蓬勃发展中的磁性薄膜材料模板
《2024年外应力条件下磁性薄膜铁磁共振理论研究》范文
《外应力条件下磁性薄膜铁磁共振理论研究》篇一一、引言磁性薄膜作为一种重要的电子材料，在众多领域中具有广泛的应用。
近年来，随着科技的不断发展，对磁性薄膜的磁学性能研究也越来越深入。
其中，铁磁共振（FMR）作为一种重要的磁学测量技术，在磁性薄膜的研究中具有重要地位。
然而，在实际应用中，磁性薄膜常常会受到外应力的作用，这对其磁学性能产生了一定的影响。
因此，研究外应力条件下磁性薄膜的铁磁共振特性具有重要意义。
本文将针对这一问题展开研究，通过理论分析探讨外应力对磁性薄膜铁磁共振的影响。
二、磁性薄膜的铁磁共振基础铁磁共振是一种电磁波与物质中自旋电子之间的相互作用过程。
在磁性薄膜中，铁磁共振的频率与薄膜的磁导率、阻尼等参数密切相关。
当一束微波磁场作用于磁性薄膜时，薄膜中的自旋电子会与微波磁场发生相互作用，产生共振现象。
这种共振现象可以用于研究磁性薄膜的磁学性能，如饱和磁化强度、磁导率等。
三、外应力对磁性薄膜的影响外应力是指作用于磁性薄膜的外部机械力。
在实际应用中，由于受到环境、设备等因素的影响，磁性薄膜常常会受到外应力的作用。
外应力会对磁性薄膜的微观结构、磁畴结构等产生影响，从而改变其磁学性能。
例如，外应力可以改变磁性薄膜的饱和磁化强度、矫顽力等参数，进一步影响其铁磁共振特性。
四、外应力条件下磁性薄膜的铁磁共振理论分析在外应力作用下，磁性薄膜的铁磁共振特性会发生一定的变化。
为了更好地理解这一现象，我们首先需要建立相应的理论模型。
在理论模型中，我们考虑了外应力对磁性薄膜微观结构的影响，包括应力对自旋电子的运动轨迹、能级分布等因素的影响。
在此基础上，我们分析了外应力对铁磁共振频率、线宽等参数的影响。
通过理论计算和数值模拟，我们得到了外应力与铁磁共振参数之间的关系曲线。
五、实验结果与讨论为了验证理论分析的正确性，我们进行了一系列实验。
实验中，我们通过施加不同大小和方向的外应力，测量了磁性薄膜的铁磁共振参数。
实验结果表明，外应力对铁磁共振频率和线宽等参数具有显著影响。
功能材料介绍PPT
从功能上看，材料可以分为结构材料和功能材料。
结构材料—通常指具有力学承载功能的材料。体积 较大，常被称为第一代材料。如建筑材料、机械制造材料， 用于制造工具、机器、车辆，修建房屋、桥梁、道路等。
另一类材料是功能材料。功能材料的概念最早由美国 的Morton与1965年提出。
功能材料——指具有光、电、磁、声、热、化学、生 物等特定功能和性质的材料。用于非承载目的，涉及面很 广。如电阻及导电材料、磁性材料、介电材料、发光材料、 光电材料、电极材料、压电材料、声光材料、电光材料、 磁光材料、超导材料、智能材料、仿生材料等。利用他们 可以制造具有记录、储存、信息传输等功能元器件，在电 子、激光、光电、通信、生物医学等许多新技术领域有广 泛应用。
1、按材料的物理化学属性（化学键、成分）：
无机功能材料 有机功能材料
金属功能材料 无机非金属功能材料（玻璃、陶瓷）
复合功能材料（高分子基、金属基、陶瓷基复性、电性、光学、力学、声学、化学、生物医学、 核功能材料及功能转换材料等。
进一步细分：如光学功能材料包括非线性光学材料、 发光材料、红外材料、感光材料、激光材料等。功能 转换材料包括压电材料、光电材料、热电材料、磁光 材料、电光材料、声光材料、磁致伸缩材料等。
薄膜技术的发展和应用
薄膜技术的发展和应用随着科技的不断进步，薄膜技术也得到了广泛应用和发展。
本文将就薄膜技术的发展和应用进行介绍。
一、薄膜技术的定义和分类薄膜技术是指将材料以极薄的层数覆盖在基材表面上的技术。
