VIPer12ADIP_VIPer12AS

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VIPer12Acn

VIPer12Acn

TJ
结温
TSTG
存储温度
范围 -0.3~730 -0.3~400 -0.3~38
10 3 >4000 -40~150 -55~150
热阻参数
符号
说明
LKVIPER 12A
单位
RthJA
热阻(1)
45
℃/W
注(1):芯片要焊接在有 200mm2 铜箔散热的 PCB 板,铜箔厚度 35um,铜箔连接到所有的 GND 脚。
7W负边电源控制芯片VIPER 12A v1.4
FB 部分
通过高压 MOS 的电流 ID 分成两个部分,其中一部分为 IS,这部分电流为芯片采样电流。IS 与 ID 成比例关系:
ID = GID • IS 通过上图可知: (I S + I FB ) • R2 = 0.23V ,由此可以得到:-
0.23V IS = R2 - IFB
参数 220uF/25V 104 4.7uF/50V 4.7uF/400V 103 104 220uF/25V 1A/250V LKVIPER 12A
N1
N2
1)骨架EE13(4+4)普通磁芯 2)电感量L为:2.2mH 3)N1:0.25mm线径为绕150匝 4)N2:0.25mm线径为绕64匝
业务电话:400-033-6518
GOSTON ELECTRONICS CO.,LTD
7W负边电源控制芯片VIPER 12A v1.4
极限参数
极限参数(TA= 25℃)
符号
说明
VDS(max)
芯片 DRAIN 脚最高耐压
VDS(ST)
芯片启动时,DRAIN 脚最高耐压
VDD
芯片电源电压

VIPer12A 标准电路

VIPer12A 标准电路

VIPer12A 标准电路1.介绍VIPer12A是ST公司生产,在一款同一颗芯片上集成了一个专用电流模式PWM 控制器和一个高压功率场效应MOS管(内部功率MOS管最小击穿电压是730V)。

因为,这种集成方法可以减少外部电路组件数量,简化电路设计,降低产品成本。

所以,受到很多开发设计工程师的信赖。

2.特点①.固定工作开关频率60KHz;②.VDD(供电电压)超宽的工作电压范围:9V~38VDC;③.电流控制模式;④.内部高压电流源启动;⑤.有过热保护(芯片温度到典型值170℃时,过温保护)、过电流保护(当I Dlim达到典型值400mA时,芯片过流保护)、过电压保护(当VDD电压达到典型值42V时,过压保护动作)及自动重启动功能;⑥.典型输出功率:3.应用范围因为,VIPer12A芯片外部电路组件数量少,电路设计简单,产品成本低。

所以,这款VIPer12A芯片广泛应用于电池充电器、适配器、小功率反激开关电源等。

VIPer12A 系列的待机功耗(小于1W)符合蓝天使和能源之星等节能标准。

4.基本工作原理1)VIPer12A内部框图:2)管脚定义框图:3)管脚定义:➢1、2脚SOURCE:功率MOSFET的源极连接点,用于高压功率的回路。

也是芯片控制电路的参考地。

➢3脚FB:反馈输入端。

通过光耦连接至该脚,流入反馈引脚3脚(FB脚)电流的大小决定了VIPer12A的运行状态。

当流入反馈引脚的电流I FB为零时,VIPer12A运行在最大功率输出状态;当流入反馈引脚的电流I FB接近1mA时,VIPer12A运行将自动关断。

控制流入反馈脚电流的大小即可实现调节输出功率。

当输出电压超过TL431设定值,TL431通过控制光耦,抬高3脚FB管脚电压,变压器原边的峰值电流就得到降低,从变压器原边传递到输出的能量减少,输出电压下降;当输出电压低于TL431设定值时,TL431通过控制光耦,降低FB管脚电压,变压器原边的峰值电流得到升高,从变压器原边传递到输出的能量增加,输出电压升高。

