电力电子总结完美版

电力电子总结完美版
电力电子总结完美版

一、填空题

1、对SCR 、TRIAC 、GTO 、GTR 、Power MOSFET 、这六种电力电子器件,其中要用交流

电压相位控制的有SCR TRIAC 。可以用PWM 控制的有GTO GTR Power MOSFET IGBT;要用电流驱动的有SCR TRIAC GTO GTR (准确地讲SCR 、TRIAC 为电流触发型

器件),要用电压驱动的有Power MOSFET IGBT ;其中工作频率最高的一个是Power MOSFET ,功率容量最大的两个器件是SCR GTR;属于单极性的是Power MOSFET;可能发生

二次击穿的器件是GTR,可能会发生擎住效应的器件是IGBT ;属于多元集成结构的是Power

MOSFET IGBT GTO GTR 。

2、SCR 导通原理可以用双晶体管模型来解释,其触发导通条件是阳极加正电压并且门极有触发电流,其关断条件是阳极电流小于维持电流。

3、GTO 要用门极负脉冲电流关断,其关断增益定义为最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值的比即off β=ATO GM

I I ,其值约为5左右,其关断时会出现特殊的拖尾 电流。 4、Power MOSFET 通态电阻为正温度系数;其定义式为=

|DS DS U GS I ≥0,比较特殊的是器件体内有寄生的反向二极管,此外,应防止其栅源极间发生擎住效应。

5、电力二极管额定电流是指最大工频正弦半波波形条件下测得值,对于应用于高频电力电子电路的电力二极管要用快恢复型二极管,但要求其反向恢复特性要软。

6、在电力电子电路中,半导体器件总是工作在开关状态,分析这类电路可以用理想开关等效电路;电力电子技术的基础是电力电子器件制造技术,追求的目标是高效地处理电力。

7、硬开关电路的电力电子器件在换流过程中会产生较大的开关损耗,主要原因是其电压波形与电流波形发生重叠,为了解决该缺陷,最好使电力电子器件工作在零电压开通,零电流关断状态;也可采用由无源元件构成的缓冲技术,但它们一般是有损耗 的。

8、电力电子电路对功率因数的定义与线性电路理论的定义在本质上的差别是有基波因数。

9、交流调压电路采用由两个SCR 反并联接法组成交流开关作为控制,若交流电路的大感性

负载阻抗角为80度,则SCR 开通角的移相范围80度到180度。

10、SCR 三相全控变流电路带直流电动机负载时,其处于整流状态时触发角应满足小于90度 条件;其处于有源逆变状态时触发角应满足大于90度 条件;SCR 的换流方式都为电网

换流。

11、有源逆变与无源逆变的差异是交流侧接在电网上还是接在负载上;加有续流二极管的任何整流电路都不能实现有源逆变的原因是负载被二极管短路不能产生负电压。逆变角的定义是α>90度时的控制角βπα=-

12、电压源逆变器的输出电压是交流方 波;其逆变桥各臂都要反并联 二极管。

13、SPWM 的全部中文意思是正弦脉冲宽度调制,这种技术可以控制输出交流的大小;产

生SPWM 波的模拟法用自然采样法。而计算机则采用规则采样法。

14、单端正激式DC/DC 变换电路要求在变压器上附加一个复位 绕组,构成磁复位 电路;

反激式DC/DC 变换电路与Buck-Boost 直流斩波器类似。 15、肖特基二极管具有工作频率高 ,耐压低 的应用特点。肖特基二极管具有反向恢复时间短,正向压降小,耐压低,效率高等特点。

16、GTR 关断是工作点应在 截止 区,导通时工作点应在 饱和 区;它有可能因存在 二

次击穿而永久失效的缺陷。

17、快恢复二极管的开关时间是反向恢复时间,高频使用时还要求其反向恢复速度快、特性

软 。

18、SCR 三相半波可控整流电路的输出电压中所含交流分量的最低次谐波为 3 次,此电路

中的SCR 地自然换相点为α=30度。

19、输入电压为100V ,输出功率为1000W 的推挽式逆变器,其开关器件用占空比为0.4的PWM 波控制,在理想条件下加在器件上的最高电压达 200V ;对这种电路的基本要求是

各个电路元件都要参数一致。

20、SCR 三相桥式全控整流电路的输出电压所含交流分量的谐波为6K(K 为正整数)次谐波,

以线电压为纵坐标,则其第一相的自然换相点在横坐标电角度的位置为30度 。 21、达林顿管为 电流 控制型器件,IGBT 为 电压 控制型器件。

23、GTR 器件的最重要的开关参数是 开通时间和关断时间 ;快恢复二极管的最重要的开关

参数是 反向恢复时间 。

24、单相桥式全控整流电路中的SCR 最大移相范围,在大电感负载下,对有接续流二极管的

为 π ,对不接续流二极管的为 π/2 。 25、单极型半导体器件的定义是 只有一种载流子参与导电的半导体器件 。 26、电力电子器件的功率损耗有 通态损耗、短态损耗和开关损耗 这几个部分。

28、IGBT 的拖尾电流是指其在 关断 期间出现的 较大电流 现象。 29、在电力电子器件上附加的缓冲电路的主要目的是 防止过电压、过电流 。

30、有源逆变的定义是 交流侧接在电网上 ,发生逆变失败的原因是①触发电路不可靠②晶闸管发生故障③在逆变工作时,交流电源发生缺相或突然消失④换相裕量角不足,引起换相失败。加在续流二极管的任何整流电路都不能实现有源逆变的原因是 无法提供负极性电压。

31、GTR 的SOA 区由 最高电压ceM U 集电极最大电流cM I 和最大耗散功率cM P 和二次击穿临

界线SB P 。

32、IGBT 发生擎住效应的主要原因是 集电极电流过大(静态擎住效应)或CE u d /dt 过大(动

态擎住效应)。

33、Power MOSFET 的跨导定义是D GS

dI dU 。 34、SPWM 与PWM 的区别是前者指的是 脉冲宽度按正弦规律变化且与正弦波等效 。

35、可以使用单极性PWM 控制的电路是 单相桥式逆变电路 ,它与双极型控制的电路不同

在于其输入的PWM 波有三个电平。

36、对SCR 触发电路的同步要求指的是触发电路与电源之间保持 同频率、同相位 。SCR

能关断的条件是 外电压和外电路作用下使电流降至接近于0的某一数值下 。

37、SCR 三相半波可控整流电路的输出电压中所含交流分量的最低次谐波为 150 HZ 。自然

换相点为 相电压30度处 。其SCR 的最大导通角为 120度 。在纯电感负载下,对有接续流二极管的最大触发角为 150度 。不接续流二极管的为 90度 。 38、直流斩波电路在改变负载的直流电压时,常用控制方式有 脉宽调制、脉频调制 两种。

39、在单相交流调压电路中,负载为电阻性时移相范围是 0到180度 ,负载为阻感性负载

时移相范围是?απ≤≤。

40、根据流过变压器是 直流脉动电流 和 交流电流 间接直流组合电路可分为 单端 和 双

端 电路两大类。

41、采用间接直流组合交流电路(隔离型)是因为 输出端与输入端需要隔离 、某些应用中

需要相互隔离的多路输出、输出电压与输入电压的比例远小于1或远大于1、交流环节采用

较高的工作频率,可以减小变压器和滤波电感、滤波电容的体积和重量 。

43、负载换流逆变电路输出电容作用是 使负载过补偿,工作在容性 ,采用电力电子器件是

晶闸管 。

44、电路的换流方式有 器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流 ,可以实现器件换流的

电力电子器件是 IGBT Power MOSFET GTO GTR 。

45

,根据软开关技术发展的历程可以分为 准谐振电路、零开关PWM 电路和零转换PWM 电路 。

46、 载波信号和调制信号不保持同步的调制方式 是异步调制,其特点是 通常载波频率c

f 固定不变,而信号波频率r f 变化,载波比N 是变化的 ; 载波比N 等于常数,并在变频时

使载波和信号波保持同步的方式 是同步调制,其特点是 载波比N 不变 。

47、交交变频电路中制约输出频率提高的因素是 电压波形畸变以及由此产生的电流波形畸

变和电动机转矩脉动 。

48、三相全桥可控整流电路中,SCR 触发角α的最大可控相角,在极大电感负载下,对有

接续流二极管的电路为 120° ,对不接续流二极管的电路为 90°。 49、全桥逆变电路中发生器件共态导通现象的原因是 功率开关关断需要时间 ,要避免该现

象发生,必须 先通后端(或留有死区时间)。

50、电力电子开关在关断感性电路时应该有 du/dt 抑制(或缓冲)电路,而在开通直流容性

电路时应该有 di/dt 抑制 电路。

二、简答题

1、分析晶闸管的开通与关断。

答:如图,开通过程:由于晶闸管内部的正反馈过程需要时间,再加上外电路电感的限制,

晶闸管受到触发后,其阳极电流的增长不可能是瞬时的。 延迟时间td (0.5~1.5μs),上升时

间tr (0.5~3μs),开通时间tgt=td+tr 。延迟时间随门极电流的增大而减小,上升时间除反映

晶闸管本身特性外,还受到外电路电感的严重影响。提高阳极电压,延迟时间和上升时间都

可显著缩短。关断过程:由于外电路电感的存在,原处于导通状态的晶闸管当外加电压突然由正向变为反向时,其阳极电流在衰减时必然也是有过渡过程的。反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间tgr,关断时间tq=trr+tgr,关断时间约几百微秒。在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压,晶闸管会重新正向导通,而不是受门极电流控制而导通。

2、在理想条件下,单相全桥式SPWM正弦波逆变器要求

1)画出单极性SPWM调制波形

i>0时,+Ud,0,-Ud各自对应哪些功率器件开通

2)负载电流

o

i<0时,+Ud,0,-Ud各自对应哪些功率器件开通

负载电流

o

答:1)如图

2)A:电压为正时,V1和V4导通,电压为零时,V1导通,V4关断,VD3导通与V1形成回路续流,电压为负时,VD2和VD3导通

B:电压为正时,VD1和VD4导通,电压为零时,V2导通,V1关断,VD4导通与V2形成回路续流,电压为负时,V2和V3导通

3、全桥式逆变电路阻感负载情况下,输出电压及电流波形如图所示,指出主控开关管的耐压为多少,电流最大值为多少(设输入电压为400V,纯电阻负载最大输出功率为3000W,无移相)。若负载含极大电感且存在移相,t0~t6各时间段电流流通哪些器件?二极管有何作用?

