ss34二极管参数代换
二极管代换表
IS5295J IS5295J RED07-15 RGP10D RGP10D RGP10J RGP10M RGP15J RGP30D RGP30J RM11C RU2 RU2 RU3AM RU3M RU4AM RU4B RU4C RU4C RU4DS TVR4J TVR4J TVR4N
ES1 RGP10J、BYD33J、RGP15J、RGP30J、BYT52J BY228、RU4DS ES1、EM01Z EU2Z、RGP10J、RGP30D、RGP30J、BYT52J EU2A、ERB44-06、IS1835、BYD33J、RU2 RGP15M、BYD33M BY229 RU4Z、RU4C、RU4AM RU4AM、3JH61 IN4007、IN5408、ERC05-10B、TVR4N RU4C、RU3A、EU2A、EU3A EU2A、RU3AM、RGP30J、3JH61、RU4AM RU4AM、RGP15J、RGP30J RU3AM、RU4AM、RGP30J、3JH61、FR305 RGP30J、RGH61、FR305、RJH61 RU4AM ES1 RU4DS、ERD07-15、BY228 ERD07-15、BY228 RM11C、ERC05-10B、IN5408、GP15M IN5408、RM11C、TVR4N、ERC05-10B RM11C、ER04、BY229 ERB44-04、ERB44-06、RU4AM、RU4C EU2、BYD33G、RG2、RU3M、IS1834、IS5295G IS1834、IS1835、RG2、RU3AM、RGP15J RU4AM、RU3AM、EU2A、RGP15J、BYT52J RGP15M、RU4C RU2、BYD33J、RGP30J、IS1835、FR305 RU3AM、RU4AM、RGP15J、RGP30J、FR305 IN4937、IN4004、TVR4J、IS1886 TVR4N ERB44-04、3JH61 ERB44-6、3JH61 3JH61 RM11C、IN4007、IN5408 BYD33G、RG2、EU2、IS1835、BY298 ES1、EU1C ES1、EU2A、RU4AM IS1834、IS5295G、BA157、RG2、RU3M RU2、BYD30J、RGP10J、RGP30J、IS1835、 RGP10J、RGQ30D、EU2A、IS1834、IS5295J EU2Z、RU4YX、EM01Z EU2Z、RU4YX、ES1 EU1C RU4YX RU4AM、RU4C、RGP30J IN4148、IS1553 RU4AM、EU3A、EU2A、RGP10J BYD33G、RG2、RU3M、RGP15J EU1C RU3AM、RU4AM、BYV95C RM11C、IN4007、TVR4N、TVR4J EU2Z、ES1、RGP15J IS5295J、BA157、BYD33G、RGP10J、RU2
二极管三极管参数代换
二极管三极管参数代换普通整流二极管参数(一)型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型IN4001 50 1。
0 30 5。
0 1。
0 DO--41IN4002 100 1。
0 30 5。
0 1。
0 DO--41IN4003 200 1。
0 30 5。
0 1。
0 DO--41IN4004 400 1。
0 30 5。
0 1。
0 DO--41IN4005 600 1。
0 30 5。
0 1。
0 DO--41IN4006 800 1。
0 30 5。
0 1。
0 DO--41IN4007 1000 1。
0 30 5。
0 1。
0 DO--41这是美国标准普通整流二极管参数(二)型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型RL201 50 2 70 5 1 DO--15RL202 100 2 70 5 1 DO--15RL203 200 2 70 5 1 DO--15RL204 400 2 70 5 1 DO--15RL205 600 2 70 5 1 DO--15RL206 800 2 70 5 1 DO--15RL207 1000 2 70 5 1 DO--15这是中国标准D1266:60V 3A 35W，D1499:100V5A 40W，一般的应用是可以代换的10N20C参数代换：10A 200V用STP75NF75就可以，IRF2807也可以，irf3710凑合其参数为：IRF3710 46A 100V 150WRFP5060:N沟道 60v 50aIRF3710 46A 100V 150W可用IRF4710 56A 100V 150W耐压要求不高的情况下，也可以选取以下管子IRF1010 75A 55V 150WIRF2807 71A 75V 150WIRF3205 98A 55V 150W1)STK630(9A/200V),STK1820(18A/200V)替代IRF630.IRF6402)STK0825(8.8A/250V),STK1625(16A/250V)替代IRF634.IRF6443)STK730(5.5A/400V),STK1040(10A/400V)替代IRF730.IRF7404)STK830(4.5A/500V),STK0850(8A/500V)替代IRF830.IRF840当然也有其它更高的可替换比如：IXFK48N50 48A 500V 220WIXFH50N20 50A 200V 300WIXFH58N20 58A 200V 300WIXFH74N20 74A 200V 300WIXFH75N10 75A 100V 300WIXFH80N10 80A 100V 300WIXFH80N20 80A 200V 300WD5024可用C5885代换D5027是3A800V的管，可用BU406代用三极管D4242 7A/400VBU406参数：NPN、400V/200V、7A、60Wbu3150 硅NPN 1100/800 3A 50W辅助电源三极管，与c3150可以互换2SC1710 3A1100V,50W 可以2SC3150 功率晶体管条第（3A，800V的，50瓦晶体管型号： 2SC3150生产厂家：日本三洋公司制作材料： Si-NPN性质：开关管（S），功率放大（L）封装形式：直插封装极限工作电压： 900V最大电流允许值： 3A最大耗散率： 40W放大倍数：未知放大倍数最大工作频率： 15MHZ引脚数： 3可代换的型号：BUT11A,BUV46A,2SC2979,2SC3148,2SC3178,2SC3490,2SC3491, 2SC3971bt138是12A的800V，BTA08-600b是8A，600V BTA12-600b 是12A，600VBT138可以代换BTA12，如果实际工作电流比较小的话，（小于8A）bta08也可以代换BTA12。
