电力电子总结完美版
归纳总结电力电子技术（模板）
归纳总结电力电子技术归纳总结电力电子技术篇一：电力电子技术重要公式总结单相半波可控整流带电阻负载的工作情况：a u 1i Rd b cd e电阻负载的特点：电压与电流成正比，两者波形相同。
触发延迟角：从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度,用a表示,也称触发角或控制角。
导通角：晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度，用θ表示。
直流输出电压平均值：1Ud? 2? ?? ?2U21?c s?2U2sin?td(?t)?(1?c s?)?0.45U2 2?2(3-1)VT的a 移相范围为180?通过控制触发脉冲的相位来控制直流输出电压大小的方式称为相位控制方式简称相控方式。
带阻感负载的工作情况：b c de f阻感负载的特点：电感对电流变化有抗拒作用，使得流过电感的电流不发生突变。
续流二极管数量关系： Id VT????Id 2? 12? （3-5）（3-6）（3-7）I VT?IdV DR?????Id(?t)?2?Id? 2d ????Id2?12?IV DR??? 2?????? Id(?t)?I d（3-8） 2? 2d a bc d ei f gV 单相半波可控整流电路的特点：1．V T的a移相范围为180?。
2.简单，但输出脉动大，变压器二次侧电流中含直流分量，造成变压器铁芯直流磁化。
3.实际上很少应用此种电路。
4.分析该电路的主要目的建立起整流电路的基本概念。
2024年电力电子学知识点总结模版(2篇)
2024年电力电子学知识点总结模版____年电力电子学知识点总结电力电子学是研究电力系统中的电力变换、变换、传输和控制的学科，也是电力系统和电子工程的交叉学科。
在____年，随着科技的不断发展，电力电子学领域也将迎来许多新的知识点和技术突破。
以下是____年电力电子学的一些重要知识点的总结：瞬态稳定性分析：瞬态稳定性是指电力系统在故障发生时的恢复能力，包括暂态稳定和稳态稳定。
在____年，瞬态稳定性分析将成为电力电子学中的重要研究方向。
研究者将致力于开发更高效、更精确的瞬态稳定性分析算法，以确保电力系统在故障时能够迅速恢复正常运行。
多能源互联网：随着可再生能源的快速发展，多能源互联网将成为电力系统的重要组成部分。
在____年，电力电子学研究将着重于多能源互联网的电力转换、能量管理和智能调度策略，以实现不同能源之间的协调和优化配置，提高能源利用效率。
高温超导电力设备：高温超导技术是电力电子学领域的热门研究方向。
在____年，高温超导材料的研发将进一步推动高温超导电力设备的发展。
高温超导电力设备具有更高的输电能力和更小的能量损失，对于提高电力系统的能效和稳定性具有重要意义。
智能电网：智能电网是一种基于信息和通信技术的先进电力系统，具有高度自适应、可靠性强、能源高效利用等特点。
在____年，智能电网将成为电力电子学的研究重点。
研究者将致力于智能电网的能量管理、数据分析和系统优化，以满足未来电力系统对可靠性和可持续性的要求。
高压直流输电：高压直流输电是一种高效、长距离输电技术，具有较低的输电损耗和占地面积小的优点。
在____年，高压直流输电技术将得到进一步发展。
研究者将致力于高压直流输电系统的功率电子器件、控制算法和保护装置的研究，以提高高压直流输电系统的可靠性和稳定性。
功率电子器件：功率电子器件是电力电子学的核心技术之一。
在____年，功率电子器件的研究将聚焦于高功率、高性能和高可靠性。
研究者将致力于开发新型功率电子器件，如氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）器件，以实现更高的开关频率、更低的能量损耗和更小的体积。
电力电子学知识点总结（2篇）
电力电子学知识点总结在大学里面，我们所学习的更多的是理论上的东西，而对现实的实物、实例了解较少。
理论联系实际方面做的不够，理论与实际相脱节，这对深入学习是不利的，是所谓的闭门造车，没有实践的指导，理论不会得到很高提升。
而来到景洪电厂之后，以前理论的东西得到了实物的指导，使原本模糊的概念变得清晰。
突出表现在对发电机转子、定子、水轮机，励磁系统、调速系统、水工建筑等的结构有很深感性认识。
2、专业技能的提高在运行期间，我跟随班组师傅首先从如何巡检设备开始学习，在巡检过程中要注意哪些事项及如何使用巡检仪，在师傅们的带领下，我们慢慢地开始学习监盘及一些简单的操作，在监盘过程中需要重点监视的对象、设备的正常运行状态及如何判断机组故障及故障处理，在每次运行值守期间，师兄都要对我们提出问题，争取在每个八小时中学会一项简单的操作。
