RF_Circuit_design(Topic_12)LNA

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RF射频电路设计与测试

RF射频电路设计与测试

重要参数
工作频率
射频电路的工作频率决定了其通信带宽和传输距 离。
线性度
射频电路的线性度决定了其信号处理的精度和失 真程度,影响通信质量。
ABCD
灵敏度
射频电路的灵敏度决定了其接收微弱信号的能力 ,直接影响通信距离和抗干扰能力。
噪声系数
射频电路的噪声系数反映了其内部噪声水平,对 通信系统的性能产生影响。
特点
射频电路具有高频率、高带宽、 高灵敏度等特点,能够实现高速 、远距离的信息传输。
工作原理
01
02
03
信号产生
射频电路通过振荡器等元 件产生高频信号,作为通 信系统的载波。
信号处理
信号经过调制解调、放大 滤波等处理,实现信息的 传输与接收。
能量传输
射频电路通过电磁波的形 式传输能量,实现无线通 信。
规范测试方法
在测试射频电路时,应制定规范的测试方法,并确保测 试人员严格按照方法进行操作,以提高测试结果的稳定 性和可重复性。
CHAPTER 05
发展趋势与展望
技术发展现状
当前rf射频电路设计已广泛应用在通信、雷达、导航、电 子对抗等领域,技术发展已经相对成熟。
随着集成电路技术的发展,rf射频电路设计正朝着小型化 、集成化、高性能化的方向发展,同时对电路的稳定性、 可靠性、一致性等性能要求也越来越高。
通过调整电路的参数和结构,仿真设 计可以预测电路在不同频率和不同环 境下的性能表现,为实际制作提供参 考。
实际设计
实际设计是将仿真设计得到的电路结构和参数应用到实际的 电路板和元器件上。
实际设计需要考虑电路板的布局、元器件的选择和安装、以 及电磁兼容性等问题,以确保电路的性能和稳定性。
优化设计

rf and microwave circuit design pdf

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rf and microwave circuit design pdfRF (Radio Frequency) and Microwave Circuit Design is a crucial area in the realm of electronics engineering. This technology enables the development of wireless communication systems, such as radio broadcasting, satellite communication, mobile networks, and radar systems. An RF and MicrowaveCircuit Design PDF provides a comprehensive guide to the theory, design, and implementation of RF and microwave circuits. In this article, we will discuss the various steps involved in RF and Microwave Circuit Design.Step 1: Understanding the Basics of RF and Microwave Circuit DesignBefore starting the design process, it is essential to have a solid grasp of the theory and concepts behind RF and Microwave circuitry. This includes understanding electromagnetic waves, transmission lines, impedance matching, and various other aspects of the RF and microwave spectrum.Step 2: Selecting the Desired Frequency BandThe selection of a frequency band is a critical step in the design process. The band of frequencies that you choose will depend on the particular application of the circuit. For example, a circuit designed for wireless communication will typically operate in the GHz (Gigahertz) range, while acircuit for a radar system might operate in the low MHz (Megahertz) range.Step 3: Designing the Circuit SchematicThe circuit schematic is the blueprint for the actualhardware implementation of the RF or microwave circuit. It isessential to design a schematic that accurately represents the desired functionality of the circuit. This includes selecting appropriate active and passive components, such as transistors, diodes, capacitors, and resistors.Step 4: Simulating and Testing the Circuit Design Simulating and testing the circuit design is a crucial stepin the design process. Computer-aided design (CAD) software can be used to simulate the circuit, enabling the designer to identify potential problems and modify the design as needed. Once the simulation is complete, the circuit should be tested in a real-world environment to ensure that it meets the desired specifications and performance requirements.Step 5: Fabricating the PCB BoardOnce the circuit design has been simulated and tested successfully, it is time to fabricate the printed circuit board (PCB). The PCB is the physical implementation of the circuit schematic and is the backbone of the overall circuit design.Step 6: Final Assembly and TestingThe final step in the design process is to assemble and test the completed circuit. This includes soldering components to the PCB, connecting any external components or peripherals, and conducting comprehensive testing to ensure that thecircuit meets the desired specifications and performance requirements.In conclusion, RF and microwave circuit design is a complex and critical area in electronics engineering. The design process involves understanding the theory and concepts of RF and Microwave circuitry, selecting the desired frequency band, designing the circuit schematic, simulating and testing the circuit design, fabricating the PCB board,and final assembly and testing. By following these steps, electronics engineers can design and implement high-performance RF and Microwave circuits that are optimized for their specific applications.。