SS34 SMC(DO-214AB)肖特基二极管原厂DCY品牌推荐
SS32 THRU SS36SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERReverse Voltage -20 to 60 Volts Forward Current -3.0 AmperesFEATURES♦ Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0♦ For surface mount applications ♦ Low profile package♦ Built-in strain relief, ideal for automated placement ♦ Easy pick and place ♦ Metal silicon junction, majority carrier conduction♦ Low power loss, high efficiency♦ High current capability, low forward voltage drop♦ For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications ♦ High temperature soldering:250°C/10 seconds at terminalsMECHANICAL DATACase:JEDEC DO-214AB molded plastic bodyTerminals:Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026Polarity:Color band denotes cathode end Weight:0.007 ounce 0.25 gramMAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSRatings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.SYMBOLS SS32SS33SS34SS35SS36UNITSDevice marking codeS2S3S4S5S6Maximum repetitive peak reverse voltage V RRM 2030405060Volts Maximum RMS voltage V RMS 1421283542Volts Maximum DC blocking voltageV DC 2030405060Volts Maximum average forward rectified current at T L (SEE FIG.1) (NOTE 2)I (AV) 3.0Amps Peak forward surge current8.3ms single half sine-wave superimposed on I FSM100.0Ampsrated load (JEDEC Method)Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A(NOTE 1)V F 0.500.75Volts Maximum DC reverse current (NOTE 1)T A =25°C 0.5at rated DC blocking voltage T A =100°C I R 20.010.0mA Typical thermal resistance (NOTE 2)R ΘJA 55.0R ΘJL 17.0°C/WOperating junction temperature range T J -55 to +125-55 to +150°C Storage temperature rangeT STG-55 to +150°CNOTES:(1) Pulse test:300µs pulse width, 1% duty cycle(2) P .C.B.mounted 0.55 x 0.55”(14 x 14mm) copper pad areasDO-214ABDimensions in inches and (millimeters)。
MP3,MP4各种型号管子型号及代换使用方法
XC6206P152M,1.5V,SOT-23 矩力板
XC6206P332M,3.0V,SOT-23 矩力板
XC6206P332M,3.3V,SOT-23 矩力板
AIC1896CG, SOT23-6 矩力板升压
7002 是MOS 管2301
八个角的6298 A4890 和 6438A4890 外音功放一样代用
A36是1.8V5脚管!多用在2606和536系统
P015=34BA 是5V5脚电源管
1.三脚管：
65E（1.5V稳压）
65Z（3.3V稳压）
65K （1.8V稳压）
1PK （三极管） 662F（3.3稳压）
124J 1AM（8050三极管）
2AN 3AS4r M13B 702 338 D2E（二极管） A9-J01 AC-001 D3E（二极管） MPJS
（MOS管）212V（MOS管） 014M B154 L1AM N64B 1AK N54F alsSH t1A t04 PJ0 W04 L43
八个角的6298 A4890和 6438A4890外音功放一样代用
1AM Y2 Y6 ＝＝就是8050 MMBT8050
磁珠 100MHZ/600Ω 0603
晶体管 2301
2N7002
78L05
另外像2TY M21 J3Y 分别是什么类型的管怎么代换
J3Y 是MMBT8050
2.五脚管：MDJB L36B（3.3和1.5稳压） DE-KOP A16q（可以用A36Z，A37a代换） P015（3.3和1.5稳压） 1588F（6-12V升压）
3.六脚管：5121S （6-12V升压） JWL1 2XM01 31U0Z C757 1896（升压）