答:输入电压Ui=400V ,最大输出功率Po=3000W 。主控开关管耐压为400V 。假设效率为

100%,则输入的最大平均电流为3000/400=7.5A ,主控开关管最大电流为7.5A 。 to~t1时,

V1和V4导通形成回路,t1~t2时,V1和VD3导通形成回路,t2~电流为零时,VD3和VD2

导通形成回路,电流为零~t3时,V2和V3导通形成回路,t3~t4时,V2和VD4导通形成回

路,以后的过程和前面类似。逆变桥各臂都并联了反馈二极管,是为了给交流侧向直流侧反

馈的无功功率提供通道。

4、定性画出SCR 器件的输出-触发特性伏安图,在途中标明SCR 重要的电压、电流参量名

称。

答:如下:

Ubo:正向转折电压 DSM U :断态不重复峰值电压 DRM U :断态重复峰值电压

RRM U :反向重复峰值电压 RSM U :反向最大瞬态电压 H I :维持电流

5、在理想条件下,Boost 式DC/DC 工作在电感电流连续模式,绘出其在一个周期中的各阶

段等效电路图并导出其电压表达式。

答:如下:

Boost 电路图:

当晶闸管导通时的等效电路图:E

R

当晶闸管关断后的等效电路图:

E R

当电路工作于稳态时,一个周期T 中电感L 积蓄的能量与释放的能量相等,即EI 1t on =(Uo-E)

I 1t off ,化简得Uo=(t on+ t off )*E/ t off =T*E/ t off 。

6、在理想条件下,导出Buck 式DC/DC 的电感电流连续下的输出电压表达式。

答:从负载上看,在整个周期L 中流出的电流等于等于流出的电流,由伏秒积平衡有(E-Uo )

ton=Uotoff,得Uo=aE 。

7、某人设计一个工作频率为150KHZ ,功率为500W 的隔离型单端正激式DC/DC 电路。如

图所示,但通电试验时不能工作,请指出该电路所有的设计错误处(包括元件是否合适),

说明理由并改正电路错误之处(要求改正后电路仍为正向式DC/DC 电路)

答:如下:

控制

电路.V1

VT1

设计错误之处:(1)VT1不能用GTR ,应用Power MOSFET;

工作频率为150KHZ ,GTR 不能满足要求;

改正:在图上画出Power MOSFET 。

(2)输出侧遗漏续流二极管;

输出侧要加续流二极管;

改正:在图上画出续流二极管。

(3)应该有磁复位绕组;

无磁复位绕组,T1很快会饱和;

改正:在图上画出磁复位绕组。

8、在理想条件下,绘出输入电压为100V,输出功率为1000 W ,工作频率为1.0HZ 的半桥式

变换器电路的各控制开关(此时各开关管的控制信号的占空比均为0.4)的电压、电流波形。

答:波形图如下:S1和S2承受的峰值电压均为Ui=100V,电流连续时Uo=80*N2/N1

9、在理想条件下,单相全桥式DC/DC变换器电路中的输入电压为300V,最大输出功率为

1200W,各开关管的开关占空比为0.4。(1)求主开关管的耐压为多少?(2)画出任一并联于输入端的一组两个开关管的电压波形。

答:(1)Ui

(2)

9、下图是单相交交变频电路的原理图及其输出电压电流波形,请分别指出电压电流图中的1、3、4、6四种状态下变流器的工作状态,并标出相对应的电压和电流方向。

解:时段1:P组阻断、N组逆变,电压方向:上正下负;电流方向:从下到上;

时段3:P组整流、N组阻断,电压方向:上正下负;电流方向:从上到下;

时段4:P组逆变、N组阻断,电压方向:上负下正;电流方向:从上到下;

时段6:P组阻断、N组整流,电压方向:上负下正;电流方向:从下到上;

10、单端正激及反激变换器的变压器、升压型变换器的储能电感、降压式变化器的滤波电感等铁心的工作状态各属于哪一类?

答:单端正激及单端反激变换器的变压器,属于第II类工作状态,特点是单向磁化,无直流偏置。升压型变化器的储能电感、降压式变换器的滤波电感等铁心属于第III类工作状态,特点是单向磁化,有较大直流偏置。

11、画出电力电子开关器件RCD阻容吸收电路,并说明吸收电路各元件的作用。

答:

R:吸收spike能量

RC:抑制瞬时过电压和过大的电压上升率

二极管:加强开通过程中的过电压吸收

12、画图说明电力电子高频功率磁性元件的三类磁芯工作状态和各自特点。

答:铁心的工作状态

第Ⅰ类工作状态

此类铁心线圈的外加激励电压(或电流)是一个纯交变量,正负半周的波形、幅值及导通脉宽都相同,如推挽或桥式变换器中的主变压器都工作于此类工作状态

第Ⅱ类工作状态

加于铁心线圈的激励电压为单向脉冲,一般是矩形脉冲。例如单端正激式变换器的主变压器及一般脉冲变压器或驱动变压器,都工作于这类工作状态

第III类工作状态

直流滤波电感、储能电感或平波电抗器等电感中,流过电感线圈的电流具有较大的直流分量,并叠加一交变分量。一般情况下,交变分量的平均值比直流分量要小得多。在电流不连续时,两者相等

这类工作状态与第Ⅱ类工作状态的共同之处是:都是单向磁化,都工作于局部磁滞回线。但与第Ⅱ类工作状态的明显不同之处是:

1)交变磁化分量较小;

2)由于含量有较大的直流分量,线圈电流最大值Im较大,相应产生激磁磁场较大;

3)希望铁心储能大。

各类工作状态对应图形如下:

13、给出Power MOSFET在第一象限的静态输出伏安特性图,在图中相应位置上标明能表示其重要性的电压电流名称,同时在图中相应位置上标明开关工作区位置。

答:如下:

14、直流电动机电流可逆斩波电路,(1)指出图中1、2、3、4各阶段对应何种工作状态(2)分别绘出图中1、2两个阶段电流的路径和流向。

V构成升压斩波电路,把直流电动机的动能转变为电能反馈答:1:V2和2D

到电源,使电动机作再生制动运行,工作于第2象限;2:电流可逆斩波电路中,Vl和VDl构成降压斩波电路,由电源向直流电动机供电,电动机为电动运行,工作于第l象限; 3、4极端通过二极管续流。

V导通,电源向负载供电:

1

1V 关断,VD ,续流:

2V 也导通,L 上蓄能:

2V 关断,2D V 导通,向电源回馈能量

17、一个直流可逆拖动系统,设图中直流电动机的电压极性为工作在正转,问(1) 若

系统处于正组开机且触发角为60°而反组关机的状态,指出此时系统的工作状态并说明电

流的流向(2)若要求系统工作在反转电动机状态,指出此时系统的电路接线与控制要求(3)

若两组都处于开机,会出现什么现象?

答:(1)第一象限:正转,电动机作电动运行,正组桥工作在整流状态电流流向如上

图所示。(2)反组工作在整流状态,正组关机。(3)两组变流器同时导通,因为没有环流电

抗器,将会产生很大的短路电流,把晶闸管烧毁。

18、说明“与晶闸管相比,晶体三极管不是真正的开关器件”这句话的含义。

答:晶闸管总是在导通和关断两个工作状态之间切换,所以是真正意义上的开关器件。晶

体管工作在开关状态即工作在截止区或饱和区,在开关过程中,一般要经过放大区,所以

与晶闸管相比,不是真正的开关器件。

19、说明用SCR 全控整流/逆变电路构成有源逆变的条件是什么?

答:①要有直流电动势,其极性需和晶闸管的导通方向一致,其值应大于变流器直流侧的

平均电压。②要求晶闸管的控制角α>π/2,使Ud 为负值。此外,欲实现有源逆变,只

能采用全控电路。

20、说明DC/AC 中输出正弦交流电压能用SPWM 方式控制的原理。

答:将正弦波N 等分,可将其看作N 个脉冲系列组成的波形,将上述脉冲用相同数量等

幅不等宽矩形脉冲代替,使矩形中点与相应正弦波中点重合,各脉冲负值相等宽度按正弦

规律变化,由面积等效原理知,其输出响应波形与正弦波基本相同。

21、画出单端反激式交换器主电路图并说明高频变压器各绕组的同名端并导出其在理想条

件下电感电流连续下的输出电压表达式(思考正激式)。

答:如图,同名端如图所标

根据变压器变比和伏秒积平衡得反激电路在电流连续时的输出电压表达式为

21i on o off

U N t U N t =。 22、与GTR 相比,对场控型器件(如MOSFET )的驱动电路有什么要求?

答(1)具有较小的输出电阻;

(2)开通的栅源电压一般取10~15V ;

(3)关断时施加一定幅值负驱动电压利于减小关断时间和关断损耗;

(4)栅极串一低电阻以减小寄生振荡。

24、什么是电导调制效应?