射频射频LNA设计

射频射频LNA设计

《射频集成电路设计》课程设计报告LNA的设计和仿真专业:集成电路班级:电子0604学号:200681131姓名:高丕龙LNA的设计和仿真一.实验目的:1.了解低噪声放大器的工作原理及设计方法。

2.学习使用ADS软件进行微波有源电路的设计,优化,仿真。

3.掌握低噪声放大器的制作及调试方法。

二.原理简介1.低噪声放大器低噪声微波放大器(LNA)已广泛应用于微波通信、GPS接收机、遥感遥控、雷达、电子对抗、射电天文、大地测绘、电视及各种高精度的微波测量系统中,是必不可少的重要电路。

LNA是射频接收机前端的主要部分,它主要有以下四个特点:首先,它位于接收机的最前端,这就要求它的噪声系数越小越好。

为了抑制后面各级噪声对系统的影响,还要求有一定的增益,但为了不使后面的混频器过载,产生非线性失真,它的增益又不宜过大。

放大器在工作频段内应该是稳定的。

其次,它所接受的信号是很微弱的,所以低噪声放大器必定是一个小信号放大器。

而且由于受传输路径的影响,信号的强弱又是变化的,在接受信号的同时又可能伴随许多强干扰信号输入,因此要求放大器有足够的线型范围,而且增益最好是可调节的。

再次,低噪声放大器一般通过传输线直接和天线或者天线滤波器相连,放大器的输入端必须和他们很好的匹配,以达到功率最大传输或者最小的噪声系数,并保证滤波器的性能。

最后,它应具有一定的选频功能,抑制带外和镜像频率干扰,因此它一般是频带放大器。

LNA低噪声放大器的主要指标如下:1)工作频率与带宽2)噪声系数3)增益4).放大器的稳定性5)输入阻抗匹配6)端口驻波比和反射损耗在设计较高的频段低噪声放大器,通常选用场效应管FET和高电子迁移率晶体管(HEMT)。

影响放大器噪声系数的因素除了与所选用的选用元器件有关外,电路的拓扑结构是否合理也是非常重要的。

放大器的噪声系数和信号源的阻抗有关,放大器存在着最佳的信号源阻抗Zso,此时,放大器的噪声系数应该是最小的,所以放大器的输入匹配电路应该按照噪声最佳来进行设计,也就是根据所选晶体管的Гopt来进行设计。

RF Circuit Design(Topic 6)

RF Circuit Design(Topic 6)
对于拓扑(b),其设计步骤为:
在圆图上将归一化的阻抗zL 转换成归一化的导纳yL ,阻 抗圆图也就成为导纳圆图。 画出zL 或yL 所对应的等反射系数圆,找出其与Zin 等电导 圆的交点,通常存在两个交点,可以选择一个进行设计。 由
Γ(l ) = Γ L ⋅ e − j 2 β l ,传输线长度为l 时,电长度为 θ = β l θ λ 若已知电长度,则传输线长度为 l = ⋅ π 2 再根据并联电纳的大小求解开/短路传输线的长度
微带线型匹配电路
根据传输线理论,一定长度的开路和短路传输线可 以等效为特定的电容和电感。 微带传输线具有许多优点,如体积小、重量轻、容 容 易与电路集成设计、与集成电路的兼容性好、易于 易与电路集成设计 大批量制作等,是一种常用的传输线结构。 微带线匹配电路的拓扑结构主要分为并联 串联 并联和串联 并联 串联两 种形式,由此所派生的电路形式有很多。 串连型微带匹配电路的基本结构是1/4波长阻抗变 换器。
并联型微带匹配电路
通常,并联型微带匹配电路分为:
单枝节匹配 双枝节匹配
此外,对于并联型微带匹配电路,工程上经 常采用的结构还有:
分立元件(电容)和分布参数元件混合匹配电路 三枝节和四枝节匹配网络 克服匹配禁区影响
微带单枝节匹配电路
Z0L, lL
串联传输线 会有怎样的 变化?
单枝节匹配有两种拓扑 结构:
其他微带双枝节匹配电路
由于双枝节匹配网络存在匹配禁区,工程中 还经常用的是三枝节 四枝节 三枝节或四枝节 三枝节 四枝节匹配电路。 最典型的是波导多螺钉调配器 波导多螺钉调配器,反复调整各 波导多螺钉调配器 个螺钉的深度,测量输入端驻波比,可以使 系统匹配,并且获得良好的频带特性。 某些实际电路中,使用变容二极管 变容二极管来代替微 变容二极管 带短截线,这样可以实现电调匹配。

