模电试题及答案复习过程
(完整版)模电复习答案
基本概念复习第一章 电路基本元件一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管B. 增强型MOS 管C. 耗尽型MOS 管（6）在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ， 则这只三极管是 。
A ．NPN 型硅管B ．NPN 型锗管C ．PNP 型硅管D ．PNP 型锗管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C （6）A第二章 基本放大电路一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（5）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（6）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
模电(复习题及答案)11-12-1
4-1、现测得两个共射放大电路空载时的电压放 错 大倍数均为-100，将它们连成两级放大电路，其电压 放大倍数应为10000。
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复习题及答案
对 4-2、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立， 它只能放大交流信号。 错 4-3、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响， 它只能放大直流信号。 6-1、共集放大电路的Au＜1，所以没有反馈。 错
T1 + Ui R4 R5 T2 R1 R2 RL + UZ R3 + UO
-
DZ
-
-
RL UO
UO UCE1
UB2 IC1
UBE2 IB1
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IB2 UBE1
IC2
UCE2 UB1
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复习题及答案
（2）输出电压的范围：
U
B2
R3 R2 R 3 R 2 R1
U
B2
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复习题及答案
7-1、用运算放大器设计一个比例运算电路，要 求输入电阻Ri=20kΩ，比例系数Auf=-100。 解：由于放大倍数小于0，所以是反相比例运算 电路，因此电路图为（略）。
R i R 1 20 k
A uf
R
f
R
f
R1
A uf R 1 ( 100 ) 20 2000 k 2 M
1-2、当PN结未加外部电压时，扩散电流（ 漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 不确定 1-3、当PN结外加正向电压时，扩散电流（ 漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 不确定 1-4、当PN结外加反向电压时，扩散电流（ 漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模电复习资料及答案
设计题一．设计一带通滤波电路要求：（1）信号通过频率范围f在100 Hz至10 kHz之间；（2）滤波电路在1 kHz的幅频响应必须在±1 dB范围内，而在100 Hz至10 kHz滤波电路的幅频衰减应当在1 kHz时值的±3 dB范围内；（3）在10 Hz时幅频衰减应为26 dB，而在100 kHz时幅频衰减应至少为16 dB。
（一）．电路方案选择这是一个通带频率范围为100HZ~10KHZ的带通滤波电路，在通带内我们设计为单位增益。
根据题意，在频率低端f=100HKZ时，幅频响应要求衰减不小于16dB。
因此可选择一个二阶低通滤波电路的截止频率FH=10khz，一个二阶高通滤波电路的截止频率FL=100hz，有源器件扔采用运放CF412(LF412),将这两个滤波电路串联如图所示，就构成了所要求的带通滤波器。
由巴特沃斯低通，高通电路阶数N与增益的关系可知：二阶巴特沃斯滤波器的Avf1=1.586，因此，由两级串联的带通滤波电路的通带电压增益（Avf1）*2=（1.586）*2=2.515，由于所需要的通带增益为0dB,因此在低通滤波器输入部分加了一个由电阻R1，R2组成的分压器。
（二）元件参数的选择和计算在选用元件时，应当考虑元件参数误差对传递函数带来的影响。
现规定选择电阻值的容差为1%，电容值的容差为5%。
由于每一电路包含若干电阻器和两个电容器，预计实际截止频率可能存在较大的误差（也许是+10%，-10%）。
为确保在100HZ和10KHZ处的衰减不大于3dB。
现以额定截止频率90HZ,和11KHZ 进行设计。
由于在运放电路中的电阻不宜选择过大或过小。
一般为几千欧至几十千欧较合适。
因此，选择低通极电路的电容值为1000pF，高通级电路的电容值为0.1uF。
然后由公式Wc=（1/RC)可计算出精确的电阻值。
对于低通级由于已知c=1000pF和FH=11kHZ,根据公式Wc=（1/RC)算得R3=14.47KΩ，现选择标准电阻值R3=14.0KΩ。
模电试题库和答案解析
模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100分）1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。
（）2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
（）3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。
（）4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
（）5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
（）6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
（）7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。
（）8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。
（）9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。
（）10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。
（）11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。
A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。
A.阻当层不变，反向电流基本不变B.阻当层变厚，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大D.阻当层变厚，反向电流减小一、习题（满分100分）1.N型半导体（）。
A.带正电B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。
A.正常B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。
A.正向偏置时导通，反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。
A.0.03mA 流出三极管e、c、bB.0.03mA 流进三极管e、c、bC.0.03mA 流出三极管c、e、bD.0.03mA 流进三极管c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
模拟电子技术(模电)模拟试题