答:当PN 结上流过的正向电流较大时,由P 区注入并积累在低掺杂N 区的少子空穴浓度

将很大,为了维持半导体的电中性条件,其多子浓度也相应大幅度增加,使得其电阻率明

显下降,也就是电导率大大增加,这就是电导调制效应。

三、计算题

3、 1、SCR 单相全桥整流电路,带阻性负载为5Ω,已知SCR 的触发角为60度角,电源电

压Ui=200V 。(1)求输出电压Ud ,输出电流Id 及其有效值I;(2)绘出输出电压与任意一

个SCR 的电压波形图;(3)若改接在另一个由反电动势E=50V ,阻感性(电感极大、

阻性为5Ω)负载构成的负载上,再求出此时的输出电压,输出电流Id 。

解:(1

)2231

sin()()0.45(1cos )3t d t U π

ππ

ωωπ=+?=135V (2)

(3)d U

= 223

1sin()()0.9cos 3t d t U πππ

ωωπ=?=90V

d I = (d U -E)/R=(90-50)/5=8A

2、三相桥式全控整流电路,U 2=100V ,带电阻电感负载,R =5Ω,L 值极大,当

α=60?时,要求:

①画出u d 、i d 和i VT1的波形;

②计算U d 、I d 、I dT 和I VT ;

③电路的功率因数λ。

解:当α=60?时,输出电压刚好不出现负值①u

、i 和i 的波形如下:

i

②U d 、I d 、I dT VT U d =2.34U 2cos α=2.34×100×cos60°=117(V )

I d =U d ∕R =117∕5=23.4(A )

I DVT =I d ∕3=23.4∕3=7.8(A )

I VT =I d ∕3=23.4∕3=13.51(A )

③I1= I= Id ,ν=I1/I=3/π=0.955,λ=νcos α=0.4775

3、在下图所示的Buck-Boost 斩波电路中,已知E=100V ,R=40Ω,电感电流连续,开关频率

fs=10KHZ,器件V 占空比为0.4,假设器件均为理想。1)计算输入电流平均值I ,输出电流

平均值Io ;2)在一个开关周期上画出如下波形,输出电压uo,器件上电流iv ;3)计算器件

V 和VD 上电流平均值Idv 和IdvD 。

解:(1)α=0.4,Uo=

1αα

-Ui=66.67V ,I=Io=Uo/R=1.67A;

(2)

(3)Idv=αI=0.668A,IdvD=(1-α)I=1.002A 。

4、 在理想条件下,反激型开关变换器电路,已知输出电压为48V ,输入电压变化范围为12V

±15%,输出额定负载1A ,最小负载电流为0.1A ,工作频率为100KHZ ,副原边绕组匝数

比为N2/N1=4.5。电感器的L 值可以保证电路的电感电流连续,采用PWM 控制方法,使

电路的输出电压恒定,不计开关管和二极管的通态压降。1)导出输出电压的表达式;2)

求出开关管的占空比D 与导通时间T ON 范围;3)指出各开关器件应选择何种类器件;4)

画出开关管的电压电流波形和整流二极管电流波形。

解:(1)21i on o off

U N t U N t ==48V ; (2)由(1)知

21on off N t N t =3.48~4.71,又N2/N1=4.5,T=0.01ms,得D=0.776-0.825,T ON=4.37us-4.52us ;

(3)S 选择Power MOSFET,VD 选择快恢复二极管;

(4)

5、 SCR 单相全桥整流电路,已知SCR 的触发角为60度角,电源电压Ui=220V ,试对以下

三种负载情况分别求出输出直流电压Ud 和直流电流Id 。(1)输出接电感值极大,电阻

值为5Ω的阻感负载(2)负载条件同1,但在输出端接个稳流二极管(3)输出负载为

阻感负载且加反电动势,其中电感值很大,电阻值为5Ω,反电动势为48V 。

解:(1)d U

= 2231sin()()0.9cos 3t d t U πππωωπ=?=99V

d I = d U /R=99/5=19.8A

(2) d U

=2231

sin()()0.45(1cos )3t d t U π

ππ

ωωπ=+?=148.5V d I = d U /R=148.5/5=29.7A

(3) d U

= 223

1

sin()()0.9cos 3t d t U πππ

ωωπ=?=99V

d I = (d U -E)/R=(99-48)/5=10.2A

6、 理想条件下的Buck 型DC/DC 电路,已知输出电压为24V ,输出功率为24.48W ,输入

电压变化范围为36~48V ,工作频率为100KHZ ,采用PWM 控制方法使电路的输出电压

恒定。1)求出开关的占空比D 与导通时间Ton 的变化范围;2)求出使Buck 电路处于

临界连续状态时的电感值;3)求出开关管、二极管的电压、电流最大值。

解:(1)o U E α==24V ,得D=0.5~0.67,T=10us,Ton=5us~6.7us

(2) R =23.53Ω,T=10us,imax=1.02A,imin=0.51A ,则⊿i=0.51A,电感量L=(Ui-Uo)*Ton/

⊿i ,即L=Uo(1-D)*T/0.51,上式对D 求导,当D=0.5时,得Lmin=235.3uH 。

(3)最大电压48V ,最大电流1A 。

7、 对于理想条件下的Buck 电路,已知输出电压为12V ,输入电压为24~48V ,输出电阻为

10Ω,工作频率为100KHZ,L值极大,采用PWM控制方法使输出电压恒定,求(1)输入电流范围;(2)控制开关管的导通时间范围;(3)各开关管的最大电压和最大电流。解:(1)按功率守恒去算;(2)2.5us~5us;(3)最大电压48V,最大电流可由(1)求得

8、在理想条件下,Boost型DC/DC斩波电路,已知输出电压为48V,输入电压变化范围为

12~36V,输出电阻为10Ω,工作频率为100KHZ,电感器为L值可以保证电路的电感电流连续,采用PWM控制方法使电路输出电压恒定,求:(1)求出开关管的占空比D 与导通时间Ton的范围;(2)指出各开关器件应选择何种类器件;(3)满足上述电路条件的电感器设计值。

解:

(1)

当Ui=Uimin时,Dmax=1-Uimin/Uo=1-12/48=0.75;

当Ui=Uimax时,Dmin=1-Uimax/Uo=1-36/48=0.25;

D的范围为[0.25,0.75]。

开关周期为Ts=1/fs=1/100ms=10us;

开关管导通时间范围为[2.5us,7.5us]。

(2)二极管应该选择快恢复二极管;

开关管应该选择Power MOSFET。

(3)电感电流连续。输出电流为Io=Uo/R=48/10=4.8A;

I1=1/(1-D)Io=9.6A

临界连续负载电流为I1=[(Uo*T)*D*(1-D)]/2*L;

当占空比D=1/2时,有最大值L=(Uo*T)/8*I1

=48/(100*10^3*8*9.6)=6.25uH

9、SCR三相半波整流电路,阻感负载,电感很大,可以保证电感电流连续,已知输入交流

电源变压器次级电压为220V,电阻值为44Ω,若触发角为30度,(1)试计算此时输出电流平均值Id,有效值I及额定值;(2)若考虑电源变压器有漏抗,则应认为会出现什么现象。

解:(1)U d=1.17U2cos =1.17×220×cos30°=223(V)

I d=U d∕R=223∕5=44.6(A)

I dVT=I d∕3=44.6∕3=14.86(A)

I VT=I d∕3=25.74(A)

(2)①出现换相重叠角γ,整流输出电压平均值Ud降低

②整流电路的工作状态增多。

③晶闸管的di/dt减小,有利于晶闸管的安全开通。

④换相使电网电压出现缺口,成为干扰源

⑤换相时晶闸管电压出现缺口,产生正的du/dt,可能使晶闸管误导通,为此必须

加吸收电路。

10、理想条件下的单相桥式方波逆变器,其输入电压为300V,纯电阻负载,最大输出

功率为1200W,损耗不计,请画出其主电路图,输出电压,电流波形,并给出主控开关管的电压和电流参数(开关管的电压、电流裕量定为2倍)。

解:

基波幅值:

基波有效值:

主控开关参数:电压额定值为600V,电流额定值为6A。

四、重点总结

第一章

电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术

电力变换通常可分为四大类:交流变直流、直流变交流、直流变直流、交流变交流

电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础,而变流技术则是电力电子技术的核心

电力电子器件制造技术的理论基础是半导体物理,而变流技术的理论基础是电路理论

第二章

各种常用电力电子器件工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路称为主电路。

电力电子器件:是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。

电力电子器件在导通或阻断状态下,并不是理想的短路或者断路。导通时器件上有一定的通态压降,阻断时器件上有微小的断态漏电流流过。尽管其数值都很小,但分别与数值较大的通态电流和断态电压相作用,就形成了电力电子器件的通态损耗和断态损耗。

电力电子器件由断态转为通态(开通过程)或者由通态转为断态(关断过程)的转换过程中产生的损耗,分别称为开通损耗和关断损耗,总称为开关损耗。

通常来讲,电力电子器件的断态漏电流都极其微小,因而通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要原因。当器件的开关频率较高时,开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。

电力电子器件的分类

d

o1m d

4

1.27

U

U U

π

==

d

o1d

0.9

U U

π

==

1)按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件娄为以下三类:

2)按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质,可以将电力电子器件(电力二极管除外)分为电流驱动型和电压驱动型

3)根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间有效信号的波形,又可将电力电子器件(电力二极管除外)分为脉冲触发型和电平触发型

4)按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为单极型器件(也称多子器件)、双极型器件和复合型器件

不可控器件——电力二极管

1. 静态特性(漏电流、导通电压)