值班期间，一定要做好事故预想，一定要掌握当前全厂设备的状况，对存在缺陷的设备要加强监视。
在On-call期间，我们主要学习了如何写操作票、如何办理各种工作票，在机组检修时候，随同师傅做好检修机组的安全措施，在检修工作结束后，学习如何恢复安全措施。
这些工作，无一不需要我们认真对待、仔细检查，只有这样，才能保证机组的安全稳定运行。
运行期间我多次参加了机组的开、停机操作，对开停机的流程及需要检查注意的事项有了一定程度的认识。
在维护期间，在师傅的指导下我学会了看电气二次图，了解了励磁系统和调速器的基本工作原理，学习了一些电气控制器与PLC基本原理及应用。
在____号机组检修期间，我主要跟随师傅学习仪表方面的知识，掌握了功率变送器、频率变送器、压力表、数字显示表等测量元件的工作原理和校验方法;并且掌握了我厂主要油温、油压、油位、瓦温等非电量测量点的布置情况及其整定值。
同时掌握了一些实验设备的使用方法。
在热工仪表方面，了解了其它传感器的工作原理及其作用。
除此之外，我还参加了____号机组调速器的检修工作，通过现场学习，我对调速器系统有了更深的认识，对图纸上的东西也有了系统的理解。
电力电子学知识点总结
电力电子学知识点总结电力电子学是研究电力系统中的电力变换、控制和调节的学科，主要包括功率半导体器件、电力电子器件、电力电子电路、电力电子系统以及其工作原理和应用等方面的内容。
下面将对电力电子学的基本知识点进行总结，以便更好地理解和应用电力电子技术。
一、功率半导体器件功率半导体器件是电力电子电路中的核心部件，其主要作用是实现电能的变换和控制。
常见的功率半导体器件有二极管、晶闸管、可控硅、大功率晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等。
这些器件的工作原理、特性和应用有所不同，选择适合的器件对电力电子系统的性能具有重要影响。
1.二极管：二极管是一种具有两个电极的器件，主要用于整流电源电路中。
其工作原理是当正向电压施加在二极管上时，电流可以流过，而反向电压施加时，二极管具有很高的阻抗。
2.晶闸管：晶闸管是一种具有三个电极的器件，主要用于控制高功率交流电流。
其工作原理是通过一个控制电极的信号来控制另外两个电极之间的导通和截止状态。
3.可控硅：可控硅也是一种具有三个电极的器件，其特点是只有在一个特定的触发脉冲下才能开启，一旦开启就可以持续导通。
可控硅主要用于交流电压控制以及电能的调节。
4.大功率晶体管：大功率晶体管是一种可以承受大电流和大功率的晶体管。
它具有高增益和低饱和压降的特点，适用于高频率和高功率的应用。
5.MOSFET：MOSFET是一种依靠电场效应来控制导通的器件。
它具有低导通电阻、高开关速度和优异的抗击穿能力，适用于高频率和高效率的应用。
二、电力电子电路电力电子电路是将功率半导体器件组合成特定功能的电路，用于实现电能的变换、控制和调节。
常见的电力电子电路有整流电路、逆变电路、升压和降压变换器等。
1.整流电路：整流电路是将交流电转换为直流电的电路。
常见的整流电路有单相和三相整流桥电路，可以采用二极管或可控硅进行整流。
2.逆变电路：逆变电路是将直流电转换为交流电的电路。
逆变电路有单相和三相逆变电路，可以采用晶闸管或可控硅进行逆变。
电力电子技术总结完整版
电力电子技术总结HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】1、电力电子技术的概念：所谓电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。
2、电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。
3、晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件，属于半控型器件。
对晶闸管电路的控制方式主要是相位控制方式，简称相控方式。
4、70年代后期，以门极可关断晶闸管（GTO）、电力双极型晶体管（BJT）和电力场效应晶体管（Power-MOSFET）为代表的全控型器件迅速发展。
5、全控型器件的特点是，通过对门极（基极、栅极）的控制既可使其开通又可使其关断。
6、把驱动、控制、保护电路和电力电子器件集成在一起，构成电力电子集成电路（PIC）。
第二章1、电力电子器件的特征◆所能处理电功率的大小，也就是其承受电压和电流的能力，是其最重要的参数，一般都远大于处理信息的电子器件。
◆为了减小本身的损耗，提高效率，一般都工作在开关状态。