薄膜技术因其独特的性质，在电子、医疗、能源、光电和材料领域都有广泛的应用。
薄膜技术按照制备工艺可分为物理气相沉积法、化学气相沉积法、溅射法、离子束沉积法和溶液法等。
其中，物理气相沉积法和化学气相沉积法是基于气相反应制备薄膜，而溅射法和离子束沉积法则是基于固态反应制备薄膜。
二、薄膜技术的应用1、电子领域薄膜技术在电子领域有着广泛的应用，如显示器件中的膜电极和透光薄膜，硅上集成电路中的金属线薄膜和凸点薄膜，以及太阳能电池中的透明导电膜等。
通过不同种类的薄膜组合，可以制造出光电显示器件、光二极管、半导体器件等。
2、医疗领域薄膜技术在医疗领域也有广泛的应用，如人造器官表面的生物相容性薄膜、药物释放薄膜、医用传感器薄膜、隔离膜和过滤膜等。
这些薄膜可以帮助医学界实现更好的医学检测和治疗。
3、能源领域薄膜技术在能源领域也发挥了重要的作用，如太阳能电池和燃料电池中的薄膜。
通过合适的制备工艺可以制造出透明导电膜、锂离子电池隔膜、固体氧化物燃料电池氧离子传输膜等薄膜材料。
4、光电领域光电领域是薄膜技术应用较早的领域之一，尤其是光学涂层和抗反射膜方面的应用。
薄膜技术不仅可以增强光学元件的透过率和强度，还可以制造仿生光学器件等。
5、材料领域薄膜技术还可以制造出纳米微观结构，实现材料性质的精细控制，如金属膜的纳米微结构、高分子复合薄膜、磁性薄膜等，这些材料在生产制造、传感器等领域有广泛的应用。
三、薄膜技术未来的发展趋势随着技术的不断更新，薄膜技术也在不断地发展和创新。
未来薄膜技术的发展趋势将主要集中在以下几个方面：1、多层薄膜技术的发展多层薄膜技术是目前的一个研究热点，它可以实现对于薄膜性质的控制和变化。
通过不同比例的堆叠和改变各种材料的结构和性质，可以制备出更加精细的薄膜材料。
磁性薄膜材料
磁性薄膜材料
磁性薄膜材料是一种具有特殊磁性性质的薄膜材料，具有广泛的应用前景。
磁
性薄膜材料可以用于磁存储、传感器、磁头、磁性电子器件等领域，其在信息存储和传感器技术方面的应用尤为突出。
本文将对磁性薄膜材料的特性、制备方法、应用领域等方面进行介绍。
磁性薄膜材料具有优良的磁性能，其主要表现为饱和磁感应强度高、矫顽力大、磁滞回线窄、磁导率高等特点。
这些特性使得磁性薄膜材料在信息存储领域具有重要的应用价值。
在制备磁性薄膜材料时，通常采用溅射、磁控溅射、激光热解、离子束沉积等方法，通过调控材料的成分、结构和工艺参数，可以实现对薄膜磁性能的调控和优化。
磁性薄膜材料在磁存储领域具有广泛的应用。
其在硬盘、磁带、磁卡等磁存储
介质中的应用已经成熟，随着信息技术的不断发展，对磁存储介质性能的要求也在不断提高，磁性薄膜材料的研究和应用将会更加深入。
此外，磁性薄膜材料还在磁传感器、磁头、磁性电子器件等领域发挥着重要作用，其在新型磁性材料、磁性器件和磁性传感器方面的研究也备受关注。
总之，磁性薄膜材料具有重要的应用价值，其在信息存储和传感器技术方面具
有广阔的应用前景。
随着材料科学和信息技术的不断发展，磁性薄膜材料的研究和应用将会更加深入，为信息社会的发展做出更大的贡献。
希望本文对磁性薄膜材料的研究和应用能够有所帮助，推动该领域的进一步发展。
磁薄膜的制备和磁学性质研究
磁薄膜的制备和磁学性质研究近年来，随着人类科技的不断进步，磁性材料的发展也越来越被重视。
而磁薄膜作为一种新兴的材料，在磁性领域中受到越来越多的关注。
这是因为，磁薄膜在一些领域展现出了独特的应用性能，例如，计算机硬盘上的读写头就是使用磁薄膜技术制成的。
那么，什么是磁薄膜呢？简单来说，磁薄膜是指薄而均匀的磁性膜，其厚度通常在纳米到微米级别之间。
同样，可以将磁薄膜分为反铁磁、铁磁和负渗透磁等类型。
