各测试参数定义
(完整)ADC参数定义
ADC测试参数定义、分析及策略之动态测试2007-11—08 10：50：21分类:前言混合信号技术给当今的半导体制造商们带来了很多新挑战，以前一些对数字电路只有很小影响的缺陷如今在嵌入式器件中却可能大大改变模拟电路的功能，导致器件无法使用。
为确保这些新型半导体器件达到“无缺陷”水平，需要开发新的测试策略、方法与技术。
本文将结合一个简单的混合信号器件——模数转换器（AD C）来对这些策略、技术与方法进行讨论，说明混合信号器件测试的步骤和方法。
有了这些基本认识后,就可将其扩展并应用到当前先进的嵌入式半导体器件中，如数字滤波器、音频/视频信号处理器及数字电位计等。
传统半导体器件测试包括基本参数测试(连续性、泄漏、增益等）和功能测试(将器件输出与给定输入相比较)，混合信号测试还要再另外增加两个测试，即动态测试和线性测试.动态参数描述的是器件对一个特定频率或多频率时序变化信号的采样(从模拟信号中建立数字波形)和重现(利用数字输入建立模拟信号）能力。
线性参数则相反，描述的是器件内在特性,主要关注数字和模拟电路之间的关系.下面将对这两种特性分别作详细说明。
动态测试模数转换器的动态特性有时也称作传输参数，代表器件模拟信号采样和输入波形的数字再现能力，信噪比（S NR)、总谐波失真(THD）及有效位数(ENOB）等指标可使制造商对器件输出的“纯度”和数字信息精度进行量化。
新型动态测试技术产生于上世纪80年代,主要围绕数字信号处理和傅立叶变换,将时域波形和信号分别转换为频谱成分.这种技术可以同时对多个测试频率进行采样,效率和重复性非常高.图1是对一个普通ADC 器件进行快速傅立叶变换（FFT）测试的示意图，图中可以看到模拟信号在时域内转换成数字代码,然后用傅立叶变换转换成频谱。
对ADC输出进行傅立叶分析可提供宝贵的性能信息,但如果测试时条件设置不当得到的信息也会毫无意义。
为了从器件输出信号的傅立叶分析中提取有意义的性能参数，在讨论FFT结果之前首先需要考虑测试条件，其中包括输入信号完整性、采样频率、一致性及系统测量误差（假频、量化及采样抖动误差)。
过程装备关键测试参数
过程装备关键测试参数
过程装备关键测试参数可以根据不同的装备类型和使用场景有所差异，但一般包括以下几个方面：
1. 压力/温度：对于压力容器、管道和化学反应设备等，测试其能否承受预期工作条件下的压力和温度。
2. 流量/负荷：对于泵、风机、发电机组和传动设备等，测试其在不同负荷下的流量、流速、功率和转速等指标。
3. 响应时间：对于自动化控制系统和机械反应设备等，测试其响应时间和稳定性，以确保其能够及时、准确地响应输入信号或工艺条件的变化。
4. 耐久性：对于机械设备、电子设备和耐腐蚀材料等，测试其在长时间使用过程中的耐久性和稳定性，以评估其寿命和可靠性。
5. 精度/准确性：对于仪器仪表和数据采集系统等，测试其测量精度、准确性和重复性，以确保其能够提供可靠的测试结果。
6. 安全性：对于高温高压设备、易燃易爆设备和防护设备等，测试其安全性能，以确保操作人员和环境的安全。
7. 骨架：对于重型机械设备和结构件等，测试其承重能力和稳定性，以确保其能够承受预期负荷和不同工况下的振动和冲击。
8. 能效：对于能源设备和能源系统等，测试其能效指标，以评估其节能和环保性能。
这些测试参数旨在评估过程装备的性能、可靠性、安全性和经济性等关键指标，以确保其能够在预期工作条件下正常运行，并满足使用者的需求和要求。
音频测试参数详解
一、SLR＝Lg（标准信号/麦克风接收到的信号）；当测试结果大于11dB时，适当增加麦克风电路增益；当测试结果小于5dB时，适当降低麦克风电路增益；二、RLR＝Lg（标准信号/听筒发出的音频信号）当测试结果小于－1dB时，适当降低听筒电路增益；当测试结果大于5dB时，适当增加听筒电路增益；三、SFR麦克风的质量，质量的好坏直接影响SFR的测试结果；手机物理结构；基带电路；四、RFR1>听筒的质量直接反映在测试结果上；2>听筒的声学中心如果与其物理中心不一致，也会影响测试结果；3>不正确的测试方法会导致测试结果的不可比；4>RF模式和DAI模式的不同，对测试结果有一定的影响；五、STMR＝Lg（仿真嘴发出的音频信号/听筒发出的仿真嘴发出的音频信号）1>从麦克风到听筒的声传输称为侧音（Side tone）；2>电话的侧音通道就是发话者讲话时能听到自己声音的一种通道，其他侧音通道还有头传导通道和嘴与耳朵之间经过耳承泄漏形成的声通道。
这些附加侧音通道的存在影响了用户对侧音的感觉，因此也影响了他对侧音的反映。
3>侧音从几个方面影响电话传输质量。