场效应管代换
常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND（IGBT）1200V/25A//TO3P（电磁炉用）FQA27N25（MOSFET）250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25（MOSFET）250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25（MOSFET）250V/55A/310W/0.03Ω/TO3PFQA18N50V2（MOSFET）500V/20A/277W/0.225ΩIRFP460AFQA24N50（MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3PFQA28N50（MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EFQL40N50（MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264IRFPS37N50FQA24N60（MOSFET）600V/24A/TO3PFQA10N80（MOSFET）800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3PFQA13N80（MOSFET）800V/13A/300W/0.Ω/TO3PFQA5N90（MOSFET）900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3PFQA9N90C（MOSFET）900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3PFQA11N90C（MOSFET）900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3PFFA30U20DN（快恢复二极管）200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02AFFPF30U60S（快恢复二极管）600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN（快恢复二极管）600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06AMBRP3010NTU（肖特基）100V/30A/TO-220MBRA3045NTU（肖特基）45V/30A/TO-3PISL9R3060G2（快恢复二极管）600V/30A/35ns/200W/TO247APT30D60BRHRG3060（快恢复二极管）600V/30A/35nS/TO247FQP44N10（MOSFET）100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220IRF3710/IRF540NFQP70N10（MOSFET）100V/57A/160W/0.025Ω/TO220IRFP450B（MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C（MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800（Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动ICRHRP860（快恢复二极管）600V/8A/30NS/TO-220MUR860RHRP1560（快恢复二极管）600V/15A/TO0220MUR1560RHRP8120（快恢复二极管）1200V/8A/75W/TO220RHRP15120（快恢复二极管）1200V/15A/TO220RHRP30120（快恢复二极管）1200V/30A/125W/TO220单DSEI20-10ARHRG30120（快恢复二极管）1200V/30A/T03PSSH45N20B（MOSFET）200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D（IGBT）1500V/40A/TO264快速IGBTFGL60N100BNTD（IGBT）1000V/60A/TO264快速IGBT1MBH60-100HGTG10N120BND（IGBT）1200V/35A/298W/100ns/TO247HGTG11N120CND（IGBT）1200V/43A/298W/TO247HGTG18N120BND（IGBT）1200V/54A/390W/90ns/TO247FQP5N50C（MOSFET）500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220替代：IRF830,用于35W FQPF5N50C（MOSFET）500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F替代：IRF830，用于35W FQP9N50C（MOSFET）500V/9A/135W/0.6Ω/TO220替代：IRF840，用于75W FQPF9N50C（MOSFET）500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F替代：IRF840，用于75W