◆由信息电子电路来控制 ,而且需要驱动电路。
◆自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件，在其工作时一般都需要安装散热器2、电力电子器件的功率损耗3、电力电子器件的分类（1）按照能够被控制电路信号所控制的程度◆半控型器件：主要是指晶闸管（Thyristor ）及其大部分派生器件。
器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。
◆全控型器件：目前最常用的是 IGBT 和Power MOSFET 。
通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断。
◆不可控器件：电力二极管（Power Diode ） 不能用控制信号来控制其通断。
（2）按照驱动信号的性质◆电流驱动型 ：通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。
通态损耗断态损耗开关损耗 开通损耗关断损耗◆电压驱动型仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。
电力电子技术知识点总结
电力电子技术知识点总结一、电力电子器件1. 晶闸管：晶闸管是一种具有双向导电性能的电子器件，可以控制大电流、大功率的交流电路。
其结构简单，稳定性好，具有一定的可逆性，可用作直流电压调节元件、交流电压调节元件、静止开关、逆变器等。
2. 可控硅：可控硅是一种具有双向导电性的半导体器件，具有控制开关特性，可用于控制大电流、大功率的交流电路。
可控硅具有可控性强，工作稳定等特点，适用于电力调节、交流电源、逆变器等领域。
3. MOSFET：MOSFET是一种以金属氧化物半导体栅极场效应晶体管为基础的器件，和普通的MOS晶体管相比，MOSFET在导通电阻上有较低的压降、耗散功率小、寄生电容小、开关速度快等优点，适用于开关电路、逆变器、电源调节等领域。
4. IGBT：IGBT是一种继承了MOSFET和双极晶体管的特点的半导体器件，具有高阻塞电压、低导通压降、大电流、耐脉冲电流等特点，适用于高频开关电路、变频器、电源逆变器、电机调速等领域。
5. 二极管：二极管是最基本的电子元件之一，具有正向导通和反向截止的特点，广泛用于整流、短路保护、开关电源等方面。
以上所述的电力电子器件是电力电子技术的基础，掌握了这些器件的特性和应用，对于电力电子技术的学习和应用具有重要的意义。
二、电力电子拓扑结构1. 变流器拓扑结构：变流器是电力电子技术中的一种重要装置，用于将直流电转换为交流电或者改变交流电的频率、电压和相数等。
常见的变流器拓扑结构包括单相全桥变流器、三相全桥变流器、单相半桥变流器、三相半桥变流器等。
2. 逆变器拓扑结构：逆变器是电力电子技术中的一种重要装置，用于将直流电转换为交流电，逆变器可以选择不同的拓扑结构和控制策略，以满足不同的电力系统需求。
常见的逆变器拓扑结构包括单相全桥逆变器、三相全桥逆变器、单相半桥逆变器、三相半桥逆变器等。
3. 母线型柔性直流输电系统：母线型柔性直流输电系统是一种新型电力电子系统，用于将大容量的交流电转换为直流电进行长距离输电。
电力电子总结完美版
一、填空题1、对SCR 、TRIAC 、GTO 、GTR 、Power MOSFET 、这六种电力电子器件，其中要用交流电压相位控制的有SCR TRIAC 。
可以用PWM 控制的有GTO GTR Power MOSFET IGBT;要用电流驱动的有SCR TRIAC GTO GTR (准确地讲SCR 、TRIAC 为电流触发型器件)，要用电压驱动的有Power MOSFET IGBT ；其中工作频率最高的一个是Power MOSFET ，功率容量最大的两个器件是SCR GTR;属于单极性的是Power MOSFET;可能发生二次击穿的器件是GTR,可能会发生擎住效应的器件是IGBT ；属于多元集成结构的是Power MOSFET IGBT GTO GTR 。
2、SCR 导通原理可以用双晶体管模型来解释，其触发导通条件是阳极加正电压并且门极有触发电流，其关断条件是阳极电流小于维持电流。
3、GTO 要用门极负脉冲电流关断，其关断增益定义为最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值的比即off β=ATO GMI I ，其值约为5左右,其关断时会出现特殊的拖尾 电流。
4、Power MOSFET 通态电阻为正温度系数；其定义式为=|DS DS U GS I ≥0，比较特殊的是器件体内有寄生的反向二极管，此外，应防止其栅源极间发生擎住效应。