lna设计实例

lna设计实例

以下是一个LNA(低噪声放大器)设计实例:
1. 确定设计要求:首先,确定LNA的设计要求,包括增益、噪声系数、稳定性、线性度等参数。

2. 选择合适的工艺和器件:根据设计要求,选择合适的工艺和器件。

例如,可以选择CMOS工艺或GaAs工艺,以及相应的晶体管器件。

3. 确定电路结构:根据设计要求和选择的工艺和器件,确定LNA的电路结构。

一般来说,LNA可以采用共源共栅结构或分布式结构等。

4. 进行阻抗匹配:在进行LNA设计时,需要进行阻抗匹配以减小反射和失配损耗。

可以使用Smith圆图或其他工具进行阻抗匹配。

5. 进行噪声和增益优化:在完成阻抗匹配后,需要进行噪声和增益优化。

可以通过调整电路参数、选择合适的器件、优化电源电压等方式来优化噪声和增益。

6. 进行稳定性分析:在进行LNA设计时,需要进行稳定性分析以避免振荡。

可以通过计算稳定性系数、观察仿真结果等方式进行稳定性分析。

7. 进行版图设计:在完成上述步骤后,可以进行版图设计。

可以使用专业软件进行版图设计,包括电路图绘制、元件封装、布线等。

8. 进行测试和验证:完成版图设计后,需要进行测试和验证以验证设计的正确性和性能。

可以使用测试设备进行测试,并记录测试结果进行分析和改进。

需要注意的是,LNA设计是一个复杂的过程,需要综合考虑多个因素。

因此,在进行LNA设计时,建议参考相关文献、资料和经验,并进行多次仿真和测试以验证设计的正确性和性能。

射频_RF_电路PCB设计

射频_RF_电路PCB设计

RF电路PCB设计一、 概述本文探讨在终端产品的PCB设计过程中,在遵守统一PCB布线规范的基础上,适用于RF电路的附加性一般原则。

二、层别设置RF电路部分往往元件、走线密度不高,为了减小信号传输损耗并使设计简明,应尽量使高频传输线位于表层(顶层或底层)。

我们一般采用的RF电路为单端对地放大形式,在PCB上实现尽可能理想的等电位地,是保证设计意图得以实现的必然要求。

所以若无其他限制,应尽可能将高频信号线邻层安排为完整的地板(如:顶层为高频信号线层,第二层宜安排为完整地板),而且其他各层在布线完成后,使用地网络铺设铜箔。

三、元件放置天线开关、功放、LNA为减小传输线损耗带来的接收灵敏度损失与发射功率损失,天线开关、功放、LNA 应尽量靠近天线或天线接口。

不同电平级的隔离当几个级联放大器对于某频率的信号的总增益大于40dB时,就可能出现放大器自激现象,这时由于高电平点的信号通过空中耦合、地耦合、供电线耦合等方式,反馈至低电平点所造成。

自激将使放大器工作状态由自激信号决定而使设计失效,为致命性问题,必须事前尽力避免。

这要求在原理图设计合理的基础上,在PCB设计时做到:电平相差悬殊(一般40dB以上)的两点a.在空间上尽可能远b.处于屏蔽盒内外或分处不同的屏蔽盒c.最好能够分处PCB的两面。

热量分散中高功率放大器、LDO等热量耗散较大的器件,在放置时应较为平均地分布在PCB上,防止PCB工作时局部过热,降低可靠性并使电路的增益、噪声系数等参数随温度发生较大变化。

退耦电容的放置退耦电容的放置原则是尽量靠近被退耦的元件脚(某些特别指明该退耦电容同时参与匹配的情况除外,如RDA400M功放)。

当退耦元件为几只不同容值的电容并联时,排列原则是容值小的更近,如图一所示:典型单元电路内元件放置如图2所示,这是一个放大器的单元电路,C650、C631、R615、L606作为该放大器的供电部分应紧靠U611放置,如图3所示。

