二极管导通，承受反向电压（反偏）二极管截止。
稳压管在限流电阻作用下承受反向击穿电流时，稳压管两端电压稳定不变（施加反向电压大于稳定电压，否者，稳压管反向截止）；若稳压管承受正向电压，稳压管导通（与二极管相同）。
理想二极管和理想稳压管：作理想化处理即正向导通电压为零，反向截止电阻无穷大。
三极管工作在放大区：发射结承受正偏电压；集电结承受反偏电压；三极管工作在饱和区：发射结承受正偏电压；集电结承受正偏电压；三极管工作在截止区：发射结承受反偏电压；集电结承受反偏电压；难点：含二极管和稳压管电路分析，三极管三种工作状态判断以及三极管类型、极性和材料的判断。
一、填空题1.本征半导体中价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，留下一个空位称为空穴，它们分别带负电和正电，称为载流子。
2.在本征半导体中掺微量的五价元素，就称为N型半导体，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴，它主要依靠多数载流子导电。
3.在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子，它主要依靠多数载流子导电。
4.PN结加正向电压时，有较大的电流通过，其电阻较小，加反向电压时处于截止状态，这就是PN结的单向导电性。
5.在半导体二极管中，与P区相连的电极称为正极或阳极，与N区相连的电极称为负极或阴极。
6.晶体管工作在截止区的条件是：发射结反向偏置，集电结反向偏置。
7.晶体管工作在放大区的条件是：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
电子电路基础习题册参考答案-第一章讲解
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
2章-常用半导体器件及应用题解
第二章常用半导体器件及应用一、习题2.1填空1. 半导材料有三个特性，它们是、、。
2. 在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
3. 二极管的主要特性是。
4．在常温下，硅二极管的门限电压约为V，导通后的正向压降约为V；锗二极管的门限电压约为V，导通后的正向压降约为V。
5．在常温下，发光二极管的正向导通电压约为V，考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在mA。
6. 晶体管(BJT)是一种控制器件；场效应管是一种控制器件。
7. 晶体管按结构分有和两种类型。
8. 晶体管按材料分有和两种类型。
9. NPN和PNP晶体管的主要区别是电压和电流的不同。
10. 晶体管实现放大作用的外部条件是发射结、集电结。
11. 从晶体管的输出特性曲线来看，它的三个工作区域分别是、、。
12. 晶体管放大电路有三种组态、、。
13. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A 的输入电阻。
14．三极管的交流等效输入电阻随变化。
15．共集电极放大电路的输入电阻很，输出电阻很。
16．射极跟随器的三个主要特点是、、。
17．放大器的静态工作点由它的决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的决定。
18．图解法适合于，而等效电路法则适合于。
19．在单级共射极放大电路中，如果输入为正弦波，用示波器观察u o和u i的波形的相位关系为；当为共集电极电路时，则u o和u i的相位关系为。
20. 在NPN共射极放大电路中，其输出电压的波形底部被削掉，称为失真，原因是Q点(太高或太低)，若输出电压的波形顶部被削掉，称为失真，原因是Q 点(太高或太低)。
如果其输出电压的波形顶部底都被削掉，原因是。
21．某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为9V、2V和1.4V，则该三极管属于型，由半导体材料制成。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第5章 常用半导体元件 习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于 和 之间，二极管是将 封装起来，并分别引出 和 两个极。
2．二极管按半导体材料可分为 和 ，按内部结构可分为＿ 和 ，按用途分类有 、 、 四种。
3．二极管有 、 、 、 四种状态，PN 结具有 性，即 。
4．用万用表（R ×1K 档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度 ，测量反向电阻时，指针偏转角度 。
5．使用二极管时，主要考虑的参数为 和 二极管的反向击穿是指 。
6．二极管按PN 结的结构特点可分为是 型和 型。
7．硅二极管的正向压降约为 V ，锗二极管的正向压降约为 V ；硅二极管的死区电压约为 V ，锗二极管的死区电压约为 V 。
8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为 现象。
9．利用万用表测量二极管PN 结的 电阻值，可以大致判别二极管的 、 和PN 结的材料。