viper12a电源电路图

viper12a电源电路图

viper12a电源电路图电磁炉开关电源ICVIPer12A各脚正常工作电压是多少这个电源设计有两个工作电压,分别是12V和5V。

最大功率处理能力是10W,输出电压12V。

第一个输出的峰值电流是900mA。

然而,第二个输出(5V)的实现方法是在第一个输出上串联一个线性稳压器(7805)和一个分配电压降的齐纳二极管D9。

如图所示,该解决方案的二次侧反馈是一个隔离式的逆向拓扑结构。

控制回路通过一个光耦合器(TL431)实现的,这个光耦合器含有一个高稳定性的参考电压管,以检查12V输出电压,确保输入和输出完全绝缘。

一个Transil缓冲电路(D6-D7)可以有效地防护反射电压和漏电感产生的峰值电压。

扩展资料:电磁炉使用注意事项1、功率输出稳定性:优质的电磁炉应具备输出功率自动调整功能,这一功能可改善电源适应性和负载适应性。

有些电磁炉不具备这一功能,电源电压升高时,输出功率急剧上升。

2、可靠性与有效寿命:电磁炉的可靠性指标一般用MTBF表示,单位为“小时”,优质产品应在1万小时以上。

电磁炉寿命主要取决于使用环境、维护保养及主要元器件的寿命。

3、外观与结构:优质产品一般外观整洁挺括、图案字形清晰、色泽鲜艳,塑料配件无明显的凹凸不平,上下盖配合紧密,给人以舒适感,内部结构布局合理、安装牢固、通风良好、接触可靠。

参考资料:百度百科-电磁炉VIPER12的电源电路为啥桥堆老是爆炸只是桥堆坏?后续电路没损坏?开机瞬间还是工作过程中损坏?建议加一个NTC做缓冲。

开机瞬间烧坏viper12A和电阻R33(22欧),不烧保险。

34脚18Ⅴ稳压管击穿,电源调阻怀看你的描述,3.4脚18V稳压管击穿,这有问题,4脚是VDD,对地接稳压管正确的,怎么会接到3脚呢,3脚是FB,应该有个电容接地,然后接的是光耦PC817之类,才正确。

需要你核对电路,是不是弄错了,还有R33的位置是接在哪里,都需要提供信息才好分析请教,Viper12a电源电路!对于芯片中所有工作电压也都是以芯片源极管脚电压为参考点的电路,是一种并联式稳压电路,而你上面画的这个电路是串联式的。

VIPer12A 标准电路

VIPer12A 标准电路

VIPer12A 标准电路1.介绍VIPer12A是ST公司生产,在一款同一颗芯片上集成了一个专用电流模式PWM 控制器和一个高压功率场效应MOS管(内部功率MOS管最小击穿电压是730V)。

因为,这种集成方法可以减少外部电路组件数量,简化电路设计,降低产品成本。

所以,受到很多开发设计工程师的信赖。

2.特点①.固定工作开关频率60KHz;②.VDD(供电电压)超宽的工作电压范围:9V~38VDC;③.电流控制模式;④.内部高压电流源启动;⑤.有过热保护(芯片温度到典型值170℃时,过温保护)、过电流保护(当I Dlim达到典型值400mA时,芯片过流保护)、过电压保护(当VDD电压达到典型值42V时,过压保护动作)及自动重启动功能;⑥.典型输出功率:3.应用范围因为,VIPer12A芯片外部电路组件数量少,电路设计简单,产品成本低。

所以,这款VIPer12A芯片广泛应用于电池充电器、适配器、小功率反激开关电源等。

VIPer12A 系列的待机功耗(小于1W)符合蓝天使和能源之星等节能标准。

4.基本工作原理1)VIPer12A内部框图:2)管脚定义框图:3)管脚定义:➢1、2脚SOURCE:功率MOSFET的源极连接点,用于高压功率的回路。

也是芯片控制电路的参考地。

➢3脚FB:反馈输入端。

通过光耦连接至该脚,流入反馈引脚3脚(FB脚)电流的大小决定了VIPer12A的运行状态。

当流入反馈引脚的电流I FB为零时,VIPer12A运行在最大功率输出状态;当流入反馈引脚的电流I FB接近1mA时,VIPer12A运行将自动关断。

控制流入反馈脚电流的大小即可实现调节输出功率。

当输出电压超过TL431设定值,TL431通过控制光耦,抬高3脚FB管脚电压,变压器原边的峰值电流就得到降低,从变压器原边传递到输出的能量减少,输出电压下降;当输出电压低于TL431设定值时,TL431通过控制光耦,降低FB管脚电压,变压器原边的峰值电流得到升高,从变压器原边传递到输出的能量增加,输出电压升高。

