电子教案-《模拟电子技术及应用》(胡宴如)PPTch32 电子课件
二、静态工作点
RB1 UBQ
RB2
IBQRC UB+EQ I1 R E
+VCC
电阻分压器
ICQ + UCEQ
IEQ
直流通路 + VCC–
RB1 RB2
RC
+ –VCC
RE
U BQ
RB2 RB1 RB2
VCC
IEQ ICQ
UBQ IEQ
UBEQ RE
IBQ IEQ /
UCEQ VCC ICQ ( RC RE )
一、电路组成与静态工作点
IBQ RB C1
+ RS +u+Ii EQ – us – RE
+VCC
C2
+
+
RL uo
–
ic
集电极C 交流接地
ii ib
+ Rs
+ RB RE RLuo
交流通路
VCC =IBQ RB+UBEQ+IEQ RE
I EQ
VCC U BEQ
RB
1
RE
I BQ
I EQ
1
UCEQ = VCC – IEQ RE
2 •作多级放大电路的输出级，可提供恒压输出，提高负载能力
3
•作多级放大电路的中间级，隔离前后级的影响，起到级间阻 抗变换作用（缓冲级）
电路 点评
共集电极放大电路没有电压放大作用，有很好的电流 和功率放大能力，良好的高频特性，广泛应用于测量 仪器的输入级，用作功率放大器和缓冲器等电路。
共集电极放大电路性能指标的估算
IDQ RS
调整电阻的大小，可获得： UGSQ > 0 UGSQ = 0 UGSQ < 0
例3.2.4 已知 gm=0.8mS,求Au、Ri、Ro。
+24V
15 k 200 k RG1 D
C1 G
RD +
C2
S
+5.1 M RG3
RL
ui
100 k
R1G02 k
RS
+ CS
+ uo20 k
Au
uo ui
交流通路
ii
ib
ic
1. 电压放大倍数
Au
uo ui
ib[rbe
ib RL (1 )RE ]
+
rbe ib
ui RB1 RB2
RE RC
+
RL uo
2. 输入电阻
Ri RB1 / / RB2 / /[rbe (1 )RE ]
3. 输出电阻
Ri Ri 小信号等效电路
Ro Rc
静态工作点“Q”不变
二、电路性能及应用
1、电路性能特点
1
•输出电压Uo与输入电压Ui大小近似相等、相位相同，Au≈1 •由于ube«uo，所以uo=ui-ube≈ui
2 •输入电阻很大， Ri RB / / [rbe (1 )RL ]
3
•输出电阻很小，RO
rbe
RS /
1
/ RB
/
/ RE
2、电路应用
1 •作多级放大电路的输入级，可减小对输入信号源的影响
要求： I1 (5 10)IBQ UBQ (5 10)UBEQ
稳定“Q”的原理： T IC UE UBE IB
IC
三、主要性能指标
RB1 C1 +
+ us
RS RB2
RC C2+VCC
+
+
RE
RL
+
uo
CE
ic
1. 电压放大倍数
Au
uo ui
ib RL
ib rbe
2. 输入电阻
= (12 – 0.7) / [300/121+ 1]
3.2 (mA)
Ro
RE
/
/
(rbe
RS /
1
/ RB )
UCEQ = VCC – ICQ RE
18 ()
= 12 – 3.2 1 = 8.8 (V)
3.2.3 共基电极放大电路
+VCC RB1 RC C3
+
+ C2
RB2 RE
C1
+
用于高频及宽 带放大电路
场效应管放大电路
知识 拓展
三种组态： 共源、共漏、共栅
特点： 输入电阻极高， 噪声低，热稳定性好 一、直流偏置电路
1. 自给偏压电路
栅极电阻 RG 的作用：
C1
+ ui
+VDD
IDQ↓ RD C2
D+
G
+
S RG RS
+CS
uo
(1)为栅偏压提供通路 (2)泄放栅极积累电荷 源极电阻 RS 的作用： 提供负栅偏压 漏极电阻 RD 的作用：
RL= 1 1 /（1+1） = 0.5 (k)
[解] 1)求 “Q”
Au 1
VCC = IBQ RB +UBEQ+IEQ RE
=RBIEQ/(1+ )+ UBQ+IEQ RE
Ri = 300//(1.28+0.5 121) = 51.2 (k)
IEQ = (VCC – UBEQ) / [RB / (1+ ) +RE]
Ri RB1 / / RB2 / /rbe 20 / /62 / /1.6 1.45 (k)
Ro = RC = 3 k
用H参数小信号等效电路求主要性能指标
知识 拓展
ii
ib
+
ui
RB1 RB2
ic
RC RE
例 3.2.2 + 电路同例3.2.1，发射极电容 CE 开路 RL uo ，画出交流通路和H参数小信号等效 电路，并求Au、Ri、Ro。
VCC(直流电源)：