二、选择题：1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。
A.0.2-0.3V 0.6-0.7V B. 0.2-0.7V 0.3-0.6V C.0.6-0.7V 0.2-0.3V D. 0.1-0.2V 0.6-0.7V 2. 判断右面两图中，U AB 的大小为( )。
A. 0.6V 0.3V B. 0.3V 0.6V C. 0.3V 0.3V D. 0.6V 0.6V 3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（ ）Ω档。
A.1×10 B. 1×1000 C. 1×102或1×103 D. 1×105 4. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。
A. 内部短路 B. 内部断路 C. 正常 D. 无法确定 5. 当硅二极管加0.3V 正向电压时，该二极管相当于( ) 。
A. 很小电阻 B. 很大电阻 C.短路 D. 开路6．二极管的正极电位是-20V ，负极电位是-10V ，则该二极管处于（ ）。
A ．反偏 B ．正偏 C ．不变D. 断路7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（ ）A ．增大 B ．减小 C ．不变D. 不确定8．PN 结的P 区接电源负极，N 区接电源正极，称为（ ）偏置接法。
A．正向 B．反向 C．零9．二极管正向导通的条件是其正向电压值（）。
A．大于0 B．大于0.3VC．大于0.7V D．大于死区电压10．点接触型二极管比较适用于（）。
A．大功率整流 B．小信号检波 C．大电流开关11．面接触型二极管比较适用于（）。
A．大功率整流 B．高频检波 C．小电流开关12．当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）。
A. 很小电阻B. 很大电阻C.短路D. 开路三、判断题：1．由P型半导体引出的电极是二极管的正极。
（）2．硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。
（）3．二极管的最高反向电压就是该管的反向击穿电压。
（）4．用万用表不同的电阻档测量正反向电阻，读数是不同的。
（）5.一般情况下，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
（）6．当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过。
（）7．当二极管的电流—电压关系特性可大概理解为正向导通、反向截止的特性。
（）8．当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动形成的。
（）9．当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。
10．利用二极管的正向特性较陡的特点也能起到稳压作用。
（）11．二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。
（）12．当加在二极管两端的电压一定时，流经二极管的电流还会随环境温度的改变而改变。
（）四、简答题1．如何用万用表测量一个没有标明极性的二极管，并判断为何种材料制成以及质量好坏。
2. 分析与判断：如图所示，VD均为理想二极管，试判断二极管的工作状态并求U0。
3、根据下图所示的电路，输入电压为U i，若开关S在t1时刻闭合，在t2时刻断开，试画出负载电压U L波形。
i b e n g5.2 三极管一、填空题：1、半导体三极管是由 极 极 极三个电极， 结 ___________结两个PN 结构成。
2、要使三极管具有电流放大作用，发射结必须加 电压，集电结必须加 电压。
3、三极管按其内部结构分为 和 两种类型4、三极管三个电极的电流存在 关系。
5、三极管有三个工作状态，即 、 和 状态， 状态具有放大作用。
6、三极管工作在截止状态时，相当于开关 ；工作在饱和状态时，相当于开关 。
7、晶体三极管作共射组态时，其输入特性与二极管类似，但其输出特性较为复杂，可分为放大区外，还有 区和 区。
8．晶体管接材料分为_____________和_____________两种，按PN 结的组成方式分为_____________和__________两种，晶体管有三个极，分别为___________、___________、和____________，它有___________PN 结，分别为_____________和_____________。
9.晶体管具有_________、__________、_________三种状态，它们各自的条件是_____________、_____________、_____________。
10．晶体管的电流放大作用，是通过改变_____________电流来控制_________电流的，其实质是以_____________的变化来控制___________________变化。
11．晶体管各极之间的电流分配关系式为_____________，且三者的大小取决于_____________的变化，晶体管的放大系数β=__________＿＿＿。