反铁磁材料主要有Cr, Mn以及FeMn等合金，其磁矩垂直于薄膜面；铁磁材料则是指铁、镍等组成的合金，其磁矩平行于薄膜面；负渗透磁则是指一种特殊的铁磁性材料，如FeCuV首先形成一个满格非磁性化合物再加入一定的Co和Ni。
要制备磁薄膜，首先需要选定基板材料。
通常情况下，基板材料使用的是单晶硅、玻璃、石墨、高聚物等，而在这些基板上一般涂覆一层金属，如Cr、Mo、W、Ta、Ti等作为结构层。
然后在结构层上再涂覆一层功能材料，例如Fe、Ni、Co等。
制备磁薄膜有两种常用的方法：一种是物理气相沉积法（PVD），另一种是化学气相沉积法（CVD）。
在这两种方法中，PVD法被认为是制备磁薄膜的最佳方法。
因为PVD法可以制备高质量的磁薄膜，同时操作简单、易于控制。
而CVD法则依靠高温等条件来进行，对设备的耐受性要求比PVD法高，但因此其也有独特的优势。
除了制备方法，磁薄膜的磁学性质也是一个受关注的问题。
在磁薄膜中，磁学性质主要表现为磁各向异性、磁滞回线和剩磁等。
其中，磁各向异性是磁薄膜在不同方向上表现出不同的磁学性质；磁滞回线是指当外加磁场强度改变时，磁薄膜磁化强度的反应曲线；剩磁则是指材料在去磁场的条件下，磁化强度不为零，其大小则与外加磁场的强度有关。
针对磁薄膜磁学性质的研究，通常需要使用一些仪器和设备。
例如，磁滞回线的测量可以使用霍尔探针、SQUID和振幅磁力计等仪器；而磁各向异性则可以使用干涉仪等设备来检测。
总结来看，磁薄膜的制备和磁学性质研究是磁学领域中的重要课题之一。
有机磁性材料的制备及其性能研究
有机磁性材料的制备及其性能研究有机磁性材料是指具有磁性的有机化合物或材料，它们具备传统无机磁性材料的磁性特性，同时还具有许多有机材料的优异性能，比如良好的可溶性、可加工性、可调性等等。
因此，有机磁性材料在生物医学、数据存储、磁性催化、磁性共振成像等领域具有广泛应用前景。
本文将着重介绍有机磁性材料的制备方法及其性能研究。
一、有机磁性材料的制备方法1. 自由基聚合法自由基聚合法是制备有机磁性材料常用的方法之一。
一般是将含有磁性分子的单体与其他单体混合，并加入自由基引发剂，在反应体系中形成自由基，引发单体的聚合反应，从而得到有机磁性高分子。
未来有机磁性材料的自由基聚合法有望发展成为一种高效可控性好的制备方法。
2. 模板法模板法是一种适用于制备有机磁性材料的重要手段。
其主要原理是在空隙较小的模板孔道内，利用合适的有机或无机化合物，通过一定的反应过程生成所需的有机磁性材料。
模板法适用于多种形态的有机磁性材料如纳米线、纳米球、纳米片等的制备。
3. 化学气相沉积法化学气相沉积法也是一种常用的制备有机磁性材料的方法。
其主要原理在于将站在化学反应极限边缘的化学物质暴露在高温度、低压、惰性气氛下，利用分子间的作用力在基底表面上沉积出定向生长的有机磁性材料薄膜。
二、有机磁性材料的性能研究1. 磁性性能研究由于有机磁性材料磁性比较弱，因此常用的测试方法有SQUID（超导量子干涉仪）磁性测量法、交流磁化测量法等。
这些方法能够对有机磁性材料进行高精度磁性测量，并对磁性行为进行精确的分析。
2. 表面形态观察表面形态观察是评定有机磁性材料形态和结构的重要手段。
研究人员常用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等设备来观察有机磁性材料的形貌和结构，并通过相关数据分析来分析有机磁性材料的物理性质。
3. 电学性能研究有机磁性材料常常具有良好的电学性能，包括导电性、光电转换性、介电性能等。
因此，研究人员常用电学性能研究手段，如电导率测量、光电子能谱、磁光谱等手段对有机磁性材料进行相关性能分析。