• 供给放大电路工作时所需能量 • 使发射结正偏，集电结反偏 C1、C2(耦合电容)： • 隔直流、通交流 RB1 、RB2(基极偏置电阻)： • 提供合适的基极电流
RC(集电极负载电阻)： • 将 IC UC ，使电流放大 电压放大 RE(发射极电阻)： • 稳定静态工作点“Q ” CE(发射极旁路电容)： • 短路交流，消除 RE 对电压放大倍数的影响
IBQ 2/ 100 0.02 (mA) 20 (A)
UCEQ 15 2(3 1.5) 6 (V)
2)求 Au，Ri，Ro
ii
ib
+
ui
RB1 RB2
ic
+ uo RC RL
r be 300 26 / IBQ 300 26 / 0.02 1 600
Au
RL
rbe
100 3//5.6 122 1.6
例 3.2.3
=120，RB
=
300
k，rbb=
300
，UBEQ
=
知识
0.7拓V展
RE = RL = Rs = 1 k，VCC = 12V。求：“Q ”，Au，Ri，Ro。
RB C1
IBQ
+ RS +u+Ii EQ
– us – RE
+VCC
+ C2 + RL uo
–
2)求 Au，Ri，Ro rbe = 300 + 26 / 0.027 1.28 (k)
gm ugs ( RD ugs
/ / RL )
gm RL
6.9
Ri RG3 RG1 / / RG2 5.1M RG3用于增大输入电阻
Ro RD 15k
Au
rbe
RL
(1 )RE
100 3//5.6 1.3
1.6 1011.5
Ri RB1 // RB2 // [rbe (1 )RE ]
20 / /62 / / [1.6 1011.6] 13.8 (k)
Ro = RC = 3 k
3.2.2 共集电极放大电路（射极输出器、射极跟随器）
RC= 3 k，RE = 1.5 k，RL= 5.6 k，VCC = 15 V。 求：“Q”，Au，Ri，Ro。
RB1 C1
uR+sS
+
RB2
+VCC [解]
RC C2
1)求“Q”
++
RE
+RL uo CE
UBQ
20 15 20 62
3.7
(V)
ICQ
I EQ
3.7 0.7 1.5
2 (mA)
UGSQ = UGQ – USQ = – IDQRS
把 iD 的变化变为 uDS 的变化
2. 分压式自偏压电路
+VDD
RG1 D C1 G
+
RG3
ui
RG2
RD C2 +
S RL
RS +CS
UGQ
VDD RG2 RG1 RG2
；US
IDQ RS
+ uo
UGSQ
VDD RG2 RG1 RG2
u+s RS
+ RuL o
RS
u+s
RE
RC RL
Ri Ri 基极交 Ro
流接地
性能指标
Au
uo ui
ib RL
ibr be
RL
rbe
Ri
ui ie
ibrbe
(1 )ib
r be
1
Ri
RE
// rbe
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《模拟电子技术》PPT课件
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8
7.1.3 分类
二、乙类放大器
该电路的Q点设置在截止区. 优点是：三极管仅在输入信号的半个周期内 导通。这时，三极管的静态电流ICQ=0，管耗 PC小，能量转换效率高，最高可达到78% 。 缺点是：只能对半个周期的输入信号进行放 大，非线性失真大。
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9
7.1.3 分类
三、甲乙类放大器
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15
7.2.1 乙类互补对称OCL 功率放大电路
三.信号波形图解
电路在有信号时，
VT1 和 VT2 轮 流 导 电 ，
交替工作，使流过负载
RL 的 电 流 为 一 完 整 的 正
弦信号。由于两个不同
极性的管子互补对方的
不足，工作性能对称，
所以这种电路通常称为
互补对称式功率放大电
路. 完整版ppt
最大损耗功率
Pcmax
2 π2
VC2C RL
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20
7.2.2 甲乙类互补对称OCL 功率放大电路
一.乙类功放的交越失真
输入信号很小时，达 不到三极管的开启电 压，三极管不导电。 因此在正、负半周交 替过零处会出现一些 非线性失真，这个失 真称为交越失真。
完整版ppt
21
7.2.2 甲乙类互补对称OCL 功率放大电路
用放大器件的控制作用，把直流电源的 能量转化为按输入信号规律变化的交变 能量输出给负载.