VIPer12A通电就烧毁原因

VIPer12A通电就烧毁原因

VIPer12A通电就烧毁原因
VIPer12A通电就烧毁原因
这种情况是国产原件的性能不稳定导致的,⼀般更换此元件时,⾸先看清楚为3脚提供光耦合电流的回路⾥是否有⼀个电阻,⼀般是10K,⾃光耦4脚⾄VIPer12的4脚VCC端。

还有3脚对地有⼀个104P的电容,进⼝原件10K电阻与104P电容的延时过载是够⽤的,国产件这个性能是不达标的。

国产件往往在这个环境下更换后开机即烧毁。

我们就会认为换上去的是坏件,其实不然,⽅法是可以把10K,104P换成1-4.7K,473P。

⼀般此时开机会稳定启动。

不会炸块。

温升也正常。

只要你对新购买的元件不放⼼,或已经烧了⼀块,不妨⽤此⽅法试试。

我就是遇到烧坏⼀块后,不⽢⼼,分析后采⽤这个办法获得成功。

常用开关电源芯片大全

常用开关电源芯片大全

常用开关电源芯片大全第1章DC-DC电源转换器/基准电压源1。

1DC-DC电源转换器1、低噪声电荷泵DC—DC电源转换器AAT3113/AAT31142。

低功耗开关型DC-DC电源转换器ADP30003。

高效3A开关稳压器AP15014、高效率无电感DC—DC电源转换器FAN56605、小功率极性反转电源转换器ICL76606。

高效率DC—DC电源转换控制器IRU30377、高性能降压式DC—DC电源转换器ISL64208。

单片降压式开关稳压器L49609、大功率开关稳压器L4970A10、1。

5A降压式开关稳压器L497111。

2A高效率单片开关稳压器L497812、1A高效率升压/降压式DC—DC电源转换器L597013。

1、5A降压式DC-DC电源转换器LM157214、高效率1A降压单片开关稳压器LM1575/LM2575/LM2575HV15、3A降压单片开关稳压器LM2576/LM2576HV16。

可调升压开关稳压器LM257717。

3A降压开关稳压器LM259618、高效率5A开关稳压器LM267819。

升压式DC-DC电源转换器LM2703/LM270420、电流模式升压式电源转换器LM273321。

低噪声升压式电源转换器LM275022。

小型75V降压式稳压器LM500723、低功耗升/降压式DC-DC电源转换器LT107324、升压式DC—DC电源转换器LT161525、隔离式开关稳压器LT172526、低功耗升压电荷泵LT175127、大电流高频降压式DC—DC电源转换器LT176528、大电流升压转换器LT193529、高效升压式电荷泵LT193730。

高压输入降压式电源转换器LT195631。

1。

5A升压式电源转换器LT196132、高压升/降压式电源转换器LT343333。

单片3A升压式DC—DC电源转换器LT343634、通用升压式DC-DC电源转换器LT346035、高效率低功耗升压式电源转换器LT346436、1。

AP8012H 与 Viper12A 的规格书差异说明V1.0

AP8012H 与 Viper12A 的规格书差异说明V1.0

AP8012H 与 Viper12A 的规格书差异说明AP8012H是CHIPOWN(芯朋微)针对家电常见的电源反激应用,为解决家电电源应用的需求痛点,升级优化出来的第三代主流产品。