《2024年磁性金属薄膜的吉尔伯特阻尼理论计算》范文
《磁性金属薄膜的吉尔伯特阻尼理论计算》篇一一、引言磁性金属薄膜因其独特的磁学性质和广泛的应用前景，在材料科学、电子工程和物理学等领域受到了广泛的关注。
吉尔伯特阻尼（Gilbert damping）是描述磁性材料中磁矩进动衰减的一个重要参数，对于理解磁性材料的动态磁性能具有关键作用。
本文将深入探讨磁性金属薄膜的吉尔伯特阻尼的理论计算。
二、吉尔伯特阻尼理论基础吉尔伯特阻尼是一个与材料内部损耗有关的物理量，描述了磁矩在受到扰动后的恢复速度。
其数学表达形式通常与材料的磁化率、磁导率以及材料的阻尼系数等有关。
在磁性金属薄膜中，由于薄膜的尺寸效应、表面粗糙度以及内部微观结构等因素的影响，吉尔伯特阻尼的计算变得复杂。
三、磁性金属薄膜的吉尔伯特阻尼计算方法针对磁性金属薄膜的吉尔伯特阻尼计算，主要的方法包括基于第一性原理的计算方法和基于经验公式的计算方法。
（一）基于第一性原理的计算方法基于第一性原理的计算方法主要依赖于量子力学原理和电子结构理论，通过计算材料的电子结构、能带结构等性质，从而得出材料的吉尔伯特阻尼。
这种方法虽然准确，但计算过程复杂，需要大量的计算资源和时间。
（二）基于经验公式的计算方法基于经验公式的计算方法主要是根据已知的物理实验数据和理论模型，通过建立经验公式来计算吉尔伯特阻尼。
这种方法相对简单，但需要大量的实验数据和经验参数。
四、磁性金属薄膜的吉尔伯特阻尼计算过程在计算磁性金属薄膜的吉尔伯特阻尼时，需要考虑薄膜的成分、结构、尺寸效应、表面粗糙度等因素。
首先，通过实验或理论计算得出薄膜的磁化率、磁导率等基本参数；然后，根据吉尔伯特阻尼的理论模型，结合实验数据和理论模型，计算出吉尔伯特阻尼；最后，对计算结果进行验证和分析，得出结论。
五、结论磁性金属薄膜的吉尔伯特阻尼计算是一个复杂而重要的过程，对于理解磁性材料的动态磁性能具有重要意义。
通过本文的介绍，我们可以看出，吉尔伯特阻尼的计算需要综合考虑材料的成分、结构、尺寸效应、表面粗糙度等因素。
《2024年磁性金属薄膜的吉尔伯特阻尼理论计算》范文
《磁性金属薄膜的吉尔伯特阻尼理论计算》篇一一、引言磁性金属薄膜因其独特的磁学性质和在各种技术中的应用而备受关注。
其中，吉尔伯特阻尼作为衡量材料在磁化过程中的能量损耗的关键参数，具有重要的研究价值。
本文旨在探讨磁性金属薄膜的吉尔伯特阻尼的理论计算方法，为相关研究提供理论依据。
二、吉尔伯特阻尼理论吉尔伯特阻尼（Gilbert Damping）是描述磁性材料在磁化过程中能量损耗的物理量。
其本质是由于磁化矢量在预置的平衡位置附近的布朗运动产生的摩擦力所导致的能量损失。
吉尔伯特阻尼的大小直接关系到材料在高频磁场下的性能表现，如电磁波吸收、微波器件等。
三、磁性金属薄膜的吉尔伯特阻尼计算对于磁性金属薄膜的吉尔伯特阻尼计算，首先需要建立合理的模型和假设。
一般来说，模型应考虑到薄膜的微观结构、磁晶各向异性、表面粗糙度等因素。
在此基础之上，可利用材料的静态和动态磁化参数进行理论计算。
（一）材料参数获取在计算吉尔伯特阻尼之前，需要获取一系列的材料参数，如饱和磁化强度、磁晶各向异性常数、交换刚度系数等。
这些参数可通过实验测量或利用第一性原理计算等方法获得。
（二）理论计算模型基于上述材料参数，可以建立理论计算模型。
常用的方法包括唯象法、动力学方法等。
其中，唯象法通过引入阻尼系数来描述材料的能量损耗；动力学方法则从材料的微观结构出发，考虑材料中的自旋波、畴壁运动等因素对吉尔伯特阻尼的影响。
（三）计算过程与结果分析根据所建立的模型和假设，进行计算并得到吉尔伯特阻尼的数值结果。