但功率放大电路输入信号幅度较大, 它的主要任务是使负载得到尽可能不失 真信号功率。
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3
7.1 低频功率放大电路概述
7.1.1 功率放大电路的特点 7.1.2功率放大电路的基本要求 7.1.3分类
模拟电子技术电子书课件
• 画出放大电路的微变等效电路如图2.3.19所示。
I i
I b
I c
Rs V V s
i
Rb
I b Rc
RL VO
Ri
图2.3.19 微变等效电路 Ro
Ri
V i I i
R b // r be
AV
VO Vi
Ic
(Rc // Ib rbe
RL )
Ib (Rc Ib rbe
//
RL )
RL'
直流量 Q 电量{
交流量 性能
ui≠0:
PPT学习交流
15
2.2.2 设置静态工作点的必要性
一.静态工作点
ui=0 IB,UBE,IC,UCE 记为 IBQ,UBEQ,ICQ,UCEQ
输入特性曲线上的点（UBEQ,IBQ) 和输出特性曲线上的点
（UCEQ,ICQ)，称之为静态工作点Q。
IBQ
VBBUBEQ Rb
61
方法二：
VBBRb1Rb1Rb2 VCC
PPT学习交流
≈rbe
-2 ＜10
≈1/rce
50
3） 简化的h参数等效模型
忽略h12e,h22e
得：
U I
be c
h 11 e I b h 21 e I b
U be I c
r be I b I b
PPT学习交流
51
4）rbe的近似表达式 U be IbrbbIerbe
rb e
UT I EQ
输入回路的直流负载线
IBQ 、UBEQ
31
图解法 静态工作点的分析
输出回路的直流负载线
输出特性曲线
输 出 回 路 方 程 ： uCE=VCC- PPT学习交流
电子教案-《模拟电子技术》(第3版_胡宴如)电子教案-绪论 电子课件
绪论一、什么是“电子技术”二、电子技术的发展三、常用的电子元器件四、课程教学内容五、课程的特点、要求及学习方法六、教材及参考书一、什么是“电子技术”电子技术是把电子元器件组成的电子电路应用到科学、技术、生产、生活各领域的应用技术，电子电路是信息社会产生、传送、处理信号的(硬件)载体。
二、电子技术的发展第一代1904 年真空电子管第二代1948 年半导体三极管第三代1959 年集成电路第四代1974 年大规模集成电路超大规模集成电路三、常用的电子元器件元件：电阻、电容、电感器件：半导体二极管和三极管、电子管、集成电路、传感器、变压器、滤波器、继电器四、课程教学内容电子技术模拟电子技术数字电子技术—电路工作在连续信号下—ttt t模拟电子技术的主要教学内容：半导体管二极管三极管单极性(场效应管)*晶闸管(可控硅)集成器件教学内容：工作原理、性能参数、外特性1. 基本器件双极性(晶体三极管)集成运算放大器集成模拟乘法器集成功率放大器线性集成稳压器2. 基本电路基本放大电路形式共发射极放大电路共集电极放大电路共基极放大电路晶体三极管构成共源极放大电路共漏极放大电路场效应管构成差分放大电路互补对称功率放大电路负反馈是改善电路性能的方法，应用在各种电路中。
基本应用电路运算电路模拟相乘电路信号处理电路信号产生电路直流稳压电源教学内容：电路的工作原理、分析计算和调整测试方法五、课程特点、要求及学习方法课程特点：1.实践性、工程性强，多采用近似方法分析计算2. 小信号下非线性电路按线性电路处理4. 入门较难学习要求：理解基本原理掌握基本方法熟悉基本电路理论联系实际3. 内容杂、基本概念多、不断更新学习方法：1.从外特性上认识理解基本元器件，淡化对其物理机理的追究；2.抓住重点，注重概念，加强基本知识的巩固和应用，多思考、多练习；3.归纳分析计算不同电路参数的基本方法，不死记硬背公式；5.坚持预习，及时复习，认真听课，独立并及时完成作业和实验作业。
《模拟电子技术》课件
《模拟电子技术》PPT课件
CATALOGUE
目录