5、电力二极管额定电流是指最大工频正弦半波波形条件下测得值，对于应用于高频电力电子电路的电力二极管要用快恢复型二极管，但要求其反向恢复特性要软。
6、在电力电子电路中，半导体器件总是工作在开关状态，分析这类电路可以用理想开关等效电路；电力电子技术的基础是电力电子器件制造技术，追求的目标是高效地处理电力。
7、硬开关电路的电力电子器件在换流过程中会产生较大的开关损耗，主要原因是其电压波形与电流波形发生重叠，为了解决该缺陷，最好使电力电子器件工作在零电压开通，零电流关断状态；也可采用由无源元件构成的缓冲技术，但它们一般是有损耗 的。
电力电子技术第1章总结
电力电子技术第1章总结电力电子技术第1章总结电力电子技术第1章总结开课班级：09输电线路班总结时间：201*.9.19总结教师：杜芸强一、基本概念1.电力电子器件：是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
2.电力电子电路也被称为电力电子系统，由控制电路、驱动电路、检测电路和以电力电子器件为核心的主电路组成。
3．电力电子器件的分类（1）按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可分为半控型器件、全控型器件和不控型器件。
（2）按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的信号性质，又可以将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型器件。
（3）电力电子器件还可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为单极型器件、双极型器件和复合型器件。
4.电导调制效应：当PN结上流过的正向电流较小时，二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的欧姆电阻，其阻值较高且为常量，因而管压降随正向电流的上升而增加；当PN结上流过的正向电流较大时，注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，使其电阻率明显下降，也就是电导率大大增加，这就是电导调制效应。
5.方向击穿：PN结具有一定的反向耐压能力，但当施加的反向电压过大，反向电流将会急剧增大，破坏PN结反向偏置为截止的工作状态，这就叫反向击穿。
6.热击穿：当反向未被限制住，使得反向电流和反向电压的乘积超过了PN结容许的耗散功率，就会因热量散发不出去而导致PN结温度上升，直至过热而烧毁，就是热击穿。
7.电力二极管的主要参数正向平均电流IF(AV)：指电力二极管长期运行时，在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
通过对正弦半波电流的换算可知，正向平均电流IF(AV)对应的有效值为1.57IF(AV)。
8．电力二极管的主要类型：普通二极管（又称整流二极管）、快速恢复二极管（FRD）和肖特基二极管（SRD）。
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一、填空题1、对SCR 、TRIAC 、GTO 、GTR 、Power MOSFET 、这六种电力电子器件，其中要用交流电压相位控制的有SCR TRIAC 。
可以用PWM 控制的有GTO GTR Power MOSFET IGBT;要用电流驱动的有SCR TRIAC GTO GTR (准确地讲SCR 、TRIAC 为电流触发型器件)，要用电压驱动的有Power MOSFET IGBT ；其中工作频率最高的一个是Power MOSFET ，功率容量最大的两个器件是SCR GTR;属于单极性的是Power MOSFET;可能发生二次击穿的器件是GTR,可能会发生擎住效应的器件是IGBT ；属于多元集成结构的是Power MOSFET IGBT GTO GTR 。
2、SCR 导通原理可以用双晶体管模型来解释，其触发导通条件是阳极加正电压并且门极有触发电流，其关断条件是阳极电流小于维持电流。
3、GTO 要用门极负脉冲电流关断，其关断增益定义为最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值的比即off β=ATO GMI I ，其值约为5左右,其关断时会出现特殊的拖尾 电流。
4、Power MOSFET 通态电阻为正温度系数；其定义式为=|DS DS U GS I ≥0，比较特殊的是器件体内有寄生的反向二极管，此外，应防止其栅源极间发生擎住效应。