在分析过程中，需关注计算结果的准确性和可靠性，考虑模型的合理性以及实验数据的可靠性等因素。
此外，还应进行不同条件下的对比分析，如不同温度、不同磁场强度等条件下的吉尔伯特阻尼变化情况。
四、结论与展望通过对磁性金属薄膜的吉尔伯特阻尼理论计算的研究，我们可以得出以下结论：1. 吉尔伯特阻尼是描述磁性材料在磁化过程中能量损耗的重要参数，对材料在高频磁场下的性能表现具有重要影响。
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蓬勃发展中的磁性薄膜材料1前言随着电子系统向高集成度、高复杂性、轻小、高性能、多功能与高频方向发展，要求在更小的基片上集成更多的元器件。
研制小型化、薄膜化的元器件，以减小系统的整体体积和重量，无疑是适应这一要求的一条实际可行的途径。
因此，对在电子设备中占据较大体积和重量的磁性器件，如电感器、变压器的小型化、高频化也相应提出了很高的要求。
在这种背景下，国际上对于采用磁性薄膜做成的微磁器件的研究以及与半导体器件成为一体的磁性集成电路(IC)的研究十分活跃。
这些器件主要用于便携式信息通信设备，如移动电话等。
在这些设备中，为保证其工作稳定性及经济性，电源部分的小型化和高效率化是很重要的。
所以薄膜化的磁性器件最早是从各种电感器、滤波器、DC/DC变换器中的变压器等开始的。
以往用于磁性器件的NiFe合金、铁氧体等，不论是饱和磁通密Bs，还是磁导率μ的频率特性，远不能满足日益发展的新型电子设备的要求。
例如为了防止滤波器、变压器的磁饱和，以及在信息存储中为使高密度记录用的高矫顽力介质充分磁化，要求材料的Bs在1.5T以上。
另外，很多通信机用环形天线、电感器等，要求能在数百MHz到数GHz的频率范围工作。
这些要求都是目前常用的磁性材料无法满足的。
磁性材料的薄膜化为满足上述要求提供了可能。
如此，磁性材料的薄膜化是微磁器件的基础，也是将来实现磁性IC的前提之一。
2 磁性薄膜材料的基本特点与种类2.1 常用薄膜材料的特点众所周知，薄膜材料是典型的二维材料，具有许多与三维材料不同的特点。
通过研究各种薄膜材料生成机理和加工方法，可以制备出有各种特殊功能的薄膜材料来，这也是薄膜功能材料近来成为研究的热点材料的原因。
由于尺寸小，薄膜材料中表面和界面所占的相对比例较大，与表面的有关性质极为突出，存在一系列与表面界面有关的物理效应：1) 光干涉效应引起的选择性透射和反射；2) 电子与表面碰撞发生非弹性散射，使电导率、霍耳系数、电流磁场效应等发生变化；3) 因薄膜厚度比电子的平均自由程小得多，且与电子的德布罗意波长相近时，在膜的两个表面之间往返运动的电子就会发生干涉，与表面垂直运动相关的能量将取分立值，由此会对电子输运产生影响；4) 在表面，原子周期性中断，产生的表面能级、表面态数目与表面原子数具有同一量级，对于半导体等载流子少的物质将产生较大影响；5) 表面磁性原子的相邻原子数减少，引起表面原子磁矩增大；6) 薄膜材料具有各向异性等等。
由于薄膜材料性能受制备过程的影响，在制备过程中多数处于非平衡状态，因而可以在很大范围内改变薄膜材料的成分、结构，不受平衡状态时限制，所以人们可以制备出许多块体难以实现的材料以获得新的性能。
这是薄膜材料的重要特点，也是薄膜材料引人注目的重要原因。
无论采用化学法还是物理法都可以得到设计的薄膜，例如：1) 可以在很大范围内将几种材料掺杂在一起得到均匀膜，而不必考虑是否会形成均匀相，这样就能较自由地改变薄膜的性能。
2) 可以在纳米自清洁玻璃的镀膜过程中任意改变膜的厚度和其中的组分，增加或减少玻璃的某些性能。
3) 根据需要可以得到单晶、多晶、和非晶的各种结构薄膜。