RF射频集成电路设计与测试

RF射频集成电路设计与测试
雷达系统中的射频集成电路需要具备高灵敏度、低噪声、快速响应和抗干 扰能力等特点,以确保雷达系统的可靠性和准确性。
物联网系统中的应用
随着物联网技术的发展,射频集成电路 在物联网领域的应用也越来越广泛。在 物联网系统中,射频集成电路被用于无 线传感器网络、智能家居、智能交通等
领域。
物联网系统中的射频集成电路需要具备 低功耗、小型化、高可靠性和低成本等 特点,以满足物联网大规模应用的需求
电磁仿真技术
01
时域有限差分法( FDTD)
用于模拟电磁波在二维平面内的 传播。
02
有限元法(FEM)
03
矩量法(MOM)
将问题域离散为有限个小的单元 ,通过求解每个单元的场量来逼 近整体问题的解。
将电磁波的波动方程转化为求解 矩阵方程的问题,适用于求解天 线、微波器件等复杂结构。
CHAPTER 03
医疗电子系统中的射频集成电路需要 具备高可靠性、低功耗和小型化等特 点,以确保医疗设备的稳定性和安全 性。
THANKS
[ 感谢观看 ]
2
通过光刻、刻蚀、沉积等工艺,可以制造出各种 微型机械元件,如微振荡器、微传感器和微执行 器等。
3
MEMS工艺在射频集成电路中用于实现高频元件 和滤波器等。
纳米压印工艺
纳米压印工艺是一种高分辨率、高效率的制造技术。
通过将模板上的图案转移到衬底上,可以制造出具有高精度和一致性的电路元件。
纳米压印工艺具有低成本、高产量和可重复性高的优点,在射频集成电路制造中具 有广阔的应用前景。
可靠性分析软件
如Silvaco TCAD等,用于分析器件可靠性和 寿命。
设计中的关键问题
信号完整性
确保信号在传输过程中 不发生畸变或失真。