12．晶体管饱和时，如同一个开关处于_____________状态，相当于_________，晶体管截止状态时，相当于处于_____________状态，相当于_________。
，13．在模拟电路中，晶体管主要工作在_____________状态，在数字电路中，晶体管主要工作在_____________和_____________状态。
14．硅晶体管和饱和电压降为__________V ，锗管的饱和电压降为____________；当晶体管的电流放大系数太大时，会使晶体管的性能_____________。
15．晶体管的穿透电流I CEO 是在基极开路时，由_____________流向_____________＿的电流，它随温度的增高而_____________。
二、选择题：1、三极管作放大管时一般工作在（）。
A.放大区B. 截止区C. 饱和区2、一三极管三个极的对地电位分别有VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该管工作在（）。
A. 放大区B. 饱和区C.截止区3、一三极管三个极的对地电位分别是6V，5.4V，9V，则该管是（）。
A. NPN硅管B. NPN锗管C.PNP硅管4、下列是三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管为。
A.V B=0.7V V E=0V V C=0.3VB.V B=-6.7V V E=-7.4V V C=-4VC.V B=-3V V E=0V V C=6V5. NPN的管型的I E方向是( )。
A. I E向管内B. I E管内可向管外C. I E向管外D.均不对6. NPN型晶体管处于放大状态，三个管脚的电压为V1=3V，V2=8V，V3=2. 7V，则三个管脚分别是( )。
A. C B EB. B C EC. B E CD. E B C7. PNP型晶体管，V B=-4.7V V E=-4V V C=-4.3V 管子处于 ( )状态。
A.饱和B. 放大C.截止D. 不定8. 晶体管工作在( )状态时，I C=βI B才成立。
A.饱和B. 放大C.截止D. 所有9.用万用表的红表笔接触某晶体管的一只管脚，黑表笔分别接触另两只脚，测得的电阻均较小，说明该晶体管是（ ）。
A. PNPB. NPNC. NNPD. NPN或PNP10. 当晶体管饱和时( )。
A. I C不随I B而变化B.I B增大引起I C变化增大C. I B增大引起I C减小D.无法确定11. 三极管放大作用的实质是( )。
A. 三极管可以把小电流变成大电流B. 三极管可以把小电流变成大电压C.三极管可以用较小的电流控制较大的电流D. 以上说法均不对12．用直流电压表测量处于放大状态中的一只NPN型晶体管，各电极对地的电位分别为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则该晶体管各脚的名称是（ ）A.脚1为C，脚2为B，脚3为EB.脚1为E，脚2为C，脚3为BC.脚1为B，脚2为E，脚3为C13．测得电路中一个PNP型三极管的３个电极电位分别为：ＵB＝-4.7Ｖ，ＵC＝-4.3Ｖ，ＵE＝-4Ｖ，则可判定该三极管工作在( )A.截止区B.饱和区C.放大区14．三极管的电流放大系数β，随温度的升高会( )A.减小B.增大C.不变15．NPN型晶体管处于放大状态时，各极电位关系是( )A.VC>VE>VBB. VC> VB > VEC. VC<VE<VBD. VC<VB<VE16．当三极管集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管子( )A.放大能力降低B.必定过热至烧毁C. 仍能正常工作D. 被击穿三、判断题：1．晶体管由两个PN 结组成，所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。
（ ）2．若晶体管发射结处于正向偏置，则其一定处于截止状态。
（ ）3．发射结处于正向偏置的晶体管，其一定是工作于放大状态。
（ ）4．当三极管发射结、集电结都正偏时具有放大作用。
（ ） 5. 晶体三极管具有能量放大作用。
（ ）6．当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时，晶体管一定工作在饱和区。
（ ）7．有一晶体管接在电路中，测得它得三个管脚电位分别为10.5V 、6V 、6.7V ，说明这个晶体管是PNP 管。
（ ） 8．一般说来，晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β增大。
（ ）9．晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（N 型的或P 型）构成，故E 极和C 极可以互换使用。
（ ）四、简答题 1．如何使用万用表判别晶体管管型与管脚以及质量好坏。
2．测得工作在放大状态下的三极管的两个电极电流如图所示，则（1）另一个电极的电流是多少？其方向是流入还是流出管子？（2）①②③脚分别是什么电级？该管管型是什么，该管的β为多少？ 5.3 晶闸管一、填空题：1、普通晶闸管又叫 ，内部有 PN 结,，外部有三个电极，分别是 极 极和 极。