4) 自组装纳米膜，可根据要探知的气体类型而制备出气体传感器，如纳米SnO2膜和γ-Fe2O3可制备出对不同气体敏感的气体传感器等。
5) 可采用分子束外延(MBE)方法制备具有原子尺度周期性的所谓超晶格结构的多层膜。
6) 通过沉积速率的控制可以容易得到成分不均匀分布的薄膜，如梯度膜等。
7) 还可以容易地将不同材料结合一起制成多层结构的薄膜。
薄膜材料一般都是用几层不同功能的膜组合在一起构成器件，如薄膜太阳能电池、多层防反射膜等，或利用层间的界面效应，如制作光导材料、薄膜激光器等。
但通常所谓多层膜是特指人为制作的具有周期性结构的薄膜材料，这是一类人工材料，能出现很多特有的性能，在理论上和实用上都引起了人们的关注，例如，磁性多层膜材料出现层间耦合及巨磁阻效应等。
2.2 磁性薄膜材料的基本特点厚度在1微米以下的强磁性（铁磁性和亚铁磁性）材料，简称磁膜材料，使用时需附于弱磁性材料的基片上。
磁膜材料的磁特性取决于其制备方法和工艺条件。
其制备方法主要有：真空蒸发法、电沉积法、溅射法等。
磁性薄膜材料也具有上述薄膜材料的特点，而它最突出的基本特点是：(1) 在薄膜的厚度方向上只有一个磁畴，在静态条件下薄膜的磁化强度是在平面上；(2) 薄膜平面上的退磁因子极小（约为10-3~10-5），而在垂直于薄膜的方向上却等于1；(3) 薄膜内无涡流产生，直到超高频频段都是如此；(4) 由于磁畴结构的特点，薄膜的本征铁磁谐振频率较之厚实的铁磁体大10~100倍，因此，在高频时薄膜仍保持甚大的磁导率；(5) 在脉冲和正弦交变磁场中，磁薄膜反复磁化极快且损耗很小；(6) 在许多磁薄膜平面上具有明显的磁各向异性；(7) 许多磁薄膜都有矩形磁滞回线。
我们知道，铁氧体的制成，把磁性材料的应用推向了高频范围；而磁薄膜技术的出现使得薄型磁性材料得以完成，为磁性薄膜元器件的开发奠定了基础。
由于铁氧体和磁薄膜均无涡流产生，故在无线电与超高频中的应用则是不可限量的，尤其在现代电子信息技术中磁薄膜的开发更具实际意义。
2.2 磁性薄膜材料的种类：薄膜磁性材料经过多年的发展已经成为了一个庞大的材料体系，原则上各种磁性材料几乎都可制成成分和厚度可以控制的磁膜材料。
就其分类而言，目前尚无定论，若按材料性质可分为金属和非金属磁膜材料；按材料组织状态分为非晶、多层调制和微晶、纳米晶磁膜材料；从结构看又有单层和多层之分。
根据薄膜组成材料和结构的不同，薄膜磁性材料大致可以分为以下一些类型：铁氧体类尖晶石和石榴石铁氧体薄膜，在磁泡和磁记录技术等方面已有很多应用，特别是在雷达技术中有着广泛的应用，但都是用于军备竞赛。
近几年对微米量级厚薄膜的研究取得了不少进展，如用作汽车中小型雷达的微波集成器件可以防碰撞，并使汽车智能化。
要做到这一点还得与硬磁膜相配合，如将稀土-过渡金属间化合物永磁叠加在铁氧体上，可做成各种小型化集成微波器件，其用途将非常广泛。
钙钛矿类主要是R1-xAxMnO3 氧化物薄膜，其中A为二价碱土金属，R为三价稀土金属。
例如(1-x)LaMnO3+xCaMnO3可形成La1-xCaxMnO3。
两种氧化物同样都具有反铁磁和绝缘体特性，理想情况下为立方结构；由于锰被包围在氧形成的八面体中，其3d电子能级因扬—特勒(Jahn-Teller)效应而分裂为两个能级，前者较低，被3个电子占据，后者被1个电子占据，其晶格结构也畸变为正交结构或菱面体结构。
在形成La-Ca-Mn-O 氧化物(x=0.2~0.5)后，结构向高对称性转变（如四面体和立方结构）。
这时体系中具有三价和四价的锰，显示出铁磁性和金属性。
单层金属合金膜一般厚度（纳米到微米）的金属薄膜已有很多的应用，如磁记录用的FeCrCo膜和磁光存储用的TbFeCo膜等，以及FeNi膜传感器。