模拟电子技术概述模拟电子技术基础知识模拟电路分析模拟电子技术实践应用模拟电子技术面临的挑战与解决方案模拟电子技术未来展望
01
模拟电子技术概述
总结词
模拟电子技术是研究模拟电子电路及其应用的科学技术，具有模拟信号处理的特点。
详细描述
模拟电子技术主要涉及对模拟信号的处理，即对连续变化的电压或电流信号进行处理，实现信号的放大、滤波、转换等功能。与数字电子技术相比，模拟电子技术具有处理连续信号、实时性强、精度高等特点。
例如，石墨烯、氮化镓等新型材料具有优良的导电性能和热稳定性，可以应用于高性能的电子器件中。
此外，还有一些新型复合材料也逐渐被应用于模拟电子技术中，以提高器件的性能和稳定性。
03
此外，还需要加强人才培养和技术交流，提高电路设计师的技术水平和创新能力。
01
高性能电路设计是模拟电子技术的重要组成部分，也是实现高性能电子器件的关键。
二极管的结构
二极管由一个PN结和两个电极组成，其结构简单、可靠，应用广泛。
正向导通特性
当二极管正向偏置时，电流可以通过PN结，表现出低阻抗的导通特性。
反向截止特性
当二极管反向偏置时，电流很难通过PN结，表现出高阻抗的截止特性。
03
02
01
1
2
3
三极管由三个半导体组成，包括两个N型和一个P型半导体，具有三个电极。
总结词
滤波电路是一种根据特定频率范围对信号进行筛选和处理的电路，主要用于提取有用信号、抑制噪声和干扰。
详细描述
滤波电路通过利用电感器和电容器的频率特性，将信号中特定频率范围内的成分保留或滤除，从而实现信号的处理和控制。常见的滤波电路有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。
CATALOGUE
目录
模拟电子技术概述模拟电子技术基础知识模拟电路分析模拟电子技术实践应用模拟电子技术面临的挑战与解决方案模拟电子技术未来展望
01
模拟电子技术概述
总结词
模拟电子技术是研究模拟电子电路及其应用的科学技术，具有模拟信号处理的特点。
详细描述
模拟电子技术主要涉及对模拟信号的处理，即对连续变化的电压或电流信号进行处理，实现信号的放大、滤波、转换等功能。与数字电子技术相比，模拟电子技术具有处理连续信号、实时性强、精度高等特点。
例如，石墨烯、氮化镓等新型材料具有优良的导电性能和热稳定性，可以应用于高性能的电子器件中。
此外，还有一些新型复合材料也逐渐被应用于模拟电子技术中，以提高器件的性能和稳定性。
03
此外，还需要加强人才培养和技术交流，提高电路设计师的技术水平和创新能力。
01
高性能电路设计是模拟电子技术的重要组成部分，也是实现高性能电子器件的关键。
二极管的结构
二极管由一个PN结和两个电极组成，其结构简单、可靠，应用广泛。
正向导通特性
当二极管正向偏置时，电流可以通过PN结，表现出低阻抗的导通特性。
反向截止特性
当二极管反向偏置时，电流很难通过PN结，表现出高阻抗的截止特性。
03
02
01
1
2
3
三极管由三个半导体组成，包括两个N型和一个P型半导体，具有三个电极。
总结词
滤波电路是一种根据特定频率范围对信号进行筛选和处理的电路，主要用于提取有用信号、抑制噪声和干扰。
详细描述
滤波电路通过利用电感器和电容器的频率特性，将信号中特定频率范围内的成分保留或滤除，从而实现信号的处理和控制。常见的滤波电路有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。
电子教案-《模拟电子技术》(第3版_胡宴如)电子教案-ch51 电子课件
UI R1Cf
t 6V
O
3V
t
104
3t 5 108
6
t 1ms
第 5 章 集成运算放大器的应用电路
例 3 差分运算电路的设计
条件： 要求：
Rf = 10 k
uo = uI1 2uI2
uO
Rf R1
Rf 2
R1
uI2
(1 Rf ) R3 R1 R2 R3
R1 = 5 k
uI1
R3 1 R2 R3 3
uI2
一般 R1 = R1； Rf = Rf