FQP13N50（MOSFET）500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220用于75W/125W产品FQPF13N50（MOSFET）500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F用于75W/125W产品FQD5N50C（MOSFET）500V/5A/1.4Ω/TO252用于35WFQA16N50（MOSFET）500V/16A/200W/0.32C/TO3P用于150W到250W的产品FDP15N50（MOSFET）500V/15A/0.43Ω/56W/TO220用于150W左右的产品FQP18N50V2（MOSFET）500V/18A/0.43Ω/208W/TO220用于250WG到400W的产品FQPF18N50V2（MOSFET）500V/18A/0.43Ω/56W/TO220用于250WG到400W的产品FQA18N50V2（MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P用于250WG到400W的产品FQA24N50（MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P用于400W的产品FQA24N60（MOSFET）600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P用于400W的产品FQA28N50（MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P用于400W的产品FQL40N50（MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264用于560W的产品IRF740B（MOSFET）400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IRF730B（MOSFET）400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B（MOSFET）500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220IRF840B（MOSFET）500V/8A/0.85Ω/134W/TO220IRFP450B（MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C（MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235WFQPF5N60C（MOSFET）600V/5A/TO220FFQPF8N60C（MOSFET）600V/8A/TO220FFQPF10N60C（MOSFET）600V/10A/TO220FQPF12N60（MOSFET）600V/12A/51W/0.65Ω/TO220FFCP11N60（MOSFET）650V/11A/125W0.32Ω/TO220RHRD660S（快恢复二极管）600V/6A/TO-252RHRP860（快恢复二极管）600V/8A/75W/TO-220RHRP1560（快恢复二极管）600V/15A/TO-220单2N7002（三极管）60V/0.12A/SOT-23HUF76629D3S（MOSFET）100V/20A/110W/TO-252HUF75639S3S（MOSFET）100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S（IGBT）430V/21A/150W/300MJ/TO252ISL9V3040S3S（IGBT）430V/21A/150W/300MJ/TO263 ISL9V5036S3S（IGBT）360V/46A/250W/TO262FQP33N10L（MOSFET）100V/33A/52MΩ127W/TO220。
二极管代换表
不同种类二极管的代换总结归纳
不同种类二极管的代换总结归纳不同种类二极管的代换总结归纳1、检波二极管的代换检波二极管损坏后，若无同型号二极管更换时，也可以选用半导体材料相同，主要参数相近的二极管来代换。
在业余条件下，也可用损坏了一个PN结的锗材料高频晶体管来代用。
2．整流二极管的代换整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相贩其它型号整流二极管代换。
通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。
整流电流值1、检波二极管的代换检波二极管损坏后，若无同型号二极管更换时，也可以选用半导体材料相同，主要参数相近的二极管来代换。
在业余条件下，也可用损坏了一个PN结的锗材料高频晶体管来代用。
2．整流二极管的代换整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相贩其它型号整流二极管代换。
通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。
整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。
3、稳压二极管的代换稳压二极管损坏后，应采用同型号稳压二极管或电参数相同的稳压二极管来更换。
可以用具有相同稳定电压值的高耗散功率稳压二极管来代换耗散功率低的稳压二极管，但不能用耗散功率低的稳压二极管来代换耗散功率高的稳压二极管。
例如，0.5W、6.2V的稳压二极管可以用1W、6.2V稳压二极管代换。
4、开关二极管的代换开关二极管损坏后，应用同型号的开关二极管更换或用与其主要参数相同的其它型号的开关二极管来代换。
高速开关二极管可以代换普通开关二极管，反向击穿电压高的开关二极管可以代换反向击穿电压低的开关二极管。
5、变容二极管的代换变容二极管损坏后，应更换与原型号相同的变容二极管或用其主要参数相同（尤其是结电容范围应相同或相近）的其它型号的变容二极管来代换。
SS34;SS36;S310;SS33;SS32;中文规格书,Datasheet资料
100
80
2
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD P.C.B. MOUNTED ON 0.55 x 0.55" (14 x 14) mm COPPER PAD AREAS
60
40
1
20
0
0
25
50 75 100 125 Ambient Temperature [ºC]
0
1
2
5 10 20 50 Number of Cycles at 60Hz
The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.
SS32-S310
SS32 - S310
Features • • • •
Metal to silicon rectifiers, majority carrier conduction. Low forward voltage drop. Easy pick and place. High surge current capability.