2. 动态特性

3. 主要参数:a.正向平均电流 b.正向压降 c.反向重复峰值电压

4. 电力二极管的主要类型

1) 普通二极管(整流二极管):多用于开关频率不高的整流电路,反向恢复时间较长

2) 快恢复二极管:正向电压低、恢复时间短

3) 肖特基二极管:以金属和半导体接触形成,4个优点、3个弱点

半控型器件——晶闸管

1. 晶闸管(SCR)的结构和工作原理

P1N1P2N2

a.给阳极和阴极施加正向电压,

b.给触发电流,产生强烈的正反馈

晶闸管在以下几种情况下也可能被触发:1)阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应;2)阳极电压上升率du/dt 过高;3)结温较高4)光直接照射硅片

典型全控型器件

1) 门极可关断晶闸管(GTO )

与SCR 相比:1.饱和程度较浅; 2.多元集成结构,可以从门极抽出较大的电流

2) 电力晶闸管(GTR )

安全工作区(四条临界线) 工作在截止区和饱和区

3) 电力场效应管(MOSFET )

栅源加正向电压→反型→在漏源正向电压的作用下,单子导电

无电导调制效应

工作在截止区和非饱和区

4) 绝缘栅双极晶体管(IGBT )

在电力场效应管的基础上多一层P 区

正向偏置安全工作区和反向偏置安全工作区

工作在正向阻断区和饱和区

第三章

单相半波可控整流电路单相全波可控整流电路

单相桥式半控整流电路单相桥式全控整流电路

三相半波可控整流电路三相桥式全控整流电路

电容滤波单相不可控整流电路电容滤波三相不可控整流电路大功率可控整流电路触发角和导通角的概念

触发角:从晶闸管开始承受正向阳极电压起,到施加触发脉冲止的电角度

导通角:晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度

晶闸管承受的最大正、反向电压;移相范围

3.1.2 单相桥式全控整流电路

1.电阻负载的工作情况

4个晶闸管、最大正向电压、最大反向电压、触发角

最大正、反向电压分别是u2和u2

对一组处于工作的桥臂,当断态时,每个晶闸管承受的电压是变压器二次侧电压的一半(考虑方向);导通时,电压为零

对不处于作状态的桥臂,当断态时,每个晶闸管承受的电压是变压器二次侧电压的一半(考虑方向);当负载导通时,每个管承受的电压为变压器二次侧电压

当两组桥臂都不工作时,每个晶闸管承受的电压是变压器二次侧电压的一半(考虑方向),波形Ud、Utv1,4 I2

2.带阻感负载的工作情况

与电阻负载相比:每组晶闸管导通时间为180度,负载电流为一条直线;不会出现两组桥臂都不工作的情况,因此,断态时每个晶闸管承受的电压一定等于变压器二次侧电压

移相范围为0~90,这是由于受到输出电压平均值必需>=0,处于整流状态的限制

晶闸管的移相反围:0~90(有表达式看出)晶闸管的导通角为180(有波形看出)

最大正、反向电压都是u2

3.带反电动势负载时的工作情况

停止导通角触发角被推迟

4.带反电动势阻感负载时的工作情况

类似于感性负载(克服掉反电动势的作用),注意扣掉反电动势

3.1.3 单相全波可控整流电路

与单相桥式全控整流电路的对比

3.1.4 单相桥式半控整流

与单相桥式全控整流电路相比:带阻性负载时波形一样,感性时由于电力二极管不存在续

流作用,因此,电压波形不会连续。(错误,依然存在续流,但电压为零)

实际应用中需加设续流二极管,避免失控

当由电感维持电流时,电流不经过变压器二次绕组,负载电压为零

3.2.1 三相半波可控整流电路

为得到零线,变压器二次侧必须接成星形,而一次侧接成三角形,避免3次谐波流入电网。共阴极接法

三个二极管对应的相电压中哪一个最大,则该相所对应的二极管导通,并使另两相的二极管承受反压关断,输出整流电压即为该相的相电压。

一周期内三个二极管轮流导通120度

在相电压的交点处均出现了二极管换相,即电流由一个二极管向另一个二极管转移,称这些交点为自然换相点。

变压器二次侧绕组电流有直流分量

对于阻性负载:

导通时只要电压为正即可导通,没有电压必需大于其它两相的限制

导通角的移相范围是:0~150

对于阻感性负载:

理解不同触发角导致负载电流的不同

平均电压Ud、负载电流平均值Id、晶闸管承的最大反向电压URM 、UFM

3.2.2 三相桥式全控整流电路

把既能工作在整流状态又工作在逆变状态的整流电路称为变流电路

产生有源逆变的条件:

1)要有直流电动势,其极性需和晶闸管的导通方向一致,其值应大于变流器直流侧的平均电压

2)要求晶闸管的控制角大于90度,使Ud为负值

必须指出,半控桥或有续流二极管的电路,因其整流电压Ud不能出现负值,也不允许直流侧出现负极性的电动势,故不能实现有源逆变。欲实现有源逆变,只能采用全控电路

第四章

单相半桥逆变电路单相全桥逆变电路带中心抽头变压器的逆变电路

三相电压型桥式逆变电路

单相桥式电流型逆变电路

三相电流型逆变电路

多重逆变电路多电平逆变电路

当交流侧接在电网上,即交流侧接有电源时,称为有源逆变。

当交流侧直接和负载连拉时,称为无源逆变

4.1.1换流方式

1)器件换流

利用全控型号器件的自关断能力进行换流

2)电网换流

由电网提供换流电压

3)负载换流

由负载提供换流电压。凡是负载电流的相位超前于负载电压的场合,都可以实现负载换流

4)强迫换流(电容换流)

设置附的换流电路,给欲关断的晶闸管强迫施加反向电流的换流方式。强迫换流通常利用附加电容上所储存的能量来实现,因此也称为电容换流

换流方式的两大类:

逆变电路根据直流侧电源性质的不同可分为两种:直流侧是电压源的称为电压型逆变电路;直流侧是电流源的称为电流型逆变电路。它们也分别被称为电压源型逆变电路和电流源型逆变电路

第五章

降压斩波电路 升压斩波电路 升降压斩波电路 Cuk 斩波电路 Sepic 斩波电路 Zeta 斩波电路 电流可逆斩波电路 桥式可逆斩波电路 多相多重斩波电路

正激电路 反激电路 半桥电路 全桥电路 推挽电路

全波整流 全桥整流 同步整流

DC/DC 变换器

实现功能:直流电幅值变换; 直流电极性变换; 直流电路阻抗变换

非隔离型:Buck 电路Boost 电路Buck-Boost 电路

隔离型:反激式变换电路正激式变换电路半桥变换电路全桥变换电路推挽变换电路 PWM 脉冲宽度调制

工作过程中,开关频率不变化,开关导通的时间按照要求变化。D=t on /T

PWM 脉冲频率调制

工作过程中,开关接通的时间不变,开关频率按照要求变化。

混合式

工作过程中,开关接通的时间和频率都变化。

降压型(Buck)斩波电路——电流连续

负载电压与电源电压的关系为:DU U O

电力电子课程学习心得

前沿 在大二学习模电之后,这学期我们开始接触电力电子器件和多种变换器。其中包括直流变直流,无源逆变电路,整流和有源逆变电路,交流变交流电路,软开关变换器。电力电子技术(Power Electronics Technology)是研究电能变换原理及功率变换装置的综合性学科,包括电压、电流、频率和波形变换,涉及电子学、自动控制原理和计算机技术等学科。电力电子技术与信息电子技术的主要不同就是效率问题,对于信息处理电路来说,效率大于15%就可以接受,而对于电力电子技术而言,大功率装置效率低于85%还是无法忍受。目前能源问题已是我国面临的主要问题之一,提高电源变换效率是电力电子工程师主要任务. 电力电子器件及应用 电力电子器件特点:1.具有较大的耗散功率2.工作在开关状态3.需要专门驱动电路来控制4.需要缓冲和保护电路。我们在本章学习了功率二极管,场效应二极管,电力二极管,IGBT . 可控整流器与有源逆变器: 主要内容: 整流器的结构形式、工作原理,分析整流器的工作波形,整流器各参数的数学关系和设计方法;整流器工作在逆变状态时的工作原理、工作波形。变压器漏抗对整流器的影响、整流器带电动机负载时的机械特性、触发电路等内容。 学习重点包括: (1) 学习不同型式整流电路的工作原理,波形分析与数值计算、各种负载对 整流电路工作情况的影响。 (2) 变压器漏抗对整流电路的影响,重点建立换相压降、换相重叠角等概念, 并掌握相关的计算,熟悉漏抗对整流电路工作情况的影响。 (3) 掌握产生有源逆变的条件、逆变失败及最小逆变角的限制等。 (4) 熟悉锯齿波移相触发电路的原理,建立同步的概念,掌握同步电压信号的 选取方法。 交-交变换器: 主要内容: 晶闸管单相和三相交流调压器;全控型器件的交流斩波电路;交-交变频器;交-交(AC-AC)变换器的应用。 交流调压电路通常由晶闸管组成,用于调节输出电压的有效值。与常规的调压变压器相比,晶闸管交流调压器有体积小、重量轻的特点。其输出是交流电压,但它不是正弦波形,其谐波分量较大,功率因数也较低。 控制方法: (1) 通断控制。即把晶闸管作为开关,通过改变通断时间比值达到调压的目的。这种控制方式电路简单,功率因数高,适用于有较大时间常数的负载;缺点是输出电压或功率调节不平滑。 (2) 相位控制。它是使晶闸管在电源电压每一周期中、在选定的时刻将负载与电源接通,改变选定的时刻可达到调压的目的。 基本结构和工作原理