AP8012H与Viper12A对比,两者在规格书上的主要差异说明如下:1:AP8012H加大了 MOS管面积;2:AP8012H提高了 MOS管耐压;3:AP8012H增加了抖频技术;4:AP8012H增加了上电软启动功能;AP8012H多项地方得到加强和提升,AP8012H与Viper12A主要对比说明请见表1:表1: AP8012H和Viper12A对比说明对比项目AP8012H Viper12A差异说明MOS管导通电阻(Rdson) 18Ω27ΩAP8012H的MOS管面积加大了50%,温升较低,比Viper12A降低了5~10℃MOS管耐压BV(TYP) 800V 750VAP8012H的MOS管耐压采用了800V高压工艺平台,当输入AC 350V时开关机操作仍然可以安全工作,适合海外印度市场较大的电网波动。

抖频技术有无AP8012H的系统EMI曲线平滑,传导特性更好,有利于过认证。

上电软启动功能有无AP8012H具有上电软启动功能,可明显降低开机电压尖峰,提高系统可靠性。

封装形式DIP8 DIP8 AP8012H的 PIN脚完全兼容Viper12A附录1:AP8012H 增加的功能模块说明1) AP8012H 增加了 抖频技术 测试条件:开关频率AP8012H 具有抖频技术,系统EMI 曲线平滑,传导特性更好,有利于过认证; Viper12A 固定频率,不具备此功能。

2)AP8012H 增加了 上电软启动功能测试条件:反激系统开机AP8012H 具有上电软启动功能,可明显降低开机电压尖峰,提高可靠性。

Viper12A 没有软启动功能,上电存在开机电压尖峰。

AP8012H (抖频) Viper12A (无抖频)AP8012H 有抖频技术,开关频率f=45±3kHz Viper12A 无抖频技术,固定频率f=60kHz AP8012H (软启动) Viper12AVDSmax=472V VDSmax=635V。

替换进口VIPER12A

替换进口VIPER12A

85~265Vac Standby power consumption: <120mW@220Vac Integrating high-voltage startup circuit Integrating high-voltage power
Pin Diagram
1
switch
2
GND
-3-
LNK VIPer12A AC/DC PWM Power Switch
Absolute Maximum Parameter
Absolute Maximum Parameter (TA= 25℃) Symbol VDS(max) VDS(ST) Description Maximum withstand voltage of DRAIN Maximum withstand voltage of DRAIN when the chip starts VDD Ivdd IFB VESD TJ TSTG Chip power supply Clamp current Maximum feedback current ESD voltage TJ Storage temperature Range -0.3~730 -0.3~400 -0.3~38 10 3 >4000 -40~150 -55~150 Unit V V
1
GND DRAIN
BUCK
for induction
AC
EMI Filter
Vou+
Vout-
8
VIPer12A
2
GND
DRAIN
7
3
FB
DRAIN
6
4
VDD
DRAIN
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C . z d a
TUBE T&R VIPer12AS VIPer12AS13TR VIPer12ADIP
m o
DIP-8
DRAIN
PWM LATCH
R2 R3 R4
+ BLANKING OVERVOLTAGE LATCH Q 1 kΩ _ 0.23 V
230 Ω
S
SOURCE
September 2002
w w
REGULATOR INTERNAL SUPPLY VDD 8/14.5V _ + + 42V _ FB
C . w
ON/OFF OVERTEMP. DETECTOR R FF
n i h
60kHz OSCILLATOR R1 S FF Q
MOSFET on the same silicon chip. Typical applications cover off line power supplies for battery charger adapters, standby power supplies for TV or monitors, auxiliary supplies for motor control, etc. The internal control circuit offers the following benefits: – Large input voltage range on the VDD pin accommodates changes in auxiliary supply voltage. This feature is well adapted to battery charger adapter configurations. – Automatic burst mode in low load condition. – Overvoltage protection in hiccup mode.
THERMAL DATA
Symbol Rthj-case Parameter Thermal Resistance Junction-Pins for: SO-8 DIP8 Thermal Resistance Junction-Ambient for: SO-8 DIP8
Rthj-amb
Note: 1. When mounted on a standard single-sided FR4 board with 200 mm² of Cu (at least 35 µm thick) connected to all DRAIN pins.
-55 to 150
Note: 1. This parameter applies when the start up current source is off. This is the case when the VDD voltage has reached VDDon and remains above VDDoff. 2. This parameter applies when the start up current source is on. This is the case when the VDD voltage has not yet reached VDDon or has fallen below V DDoff.
VIPer12ADIP / VIPer12AS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=25°C, VDD=18V, unless otherwise specified) SUPPLY SECTION
Symbol IDDch IDDoff IDD0 IDD1 DRST VDDoff VDDon VDDhyst VDDovp Parameter Start Up Charging Current Start Up Charging Current in Thermal Shutdown Test Conditions VDS=100V; VDD=5V ...VDDon (See fig. 2) VDD=5V; VDS=100V Tj > TSD - THYST 0 3 (Note 1) (See fig. 3) (See fig. 2 & 3) (See fig. 2 & 3) 7 13 4.5 5 Min. Typ. -1 Max. Unit mA mA mA mA % V V V V
w w
Parameter
. w
h C
in
C . z d 1) Min. 730
m o
25 15 55 45
Max Value
Unit °C/W
°C/W
Test Conditions
Typ.
Max.
Unit V
ID=1mA; VFB=2V VDS=500V; VFB=2V; Tj=125°C ID=0.2A ID=0.2A; Tj=100°C ID=0.1A; VIN=300V ID=0.2A; VIN=300V VDS=25V (See fig.1) (See note 1) (See fig.1) (See note 1)
VDD
SOURCE DRAIN
FB
CURRENT AND VOLTAGE CONVENTIONS
IDD
I FB
FB
VDD
CONTROL
DRAIN
VDD VFB
VIPer12A
CONNECTION DIAGRAM
SOURCE SOURCE
w w
1 2 3 4
C . w
8 7 6 5
n i h
SOURCE