模拟电子技术(模电)模拟试题模拟电路复习预习方法：1、掌握基本理论：二极管、三极管的特点和用途，反馈的定义、分类、判断，功率放大的原理与分类，滤波器的基本原理，波形发生器的原理与能否起震的判断，直流电源的基本原理及构成。
2、掌握的计算：三极管放大电路的静态、动态分析，集成远放的相关计算，振荡电路频率计算，直流电源的简单计算。
3、除开本次提供的例题外同学们要重点复习预习课本习题。
习题一、半导体二极管及其应用1．本征半导体中的自由电子浓度______空穴浓度 a大于 b 小于 c 等于答案：C2.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于______ a温度 b 材料 c掺杂工艺 d掺杂浓度答案：B3.在掺杂半导体中，少子的浓度受______的影响很大 a 温度 b掺杂工艺 c 掺杂浓度答案：C4.在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度越______ a 高 b 低 c不变答案：B5.N 型半导体______a 带正电b 带负电c 呈中性答案：C6.温度升高 N 型半导体的电阻率将______ a 增大 b 减小 c 不变答案：C7. 当 PN 结正向偏置时，耗尽层将______ a 不变 b 变宽小于 c 变窄答案：C8.当环境温度升高时，二极管的正向电压将 a 升高 b 降低 c 不变答案：b●9.当环境温度升高时，二极管的死区电压将______ a 升高 b 降低 c 不变答案：b10.当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将______ a 增大 b 减小 c 不变答案：a11.二极管的正向电压降一般具有______温度系数 a 正 b 负 c 零答案：b12.确保二极管安全工作的两个主要参数分别是______和______ a UD,IF b IF,IS c IF,UR答案：c13.理想二极管的主要性能指标为 ______a UD=0,IR=0,b UD =0.3V ，IR=0c UD =0.5V ，IR =IS 答案：a13.稳压管通常工作于______，来稳定直流输出电压 a 截止区 b 正向导通区 c 反向击穿区答案：c12.对于稳定电压为 10V 的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压将 ______ a 升高 b 降低 c 不变答案：c13.二极管的反偏电压升高，其结电容 ______ a 增大 b 减小 c 不变答案：b17.二极管正向偏置时，其结电容主要是 ______ a 势垒电容 b 扩散电容 c无法判断答案：b18.锗二极管的死区电压约为 ______ 答案：aa 0.1Vb 0.2Vc 0.3V19.硅二极管的完全导通后的管压降约为 ______ a 0.3V b 0.5V c 0.7V 答案：c20.由二极管的伏安特性可知，二极管的管压降越高，二极管的电阻越 ______ a 大b 小c 不变答案：b22.已知二极管的静态工作点 UD 和ID ，则二极管的静态电阻为 ______ a UD/ID b UT /ID c UD/IS 答案：a24. 一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。
《模电》经典题目-含答案
《模电》经典题目-含答案《模电》经典题目-含答案模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
b. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC 正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o =V c1－V c ２＝０，设差模电压增益100vd=A &，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c===V A V ，则输出电压oV 为（）。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEOI 为（）。
CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（）。
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模电试题及答案《模拟电子技术基础》试题（A 卷）学号 姓名 .一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。
（10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
（ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。
（ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。
（ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
（ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。
（ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。
（ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。
（ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
（ ） 二、选择填空 （10分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。
（A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
（A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β（5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。
（A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。
（A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
（A ） 大 （B ） 小 （C ） 相等三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u 0。
四、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时B-E 间电压为U BEQ ，电流放大系数为β，B-E 间动态电阻为r be 。
填空： 静态时，I BQ 的表达式为 ，I CQ 的表达式为 ，U CEQ 的表达式为 ；电压放大倍数的表达式为 ，输入电阻的表达式为 ，输出电阻的表达式为 ；若减小R B ，则I CQ 将 ，r be 将 ，uA &将 ，R i 将 。
五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ =0.7V ，电流放大系数为β=100，r be =1 k Ω，R B1=5 k Ω，R B2=15 k Ω，R E =2.3 k Ω，R C =R L =3 k Ω，V CC =12V 。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）估算信号源内阻为R S =1k Ω时，Sus U U A &&&0=的数值。
六、（10分）在图示电路中，已知V CC =12V ，V EE =6V ，恒流源电路I=1 mA ，R B1=R B2=1 k Ω，R C1=R C2=10 k Ω；两只晶体管特性完全相同， 且β1=β2=100，r be1= r be2=2 k Ω。
估算： （1）电路静态时T 1和T 2管的集电极电位；（2）电路的差模放大倍数A d 、共模放大倍数A C 、输入电阻R i 和输出电阻R 0七、（5分）在图示OCL 电路中，已知T 1、T 2管的V U CES 1 ，电源电压为±9V ，负载电阻R L =8 Ω，试计算最大输出功率P om 及效率η。