电力电子技术总结

1、电力电子技术的概念:所谓电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。 2、电力电子技术的诞生是以 1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。 3、晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件,属于半控型器件。对 晶闸管电路的控制方式主要是相位控制方式,简称相控方式。4、70年代后期,以门极可关断晶闸管( GTO )、电力双极型晶体管( BJT )和电力场效应晶 体管(Power-MOSFET )为代表的全控型器件迅速发展。 5、全控型器件的特点是,通过对门极(基极、栅极)的控制既可使其开通又可使其关断。 6、把驱动、控制、保护电路和电力电子器件集成在一起,构成电力电子集成电路( PIC )。 第二章 1、电力电子器件的特征 ◆所能处理电功率的大小,也就是其承受电压和电流的能力,是其最重要的参数,一般都远大于处理信息的电子器件。 ◆为了减小本身的损耗,提高效率,一般都工作在开关状态。◆由信息电子电路来控制 ,而且需要驱动电路。 ◆自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件,在其工作时一般都需要安装散热器2、电力电子器件的功率损耗 3、电力电子器件的分类 (1)按照能够被控制电路信号所控制的程度 ◆半控型器件:?主要是指晶闸管(Thyristor )及其大部分派生器件。 ?器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。◆全控型器件:?目前最常用的是 IGBT 和Power MOSFET 。 通态损耗断态损耗开关损耗 开通损耗关断损耗

?通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断。 ◆不可控器件:?电力二极管(Power Diode)?不能用控制信号来控制其通断。(2)按照驱动信号的性质 ◆电流驱动型:?通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。 ◆电压驱动型 ?仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控 制。 (3)按照驱动信号的波形(电力二极管除外) ◆脉冲触发型 ?通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开通或者关断的控 制。 ◆电平控制型 ?必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电流信号来使器件 开通并维持在导通状态或者关断并维持在阻断状态。 4、几种常用的电力二极管:普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管 肖特基二极管优点在于:反向恢复时间很短(10~40ns),正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲;在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小,明显低于快恢复二极管;因此, 其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率高。 弱点在于:当所能承受的反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求,因此 多用于200V以下的低压场合;反向漏电流较大且对温度敏感,因此反向稳态损耗不能忽略,而且必须更严格地限制其工作温度。 5、晶闸管除门极触发外其他几种可能导通的情况 ◆阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应◆阳极电压上升率du/dt过高 ◆结温较高◆光触发

基于Matlab的电力电子技术课程设计报告

《电力电子技术》 课程设计报告 题目:基于Matlab的电力电子技术 仿真分析 专业:电气工程及其自动化 班级:电气2班 学号:Z01114007 姓名:吴奇 指导教师:过希文 安徽大学电气工程与自动化学院 2015年 1 月7 日

中文题目 基于Matlab 的电力电子技术仿真分析 一、设计目的 (1)加深理解《电力电子技术》课程的基本理论; (2)掌握电力电子电路的一般设计方法,具备初步的独立设计能力; (3)学习Matlab 仿真软件及各模块参数的确定。 二、设计工作任务及工作量的要求〔包括课程设计计算说明书(论文)、图纸、实物样品等〕: (1)根据设计题目要求的指标,通过查阅有关资料分析其工作原理,设计电路原理图; (2)利用MATLAB 仿真软件绘制主电路结构模型图,设置相应的参数。 (3)用示波器模块观察和记录电源电压、控制信号、负载电压、电流的波形图。 三、设计内容 (1)设计一个降压变换器(Buck Chopper ),其输入电压为200V ,负载为阻感性带反电动势负载,电阻为2欧,电感为5mH ,反电动势为80V 。开关管采用IGBT ,驱动信号频率为1000Hz ,仿真时间设置为0.02s ,观察不同占空比下(25%、50%、75%)的驱动信号、负载电流、负载电压波形,并计算相应的电压、电流平均值。 然后,将负载反电动势改变为160V ,观察电流断续时的工作波形。(最大步长为5e-6,相对容忍率为1e-3,仿真解法器采用ode23tb ) (2)设计一个采用双极性调制的三相桥式逆变电路,主电路直流电源200V ,经由6只MOSFET 组成的桥式逆变电路与三相阻感性负载相连接,负载电阻为1欧,电感为5mH ,三角波频率为1000Hz ,调制度为0.7,试观察输入信号(载波、调制波)、与直流侧假想中点N ‘的三相电压Uun ’、Uvn ’、Uwn ’,输出线电压UV 以及负载侧相电压Uun 的波形。 四、设计方案 实验1:降压变换器 dc-dc 变流电路可以将直流电变成另一固定电压或可调电压的直流电,包括直接直流变流电路和间接直流变流电路。其中,直接直流变流电路又称为斩波电路,功能是将直流电变为另一直流电。本次实验主要是在Matlab 中设计一个降压斩波电路并仿真在所给条件下的波形和数值与理论计算相对比。降压斩波电路原理图如下所示,该电路使用一个全控型器件V ,这里用IGBT ,也可采用其他器件,例如晶闸管,若采用晶闸管,还需设置使晶闸管关断的辅助电路。为在V 关断时给负载中电感电流提供通道,设置了续流二极管VD 。斩波电路主要用于电子电路的供电电源,也可拖动直流电动机或带蓄电池负载等,后两种情况下负载中均会出现反电动势,图中用m E 表示。若无反电动势,只需令0m E ,以下的分析和表达式中均适用。

电力电子总结完美版

一、填空题 1、对SCR 、TRIAC 、GTO 、GTR 、Power MOSFET 、这六种电力电子器件,其中要用交流 电压相位控制的有SCR TRIAC 。可以用PWM 控制的有GTO GTR Power MOSFET IGBT;要用电流驱动的有SCR TRIAC GTO GTR (准确地讲SCR 、TRIAC 为电流触发型 器件),要用电压驱动的有Power MOSFET IGBT ;其中工作频率最高的一个是Power MOSFET ,功率容量最大的两个器件是SCR GTR;属于单极性的是Power MOSFET;可能发生 二次击穿的器件是GTR,可能会发生擎住效应的器件是IGBT ;属于多元集成结构的是Power MOSFET IGBT GTO GTR 。 2、SCR 导通原理可以用双晶体管模型来解释,其触发导通条件是阳极加正电压并且门极有触发电流,其关断条件是阳极电流小于维持电流。 3、GTO 要用门极负脉冲电流关断,其关断增益定义为最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值的比即off β=ATO GM I I ,其值约为5左右,其关断时会出现特殊的拖尾 电流。 4、Power MOSFET 通态电阻为正温度系数;其定义式为= |DS DS U GS I ≥0,比较特殊的是器件体内有寄生的反向二极管,此外,应防止其栅源极间发生擎住效应。 5、电力二极管额定电流是指最大工频正弦半波波形条件下测得值,对于应用于高频电力电子电路的电力二极管要用快恢复型二极管,但要求其反向恢复特性要软。 6、在电力电子电路中,半导体器件总是工作在开关状态,分析这类电路可以用理想开关等效电路;电力电子技术的基础是电力电子器件制造技术,追求的目标是高效地处理电力。 7、硬开关电路的电力电子器件在换流过程中会产生较大的开关损耗,主要原因是其电压波形与电流波形发生重叠,为了解决该缺陷,最好使电力电子器件工作在零电压开通,零电流关断状态;也可采用由无源元件构成的缓冲技术,但它们一般是有损耗 的。 8、电力电子电路对功率因数的定义与线性电路理论的定义在本质上的差别是有基波因数。 9、交流调压电路采用由两个SCR 反并联接法组成交流开关作为控制,若交流电路的大感性 负载阻抗角为80度,则SCR 开通角的移相范围80度到180度。 10、SCR 三相全控变流电路带直流电动机负载时,其处于整流状态时触发角应满足小于90度 条件;其处于有源逆变状态时触发角应满足大于90度 条件;SCR 的换流方式都为电网 换流。 11、有源逆变与无源逆变的差异是交流侧接在电网上还是接在负载上;加有续流二极管的任何整流电路都不能实现有源逆变的原因是负载被二极管短路不能产生负电压。逆变角的定义是α>90度时的控制角βπα=- 12、电压源逆变器的输出电压是交流方 波;其逆变桥各臂都要反并联 二极管。 13、SPWM 的全部中文意思是正弦脉冲宽度调制,这种技术可以控制输出交流的大小;产 生SPWM 波的模拟法用自然采样法。而计算机则采用规则采样法。 14、单端正激式DC/DC 变换电路要求在变压器上附加一个复位 绕组,构成磁复位 电路; 反激式DC/DC 变换电路与Buck-Boost 直流斩波器类似。 15、肖特基二极管具有工作频率高 ,耐压低 的应用特点。肖特基二极管具有反向恢复时间短,正向压降小,耐压低,效率高等特点。 16、GTR 关断是工作点应在 截止 区,导通时工作点应在 饱和 区;它有可能因存在 二 次击穿而永久失效的缺陷。

电力电子技术课程重点知识点总结

1.解释GTO、GTR、电力MOSFET、BJT、IGBT,以及这些元件的应用范围、基本特性。 2.解释什么是整流、什么是逆变。 3.解释PN结的特性,以及正向偏置、反向偏置时会有什么样的电流通过。 4.肖特基二极管的结构,和普通二极管有什么不同 5.画出单相半波可控整流电路、单相全波可控整流电路、单相整流电路、单相桥式半控整流电路电路图。 6.如何选配二极管(选用二极管时考虑的电压电流裕量) 7.单相半波可控整流的输出电压计算(P44) 8.可控整流和不可控整流电路的区别在哪 9.当负载串联电感线圈时输出电压有什么变化(P45) 10.单相桥式全控整流电路中,元件承受的最大正向电压和反向电压。 11.保证电流连续所需电感量计算。 12.单相全波可控整流电路中元件承受的最大正向、反向电压(思考题,书上没答案,自己试着算) 13.什么是自然换相点,为什么会有自然换相点。 14.会画三相桥式全控整流电路电路图,波形图(P56、57、P58、P59、P60,对比着记忆),以及这些管子的导通顺序。