如果侧音损耗太小，则回到自己耳朵的话音声级太响；另一方面，若侧音损耗太大，还会使发话者趋于降低其讲话的声级或形成对方误以为发话者的麦克风远离嘴巴，从而使收话者的受听声级下降。
六、失真1>当系统的输入与输出不呈线性关系时，就要产生非线性失真；2>非线性失真对数据传输而言比语音传输更重要，但是对语音传送也很重要；3>量化失真：在数字系统中，当模拟信号被抽样，再把每个抽样信号编码为有限数字时就会出现量化失真。
把原始信号与量化后又复原的信号作比较，将差异叫做量化失真和非线性失真。
现在采用编码公式A律或者U律PCM都采用接近对数的压扩率。
七、稳定度余量将手机放在坚硬平面上，传感器面向平面，如果有音量控制器，将其置为最大。
性能测试中的性能指标解析
性能测试中的性能指标解析在软件开发和系统运维领域，性能测试是一个重要的环节。
通过性能测试，我们可以评估一个系统或应用程序在特定条件下的性能表现，并找出潜在的性能瓶颈。
在进行性能测试时，我们需要关注一些关键的性能指标，以便准确评估系统的性能表现。
本文将对性能测试中常见的性能指标进行解析。
一、响应时间响应时间是性能测试中最常用的指标之一。
它表示从用户发起请求到系统返回响应的时间间隔。
响应时间可以用来评估系统的交互速度和用户体验。
通常情况下，响应时间越短越好，因为用户希望尽快得到反馈。
在进行性能测试时，我们可以通过监控响应时间来评估系统对并发请求的响应速度。
二、吞吐量吞吐量是指系统在单位时间内处理的请求数量。
它可以用来评估系统的处理能力和资源利用率。
吞吐量越高，表示系统在单位时间内能处理的请求数量越多，性能表现越好。
在进行性能测试时，我们通常会逐步增加并发请求的数量，观察吞吐量的变化情况，找出系统的处理瓶颈。
三、并发用户数并发用户数是指在同一时间内同时连接到系统的用户数量。
它可以用来评估系统的并发处理能力和负载能力。
在进行性能测试时，我们可以逐步增加并发用户数，观察系统的响应时间、吞吐量以及资源利用率的变化情况，找到系统的性能瓶颈。
四、错误率错误率是指在性能测试中出现的错误请求的比例。
它可以用来评估系统的稳定性和可靠性。
通常情况下，错误率越低，表示系统的性能表现越好。
在进行性能测试时，我们需要监控错误率，及时发现系统的异常情况，并进行相应的调优和优化。
五、资源利用率资源利用率是指系统在运行过程中各种资源的利用情况，如CPU使用率、内存占用、磁盘读写速度等。
资源利用率可以用来评估系统在高负载情况下的资源消耗情况。
在进行性能测试时，我们需要监控系统的资源利用率，找到系统的瓶颈，进而进行性能调优和资源优化。
六、并发连接数并发连接数是指在同一时间内与系统建立连接的数量。
它可以用来评估系统的连接处理能力和连接稳定性。
TD-LTE测试中部分重要参数解释
TD-LTE测试参数整理目录1、RSRP/RSSI/RSRQ (1)2、SINR (1)3、MCS (2)4、CQI (3)5、PCI (3)6、ICIC (5)7、HARQ (6)8、PA/PB (7)9、RLC层的三种传输模式 (8)1、R SRP/RSSI/RSRQ36.2141)RSRP（Reference Signal Receiving Power参考信号接收功率）是在某个Symbol内承载Reference Signal的所有RE上接收到的信号功率的平均值；2)RSSI（Received Signal Strength Indicator接收信号的强度指标）则是在这个Symbol内接收到的所有信号（包括导频信号和数据信号，邻区干扰信号，噪音信号等）功率的平均值3)RSRQ(Reference Signal Receiving Quality参考信号接收质量)则是RSRP和RSSI的比值，当然因为两者测量所基于的带宽可能不同，会用一个系数来调整，也就是 RSRQ = N*RSRP/RSSIwhere N is the number of RB’s of the E-UTRA carrier RSSI measurement bandwidth.RSRP 指示了想要的信号强度，而RSRQ，由于引入了RSSI, 所以还额外考虑了干扰水平。
2、S INRSINR：信号与干扰加噪声比，是接收到的有用信号的强度与接收到的干扰信号（噪声和干扰）的强度比值。
3、M CSMCS（Modulation and Coding Scheme，调制与编码策略。
36.213CQI定义的就是MCS方式。
4、C QICQI是信道质量指示，英文全称channel quality indication，CQI由UE测量所得，所以一般是编码方式越高（QPSK<16QAM<64QAM），依赖的信道条件需要越好，所以在好点的CQI 会高于差点。