八、（8分）设图示各电路均引入了深度交流负反馈，试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈，并分别估算它们的电压放大倍数。
九、（6分）在图示电路中，要求R F =100 kΩ，比例系数为11，试求解R、和R 的阻值。
十、（6分）求解图示电路的运算关系式。
十一、（9分）在图示文氏桥振荡电路中，已知R1=10 kΩ，R和C的可调范围分别为1~100 kΩ、0.001~1μF。
（1）振荡频率的可调范围是多少？（2）R F的下限值为多少？十二、（5分）在图示电路中，已知W7806的输出电压为6V，R1=R2=R3=200 Ω，试求输出电压U0的调节范围。
十三、（6分）串联型稳压电路如图所示，T2和T3管特性完全相同，T2管基极电流可忽略不计，稳压管的稳定电压为U Z。
填空：调整管为，输出电压采样电阻由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路组成；输出电压调节范围的表达式为。
《模拟电子技术基础》试题（B卷）学号姓名 .一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。
（10分）（1）只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。
（）（2）引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
（）（3）负反馈越深，电路的性能越稳定。
（）（4）零点漂移就是静态工作点的漂移。
（）（5）放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
（）（6）镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
（）（7）半导体中的空穴带正电。
（）（8）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）（9）实现运算电路不一定非引入负反馈。
（）（10）凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。
（）二、选择填空（10分）（1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入；为了展宽频带，应在放大电路中引入。
（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中，。
（A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00（3）集成运放的互补输出级采用。
（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。
（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。
（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E。
（A）>（B）<（C）=（D）≤（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。
（A）大（B）小（C）相等三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u 0。
四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si 或Ge ）、类型（NPN 或PNP ）及管脚为哪个极（e、b 或c ）填入表内。
管 号 T 1 T 2 T 3 管 号T 1 T 2 T 3 管 脚电 位（V ） ① 0.7 6.2 3 电 极名 称①② 0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材 料类 型五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ =0.7V ，电流放大系数为β=80，r be =1.2 k Ω，R B =500 k Ω，R C =R L =5 k Ω，V CC =12V 。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）估算信号源内阻为R S =1.2k Ω时，Sus U U A &&&0=的数值。
六、（10分）在图示电路中，已知V CC =12V ，V EE =6V ，恒流源电路 I=1 mA ，R B1=R B2=1 k Ω，R C1=R C2=10 k Ω；两只晶体管特性完全相同， 且β1=β2=100，r be1= r be2=2 k Ω。
估算： （1）电路静态时T 1和T 2管的集电极电位；（2）电路的差模放大倍数A d 、共模放大倍数A C 、输入电阻R i 和输出电阻R 0七、（5分）在图示OCL 电路中，已知T 1、T 2管的V U CES 1 ，电源电压为±9V ，负载电阻R L =8 Ω，试计算最大输出功率P om 及效率η。
八、（8分）设图示各电路均引入了深度交流负反馈，试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈，并分别估算它们的电压放大倍数。
九、（6分）在图示电路中，要求其输入电阻为20 kΩ，比例系数为-15，试求解R、R F和R 的阻值。
十、（6分）求解图示电路的运算关系式。
十一、（9分）将图示电路合理连接，构成桥式（即文氏桥）正弦波振荡电路，并估算电路的振荡频率和R1的最大值。
十二、（5分）在图示电路中，已知W7805的输出电压为5V，I W=5mA，R1=1 kΩ，R2=200 Ω。
试求输出电压U0的调节范围。
十三、（6分）串联型稳压电路如图所示，稳压管的稳定电压为U Z。
填空：调整管为，输出电压采样电阻由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成；输出电压调节范围的表达式为。
A 卷参考答案一、（1）×（2）√（3）×（4）√（5） √ （6）√（7）×（8）√（9）×（10）√ 二、（1）B 、C （2）B （3）D （4）B （5）B 、C （6）A 、A （7）A 三、二极管D 导通，-3V 四、BBEQCC BQ R U V I -=；BQ CQ I I β=；C CQ CC CEQ R I V U -=；beLur R A '-=β&； be B i r R R //=；C R R =0；增大；减小；减小；减小五、3V ；1mA ；10цA ；6.7V ；-150；0.79k Ω；-66.7 六、7V ；-333；0；6 k Ω；20 k Ω 七、4W ；5.7W ；70%八、（a ）电压并联负反馈；-R 2/R 1 （b ）电压串联负反馈；1+R 2/R 1九、10 k Ω；9 k Ω 十、2121120)1(I I u R Ru R R u ++-= 十一、1.6H Z —160kH Z ；20 k Ω 十二、9V ；8V十三、T 1 ；R 1、R 2、R 3；R 、D Z ；T 2、T 3、R E 、R C ； Z Z U R R R R U U R R R R R 3321032321++≤≤+++B 卷参考答案一、（1）×（2）√（3）×（4）√（5） √（6）√（7）√（8）×（9）×（10）× 二、（1）A 、D （2）C （3）B （4）B （5）B 、C （6）B 、B （7）A 三、二极管D 截止，-6V 四、五、22.6цA ；1.8mA ；3V ； -167；1.2k Ω；5 k Ω；-83.5 六、7V ；-333；0；6 k Ω；20 k Ω 七、4W ；5.7W ；70%八、（a ）电压串联负反馈；1+R 2/R 1 （b ）电压并联负反馈；-R 2/R 1九、20 k Ω；300k Ω;18.75 k Ω 十、21210I I u R R u u += 十一、 160 H Z ；50 k Ω 十二、5V--35V十三、T ；R 1、R 2、R 3；R 、D Z ；A ； Z Z U R R R R U U R R R R R 3321032321++≤≤+++。