RF Circuit design(Topic 8)_Lumped Filter

RF Circuit design(Topic 8)_Lumped Filter
2 0
步骤三:计算元件阶 数n 。 (也可 通 过 查 表) ε = 100.1 As − 1
Mag = 10−0.1 Ar
cosh −1 1 − Mag 2 n≥ cosh −1 Ω
[
]
也可根据衰减大于30dB选取阶数 n取整数3
带通滤波器设计实例
步骤四: 查表得原型元件值gi并进行归一化计算。
由于g0 =1,导纳和阻抗一样,对其没有影响; g γ = 0 若gn+1是导纳需要先转换成阻抗再进行变换。 g0 阻抗变换可在频率变换完成后进行。 Y0
0
g0为 电阻 g0为 电导
频率变换
低通滤波器
对截止频率进行变换
高通滤波器
截止频率变换成高通滤波器的通带起始频率
带通和带阻滤波器
g0
低通LC滤波器原型
g2 … g1 g3 … … (n为偶偶) gn+1 或 gn … gn … (n为奇偶) gn+1
基本LC低通滤波器
归一化条件: 阻抗归一化为1 ; 低通截止角频率为1rad/s。 g0 是输入端(源)的导抗值, gn+1 是输出端(负载)的导抗值。
g0
(a)
g1 g3 … … … (n为偶偶) gn gn+1 或
电容输入式
gn … gn+1 … (n为奇偶)
g2
gi 和gi+1交替地为导纳或阻抗, n为奇数,则输入/出端同为导纳或阻抗, n为偶数,则输入/出端元件描述不同。
(b)
电感输入式
n:阶数 原型函数极点的数目; 低通原型中电抗性元件的数目。
阻抗缩比(电阻变换) 阻抗缩比(电阻变换)
通常低通原型的g0值等于1,而gn+1可能是其他值, 取决于选取滤波器的类型。 实际滤波器输入阻抗一般不为1 (经常为50 ), 因此需要进行变换。 g0变换成一个较高值时,每个电感值增大,每个电 容值减小,每个电阻值增大。 g0或gn+1可能是阻抗或导纳,正确的阻抗变换需要将 导纳变换成阻抗值再进行变换。 Z
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由公式计算2dB噪声圆的圆心和半径:
2 10
F = 10
Qk = dF =
( F − Fmin ) Z 0 (|1 + Γ opt |) 2 = 0.102 4 RN Γ opt Qk + 1 = 0.563∠100 , rF =
o
Qk [Qk + 1 − (| Γ opt |)] Qk + 1
= 0.245
将上式变换为以 Γ s 为自变量的圆方程,即
等驻波比圆
R I (Γ s − dVRIMn ) 2 + (Γ s − dVIIMn )2 = rV2IMN
其中
dVIMN =
(1 − Γ IMN )Γ
2
1 − Γ s Γ IMN
* in 2
rIMN =
(1 − Γin ) Γ IMN
2
1 − Γ s Γ IMN
3.50
4.00 FREQ[GHz]
4.50
5.00
(b)
图 低噪声放大器设计结果
等驻波比圆
1.2较佳规格, 1.5一般规格, 2.0基本规格。
放大器设计时,通常对其输入或输出端口的 驻波比要求为:1.5≤VSWR≤2.5。 输入、输出端口的VSWR由输入、输出端口 匹配网络确定。 输入、输出匹配网络的设计又受其他设计参 数影响。 为了考察VSWR的影响,将其标在Smith圆图 上。
Real Cs (step):=Re (f (Rs, 2·π·step)+Cs ) Imag Cs (step):=Im (f (Rs, 2·π·step)+Cs )
单向化设计 等增益圆公式
设计实例
相切点的源反射系数为:
Γs=0.141035+j0.522189 = 0.541∠74.886o
Γs − Γopt = (1 − Γs ) ⋅ 1 + Γopt
2
2
2
Fk − Fmin ⋅ 4R / Z n 0
噪声系数圆
进一步配方整理可得:
Γs − Γopt 1 + Qk
2
=
Qk + Qk (1 − Γopt )
2
2
(1 + Qk )
2
式中, Qk = 1 + Γopt
N0 = 4 RnGopt
NF性质: ① Ys=Yopt时噪声最小
② Γ s=Γopt时噪声最小
• NF min • Rn
1 − Γopt
2
—最小噪声系数 最小噪声系数 —等效噪声电阻 等效噪声电阻
j θ opt
③ Ys与Yopt偏离时,噪声 与Rn有关
• Γ opt = Γ opt e
—最佳的信源反射系数 最佳的信源反射系数
将符合G=8dB,Fk=1.6dB要求 的圆标在圆上。 选定Γs再计算出ΓL,再设计对 应匹配网络。 由ΓMS=0.3∠-18o可知最小噪声 和最大增益无法同时得到。
设计实例
已知 GaAs FET在4.0 GHz的参数为: S11=0.6∠-60o, S12=0.05∠26o , S21=1.9∠81o , S22=0.5∠-60o 。 噪 声 参数为:Fmin=1.6dB,Rn=20 ,Γopt=0.62∠100o 。 设计放大器,保证噪声为2dB,增益最大。 解:
2 n 2 2 n * n n
2
2 in 0 输出端总噪声功率 NF = = 2 仅由信源产生的输出端噪声功率 ins 0
2 网络输出端总噪声电流均方值: in20 = inS 0 + in + YS un
2
有噪声网络
Ys
2 un
Z
无噪声网络
(a)
Ys
2 un
i n2
Z
(b)