5、电力二极管额定电流是指最大工频正弦半波波形条件下测得值，对于应用于高频电力电子电路的电力二极管要用快恢复型二极管，但要求其反向恢复特性要软。
6、在电力电子电路中，半导体器件总是工作在开关状态，分析这类电路可以用理想开关等效电路；电力电子技术的基础是电力电子器件制造技术，追求的目标是高效地处理电力。
7、硬开关电路的电力电子器件在换流过程中会产生较大的开关损耗，主要原因是其电压波形与电流波形发生重叠，为了解决该缺陷，最好使电力电子器件工作在零电压开通，零电流关断状态；也可采用由无源元件构成的缓冲技术，但它们一般是有损耗 的。
8、电力电子电路对功率因数的定义与线性电路理论的定义在本质上的差别是有基波因数。
9、交流调压电路采用由两个SCR 反并联接法组成交流开关作为控制，若交流电路的大感性负载阻抗角为80度，则SCR 开通角的移相范围80度到180度。
10、SCR 三相全控变流电路带直流电动机负载时，其处于整流状态时触发角应满足小于90度 条件；其处于有源逆变状态时触发角应满足大于90度 条件；SCR 的换流方式都为电网换流。
11、有源逆变与无源逆变的差异是交流侧接在电网上还是接在负载上；加有续流二极管的任何整流电路都不能实现有源逆变的原因是负载被二极管短路不能产生负电压。
逆变角的定义是α>90度时的控制角βπα=-12、电压源逆变器的输出电压是交流方 波；其逆变桥各臂都要反并联 二极管。
13、SPWM 的全部中文意思是正弦脉冲宽度调制，这种技术可以控制输出交流的大小；产生SPWM 波的模拟法用自然采样法。
而计算机则采用规则采样法。
14、单端正激式DC/DC 变换电路要求在变压器上附加一个复位 绕组，构成磁复位 电路；反激式DC/DC 变换电路与Buck-Boost 直流斩波器类似。
15、肖特基二极管具有工作频率高 ，耐压低 的应用特点。
肖特基二极管具有反向恢复时间短，正向压降小，耐压低，效率高等特点。
16、GTR 关断是工作点应在 截止 区，导通时工作点应在 饱和 区；它有可能因存在 二 次击穿而永久失效的缺陷。
17、快恢复二极管的开关时间是反向恢复时间，高频使用时还要求其反向恢复速度快、特性软 。
18、SCR 三相半波可控整流电路的输出电压中所含交流分量的最低次谐波为 3 次，此电路中的SCR 地自然换相点为α=30度。
19、输入电压为100V ，输出功率为1000W 的推挽式逆变器，其开关器件用占空比为0.4的PWM 波控制，在理想条件下加在器件上的最高电压达 200V ；对这种电路的基本要求是各个电路元件都要参数一致。
20、SCR 三相桥式全控整流电路的输出电压所含交流分量的谐波为6K(K 为正整数)次谐波，以线电压为纵坐标，则其第一相的自然换相点在横坐标电角度的位置为30度 。
21、达林顿管为 电流 控制型器件，IGBT 为 电压 控制型器件。
23、GTR 器件的最重要的开关参数是 开通时间和关断时间 ；快恢复二极管的最重要的开关参数是 反向恢复时间 。
24、单相桥式全控整流电路中的SCR 最大移相范围，在大电感负载下，对有接续流二极管的为 π ，对不接续流二极管的为 π/2 。
25、单极型半导体器件的定义是 只有一种载流子参与导电的半导体器件 。
26、电力电子器件的功率损耗有 通态损耗、短态损耗和开关损耗 这几个部分。
28、IGBT 的拖尾电流是指其在 关断 期间出现的 较大电流 现象。
29、在电力电子器件上附加的缓冲电路的主要目的是 防止过电压、过电流 。
30、有源逆变的定义是 交流侧接在电网上 ，发生逆变失败的原因是①触发电路不可靠②晶闸管发生故障③在逆变工作时，交流电源发生缺相或突然消失④换相裕量角不足，引起换相失败。
加在续流二极管的任何整流电路都不能实现有源逆变的原因是 无法提供负极性电压。
31、GTR 的SOA 区由 最高电压ceM U 集电极最大电流cM I 和最大耗散功率cM P 和二次击穿临界线SB P 。
32、IGBT 发生擎住效应的主要原因是 集电极电流过大（静态擎住效应）或CE u d /dt 过大（动态擎住效应）。
33、Power MOSFET 的跨导定义是D GSdI dU 。
34、SPWM 与PWM 的区别是前者指的是 脉冲宽度按正弦规律变化且与正弦波等效 。
35、可以使用单极性PWM 控制的电路是 单相桥式逆变电路 ，它与双极型控制的电路不同在于其输入的PWM 波有三个电平。
36、对SCR 触发电路的同步要求指的是触发电路与电源之间保持 同频率、同相位 。
SCR 能关断的条件是 外电压和外电路作用下使电流降至接近于0的某一数值下 。