测试常用参数
测试常用参数目录1X语音： (3)手机能测试到的重要指标 (3)CH# 283 (3)Rx Power -63dBm (3)Rx EcIo -6.0 (4)Rx FER 0.00% (4)TxAdj 127 (4)Active Set#1 18 (4)Candidate Set#1 NULL (5)Neighbor Set#1 354 (5)非常用参数 (5)P_REV in use 6 (5)Battery Voltage 3.893V (5)SID# 13901 (5)NID# 65535 (5)Call Processing State 2=Paging Channel (5)Service Option 0 (5)Slot Cycle Index 2 (6)BAND# Sleep mode (6)EVDO： (6)手机测试到的重要指标 (6)Channel Number 37 (6)Active Set Pilot PN 18 (6)Rx Power -60.50 (6)Requested Data Rate 9.600kbps (6)非常用参数 (7)Band Class 0 (7)Subnet Color Code 112 (7)UATI(UATI104) (7)UATI(UATI024) (7)Rx Signal Strength 60 (7)Channel PER 8006 (7)HDR Session State 4=Open state (7)Data Session Sate 0=Null (7)Current IP Address N/A (8)AN/AAA authentication 1=Authenticated (8)常用后台指标 (8)1X语音： (8)主分集RSSI值 (8)驻波告警 (8)业务信道掉话率： (8)业务信道拥塞率 (9)话务量： (9)EVDO： (9)连接成功率 (9)系统掉线率 (9)1X语音：在开站时，我们一般重点关注以下几个指标。
目标检测参数
目标检测参数
1.目标尺寸参数：用来描述目标在图像中的大小，包括宽度、高度、面积等。
2. 目标位置参数：用来描述目标在图像中的位置信息，包括中心点坐标、左上角坐标等。
3. 目标形状参数：用来描述目标的形状特征，包括矩形、圆形、椭圆形等。
4. 目标颜色参数：用来描述目标的颜色特征，包括RGB、HSV等。
5. 目标纹理参数：用来描述目标的纹理特征，包括灰度、方向梯度直方图（HOG）、局部二值模式（LBP）等。
6. 目标运动参数：用来描述目标的运动状态，包括速度、方向、加速度等。
7. 目标类别参数：用来描述目标所属的类别信息，包括行人、车辆、动物等。
目标检测参数的选择和设计对于目标检测算法的准确度和效率有着重要的影响。
在实际应用中，应根据目标检测任务的具体要求和数据特点选择合适的参数，从而提高目标检测的准确度和效率。
- 1 -。
ic测试中的常见参数
在IC测试中，常见的参数包括电压、电流、时间、THD等。
这些参数是评估电子设备性能和可靠性的重要指标。
1. 电压：在IC测试中，电压是最常见的测试参数之一，特别是对于模拟芯片。
电压测试对于诸如LDO、LED驱动、音频功放、运放、马达驱动等类型的模拟芯片至关重要。
此外，很多其他参数是通过电压测量间接得到的，如增益(Gain)、电源电压抑制比(PSRR)、共模抑制比(CMRR)等。
2. 电流：电流也是IC测试中的重要参数。
测试电流的主要目的是确保IC在正常工作时不会过热或超出设计的电源容量。
它通常包括输入电流、输出电流和静态工作电流等。
3. 时间：测试时间参数通常涉及到IC的响应速度或开关时间。
例如，上升时间和下降时间描述了电源管理芯片的响应速度。
这些时间参数越小，说明电源管理芯片的响应速度越快。
4. THD（总谐波失真）：这是衡量输出电压波形质量的重要参数，用于评估IC的性能。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
MOSFET Basic Operation
VGS VTh
inversion layer
VDS > 0
S G +
ID 0
40 40
30 30
N
N+
20 20
P
ID [A]
10 10
0
0 0
10
10 VDS [V]
20
20
30
30
D
+
Progress in Power Switching
Development and Characterization Activities
Datasheet Reliability ..