i + Ys u + 2 Re(Ys u i ) = 1+ 4kTGs B
有源网络噪声参数一般表示式
b = 4kTrb ∆f '
2 ine = 2qI e ∆f
2 inc = 2qI c ∆f 2 in = 2qI c ∆f ⋅ F ( f )
(发射极) (集电极) (分配)
f h = 0.04 I c rb f T
2
Fk − Fmin ⋅ 4R / Z n 0
Fk选定后,Qk为常数。 将上述方程标在Γs的Smith圆图上:
Γs − d Fk
2
= (Γs − d Fk ) + (Γs − d Fk ) = rF2k
R R 2 I I 2
I
圆心: F = d F + jd F = d
T
注:闪烁噪声是所有线性器件固有的随机噪声,也称 作1/f 噪声,因为噪声振幅与频率成反比。
噪声参数估算
根据定义 B=∆ f Y S = G S + jB S 2 网络输出端信源噪声电流均方值: ins 0 = 4kTGS B 等效噪声电压源用等效噪声电 阻Rn表示: un2 = 4kTRn B
NF = 4 kTG s B + in + YsU n 4 kTG s B
2
闪烁(1/f)噪声 最小噪声系数 NFmin ≈ 1 + h(1 + 1 + 2 / h )
2 ind = 4kT∆f g m 0 P
FET
沟道热噪声 2 2 ing = 4kT∆f (ω 2C gs / g m 0 )R 栅感应噪声 谷际散射与高场扩散噪声 闪烁噪声 f NF min ≈ 1 + 2 PR (1 − C 2 ) 最小噪声系数 f
ΓS
1
I
Γopt
ΓS
R
2
Fk = 4dB
Γopt = 0.89∠550 Rn = 20.1Ω Fmin = 0.6dB
噪声系数圆的性质
在等噪声系数圆上各点的Γs值不同,但可得相同的 Fk值。 把等噪声系数圆和稳定判别圆画在同一圆图上时, 对于潜在不稳定情况,可以避开不稳定区而选取稳 定区内的Γs值,以满足同样Fk的要求。 如果Γopt 落在不稳定区,则说明最小噪声系数一般 不能实现。 在圆图上还可画出Γs平面上等功率增益圆,选择时, 可利用等F圆和等GA圆来兼顾噪声和增益的要求。
噪声参数(NFmin、|Γopt|、θopt、Rn)的 噪声参数 Γ 、 的 测量
调整可调匹配器1和可调匹配器2,先使NF达到最 小,再使增益最大,即输出达到匹配,得NFmin FET
窄带 噪声源 调配器1
A
调配器2
噪声系数 测试仪
调匹配器1不动,关噪声源,去掉被测微波管,用 网络分析仪测反射系数得 A
讨论 Γ IMN 的取值。
2
由 Pin = PA (1 − Γ IMN ) 假定匹配网络是无耗网络,又有 Pin = PA 令两式相等,则求出:
Γ IMN
(1 − Γ s )
2
1 − Γin Γ s
2
(1 − Γin )
2
Γ* − Γ s Γ in − Γ* s = = in 1 − Γ s Γin 1 − Γ s Γin
RF Circuit Design: Theory and Application
福州大学通信工程系 许志猛
TOPIC 12
主要内容
有源二端口网络的噪声参量 低噪声放大器的设计方法
设计实例
等驻波比圆
设计实例
宽带放大器
频率补偿网络 平衡放大器设计 负反馈电路
LNA放大器 放大器
现代无线通信系统要求功率辐射小、作用距 离远、覆盖范围大,这对系统的接收灵敏度 提出了更高的要求。 在无线通信系统中,能有效提供灵敏度的关 键因素就是降低接收机的噪声系数NF。 决定接收机的噪声系数的关键部件就是处于 接收机最前端的低噪声放大器。 如何通过设计匹配网络,使得放大器的噪声 系数符合设计指标是接下来讨论的问题。
对许多放大器来说,在低噪声前提下对信号进行放大是 系统的基本要求。 遗憾的是,放大器的低噪声要求与其它参数相冲突。例 如,最小噪声特性和最大增益就不能同时实现。 将噪声参数标在Smith圆图上,可以方便观察、比较噪 声系数与增益和稳定性之间的相互关系。 为了将特定的噪声系数Fk与Γs联系起来,我们将上述一 般表达式改写为:
R
k k k
Γopt 1 + Qk
半径: r
Fk
=
Qk + Qk (1 − Γopt )
2
2
(1 + Qk ) 2
噪声系数圆的性质
若给出一系列Fk 值,在 圆图上对应一系列等F 圆:
当Fk=Fmin 时 ,可得最 小 噪声系数。此时Qk=0, 圆心坐标dFk=Γopt ,而且 rFk=0 。 所有等噪声圆的圆心都 落在原点与Γopt 点的连线 上。 噪声系数越大,则圆心 距离原点越近而且圆半 径越大。
噪声系数与反射系数无关,但是却是源阻抗的函数。将 等增益圆映射到Γs上。 映射后的等增益圆: dgs=0.29∠-18o,rgs=0.18。此圆上的Γs都能满足增益要求。
设计实例
要符合噪声系数的指标要求, 必须保证Γs落在Fk=1.6dB等噪 声系数圆内。 等噪声圆的圆心和半径:
Qk=0.2 ,rFk=0.36,dFk=0.42 ∠45o
设计实例
放 大 器 工 作 频 率 f=2.4GHz , 相 应 的 S 参 量 为 : 该晶体管的噪声参数为: Fmin=1.5dB,Rn=4Ω, Γopt=0.5∠45o。 解:
S11=0.3∠30o , S12=0.2∠-60o , S21=2.5∠-80o , S22=0.2∠-15o。要求增益为8dB,噪声系数小于1.6dB。
放大器的输出与输入驻波比
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