up
uI2Rf R1 Rf
un
uO = uO1 + uO2
= Rf / R1( uI2 uI1 )
uo = Rf /R1( uI2 uI1 )
减法运算实际是差分电路
第 5章 集成运算放大器的应用电路
例5.1.1 高输入电阻减法运算电路
(1 R3 / R1) uI1
uO
(1
Rf R1
)u p
u
R3 // R4 R2 R3 // R4
uI1
R2 // R4 R3 R2 // R4
uI2
uO (1
Rf R1
)( R3 // R4 R2 R3 // R4
uI1
R2 // R4 R3 R2 // R4
uI2 )
若 R2 = R3 = R4， Rf = 2R1 则 uO = uI1+ uI2
3. uIC = 0 ，对 KCMR 的要求低 up = un= 0 虚地
第 5 章 集成运算放大器的应用电路
二、同相比例运算电路 当 R1 = ，Rf = 0 时，
in un ip up
模拟电子技术电子教案PPT课件
因此,+3价元素原子获得一个电子, 成为一个不能移动的负离子，而半导 体仍然呈现电中性。
➢ P型半导体的特点： • 多数载流子为空穴； • 少数载流子为自由电子。
11
1.1.1 半导体的导电特性
（2） N型半导体--掺入微量的五价元 素(如磷)
＋
＋ N型＋半导体:
4
4
4
多子自由-电自子 由电子
＋ 4
9
1.1.1 半导体的导电特性
三、杂质半导体
在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性 能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半 导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型 （P型）半导体。
（1） P型半导体--掺入微量的三价元素（如硼）
+
+
+
4
4
4
+
+
+
4
3 硼原子4
+
+
+
4
4
4
10
1.1.1 半导体的导电特性
＋ 5
少子＋ 4 -空穴
磷原子
＋
＋
＋
4
4
4
12
1.1.1 半导体的导电特性
注意：
❖杂质半导体中的多数载流子的浓度与 掺杂浓度有关；而少数载流子是因本 征激发产生，因而其浓度与掺杂无关， 只与温度等激发因素有关.
13
1.1.2 PN结
一．PN结的形成
在一块本征半导体的两边,分别形
成P型和N型半导体,在两种载流子交界
《模拟电子技术》
1
第一章 半导体二极管及其应用电路
本章主要内容： 1.1 半导体的基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 半导体二极管的应用 1.5 本章小结
➢ P型半导体的特点： • 多数载流子为空穴； • 少数载流子为自由电子。
11
1.1.1 半导体的导电特性
（2） N型半导体--掺入微量的五价元 素(如磷)
＋
＋ N型＋半导体:
4
4
4
多子自由-电自子 由电子
＋ 4
9
1.1.1 半导体的导电特性
三、杂质半导体
在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性 能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半 导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型 （P型）半导体。
（1） P型半导体--掺入微量的三价元素（如硼）
+
+
+
4
4
4
+
+
+
4
3 硼原子4
+
+
+
4
4
4
10
1.1.1 半导体的导电特性
＋ 5
少子＋ 4 -空穴
磷原子
＋
＋
＋
4
4
4
12
1.1.1 半导体的导电特性
注意：
❖杂质半导体中的多数载流子的浓度与 掺杂浓度有关；而少数载流子是因本 征激发产生，因而其浓度与掺杂无关， 只与温度等激发因素有关.
