2018年半导体存储器材料行业分析报告

2018年半导体存储器材料行业分析报告
2018年5月
目录
一、存储器国产化投入加大，大容量存储即将进入量产元年 (5)
1、我国半导体芯片受制于人，大容量存储迎来突破 (5)
2、存储器推动半导体销售额高增，市场主要被日韩垄断 (8)
3、3D NAND Flash优势突出，逐步加快对2D NAND替代 (10)
二、大容量存储对应高深宽比制造要求，ALD沉积工艺更具优势 . 14
1、ALD沉积薄膜具有更高的均匀性和台阶覆盖能力 (14)
2、ALD工艺在高深宽比制造中更具优势 (17)
三、存储产业驱动前驱体市场不断扩大，3D结构刺激需求增长 (20)
四、雅克科技：全资控股UP Chemical填补国内半导体前驱体空白，将迎来加速发展 (22)
1、SOD产品 (25)
2、高介电常数（High-K）前驱体产品 (25)
3、氧化硅及氮化硅前驱体产品 (26)
4、金属及金属氮化物前驱体产品 (26)
我国半导体芯片受制于人，大容量存储迎来突破。

2017 年我国集成电路市场规模达到1.67万亿元，同比增长17.5%，但是国内集成电路市场主要依赖进口，进口额达到2601 亿美元，贸易逆差达到1932 亿美元。

作为使用最为普遍的一种高端通用芯片，存储器在集成电路细分市场中规模居首。

由于越来越多经济、社会、科技、军事等信息和资源被存储器储存收集，极易被窃取和利用，存储器作为信息存储的核心载体，其安全性更受到高度重视。

因此存储芯片国产化已上升为涉及国家信息安全的战略地位。

同时从海外半导体产业发展路径看，存储器产业发展成为其实现国家半导体产业崛起的切入点。

因此我国加大了对存储器产业的投入，重点推进以长江存储（武汉新芯）、合肥长鑫、福建晋华为代表的存储器项目，2019 年有望成为量产元年。

存储器推动半导体销售额高增，3D NAND 渐成主流。

2014-2016 年全球半导体销售额基本变化不大，而2017 年半导体销售额同比增长21.6%，达到创纪录的4122 亿美元，主要得益于存储器市场的高速增长，2017 年存储器市场销售额大幅增长61.5%，达到1240 亿美元。

数据中心、移动、汽车、物联网等领域的发展使得对存储速度和容量的要求不断提高，为了突破2D NAND 的物理极限，三星、海力士、东芝等主流厂商将技术转向3D NAND，根据IBS 预测3D NAND 市场将由2015 年7.1%提升至2025 年的98.2%，市场规模将达到685 亿美元。

大容量存储对应高深宽比制造要求，ALD 沉积工艺更具优势。

随着DRAM 制程的不断缩窄以及3D NAND 的发展，对深宽比制造
要求越来越高，ALD 沉积工艺相比传统CVD 和PVD 具有更好的均匀性和台阶覆盖能力，更适用于大容量存储制造过程。

前驱体市场不断扩大，3D 结构刺激需求增长。

前驱体是半导体薄膜沉积工艺的主要原材料，主要应用于气相沉积（包括PVD、CVD 及ALD），以形成符合半导体制造要求的各类薄膜层。

随下游逻辑、存储等芯片产业发展，前驱体总体市场规模将保持快速增长。

根据日本富士经济数据,全球前驱体销售规模在2014 年约7.5 亿美元，预计2019 年达到约12.0 亿美元,CAGR 10%。

根据Techcet 的报告，由于复杂的3D 结构极大的激发了对高k 沉积制程的需求，带动高k 及金属前驱体市场快速增长，2015 年用于
ALD/CVD 的高k 及金属前驱体市场规模为1.85 亿美元,2019 年增
长为3.25 亿美元，CAGR 约15%。

随着存储器容量及储存速度需求的不断提升，大容量3D NAND 将成为未来主流，刺激前驱体需求快速增长，同时国内长江存储、合肥长鑫、福建晋华等存储器项目投产临近，2019 年有望成为量产元年，前驱体国产化势在必行，率先切入产业链的企业将形成先发优势，充分享受产业上升期的市场红利。

雅克科技：公司通过收购实现对韩国前驱体企业UP Chemical 100%控股，未来将填补国内半导体前驱体空白。

UP Chemical前驱体主要用于存储、逻辑芯片制造的CVD 和ALD 沉积技术，广泛应用于高
端制程下DRAM以及先进的3D NAND 的制造工艺，客户包括海力士、三星、东芝、台积电等全球主流半导体厂商，未来在大基金助力下，。