37、SCR 三相半波可控整流电路的输出电压中所含交流分量的最低次谐波为 150 HZ 。
自然换相点为 相电压30度处 。
其SCR 的最大导通角为 120度 。
在纯电感负载下，对有接续流二极管的最大触发角为 150度 。
不接续流二极管的为 90度 。
38、直流斩波电路在改变负载的直流电压时，常用控制方式有 脉宽调制、脉频调制 两种。
39、在单相交流调压电路中，负载为电阻性时移相范围是 0到180度 ，负载为阻感性负载时移相范围是ϕαπ≤≤。
40、根据流过变压器是 直流脉动电流 和 交流电流 间接直流组合电路可分为 单端 和 双端 电路两大类。
41、采用间接直流组合交流电路（隔离型）是因为 输出端与输入端需要隔离 、某些应用中需要相互隔离的多路输出、输出电压与输入电压的比例远小于1或远大于1、交流环节采用较高的工作频率，可以减小变压器和滤波电感、滤波电容的体积和重量 。
43、负载换流逆变电路输出电容作用是 使负载过补偿，工作在容性 ，采用电力电子器件是晶闸管 。
44、电路的换流方式有 器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流 ，可以实现器件换流的电力电子器件是 IGBT Power MOSFET GTO GTR 。
45，根据软开关技术发展的历程可以分为 准谐振电路、零开关PWM 电路和零转换PWM 电路 。
46、 载波信号和调制信号不保持同步的调制方式 是异步调制，其特点是 通常载波频率c f 固定不变，而信号波频率r f 变化，载波比N 是变化的 ； 载波比N 等于常数，并在变频时使载波和信号波保持同步的方式 是同步调制，其特点是 载波比N 不变 。
47、交交变频电路中制约输出频率提高的因素是 电压波形畸变以及由此产生的电流波形畸变和电动机转矩脉动 。
48、三相全桥可控整流电路中，SCR 触发角α的最大可控相角，在极大电感负载下，对有接续流二极管的电路为 120° ，对不接续流二极管的电路为 90°。
49、全桥逆变电路中发生器件共态导通现象的原因是 功率开关关断需要时间 ，要避免该现象发生，必须 先通后端（或留有死区时间）。
50、电力电子开关在关断感性电路时应该有 du/dt 抑制（或缓冲）电路，而在开通直流容性电路时应该有 di/dt 抑制 电路。
二、简答题1、分析晶闸管的开通与关断。
答：如图，开通过程：由于晶闸管内部的正反馈过程需要时间，再加上外电路电感的限制，晶闸管受到触发后，其阳极电流的增长不可能是瞬时的。
延迟时间td (0.5~1.5μs)，上升时间tr (0.5~3μs)，开通时间tgt=td+tr 。
延迟时间随门极电流的增大而减小,上升时间除反映晶闸管本身特性外，还受到外电路电感的严重影响。
提高阳极电压,延迟时间和上升时间都可显著缩短。
关断过程：由于外电路电感的存在，原处于导通状态的晶闸管当外加电压突然由正向变为反向时，其阳极电流在衰减时必然也是有过渡过程的。
反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间tgr，关断时间tq=trr+tgr，关断时间约几百微秒。
在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通，而不是受门极电流控制而导通。
2、在理想条件下，单相全桥式SPWM正弦波逆变器要求1）画出单极性SPWM调制波形i>0时，+Ud，0，-Ud各自对应哪些功率器件开通2）负载电流oi<0时，+Ud，0，-Ud各自对应哪些功率器件开通负载电流o答：1）如图2）A：电压为正时，V1和V4导通，电压为零时，V1导通，V4关断，VD3导通与V1形成回路续流，电压为负时，VD2和VD3导通B：电压为正时，VD1和VD4导通，电压为零时，V2导通，V1关断，VD4导通与V2形成回路续流，电压为负时，V2和V3导通3、全桥式逆变电路阻感负载情况下，输出电压及电流波形如图所示，指出主控开关管的耐压为多少，电流最大值为多少（设输入电压为400V，纯电阻负载最大输出功率为3000W，无移相）。
若负载含极大电感且存在移相，t0~t6各时间段电流流通哪些器件？二极管有何作用？答：输入电压Ui=400V ，最大输出功率Po=3000W 。
主控开关管耐压为400V 。
假设效率为100%，则输入的最大平均电流为3000/400=7.5A ，主控开关管最大电流为7.5A 。
to~t1时，V1和V4导通形成回路，t1~t2时，V1和VD3导通形成回路，t2~电流为零时,VD3和VD2导通形成回路，电流为零~t3时，V2和V3导通形成回路，t3~t4时，V2和VD4导通形成回路，以后的过程和前面类似。