13
1.1.2 PN结
一．PN结的形成
在一块本征半导体的两边,分别形
成P型和N型半导体,在两种载流子交界
《模拟电子技术》
1
第一章 半导体二极管及其应用电路
本章主要内容： 1.1 半导体的基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 半导体二极管的应用 1.5 本章小结
电子教案-《模拟电子技术及应用》(胡宴如)PPTch33 电子课件
2. 单端输出 输出为双端输出的一半 KCMR较双端输出小
uo与ui反相
+VCC
iC1 RC RC RL uo
iC2
ui
V1
V2
I0
VEE
反相输出
+VCC uo与ui同相
iC1
RC RC
uo RL iC2
ui
V1
V2
I0
VEE
同相输出
3.3.2 差分放大电路的应用
1 •用作多级放大电路的输入级。
如用作集成运放输入级，可减小温度漂移，提高共模抑制比。
+VCC
RC
共模输入 ui1 = ui2
大小相同 极性相同
ui1
uC1
V1
uC2 V2 ui2
共模输入电压
uic = ui1 = ui2
IEQ1 + ie1
RE
使得：
IEQ2 + ie2
ie1 = ie2
VEE
共模输出电压
ue = 2ie1RE uoc = uC1 – uC2 = 0
RC
uoc
RC
uic V1 uC1
ui1
uC1
V1
uC2 V2 ui2
使得：ic1 = – ic2 uo1 = – uo2
= – ui2
RE
VEE
差模信号交流通路
差模输出电压 uod = uC1 – uC2 = uo1 – ( – uo2) = 2uo1
差模电压放大倍数
ic1
RC RuLod
ui1
uo1 uo2
V1
RC
Aud
uod uid
(2)
rbe
模拟电子技术第一章PPT课件
06 反馈放大电路
反馈的基本概念
反馈：将放大电路输出信号的一部分或全部，通过一定 的方式（反馈网络）送回到输入端的过程。
反馈的判断：瞬时极性法。
反馈的分类：正反馈和负反馈。 反馈的连接方式：串联反馈和并联反馈。
正反馈和负反馈
正反馈
反馈信号使输入信号增强的反 馈。
负反馈
反馈信号使输入信号减弱的反 馈。
集成化与小型化
随着便携式设备的普及，模拟电子技术需要实现 更高的集成度和更小体积，以满足设备小型化的 需求。
未来发展趋势
智能化
01
随着人工智能技术的发展，模拟电子技术将逐渐实现智能化，
能够自适应地处理各种复杂信号和数据。
高效化
02
未来模拟电子技术将更加注重能效，通过优化电路设计和材料
选择，提高能量利用效率和系统稳定性。
电压放大倍数的大小与电路中 各元件的参数有关，可以通过 调整元件参数来改变电压放大 倍数。在实际应用中，需要根 据具体需求选择合适的电压放 大倍数。
输入电阻和输出电阻
总结词
详细描述
总结词
详细描述
输入电阻和输出电阻分别表 示放大电路对信号源和负载 的阻抗，影响信号源和负载 的工作状态。
输入电阻越大，信号源的负 载越轻，信号源的输出电压 越稳定；输出电阻越小，放 大电路对负载的驱动能力越 强，负载得到的信号电压越 大。
共基放大电路和共集放大电路
共基放大电路的结构和工作原理
共基放大电路是一种特殊的放大电路，其输入级和输出级采用相同的晶体管，输入信号 通过输入级进入，经过晶体管的放大作用，输出信号被送到输出级，最终输出放大的信
号。
共集放大电路的结构和工作原理
共集放大电路是一种常用的放大电路，其结构包括输入级、输出级和偏置电路。输入信 号通过输入级进入，经过晶体管的放大作用，输出信号被送到输出级，最终输出放大的 信号。共集放大电路的特点是电压增益高、电流增益低、输出电压与输入电压同相位。
模拟电子技术基础.ppt
多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区
空间电荷区形成内电场
内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散