VIPer12ADIP / VIPer12AS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol VDS(sw) VDS(st) ID VDD IFB VESD Tj Tc Tstg Parameter Switching Drain Source Voltage (Tj=25 ... 125°C) Start Up Drain Source Voltage (Tj=25 ... 125°C) Continuous Drain Current Supply Voltage Feedback Current Electrostatic Discharge: Machine Model (R=0Ω; C=200pF) Charged Device Model Junction Operating Temperature Case Operating Temperature Storage Temperature (See note 1) (See note 2) Value -0.3 ... 730 -0.3 ... 400 Internally limited 0 ... 50 3 200 1.5 Internally limited -40 to 150 Unit V V A V mA V kV °C °C °C
SO-8 DIP-8
n HIGH VOLTAGE START UP CURRENT n OVERTEMPERATURE, OVERCURRENT AND
DESCRIPTION The VIPer12A combines a dedicated current mode PWM controller with a high voltage Power BLOCK DIAGRAM
ORDER CODES
PACKAGE
n n n n
FIXED 60 KHZ SWITCHING FREQUENCY 9V TO 38V WIDE RANGE VDD VOLTAGE CURRENT MODE CONTROL AUXILIARY UNDERVOLTAGE LOCKOUT WITH HYSTERESIS SOURCE OVERVOLTAGE PROTECTION WITH AUTORESTART
1/15
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VIPer12ADIP / VIPer12AS
PIN FUNCTION
Name Function Power supply of the control circuits. Also provides a charging current during start up thanks to a high voltage current source connected to the drain. For this purpose, an hysteresis comparator monitors the VDD voltage and provides two thresholds: - VDDon: Voltage value (typically 14.5V) at which the device starts switching and turns off the start up current source. - VDDoff: Voltage value (typically 8V) at which the device stops switching and turns on the start up current source. Power MOSFET source and circuit ground reference. Power MOSFET drain. Also used by the internal high voltage current source during start up phase for charging the external VDD capacitor. Feedback input. The useful voltage range extends from 0V to 1V, and defines the peak drain MOSFET current. The current limitation, which corresponds to the maximum drain current, is obtained for a FB pin shorted to the SOURCE pin.
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