15.三相桥式全控整流输出电压、电流计算。 16.为什么会有换相重叠角换相压降和换相重叠角计算。 17.什么是无源逆变什么是有源逆变 18.逆变产生的条件。 19.逆变失败原因、最小逆变角如何确定公式。 做题:P95:1 3 5 13 16 17,重点会做 27 28,非常重要。 20.四种换流方式,实现的原理。 21.电压型、电流型逆变电路有什么区别这两个图要会画。 22.单相全桥逆变电路的电压计算。P102 23.会画buck、boost电路,以及这两种电路的输出电压计算。 24.这两种电路的电压、电流连续性有什么特点 做题,P138 2 3题,非常重要。 25.什么是PWM,SPWM。 26.什么是同步调制什么是异步调制什么是载波比,如何计算 27.载波频率过大过小有什么影响 28.会画同步调制单相PWM波形。 29.软开关技术实现原理。

电力电子技术总结

电力电子技术总结标准化管理部编码-[99968T-6889628-J68568-1689N]

1、电力电子技术的概念:所谓电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。 2、电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。 3、晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件,属于半控型器件。对晶闸管电路的控制方式主要是相位控制方式,简称相控方式。 4、70年代后期,以门极可关断晶闸管(GTO )、电力双极型晶体管(BJT )和电力场效应晶体管(Power-MOSFET )为代表的全控型器件迅速发展。 5、全控型器件的特点是,通过对门极(基极、栅极)的控制既可使其开通又可使其关断。 6、把驱动、控制、保护电路和电力电子器件集成在一起,构成电力电子集成电路(PIC )。 第二章 1、电力电子器件的特征 ◆所能处理电功率的大小,也就是其承受电压和电流的能力,是其最重要的参数,一般都远大于处理信息的电子器件。 ◆为了减小本身的损耗,提高效率,一般都工作在开关状态。 ◆由信息电子电路来控制 ,而且需要驱动电路。 ◆自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件,在其工作时一般都需要安装散热器 2、电力电子器件的功率损耗 3、电力电子器件的分类 (1)按照能够被控制电路信号所控制的程度 ◆半控型器件:主要是指晶闸管(Thyristor )及其大部分派生器件。 器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。 ◆全控型器件:目前最常用的是 IGBT 和Power MOSFET 。 通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断。 ◆不可控器件: 电力二极管(Power Diode ) 不能用控制信号来控制其通断。 (2)按照驱动信号的性质 ◆电流驱动型 :通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。 ◆电压驱动型 仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。 (3)按照驱动信号的波形(电力二极管除外 ) ◆脉冲触发型 通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开通或者关断的控制。 ◆电平控制型 必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电流信号来使器件开通并维持在导通状态或者关断并维持在阻断状态。 4、几种常用的电力二极管:普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管 通态损耗 断态损耗 开关损耗 开通损耗 关断损耗

电力电子技术课程设计报告

电力电子课程设计报告题目三相桥式全控整流电路设计 学院:电子与电气工程学院 年级专业:2015级电气工程及其自动化 姓名: 学号: 指导教师:高婷婷,林建华 成绩:

摘要 整流电路尤其是三相桥式可控整流电路是电力电子技术中最为重要同时也是应用得最为广泛的电路,不仅用于一般工业,也广泛应用于交通运输、电力系统、通信系统,能源系统及其他领域,因此对三相桥式可控整流电路的相关参数和不同性质负载的工作情况进行对比分析与研究具有很强的现实意义,这不仅是电力电子电路理论学习的重要一环,而且对工程实践的实际应用具有预测和指导作用,因此调试三相桥式可控整流电路的相关参数并对不同性质负载的工作情况进行对比分析与研究具有一定的现实意义。 关键词:电力电子,三相,整流

目录 1 设计的目的和意义………………………………………1 2 设计任务与要求 (1) 3 设计方案 (1) ?3.1三相全控整流电路设计 (1) 3.1.1三相全控整流电路图原理分析 (2) ?3.1.2整流变压器的设计 (2) ?3.1.3晶闸管的选择 (3) 3.2 保护电路的设计 (4) 3.2.1变压器二次侧过压保护 (4) ?3.2.2 晶闸管的过压保护………………………………………………4 3.2.3 晶闸管的过流保护………………………………………………5 3.3 触发电路的选择设计 (5) 4 实验调试与分析 (6) 4.1三相桥式全控整流电路的仿真模型 (6)

4.2仿真结果及其分析……………………………………………7 5 设计总结 (8) 6 参考文献 (9)

1 设计的目的和意义 本课程设计属于《电力电子技术》课程的延续,通过设计实践,进一步学习掌握《电力电子技术》,更进一步的掌握和了解他三相桥式全控整流电路。通过设计基本技能的训练,培养学生具备一定的工程实践能力。通过反复调试、训练、便于学生掌握规范系统的电子电力方面的知识,同时也提高了学生的动手能力。 2 设计任务与要求 三相桥式全控整流电路要求输入交流电压2150,10,0.5U V R L H ==Ω=为阻 感性负载。 1.写出三相桥式全控整流电路阻感性负载的移相范围,并计算出直流电压的变化范围 2.计算α=60°时,负载两端电压和电流,晶闸管平均电流和有效电流。 3.画出α=60°时,负载两端 d U 和晶闸管两端 1 VT U 波形。 4.分析纯电阻负载和大电感负载以及加续流二极管电路的区别。 5.晶闸管的型号选择。 3 设计方案 3.1三相全控整流电路设计

电力电子技术第二章总结

2016 电力电子技术 作业:第二章总结 班级:XXXXXX学号:XXXXXXX姓名:XXXXXX

第二章电力电子器件总结 1.概述 不可控器件——电力二极管(Power Diode) GPD FRD SBD 半控型器件——晶闸管(Thyristor) FST TRIAC LTT 典型全控型器件GTO GTR MOSFET IGBT 其他新型电力电子器件MCT SIT SITH IGCT 功率集成电路与集成电力电子模块HVIC SPIC IPM 1.1相关概念 主电路(Main Power Circuit):在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路? 电力电子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件? 1.2特点 电功率大,一般都远大于处理信息的电子器件? 一般都工作在开关状态? 由信息电子电路来控制,而且需要驱动电路(主要对控制信号进行放大)? 功率损耗大,工作时一般都需要安装散热器? 通态损耗,断态损耗,开关损耗(开通损耗关断损耗) 开关频率较高时,可能成为器件功率损耗的主要因素? 电力电子器件在实际应用中的系统组成 一般是由控制电路?驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统? 关键词电力电子系统电气隔离检测电路保护电路三个端子 1.3电力电子器件的分类 按能够被控制电路信号控制的程度不同可分为半控型器件(开通可控,关断不可控) 全控型器件(开通,关断都可控) 不可控器件(开通,关断都不可控) 按照驱动信号的性质不同可分为电流驱动型电压驱动型 按照驱动信号的波形(电力二极管除外)不同可分为脉冲触发型电平控制型 按照载流子参与导电的情况不同可分为单极型器件(由一种载流子参与导电) 双极型器件(由电子和空穴两种载流子参与导电)复合型器件(由单极型器件和双极型器件集成混合而成,也称混合型器件) 关键词控制的程度驱动信号的性质?波形载流子参与导电的情况工作原理基本特性主要参数2不可控器件——电力二极管(Power Diode) 2.1结构与工作原理 电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的? PN节(PN junction):采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结? N型半导体(N为Negative的字头,由于电子带负电荷而得此名):即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体? P型半导体(P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名):即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体? 正向电流IF :当PN结外加正向电压(正向偏置)时,在外电路上则形成自P区流入而从N区流出的电流? 反向截止状态:当PN结外加反向电压时(反向偏置)时,反向偏置的PN结表现为高阻态,几乎没有电流流过的状态? 反向击穿:PN结具有一定的反向耐压能力,但当施加的反向电压过大,反向电流将会急剧增大,破坏PN 结反向偏置为截止的工作状态?雪崩击穿齐纳击穿(可以恢复) 热击穿(不可恢复) P-i-N结构

化工原理重要公式(总结精选)

《化工原理》重要公式 第一章 流体流动 牛顿粘性定律 dy du μ τ= 静力学方程 g z p g z p 22 11 +=+ρρ 机械能守恒式 f e h u g z p h u g z p +++=+++2 222222111 ρρ 动量守恒 )(12X X m X u u q F -=∑ 雷诺数 μμρ dG du ==Re 阻力损失 22 u d l h f λ= ????d q d u h V f ∞∞ 层流 Re 64=λ 或 232d ul h f ρμ= 局部阻力 2 2 u h f ζ= 当量直径 ∏ =A d e 4 孔板流量计 ρP ?=20 0A C q V , g R i )(ρρ-=?P 第二章 流体输送机械 管路特性 242)(8V e q g d d l z g p H πζλ ρ+∑+?+?= 泵的有效功率 e V e H gq P ρ= 泵效率 a e P P =η 最大允许安装高度 100][-∑--= f V g H g p g p H ρρ]5.0)[(+-r NPSH 风机全压换算 ρ ρ''T T p p = 第四章 流体通过颗粒层的流动 物料衡算: 三个去向: 滤液V ,滤饼中固体)(饼ε-1V ,滤饼中液体ε饼V 过滤速率基本方程 )(22 e V V KA d dV +=τ , 其中 φμ 012r K S -?=P 恒速过滤 τ22 2 KA VV V e =+