最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于 P型半导体和N型 半导体结合面， 离子薄层形成的 空间电荷区称为 PN结。空间电 荷区也称耗尽层。
在出现了空间电荷区后，
PN结的形成过程
由于正负电荷间的相互作用，
在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、 铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。
P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成； 电子是少数载流子，由本征激发形成。
空穴很容易俘获电子，使 杂质原子成为负离子。三
价杂质 因而也称为受主杂 质。
P型半导体的结构示意图
综 上：
本征半导体中掺入微量杂质元素构成杂质半导体。 在常温下，杂质原子均已电离，载流子浓度就大大增加， 使半导体的导电能力大大提高。
数字电路：处理数字信号的电子电路
数字信号：一种离散的信号（包括时间离散和 幅值离散两种情况）
电子信息系统
模拟电路
信号 提取
信号的 预处理
信号的 加工
信号的驱 动与执行
传感器、 接收器
A/D 转换
计算机或 其它数字 处理系统
D/A 转换
提取出的信号：弱信号、噪声大、易受干扰。
预处理：隔离、滤波、阻抗变换、放大。
本征激发小结：
（1）空穴与电子成对出现。
（2）自由电子在晶格中运动，空穴在共价键内运动。
（3）温度一定时，激发和复合达到动态平衡。
（4）温度升高时，载流子浓度增大，导电能力增强， 因此，本征半导体可以制成热敏元件和光敏元件。
1.1.2 杂质半导体
➢ N型半导体 ➢ P型半导体
电子教案-《模拟电子技术》(冯泽虎)教学课件知识点7：比例运算电路-电子教案 电子课件
《电工电子技术》课程电子教案教师：韩振花序号：07比例运算电路用集成运放实现的基本运算除了有上面可以构成上面的加减法外，还有比例运算等，这里主要介绍反相比例运算电路与同相比例运算电路。
知识引导比例运算电路：1.反相比例运算电路输入信号加在集成运放反相输入端的电路称为反相运算电路。
图1是反相比例运算电路。
输入信号Iu经电阻1R加到集成运放的反相端，而集成运放同相端经电阻2R接地。
为使集成运放工作在线性区，在集成运放的输出端与反相端之间接有反馈电阻R F。
根据负反馈判别准则可知，该电路为电压并联负反馈。
图1 反相比例运算电路由理想集成运算放大器的“虚短”与“虚断”特性，和图1可知FIiiiiuu=≈==≈+-+-而FOfOF1I1IIRuRuuiRuRuui-≈-==-=--所以FO1IRuRu-=整理得I1FOuRRu-=（1）式（1）表明，输出电压Ou与输入电压Iu之间存在着比例运算关系，比例系数由R F与R1阻值决定，与集成运放本身参数无关。
改变R F与R1的阻值，可获得不同的比例值，从而实现了比例运算。
图1电路中，同相输入端电阻R2对运算结果没有影响，只是为了提高集成运放输入级的对称性，使两个输入端电阻保持平衡，通常取F12//RRR=。
PPT、动画演示、图片20F O R u -=知识引导若取R F = 0，则IOuu即输出电压与输入电压大小相等、相位相同，此时同相比例运算电路称为电压跟随器。
PPT、动画演示、图片教学步骤教学内容学生活动时间分配操作训练反相比例运算电路测试按实图3在模拟实验包上搭建电路，确定无误后，接入±15V直流稳压电源。
首先对运放电路进行调零，即令U i=0，再调整调零电位器R P，使输出电压U o=0。
图3 反相比例运算放大电路（1）按实表1指定的电压值输入不同的直流信号U i，分别测量对应的输出电压U o，并计算出电压放大倍数。
（2）将输入信号改为f=1kHz、幅值为200 mV的正弦交流信号，用示波器观察输入、输出信号的波形。