Progress in Power Switching
Main Electrical Parameters
BVdss VGS(th) Igss Idss VDSon RDSon Vsd DVSD UIS UID Bltage Gate Source leakage Current Drain Source leakage Current Drain Source On Voltage Drain Source On Resistence Reverse Diode Voltage Delta Vsd Unclamped Inductive Switching Unclamped Inductive Discharge
Note: This parameter is a function of the resistivity and thickness of the N- Epi layer. The value is directly proportional to Junction Temperature as shown after.
D
Id
Ids
Id2=1mA
BV2>BV1
G
Id1=250mA Vds
1 2
S
Progress in Power Switching
Threshold Voltage [Vgs(th)]
Gate Threshold Voltage: Measurement conditions: VGS(th) [V] Vgd=0[V], Id=250[mA] / Id=1[mA]
MOSFET Basic Operation
1000
RON AREA [mW cm2 ]
100
10
1
0.1 10
BVDSS [ V ]
100
1000
10000
Progress in Power Switching
MOSFET’s Capacitances
D
Cgd Cds G Cgs S
Ciss = CGD + CGS Coss = CDS + CGD Crss = CGD Input Capacitance Output Capacitance Miller Capacitance
SMPS: AC to DC, PFC, Adapters Power Management (including those for electronic games)
Lighting: CFL, HF Ballast, PFC
High frequency DC to DC Converter for computer
MOSFET Division
Technical Training
7th April 2005
Progress in Power Switching
AGENDA
MOSFET Technical Training
MOSFET Basic Information
Main Electrical Parameters
Battery Chargers
Automotive
Progress in Power Switching
AGENDA
MOSFET Technical Training
MOSFET Basic Information
Main Electrical Parameters
Production (Assy & Testing) Flow Chart
Progress in Power Switching
Drain-Source Breakdown Voltage [BVdss]
Drain-Source Breakdown Voltage: Measurement conditions: BVDSS [V] Vgs=0 [V], Id=250[mA] / Id=1[mA]
Vertically oriented four layer structure (n+ p n- n+) High input impedance- voltage controlled device- easy to drive Unipolar device- majority carrier device- fast switching speed Wide SOA
S
G
D
P+
NN+
G
S
D
Progress in Power Switching
MOS Parassitic Elements: C, Rp
S G D
P+
NN+
G
C Rp
S
D
Progress in Power Switching
MOS Parassitic Elements: JFET
D S G
S
G
D
G
P+
NN+ D
Progress in Power Switching
S
MOS Parassitic Elements: Body Diode
S
G D G P+ N-
P+
NN+
S D
Progress in Power Switching
MOS Parassitic Elements: BJT
MOSFET Basic Operation
VGS > VTh
VDS > 0
S G +
ID > 0
40 40
On state resistance RON
30 30
Increasing VG 20 20
ID [A]
10 10
0
0 0
10
10 VDS [V]
20
20
30
30
D
+
Progress in Power Switching
P/N Nomenclature for MOSFET Devices
ST
P 70 N F 03 L
Special Features
Package TYPE
C = TSSOP8 T = SOT23-6L N = SOT-223 L = PowerFLAT SJ = PowerSO-8 SR= PowerSO-8 Reverse S = SO-8 D…T4 = DPAK (Tape & Reel) B…T4 = D2PAK (Tape & Reel) V = PowerSO-10 Q = TO-92 D…-1 = IPAK B…-1 = I2PAK P = TO-220 P…FP = TO-220FP F = TO-220FP for new products W = TO-247 Y = Max247 E = ISOTOP with the exception of: • 55V and 75V • TSSOP8, SOT23-6L, SO-8
Indicative Current Range
E = EHD1 (STripFET 1st generation) F = EHD2 (STripFET 2nd generation) H = EHD3 (STripFET 3rd generation) FS = EHD2 +Schottky Diode S = PowerMESH Medium Volt B = PowerMESH I C = PowerMESH II C…Z = PowerMESH III Channel Polarity K…Z = SuperMESH M = MDmesh N = N-Channel M…N = MDmesh II P = P-Channel DN or DP = Dual N-Ch or Dual P-Ch C = Complementray Pair
Progress in Power Switching
High Voltage MOSFET
Power MESH II – “NC” Series Competitive standard MOSFETs Cost effective High volume production Power MESH III – “NC-Z” Series Very high voltage market ZENER Diode: added value at no costs SuperMesh - New “NK-Z” Series High volume markets (cost competitiveness) Even better Rdson* Qg and very good ruggedness MDmesh - “NM” Series High-End applications Evolving as “future” high voltage leading technology