恒压过滤 τ222KA VV V e =+ 生产能力 τ ∑= V Q 回转真空过滤 e e q q n K q -+=2? 板框压滤机洗涤时间(0=e q ,0=S ) τμμτV V W W W W 8P P ??= 第五章 颗粒的沉降和流态化 斯托克斯沉降公式 μ ρρ18)(2 g d u p p t -=, 2Re

电力电子技术课程设计报告

电力电子技术课程设计 报告书 专业班级:16电气2班 姓名:王浩淞 学号:2016330301054 指导教师:雷美珍

目录 1、webench电路设计 1.1设计任务要求 输入电压为(8V-10V),输出电压为5V,负载电流为1A 1.2设计方案分析 图1.3.1主电路原理图 图1.3.2元器件参数 图1.3.3额定负载时工作值

图1.3.4输出电流和系统效率间的关系 如图1.3.4所示,在输出电流相同的情况下,输入电压越小,系统的稳态效率越高,因此提高效率的最直接方式就是降低系统的输入电压,其次在输入电压相同的情况下,我们可以调节输出电压的大小,使系统效率达到最大,例如当输入电压为9.0V时,根据图像输出电流为0.40A的时候效率最高。第二种方法是改变元器件的参数,通过使用DCR(直流电阻)小的电感元件来实现输出纹波电压降低。 1.3主芯片介绍 TPS561201和TPS561208采用SOT-23封装,是一款简单易用的1A同步降压转换器。这些器件经过优化,可以在最少的外部元件数量下工作,并且还经过优化以实现低待机电流。这些开关模式电源(SMPS)器件采用D-CAP2模式控制,可提供快速瞬态响应,并支持低等效串联电阻(ESR)输出电容,如特种聚合物和超低ESR陶瓷电容,无需外部补偿元件。TPS561201以脉冲跳跃模式工作,在轻负载操作期间保持高效率。TPS561201和TPS561208采用6引脚1.6×2.9(mm)SOT(DDC)封装,工作在-40°C至125°C的结温范围内。 1.4电气仿真结果分析

图1.4.1启动仿真图1.4.2稳态仿真 图1.4.3暂态仿真图1.4.4 负载暂态仿真 二、基于电力系统工具箱的电力电子电路仿真 2.1 设计要求和方案分析 本课程设计主要应用了MATLAB软件及其组件之一Simulink,进行系统的设计与仿真系统主要包括:Boost升压斩波主电路部分、PWM控制部分和负载。Boost升压斩波主电路部分拖动带反电动势的电阻,模拟显示中的一般负载,若实际负载中没有反电动势,只需令其为零即可。负载为主电路部分提供脉冲信号,控制全控器件IGBT的导通和关断,实现整个系统的运行。在Simulink中完成各个功能模块的绘制后,即可进行仿真和调试,用Simulink 提供的示波器观察波形,进行相应的电压和电流等的计算,最后进行总结,完成整个Boost 变换器的研究与设计。 2.2 simulink仿真模型分析 电路设计好后主电路中的电感电容值已确定,此时只要调节触发波形的占空比即可调节Boost Chopper输出电压。电路设计好后主电路中的电感电容值已确定,此时只要调节触发波形的占空比即可调节Boost Chopper输出电压。占空比越大,Boost Chopper的输出电压值

电力电子技术总结完整版

电力电子技术总结 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】

1、电力电子技术的概念:所谓电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。 2、电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。 3、晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件,属于半控型器件。对晶闸管电路的控制方式主要是相位控制方式,简称相控方式。 4、70年代后期,以门极可关断晶闸管(GTO)、电力双极型晶体管(BJT)和电力场效应晶体管(Power-MOSFET)为代表的全控型器件迅速发展。 5、全控型器件的特点是,通过对门极(基极、栅极)的控制既可使其开通又可使其关断。 6、把驱动、控制、保护电路和电力电子器件集成在一起,构成电力电子集成电路(PIC)。 第二章 1、电力电子器件的特征 ◆所能处理电功率的大小,也就是其承受电压和电流的能力,是其最重要的参数,一般都远大于处理信息的电子器件。 ◆为了减小本身的损耗,提高效率,一般都工作在开关状态。 ◆由信息电子电路来控制 ,而且需要驱动电路。 ◆自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件,在其工作时一般都需要安装散热器

2、电力电子器件的功率损耗 3、电力电子器件的分类 (1)按照能够被控制电路信号所控制的程度 ◆半控型器件:主要是指晶闸管(Thyristor )及其大部分派生器件。 器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。 ◆全控型器件:目前最常用的是 IGBT 和Power MOSFET 。 通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断。 ◆不可控器件: 电力二极管(Power Diode ) 不能用控制信号来控制其通断。 (2)按照驱动信号的性质 ◆电流驱动型 :通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。 ◆电压驱动型 通态损耗 断态损耗 开关损耗 开通损耗 关断损耗

电力电子器件项目年终总结报告

电力电子器件项目年终总结报告 一、电力电子器件宏观环境分析 二、2018年度经营情况总结 三、存在的问题及改进措施 四、2019主要经营目标 五、重点工作安排 六、总结及展望

尊敬的xxx公司领导: 近年来,公司牢固树立“创新、协调、绿色、开放、共享”的发 展理念,以提高发展质量和效益为中心,加快形成引领经济发展新常 态的体制机制和发展方式,统筹推进企业可持续发展,全面推进开放 内涵式发展,加快现代化、国际化进程,建设行业领先标杆。 初步统计,2018年xxx公司实现营业收入31492.12万元,同比增长19.37%。其中,主营业业务电力电子器件生产及销售收入为 29703.25万元,占营业总收入的94.32%。 一、电力电子器件宏观环境分析 (一)中国制造2025 “高质量发展”是十九大报告、中央经济工作会议的高频词,今 年两会首次写进政府工作报告。高质量发展是我国发展阶段的里程碑,也是今后相当长时期要遵循的中国发展道路和建设现代化国家目标。 工业是立市治本,强市之基,当前我市工业发展处于工业化起步阶段,推进工业高质量发展是我市实现跨越发展必然趋势,也是关键路径, 是全市经济高质量发展的重大举措。 (二)工业绿色发展规划

工业生产是物质财富的主要来源,工业化是现代国家不可逾越的 发展阶段。必须认识到,人类的工业化进程对生态环境造成了损害, 但历史和辩证地看,工业生产的创造性与污染排放破坏性之间的矛盾,正是工业活动持续改善人类生存境况的内在动力机制。鼓励企业推行 绿色设计,按照全生命周期的理念,在产品设计开发阶段系统考虑原 材料选用、生产、销售、使用、回收、处理等各个环节对资源环境造 成的影响,实现产品对能源资源消耗最低化、生态环境影响最小化、 可再生率最大化。重点在建材、陶瓷、新材料、节能环保、轻工、纺织、食品等产业领域,选择量大面广、与消费者紧密相关、条件成熟 的产品开展绿色设计产品创建工作。应用产品轻量化、模块化、集成化、智能化等绿色设计共性技术,采用高性能、轻量化、绿色环保的 新材料,开发具有无害化、节能、环保、高可靠性、长寿命和易回收 等特性的绿色产品。 (三)xxx十三五发展规划 未来5年,是全球新一轮科技革命和产业变革从蓄势待发到群体 迸发的关键时期。信息革命进程持续快速演进,物联网、云计算、大 数据、人工智能等技术广泛渗透于经济社会各个领域,信息经济繁荣 程度成为国家实力的重要标志。增材制造(3D打印)、机器人与智能

电力电子器件大全及使用方法

第1章电力电子器件 主要内容:各种二极管、半控型器件-晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数,器件的选取原则,典型全控型器件:GTO、电力MOSFET、IGBT,功率集成电路和智能功率模块,电力电子器件的串并联、电力电子器件的保护,电力电子器件的驱动电路。 重点:晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数,器件的选取原则,典型全控型器件。 难点:晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数。 基本要求:掌握半控型器件-晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数,熟练掌握器件的选取原则,掌握典型全控型器件,了解电力电子器件的串并联,了解电力电子器件的保护。 1 电力电子器件概述 (1)电力电子器件的概念和特征 主电路(main power circuit)--电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路; 电力电子器件(power electronic device)--可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件; 广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类。 两类中,自20世纪50年代以来,真空管仅在频率很高(如微波)的大功率高频电源中还在使用,而电力半导体器件已取代了汞弧整流器(Mercury Arc Rectifier)、闸流管(Thyratron)等电真空器件,成为绝对主力。因此,电力电子器件目前也往往专指电力半导体器件。 电力半导体器件所采用的主要材料仍然是硅。 同处理信息的电子器件相比,电力电子器件的一般特征: a. 能处理电功率的大小,即承受电压和电流的能力,是最重要的参数;