0.01
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1 1.2 Forward Voltage, VF [V]
1.4
1.6
0.001
0
20 40 60 80 100 120 140 Percent of Rated Peak Reverse Voltage [%]
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
ss34二极管参数代换
SS34二极管是一种超快恢复二极管，具有高速、低反向漏电流、低正向压降等特点。
在实际电路设计中，有时需要将SS34二极管进行参数代换，以便更好地满足设计要求。
本文将从以下几个方面对SS34二极管的参数代换进行详细介绍。
一、SS34二极管的基本参数
在进行参数代换之前，首先需要了解SS34二极管的基本参数。
常见的SS34二极管参数包括最大可逆工作电压（VRRM）、最大平均整流电流（IO）、最大正向峰值电流（IFM）、反向恢复时间（trr）等。
1. 最大可逆工作电压（VRRM）
最大可逆工作电压是指在正常工作条件下，二极管能承受的最大反向电压。
对于SS34二极管而言，其最大可逆工作电压为40V。
2. 最大平均整流电流（IO）
最大平均整流电流是指在正常工作条件下，二极管能承受的最大平均整流电流。
对于SS34二极管而言，其最大平均整流电流为3A。
3. 最大正向峰值电流（IFM）
最大正向峰值电流是指在正常工作条件下，二极管能承受的最大正向峰值电流。
对于SS34二极管而言，其最大正向峰值电流为20A。
4. 反向恢复时间（trr）
反向恢复时间是指当二极管从正向导通状态转变为反向截止状态时，所需的时间。
对于SS34二极管而言，其反向恢复时间为35ns。
二、SS34二极管参数代换方法
在实际电路设计中，有时需要将SS34二极管进行参数代换。
常见的代换方法包括串联、并联、等效替换等。
1. 串联代换
串联代换是指将多个二极管按照一定的方式连接起来，并将它们视为一个整体进行替换。
例如，在某些场合下需要使用一个最大可逆工作电压为80V的二极管，而当前只有最大可逆工作电压为40V的SS34二极管可用。
此时可以采用两个SS34二极管串联的方式进行代换，即将它们视为一个最大可逆工作电压为80V的整体来使用。
2. 并联代换
并联代换是指将多个具有相同参数的二极管按照一定的方式连接起来，并将它们视为一个整体进行替换。
例如，在某些场合下需要使用一个
最大平均整流电流为6A的二极管，而当前只有最大平均整流电流为
3A的SS34二极管可用。
此时可以采用两个SS34二极管并联的方式
进行代换，即将它们视为一个最大平均整流电流为6A的整体来使用。
3. 等效替换
等效替换是指将原有的二极管替换成具有相同功能但参数不同的另一
种二极管。
例如，在某些场合下需要使用一个反向恢复时间更短的二
极管，而当前只有反向恢复时间为35ns的SS34二极管可用。
此时可以采用具有更短反向恢复时间的其他超快恢复二极管进行等效替换。
三、SS34二极管参数代换注意事项
在进行SS34二极管参数代换时，需要注意以下几点：
1. 代换后要保证电路功能不变
在进行参数代换时，必须确保代换后电路功能不变。
否则会导致电路
工作不正常或者发生故障。
2. 代换后要考虑温度和环境因素
在实际应用中，温度和环境因素会对二极管的参数产生影响。
因此，在进行参数代换时，要考虑实际工作环境的影响，以确保电路能够正常工作。
3. 代换后要注意二极管的损耗
在进行参数代换时，由于不同二极管的参数不同，可能会导致一些二极管承受过大电流或电压而损坏。
因此，在进行参数代换时，要特别注意二极管的损耗情况。
四、总结
SS34二极管是一种超快恢复二极管，具有高速、低反向漏电流、低正向压降等特点。
在实际电路设计中，有时需要将SS34二极管进行参数代换。
常见的代换方法包括串联、并联、等效替换等。
在进行参数代换时，需要注意保证电路功能不变、考虑温度和环境因素以及注意二极管的损耗情况。