对于铁镍合金，其磁电阻是各向异性的（简写为AMR），即在某一平面上所加的电流和磁场相互平行时Δρ=ρ(H)－ρ(0)>0，而在相互垂直时Δρ<0。
目前已用作磁电阻磁头等，并已商品化生产。
金属/氧化物薄膜主要是三明治型隧道结薄膜，其结构为FM/NI/FM，其中FM-ferromagnetic metal，铁磁金属；NI-nonmaagnetieinsolator，非磁绝缘体。
其磁电阻效应在理论上可预先计算出，用隧道磁电阻(tunnel-ingmagnetoresistanee，IMR)率η(0)表示。
当时是用Fe/Ge/Co膜计算的，在4.2K时η(0)=14%。
近年来，人们在实验上用Fe/Al2O3/Fe 薄膜，在300K时得到η(0)=15.6%的结果。
由于制备工艺比较困难，要获得实用还有许多工作要作。
另外，有理论指出，如采用铁磁氧化物为中间层，磁矩的取向与两边的金属层的磁矩相反，可具有较大的磁电阻效应。
这在无偏置磁场时也能作成磁传感器件，因而很有意义。
3 最具潜力的纳米磁性薄膜纳米磁性薄膜材料通常分为多层磁薄膜材料和纳米磁性颗粒膜材料两类。
3.1 纳米磁性多层膜材料纳米磁性多层膜材料结构如图1所示，它是在合适的基片中交替淀积纳米磁性层、纳米介质绝缘层（非磁性层）而构成，每层的厚度约为数nm到数十nm，总层数可达几百层，最常用的介质绝缘层材料为SiO2，而纳米磁性材料则根据不同的用途有很大的不同。
但有一点是共同的，即都是以一些铁磁材料为基的材料。
常用的纳米磁性多层膜的特性与主要成分如下：(1) 高饱和磁感应强度Bs、高磁导率μ、高频率纳米磁性多层膜这种多层膜在设计时主要强调材料的低矫顽力Hc、零磁致伸缩系数λs以及高的电阻率ρ，介质绝缘层为SiO2，磁性层通常为Fe、Co、FeCo以及CoZrNb材料等。
到目前为止，这种多层膜材料已能达到ρ=1000μΩ·cm，Bs≥1T，磁导率μ在频率高达7GHz以上时仍能保持在40以上。
(2) 巨磁电阻(GMR)效应多层膜GMR效应是指磁性材料在外磁场作用下，材料电阻率发生巨大变化，GMR效应的发现与应用，使计算机存储密度10年内提高了100倍，即从1990年的0.1Gbit/in2到2000年11Gbit/in2。
GMR纳米多层膜中的磁性层通常也为Fe、Ni、Co或者是它们的合金，非磁性层则为Cu、Ag、Cr、Au或氧化物。
Fe/Al2O3/Fe隧道结GMR纳米多层膜的室温Δρ/ρ达到18%，而所需饱和场仅为40kA/m，磁灵敏度高达80%/(79.6A/m)。
3.2 纳米磁性颗粒膜纳米磁性颗粒膜结构如图2所示，这种颗粒膜结构是在绝缘的金属氧化物相基体中均匀分散着粒径为数nm的磁性超细微粒。
这种纳米磁性颗粒膜结构由于磁性相的周围被绝缘氧化物相所包围，它在能获得几千μΩ·c m高的电阻率的同时，还能达到只有数奥斯特(Oe)的低矫顽力。
例如，Fe-B合金靶在N2中溅射时，得到的薄膜呈现高电阻率的原因，是由于α-Fe微粒的周围被绝缘体(BN)所包围。
Fe微粒不呈超顺磁性而显示软磁特性，是因为BN非常薄，部分Fe微粒相互连接着，或是因为存在弱的磁耦合所致。
常用的纳米磁性颗粒膜基本特性、主要成分如下：(1)超软磁纳米颗粒膜这种超软磁纳米颗粒膜是为适应平面型电感器、变压器等集成型磁性器件而发展起来的。
随着电子仪器的小型化，电子仪器的工作频率越来越高，因此希望其中的磁性器件工作到几百MHz甚至GHz，在这样高的频率下，要求材料具有高的Bs、高的μ及低的磁损耗，常用的超软磁纳米磁性颗粒膜有FeCoSiB系、Co-Cr-O系、FeCoAl-O系等，在2GHz频率下，其磁导率μ仍能达到140以上。