电力电子实训心得体会

电力电子技术实验总结 随着大功率半导体开关器件的发明和变流电路的进步和发展,产生了利用这类器件和电路实现电能变换与控制的技术——电力电子技术。电力电子技术横跨电力、电子和控制三个领域,是现代电子技术的基础之一,是弱电子对强电力实现控制的桥梁和纽带,已被广泛应用于工农业生产、国防、交通、能源和人民生活的各个领域,有着极其广阔的应用前景,成为电气工程中的基础电子技术。 本学期实验课程共进行了四个实验。包括单结晶体管触发电路实验,单相半波整流电路实验,三相半波有源逆变电路实验,单相交流调压电路实验. 单结晶体管触发电路实验 实验目的 (1)熟悉单结晶体管触发电路的工作原理及电路中各元件的作用。 (2)掌握单结晶体管触发电路的基本调试步骤。 实验线路及原理单结晶体管触发电路利用单结晶体管(又称双基极二极管)的负阻特性和rc充放电特性,可组成频率可调的自激振荡电路。v6为单结晶体管,其常用型号有 bt33和bt35两种,由等效电阻v5和c1组成rc充电回路,由c1-v6-脉冲变压器原边组成电容放电回路,调节rp1电位器即可改变c1充电回路中的等效电阻,即改变电路的充电时间。由同步变压器副边输出60v的交流同步电压,经vd1半波整流,再由稳压管v1、v2 进行削波,从而得到梯形波电压,其过零点与电源电压的过零点同步,梯形波通过r7及等效可变电阻v5向电容c1充电,当充电电压达到单结晶体管的峰值电压up时,v6导通,电容通过脉冲变压器原边迅速放电,同时脉冲变压器副边输出触发脉冲;同时由于放电时间常数很小,c1两端的电压很快下降到单结晶体管的谷点电压uv,使得v6重新关断,c1再次被充电,周而复始,就会在电容c1两端呈现锯齿波形,在每次v6导通的时刻,均在脉冲变压器副边输出触发脉冲;在一个梯形波周期内,v6可能导通、关断多次,但对晶闸管而言只有第一个输出脉冲起作用。电容c1的充电时间常数由等效电阻等决定,调节rp1电位器改变c1的充电时间,控制第一个有效触发脉冲的出现时刻,从而实现移相控制。 实验内容 (1)单结晶体管触发电路的调试。 (2)单结晶体管触发电路各点电压波形的观察。 单相半波整流电路实验 实验目的 1、熟悉强电实验的操作规程; 2、进一步了解晶闸管的工作原理; 3、掌握单相半波可控整流电路的工作原理。 4、了解不同负载下单相半波可控整流电路的工作情况。 实验原理 1、晶闸管的工作原理晶闸管的双晶体管模型和内部结构如下:晶闸管在正常工作时,承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。当承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值一下。 2.单相半波可控整流电路(电阻性负载) 2.1电路结构若用晶闸管t替代单相半波整流电路中的二极管d,就可以得到单相半波可控整流电路的主电路。变压器副边电压u2为50hz正弦波,负载 rl为电阻性负载。 三相半波有源逆变电路实验 实验目的 1、掌握三相半波有源逆变电路的工作原理,验证可控整流电路在有源逆变时的工作条件,并比较与整流工作时的区别。

电力电子器件总结

电力电子器件总结: 名称优缺点应用 场合 电力二极管整流二极管优:结构简单、工作可靠 ` 缺:不可控 整流,续 流,电压 隔离、钳 位或保护SBD(肖特基) FRD(快恢复 SCR 晶闸管可控硅FST(快速)优:承受电压和电流容量在所有器件中最高 缺:半控 | TRIAC(双向) RCT(逆向) LTT(光控) 电力MOSFET(单极型) (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 金属-氧化物-半导体-场效应晶体管% 优:开关速度快(利用电场感应控制反型层导电 沟道,不存在正偏PN结所固有的载流子存储效 应),输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率 小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击 穿问题。 缺:电流容量小,耐压低。 一般只适 用于功率 不超过 10kW的 电力电子 装置 GTO(双极型)优点:电压、电流容量大,适用于大功率场合, 具有电导调制效应,其通流能力很强; 缺:电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流 大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂, 开关频率低兆瓦以上的大功率 … GTR(双极型)电力二极管优:耐压高,电流大,开关特性好,通流能力 强,饱和压降低; 缺:开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率 大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题 基本淘汰 IGBT(混合型) 《 绝缘栅门极晶体管(Insulated- Gate Bipolar Translator) 结合了GTR和MOSFET的优点优:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流 冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电 压驱动,驱动功率小 缺:开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量 不及GTO 广泛应 用,指望 一统天下 (主要兆 瓦以下) 几种不可替代的场合: FRD(Fast Recovery Diode)在中、高频整流和逆变; SBD(Schottky Barrier Diode)在低压高频整流;(开关速度非常快,开关损耗也特别小,耐压比较低) LTT(Light Triggered Thyristor)高电压大功率;(光触发保证住电路与控制电路之间的绝缘和电气隔离,可以避免电磁干扰的影响) GTO(Gate-Turn-Off Thyristor)兆瓦以上的大功率。

电磁学公式总结

大学物理电磁学公式总结 ?第一章(静止电荷的电场) 1.电荷的基本性质:两种电荷,量子性,电荷守恒,相对论不变性。 2.库仑定律:两个静止的点电荷之间的作用力 F =kq1q2 e r= r2 3.电力叠加原理:F=ΣF i , q0为静止电荷 4.电场强度:E=F q0 5.场强叠加原理:E=ΣE i 用叠加法求电荷系的静电场: E=(离散型) E=(连续型) 6.电通量:Φe= 7.高斯定律:=Σq int 8.典型静电场: 1)均匀带电球面:E=0 (球面内) E=(球面外) 2)均匀带电球体:E==(球体内) E=(球体外)

3) 均匀带电无限长直线: E= ,方向垂直于带电直线 4) 均匀带电无限大平面: E=,方向垂直于带电平面 9. 电偶极子在电场中受到的力矩: M=p×E ? 第三章(电势) 1. 静电场是保守场: =0 2. 电势差:φ1 –φ2= 电势:φp =∫E 鈥r (p0)(p) (P0是电势零点) 电势叠加原理:φ=Σφi 3. 点电荷的电势:φ= 电荷连续分布的带电体的电势:φ= 4. 电场强度E 与电势φ的关系的微分形式: E=-gradφ=-▽φ=-(i +j +k ) 电场线处处与等势面垂直,并指向电势降低的方向;电场线密处等势面间距小。 5. 电荷在外电场中的电势能:W=q φ 移动电荷时电场力做的功:A 12=q(φ1 –φ2)=W 1-W 2 电偶极子在外电场中的电势能:W=-p?E

?第四章(静电场中的导体) 1.导体的静电平衡条件:E int=0,表面外紧邻处Es⊥表面或导体是个等势体。 2.静电平衡的导体上电荷的分布: Q int=0,σ=ε0E 3.计算有导体存在时的静电场分布问题的基本依据: 高斯定律,电势概念,电荷守恒,导体经典平衡条件。 4.静电屏蔽:金属空壳的外表面上及壳外的电荷在壳内的合场强总为零,因而对壳内无影响。?第五章(静电场中的电介质) 1.电介质分子的电距:极性分子有固有电距,非极性分子在外电场中产生感生电距。 2.电介质的极化:在外电场中固有电距的取向或感生电距的产生使电介质的表面(或 内部)出现束缚电荷。 电极化强度:对各向同性的电介质,在电场不太强的情况下 P=ε0(εr-1)E=ε0X E 面束缚电荷密度:σ’=P?e n 3.电位移:D=ε0E+P 对各向同性电介质:D=ε0εr E=εE D的高斯定律:=q0int 4.电容器的电容:C=Q U

电力电子技术课程设计心得体会

电力电子技术课程设计心得体会 电力电子技术课程设计时候学习机电的人需要接触的,我们看看下面的心得体会,大家一起阅读吧! 电力电子技术课程设计心得体会本学期实时测量技术实验以电子设计大赛的形式,老师命题,学生可以选择老师的题目也可以自己命题,并且组队操作其他的事情。趣味性强,同时也可以学到很多东西。 我们认为,在这学期的实验中,在收获知识的同时,还收获了阅历,收获了成熟,在此过程中,我们通过查找大量资料,请教老师,以及不懈的努力,不仅培养了独立思考、动手操作的能力,在各种其它能力上也都有了提高。更重要的是,在实验课上,我们学会了很多学习的方法。而这是日后最实用的,真的是受益匪浅。要面对社会的挑战,只有不断的学习、实践,再学习、再实践。 之所以使用avr单片机作为我们的执行核心,不仅是因为老师说avr现在是社会上应用比较多的单片机,也因为想通过使用avr锻炼自己的c 语言编程能力,养成良好的c语言编程风格。不管怎样,这些都是一种锻炼,一种知识的积累,能力的提高。完全可以把这个当作基础东西,只有掌握了这些最基础的,才可以更进一步,取得更好的成绩。很少有人会一步登天吧。永不言弃才是最重要的。 而且,这对于我们的将来也有很大的帮助。以后,不管

有多苦,我想我们都能变苦为乐,找寻有趣的事情,发现其中珍贵的事情。就像中国提倡的艰苦奋斗一样,我们都可以在实验结束之后变的更加成熟,会面对需要面对的事情。 与队友的合作更是一件快乐的事情,只有彼此都付出,彼此都努力维护才能将作品做的更加完美。而团队合作也是当今社会最提倡的。曾经听过,mba之所以最近不受欢迎就是因为欠缺团队合作的精神和技巧。 电压电流测量装置虽然结束了,也留下了很多遗憾,因为由于时间的紧缺和许多课业的繁忙,并没有做到最好,但是,最起码我们没有放弃,它是我们的骄傲! 相信以后我们会以更加积极地态度对待我们的学习、对待我们的生活。我们的激情永远不会结束,相反,我们会更加努力,努力的去弥补自己的缺点,发展自己的优点,去充实自己,只有在了解了自己的长短之后,我们会更加珍惜拥有的,更加努力的去完善它,增进它。只有不断的测试自己,挑战自己,才能拥有更多的成功和快乐! to us, happiness equals success! 快乐至上,享受过程,而不是结果! 认真对待每一个实验,珍惜每一分一秒,学到最多的知识和方法,锻炼自己的能力,这个是我们在实时测量技术试验上学到的最重要的东西,也是以后都将受益匪浅的!

相关文档
最新文档